專(zhuān)利名稱(chēng)：一種陣列基板及其制造方法、oled顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置制造領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、OLED顯示
>J-U ρ α裝直。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的各種顯示裝置中，由于0LED(0rganic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器與CRT (Cathode Ray Tube，陰極射線管)顯示器或TFT-LCD (Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)相比具有更輕和更薄的外觀設(shè)計(jì)、更寬的可視視角、更快的響應(yīng)速度以及更低的功耗等特點(diǎn)，因此OLED顯示器已逐 漸作為下一代顯示設(shè)備而備受人們的關(guān)注。OLED顯示裝置是自發(fā)光器件，其通常包括像素電極、與像素電極相對(duì)設(shè)置的對(duì)電極以及設(shè)置于像素電極與對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光層。OLED顯示裝置通過(guò)將電壓施加到包括像素電極和對(duì)電極上以使設(shè)置于像素電極和對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光層兩端形成電場(chǎng)，從而使得電子和空穴能夠在有機(jī)發(fā)光層中彼此復(fù)合而發(fā)光。其中，可以通過(guò)具有電路單元的陣列基板控制施加在像素電極上的電壓，從而控制OLED顯示裝置的顯示效果。現(xiàn)有技術(shù)中，為了更好地控制OLED顯示裝置的顯示效果，陣列基板的電路單元通常采用兩個(gè)TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)的結(jié)構(gòu),其中，第一 TFT是開(kāi)關(guān)晶體管，第二TFT是驅(qū)動(dòng)晶體管，局部像素單元的結(jié)構(gòu)可以如圖I所示，圖2為圖I的A-A向截面圖。圖I中，柵線13與TFTll的柵極即第一柵極111連接，數(shù)據(jù)線14與TFTll的源極即第一源極112相連，TFTll的第一漏極113透過(guò)過(guò)孔a連接到TFT12的柵極即第二柵極121。平行于數(shù)據(jù)線14的Vdd線15連接到TFT12的源極即第二源極122，TFT12的第二漏極123與像素電極16連接。由截面圖2可知，兩個(gè)TFT形成于基板10上，且均采用底柵結(jié)構(gòu)，第一柵極111和第二柵極121上依次還形成有柵絕緣層101、由氧化物形成的有源層102以及刻蝕阻擋層103。第一漏極113通過(guò)過(guò)孔a與連接電極17相連，第二柵極121通過(guò)過(guò)孔b與連接電極17相連，這樣，與像素電極16同層的連接電極17即可以連接第一漏極113與第二柵極121。為避免連接電極17與其他電極之間出現(xiàn)短路，像素電極16覆蓋區(qū)域應(yīng)當(dāng)避開(kāi)連接電極17所在區(qū)域，如圖I所示，相應(yīng)的像素電極16上設(shè)置的有機(jī)發(fā)光層18也應(yīng)當(dāng)避開(kāi)連接電極17所在區(qū)域，連接電極17所在區(qū)域需由遮光材料19覆蓋，有機(jī)發(fā)光層18與遮光材料19的表面設(shè)置有對(duì)電極110從而構(gòu)成OLED顯示裝置。由于連接電極17的存在，該連接電極17所在區(qū)域需要由黑矩陣覆蓋，從而使得OLED顯示裝置的有效發(fā)光區(qū)域面積減少、顯示亮度降低。另一方面，這樣一種結(jié)構(gòu)的OLED顯示裝置的陣列基板從柵極的設(shè)置到像素電極的設(shè)置需要經(jīng)歷7次掩模工序，以分別形成柵極層、柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源漏電極層、樹(shù)脂層以及像素電極和連接電極，同時(shí)為了連接第一漏極113和第二柵極121，需要在基板上設(shè)置多個(gè)過(guò)孔，這將導(dǎo)致OLED顯示裝置的制作工藝更加復(fù)雜，從而大大提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)難度和生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制造方法、OLED顯示裝置，可以提高顯示裝置的有效發(fā)光面積，簡(jiǎn)化制作工藝，降低產(chǎn)品的生產(chǎn)難度和生產(chǎn)成本。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種陣列基板，包括由橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線在基板上劃分出的多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元包括第一 TFT、第二 TFT和像素電極，所述第一 TFT的柵極連接所述柵線，所述第一 TFT的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第二 TFT的漏極連接所述像素電極。所述第一 TFT的源極和漏極與所述第二 TFT的柵極形成于同一層，且所述第一 TFT的漏極與所述第二 TFT的柵極直接相連接。 本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種OLED顯示裝置，包括陣列基板、對(duì)電極以及位于所述陣列基板的像素電極與所述對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述陣列基板為如上所述的陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種陣列基板的制造方法，包括在基板上分別形成第一 TFT的柵極、第二 TFT的源極和漏極以及柵絕緣層的圖形；在所述基板的表面通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成有源層以及刻蝕阻擋層的圖形；形成所述第一 TFT的源極和漏極與所述第二 TFT的柵極的圖形；形成具有過(guò)孔的樹(shù)脂層，所述過(guò)孔的底部為所述第二 TFT的漏極；形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述第二 TFT的漏極相連接。本發(fā)明實(shí)施例的又一方面，還提供一種陣列基板的制造方法，包括在基板上分別形成第一 TFT的源極和漏極、第二 TFT的柵極以及柵絕緣層的圖形；在所述基板的表面通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成有源層以及刻蝕阻擋層的圖形；形成所述第一 TFT的柵極與所述第二 TFT的源極和漏極的圖形；形成具有過(guò)孔的樹(shù)脂層，所述過(guò)孔的底部為所述第二 TFT的漏極；形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述第二 TFT的漏極相連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及其制造方法、OLED顯示裝置，該陣列基板包括由橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線在基板上劃分出的多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元又包括第一TFT、第二 TFT和像素電極，該第一 TFT的源極和漏極與該第二 TFT的柵極形成于同一層。兩個(gè)TFT米用這樣一種一頂柵、一底柵的結(jié)構(gòu),可以使得第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極直接相連，從而可以無(wú)需設(shè)置連接第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極的連接電極。這樣一來(lái)，可以減少黑矩陣的覆蓋面積，從而顯著增加了有效發(fā)光區(qū)域的面積，增大了開(kāi)口率，提高了顯示裝置的顯示亮度；同時(shí)，一頂柵、一底柵的雙TFT結(jié)構(gòu)也使得基板從形成第一層金屬層到最終形成像素電極之間所需的掩膜工序可以減少且無(wú)需形成大量的過(guò)孔，這將大大簡(jiǎn)化制作工藝，有效降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)難度和生產(chǎn)成本。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)俯視圖；圖2為圖I的A-A向剖視圖；圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)俯視圖；圖3b為圖3a的B-B向剖視圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程示意圖；圖7a為形成第一金屬層和柵絕緣層圖案的基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖7b為形成有源層圖案的基板結(jié)構(gòu)不意圖；圖7c為形成刻蝕阻擋層圖案的基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖7d為形成第二金屬層圖案的基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖7e為形成樹(shù)脂層和像素電極的基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一陣列基板的制造方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板30，如圖3a所示，包括由橫縱交叉的柵線31和數(shù)據(jù)線32在基板300上劃分出的多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元包括第一 TFT33、第二TFT34和像素電極35，第一 TFT33的柵極331連接?xùn)啪€31，第一 TFT33的源極332連接數(shù)據(jù)線32，第二 TFT34的漏極343連接像素電極35。其中，如圖3b所示，第一 TFT33的源極332和漏極333與第二 TFT34的柵極341形成于同一層，且第一 TFT33的漏極333與第二 TFT34的柵極341直接相連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，包括由橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線在基板上劃分出的多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元又包括第一 TFT、第二 TFT和像素電極，該第一 TFT的源極和漏極與該第二 TFT的柵極形成于同一層。兩個(gè)TFT采用這樣一種一頂柵、一底柵的結(jié)構(gòu)，可以使得第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極直接相連，從而可以無(wú)需設(shè)置連接第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極的連接電極。這樣一來(lái)，可以減少黑矩陣的覆蓋面積，從而顯著增加了有效發(fā)光區(qū)域的面積，增大了開(kāi)口率，提高了顯示裝置的顯示亮度；同時(shí)，一頂柵、一底柵的雙TFT結(jié)構(gòu)也使得基板從形成第一層金屬層到最終形成像素電極之間所需的掩膜工序由現(xiàn)有技術(shù)中的7次減少到6次且無(wú)需形成大量的過(guò)孔，這將大大簡(jiǎn)化制作工藝，有效降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)難度和生產(chǎn)成本。需要說(shuō)明的是，陣列基板30還包括正電源輸入Vdd線36。在實(shí)際應(yīng)用中，位于同一行的子像素單元中的第二 TFT的源極均可以與該Vdd線相連接。
進(jìn)一步地，在如圖3a所示的陣列基板3中，像素電極35可以完全覆蓋子像素單元區(qū)域。在本發(fā)明實(shí)施例中，由于兩個(gè)TFT分別米用一頂柵、一底柵的結(jié)構(gòu),其中,第一 TFT的漏極應(yīng)當(dāng)與第二 TFT的柵極直接相連接。因此在實(shí)際應(yīng)用的過(guò)程中，陣列基板具體可以包括第一 TFT仍然采用底柵結(jié)構(gòu)、而第二 TFT采用頂柵結(jié)構(gòu)的陣列基板，或者第一 TFT采用頂柵結(jié)構(gòu)、而第二 TFT仍然采用底柵結(jié)構(gòu)的陣列基板。在如圖3b所示的陣列基板30中，即是以第一 TFT仍然采用底柵結(jié)構(gòu)、而第二 TFT采用頂柵結(jié)構(gòu)的陣列基板為例進(jìn)行的說(shuō)明。如圖3b所示，第一 TFT33的柵極331與第二 TFT34的源極342和漏極343均形成于基板300的表面。具體的，基板300具體可以是包括玻璃基板或透明樹(shù)脂基板在內(nèi)的透明基板。在基板300的表面可以沉積金屬層和柵絕緣層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理該金屬層和柵絕緣層 最終形成第一 TFT33的柵極331、第二 TFT34的源極342和漏極343以及柵絕緣層301的圖形。像素電極35可以通過(guò)過(guò)孔c與第二 TFT34的漏極343相連接。進(jìn)一步地，可以在第一 TFT33的柵極331與第二 TFT34的源極342和漏極343的表面依次形成有有源層302、刻蝕阻擋層303、第一 TFT33的源極332和漏極333與第二 TFT34的柵極341、樹(shù)脂層304以及像素電極35。具體的，需要通過(guò)6次構(gòu)圖工藝以逐層形成包括第一 TFT33的柵極331、第二TFT34的源極342和漏極343、有源層302、刻蝕阻擋層303、第一 TFT33的源極332和漏極333與第二 TFT34的柵極341、樹(shù)脂層304以及像素電極35。其中，以上各層級(jí)結(jié)構(gòu)在位于第二 TFT34的漏極343上方處均應(yīng)當(dāng)具有開(kāi)口區(qū)域，以形成底部為第二 TFT34的漏極343的過(guò)孔C。進(jìn)一步地，第二 TFT34的源極342和漏極343的邊緣均可以為斜面，有源層302可以形成在第二 TFT34的源極342和漏極343之間，通過(guò)該斜面與第二 TFT34的源極342和漏極343接觸，如圖3b所示，有源層302可以形成在第二 TFT34的源極342和漏極343之間。這樣一來(lái)，可以保證第二 TFT34的源極342和漏極343均與有源層302具有較大的接觸面，從而確保了源漏極與有源層之間的電連接的穩(wěn)定性，進(jìn)一步提高了顯示裝置產(chǎn)品的質(zhì)量。進(jìn)一步地，過(guò)孔c中可以填充有遮光材料37，該遮光材料37的表面可以與像素電極35的表面相平。在陣列基板的制作過(guò)程中，為了避免不必要的暗態(tài)漏光，通常需要在子像素單元邊緣處，即柵線和數(shù)據(jù)線位置處形成一層黑矩陣，過(guò)孔c中填充的遮光材料37可以與子像素單元邊緣處的黑矩陣在同一次構(gòu)圖工藝中形成。這樣一來(lái)，可以確保位于像素電極上的有機(jī)發(fā)光層厚度均勻，從而保證了子像素單元各個(gè)區(qū)域的有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光量一致，提高了顯示裝置的顯示質(zhì)量。采用本發(fā)明實(shí)施例提供的這樣一種陣列基板，兩個(gè)TFT采用這樣一種一頂柵、一底柵的結(jié)構(gòu)，可以使得第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極直接相連，從而可以無(wú)需設(shè)置連接第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極的連接電極，令像素電極覆蓋整個(gè)子像素區(qū)域。這樣一來(lái)，可以減少黑矩陣的覆蓋面積，從而顯著增加了有效發(fā)光區(qū)域的面積，提高了顯示裝置的顯示亮度；同時(shí)，一頂柵、一底柵的雙TFT結(jié)構(gòu)也使得基板從形成第一層金屬層到最終形成像素電極之間所需的掩膜工序由現(xiàn)有技術(shù)中的7次減少到6次且無(wú)需形成大量的過(guò)孔，這將大大簡(jiǎn)化制作工藝，有效降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)難度和生產(chǎn)成本。或者，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板30還可以如圖4所示，其中，第一 TFT采用頂柵結(jié)構(gòu)、而第二 TFT仍然采用底柵結(jié)構(gòu)的陣列基板。如圖4所示，第一 TFT 33的源極332和漏極333與第二 TFT34的柵極341均形成于基板300的表面。像素電極35同樣可以通過(guò)過(guò)孔d與第二 TFT34的漏極343相連接。由于第二TFT34的漏極343位于第二 TFT34的頂部，與前述實(shí)施例中的過(guò)孔c相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的過(guò)孔d只需穿透樹(shù)脂層而無(wú)需穿透柵絕緣層以及刻蝕阻擋層，這樣一來(lái)使得過(guò)孔的制作變得相對(duì)簡(jiǎn)單，從而進(jìn)一步降低了顯示裝置的生產(chǎn)難度。與前述實(shí)施例類(lèi)似的，在基板300的表面可以沉積金屬層和柵絕緣層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理該金屬層和柵絕緣層最終形成第一 TFT33的源極332和漏極333、第二 TFT34的柵極341以及柵絕緣層301的圖形。進(jìn)一步地，可以在第一 TFT33的源極332和漏極333與第二 TFT34的柵極341的表面依次形成有柵絕緣層301、有源層302、刻蝕阻擋層303、第一 TFT33的柵極331與第二TFT34的源極342和漏極343、樹(shù)脂層304以及像素電極35。在本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板中，同樣需要通過(guò)6次構(gòu)圖工藝以逐層形成包括第一 TFT33的源極332和漏極333、第二 TFT34的柵極341以及柵絕緣層301、有源層302、刻蝕阻擋層303、第一 TFT33的柵極331與第二 TFT34的源極342和漏極343、樹(shù)脂層304以及像素電極35。這樣，在基板上從形成第一層金屬層到最終形成像素電極共需經(jīng)歷6次掩膜工序。采用這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板，由于第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極形成于同一層且直接相連接，從而進(jìn)一步簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝。進(jìn)一步地，第一 TFT33的源極332和漏極333的邊緣均為斜面，有源層302可以形成在第一 TFT33的源極332和漏極333之間，通過(guò)該斜面與第一 TFT33的源極332接觸，如圖4所示，有源層302可以形成在第一 TFT33的源極332和漏極333之間。這樣一來(lái)，可以保證第二 TFT34的源極342和漏極343均與有源層302具有較大的接觸面，從而確保了源漏極與有源層之間的電連接的穩(wěn)定性，進(jìn)一步提高了顯示裝置產(chǎn)品的質(zhì)量。進(jìn)一步地，與前述實(shí)施例類(lèi)似的，過(guò)孔d中同樣可以填充有遮光材料37，該遮光材料37的表面可以與像素電極35的表面相平。采用本發(fā)明實(shí)施例提供的這樣一種陣列基板，兩個(gè)TFT采用這樣一種一頂柵、一底柵的結(jié)構(gòu)，可以使得第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極直接相連，從而可以無(wú)需設(shè)置連接第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極的連接電極，令像素電極覆蓋整個(gè)子像素區(qū)域。這樣一來(lái)，可以減少黑矩陣的覆蓋面積，從而顯著增加了有效發(fā)光區(qū)域的面積，增大了開(kāi)口率，提高了顯示裝置的顯示亮度；另一方面，該結(jié)構(gòu)的采用也使得基板從形成第一層金屬層到最終形成像素電極之間所需的掩膜工序由現(xiàn)有技術(shù)中的7次減少到6次且無(wú)需形成大量的過(guò)孔，這將大大簡(jiǎn)化制作工藝，有效降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)難度和生產(chǎn)成本。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板可以廣泛地適用于各種現(xiàn)有的OLED顯示裝置中。例如，在如圖5所示的OLED顯示裝置50中，該OLED顯示裝置50具體可以包括陣列基板30、對(duì)電極51以及位于陣列基板30的像素電極35與對(duì)電極51之間的有機(jī)發(fā)光層52，其中，陣列基板30可以為如上所述的陣列基板30。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，OLED顯示裝置50中的陣列基板30是以圖3b所示的陣列基板30為例進(jìn)行的說(shuō)明，而并不是對(duì)本發(fā)明所做的限制。由于陣列基板30的結(jié)構(gòu)在前述實(shí)施例中已做了詳細(xì)的描述，故此處不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示裝置，包括陣列基板，該陣列基板包括由橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線在基板上劃分出的多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元又包括第一 TFT、第二 TFT和像素電極，該第一 TFT的源極和漏極與該第二 TFT的柵極形成于同一層。兩個(gè)TFT采用這樣一種一頂柵、一底柵的結(jié)構(gòu)，可以使得第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極直接相連，從而可以無(wú)需設(shè)置連接第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極的連接電極。這樣一來(lái)，可以減少黑矩陣的覆蓋面積，從而顯著增加了有效發(fā)光區(qū)域的面積，提高了顯示裝置的顯示亮度；另一方面，由于采用底柵和頂柵相結(jié)合的方式，也使得基板從形成第一層金屬層到最終形成像素電極之間所需的掩膜工序由現(xiàn)有技術(shù)中的7次減少到6次且無(wú)需形成大量的過(guò)孔，這將大大簡(jiǎn)化制作工藝，有效降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)難度和生產(chǎn)成本。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法如圖6所示，包括S601、在基板上分別形成第一 TFT的柵極、第二 TFT的源極和漏極以及柵絕緣層的圖形。具體的，由于第一 TFT的柵極需要與柵線相連接，同時(shí)第二 TFT的源極需要與正電源輸入Vdd線連接，因此可以在基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成柵線、Vdd線、第一 TFT的柵極、第二 TFT的源極和漏極以及柵絕緣層的圖形。S602、在該第一 TFT的柵極與該第二 TFT的源極和漏極的表面通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成柵絕緣層、有源層以及刻蝕阻擋層的圖形。其中，第二 TFT的源極和漏極的邊緣均可以為斜面，有源層302可以形成在第二TFT34的源極342和漏極343之間，通過(guò)該斜面與第二 TFT34的源極342和漏極343接觸。S603、形成該第一 TFT的源極和漏極與該第二 TFT的柵極的圖形。具體的，由于第一 TFT的源極需要與數(shù)據(jù)線相連接，因此可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成數(shù)據(jù)線、第一 TFT的源極和漏極與第二 TFT的柵極的圖形。S604、形成具有過(guò)孔的樹(shù)脂層，該過(guò)孔的底部為該第二 TFT的漏極。S605、形成像素電極，該像素電極通過(guò)該過(guò)孔與第二 TFT的漏極相連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，該陣列基板包括由橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線在基板上劃分出的多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元又包括第一 TFT、第二 TFT和像素電極，該第一 TFT的源極和漏極與該第二 TFT的柵極形成于同一層。兩個(gè)TFT采用這樣一種一頂柵、一底柵的結(jié)構(gòu)，可以使得第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極直接相連，從而可以無(wú)需設(shè)置連接第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極的連接電極。這樣一來(lái)，可以減少黑矩陣的覆蓋面積，從而顯著增加了有效發(fā)光區(qū)域的面積，提高了顯示裝置的顯示亮度；另一方面，由于采用底柵和頂柵相結(jié)合的方式，也使得基板從形成第一層金屬層到最終形成像素電極之間所需的掩膜工序由現(xiàn)有技術(shù)中的7次減少到6次且無(wú)需形成大量的過(guò)孔，這將大大簡(jiǎn)化制作工藝，有效降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)難度和生產(chǎn)成本。進(jìn)一步地，如圖6所示，陣列基板的制造方法還可以包括S606、在形成有像素電極的該陣列基板的過(guò)孔中填充遮光材料，該遮光材料的表面與該像素電極的表面相平。在陣列基板的制作過(guò)程中，為了避免不必要的暗態(tài)漏光，通常需要在子像素單元邊緣處，即柵線和數(shù)據(jù)線位置處形成一層黑矩陣，過(guò)孔c中填充的遮光材料可以與子像素單元邊緣處的黑矩陣在同一次構(gòu)圖工藝中形成。這樣一來(lái)，可以確保像素電極上的有機(jī)發(fā)光層厚度均勻，從而保證了子像素單元各個(gè)區(qū)域的有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光量一致，提高了顯示裝置的顯示質(zhì)量。以下對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法進(jìn)行舉例說(shuō)明。 首先，需要在基板300上沉積第一金屬層和柵絕緣層301，經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕后得到圖7a所示的圖形結(jié)構(gòu)，其中，第一金屬層分別形成柵線31、Vdd線36 (柵線31和Vdd線36圖7a中未示出)、第一 TFT33的柵極331與第二 TFT34的源極342和漏極343的圖形，柵絕緣層301僅覆蓋有金屬存在的區(qū)域。進(jìn)一步地，可以通過(guò)控制成膜和刻蝕條件，令第二 TFT34的源極342和漏極343均有較小坡度角，邊緣為一斜面。直接在形成上述結(jié)構(gòu)的基板300上沉積有源層302，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕后得到圖形化的有源層結(jié)構(gòu)，其中，該有源層可以選擇IGZ0(indium gallium zinc oxide,銦鎵鋅氧化物)材料制成，且該有源層302可以填充在第二 TFT34的源極342和漏極343之間，其結(jié)構(gòu)可以如圖7b所示。接下來(lái)，如圖7c所示，在基板300上沉積氧化硅材料形成刻蝕阻擋層303，刻蝕完成后得到的圖形在第一 TFT33位置與現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)一樣都是充當(dāng)刻蝕保護(hù)層，刻蝕阻擋層303在第二 TFT34的漏極343位置處需要留出過(guò)孔c的圖形，并將下層的柵絕緣層301一起刻蝕完全，同時(shí)在其他位置處覆蓋基板表面以充當(dāng)絕緣層。在基板300上沉積第二金屬層，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕后得到圖7d所示的結(jié)構(gòu)。該段工藝中，數(shù)據(jù)線32、第一 TFT33的源極332和漏極333與第二 TFT34的柵極341的圖形同時(shí)形成，且第一 TFT33的源極332與第二 TFT34的柵極341直接連接。在基板300上涂覆樹(shù)脂層并對(duì)其進(jìn)行曝光、顯影，得到在第二 TFT34的漏極343處開(kāi)口的樹(shù)脂層304，然后再沉積像素電極層，通過(guò)構(gòu)圖工藝處理后形成分別覆蓋單個(gè)子像素區(qū)域的像素電極35，其結(jié)構(gòu)如圖7e所示。在基板300上涂覆黑色樹(shù)脂，通過(guò)構(gòu)圖工藝處理后得到黑矩陣圖形，其正面投影與數(shù)據(jù)線和柵線的投影重合，且線寬略大于數(shù)據(jù)線和柵線。同時(shí)，在過(guò)孔c中也填充了與像素電極35上表面齊平的遮光材料37，從而最終得到如圖3b所示的陣列基板。該結(jié)構(gòu)可以保證上層有機(jī)發(fā)光體厚度的均勻性，保證了顯示裝置亮度的均勻。在本發(fā)明實(shí)施例中，由于兩個(gè)TFT分別米用一頂柵、一底柵的結(jié)構(gòu),其中,第一 TFT的漏極應(yīng)當(dāng)與第二 TFT的柵極直接相連接。因此在實(shí)際應(yīng)用的過(guò)程中，陣列基板具體可以包括第一 TFT仍然采用底柵結(jié)構(gòu)、而第二 TFT采用頂柵結(jié)構(gòu)的陣列基板，或者第一 TFT采用頂柵結(jié)構(gòu)、而第二 TFT仍然采用底柵結(jié)構(gòu)的陣列基板。在上述實(shí)施例中，即是以第一 TFT仍然采用底柵結(jié)構(gòu)、而第二 TFT采用頂柵結(jié)構(gòu)的陣列基板為例進(jìn)行的說(shuō)明。在陣列基板中，若第一 TFT采用頂柵結(jié)構(gòu)、而第二 TFT仍然采用底柵結(jié)構(gòu)，該陣列基板的制造方法如圖8所示，包括S801、在基板上分別形成第一 TFT的源極和漏極、第二 TFT的柵極以及柵絕緣層的圖形。具體的，由于第一 TFT的源極需要與數(shù)據(jù)線相連接，因此可以在基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成數(shù)據(jù)線、第一 TFT的源極和漏極、第二 TFT的柵極以及柵絕緣層的圖形。S802、在該基板的表面通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成有源層以及刻蝕阻擋層的圖形。其中，第一 TFT的源極和漏極的邊緣均為斜面，有源層302可以形成在第一 TFT33的源極332和漏極333之間，通過(guò)該斜面與第一 TFT33的源極332接觸。 S803、形成該第一 TFT的柵極與該第二 TFT的源極和漏極的圖形。具體的，由于第一 TFT的柵極需要與柵線相連接，同時(shí)第二 TFT的源極需要與正電源輸入Vdd線連接，因此可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成柵線、Vdd線、第一 TFT的柵極與第二 TFT的源極和漏極的圖形。S804、形成具有過(guò)孔的樹(shù)脂層，該過(guò)孔的底部為第二 TFT的漏極。S805、形成像素電極，該像素電極通過(guò)該過(guò)孔與第二 TFT的漏極相連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，該陣列基板包括由橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線在基板上劃分出的多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元又包括第一 TFT、第二 TFT和像素電極，該第一 TFT的源極和漏極與該第二 TFT的柵極形成于同一層。兩個(gè)TFT采用這樣一種一頂柵、一底柵的結(jié)構(gòu)，可以使得第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極直接相連，從而可以無(wú)需設(shè)置連接第一 TFT的漏極與第二 TFT的柵極的連接電極。這樣一來(lái)，可以減少黑矩陣的覆蓋面積，從而顯著增加了有效發(fā)光區(qū)域的面積，提高了顯示裝置的顯示亮度；另一方面，由于采用底柵和頂柵相結(jié)合的方式，也使得從形成第一層金屬層到最終形成像素電極之間所需的掩膜工序由現(xiàn)有技術(shù)中的7次減少到6次且無(wú)需形成大量的過(guò)孔，這將大大簡(jiǎn)化制作工藝，有效降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)難度和生產(chǎn)成本。進(jìn)一步地，如圖8所示，陣列基板的制造方法還可以包括S806、在形成有像素電極的該陣列基板的過(guò)孔中填充遮光材料，該遮光材料的表面與該像素電極的表面相平。采用這樣一種方法制作的陣列基板如圖4所示，由于第二 TFT34的漏極343位于第二 TFT34的頂部，與前述實(shí)施例中的過(guò)孔c相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的過(guò)孔d只需穿透樹(shù)脂層而無(wú)需穿透柵絕緣層以及刻蝕阻擋層，這樣一來(lái)使得過(guò)孔的制作變得相對(duì)簡(jiǎn)單，從而進(jìn)一步降低了顯示裝置的生產(chǎn)難度。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括由橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線在基板上劃分出的多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元包括第一 TFT、第二 TFT和像素電極，所述第一 TFT的柵極連接所述柵線，所述第一 TFT的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第二 TFT的漏極連接所述像素電極，其特征在于， 所述第一 TFT的源極和漏極與所述第二 TFT的柵極形成于同一層，且所述第一 TFT的漏極與所述第二 TFT的柵極直接相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括正電源輸入Vdd線. 位于同一行的所述子像素單元中的所述第二 TFT的源極均與所述Vdd線相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極完全覆蓋所述子像素單元區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的陣列基板，其特征在于，所述第一TFT的柵極與所述第二 TFT的源極和漏極均形成于所述基板的表面； 所述像素電極通過(guò)過(guò)孔與所述第二 TFT的漏極相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一 TFT的柵極、所述第二 TFT的源極和漏極以及柵絕緣層通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成； 在形成有上述結(jié)構(gòu)的所述基板表面依次形成有有源層、刻蝕阻擋層、所述第一 TFT的源極和漏極與所述第二 TFT的柵極、樹(shù)脂層以及所述像素電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二TFT的源極和漏極的邊緣均為斜面； 所述有源層形成在所述第二 TFT的源極和漏極之間，通過(guò)所述斜面與所述第二 TFT的源極和漏極接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述過(guò)孔中填充有遮光材料； 所述遮光材料的表面與所述像素電極的表面相平。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的陣列基板，其特征在于，所述第一TFT的源極和漏極與所述第二 TFT的柵極均形成于所述基板的表面； 所述像素電極通過(guò)過(guò)孔與所述第二 TFT的漏極相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一 TFT的源極和漏極、所述第二 TFT的柵極以及柵絕緣層通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成； 在形成有上述結(jié)構(gòu)的所述基板表面依次形成有有源層、刻蝕阻擋層、所述第一 TFT的柵極與所述第二 TFT的源極和漏極、樹(shù)脂層以及所述像素電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一TFT的源極和漏極的邊緣均為斜面； 所述有源層形成在所述第一 TFT的源極和漏極之間，通過(guò)所述斜面與所述第一 TFT的源極和漏極接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述過(guò)孔中填充有遮光材料； 所述遮光材料的表面與所述像素電極的表面相平。
12.—種OLED顯示裝置，包括陣列基板、對(duì)電極以及位于所述陣列基板的像素電極與所述對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光層，其特征在于，所述陣列基板為如權(quán)利要求I至10任一所述的陣列基板。
13.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在基板上分別形成第一 TFT的柵極、第二 TFT的源極和漏極以及柵絕緣層的圖形； 在所述基板的表面通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成有源層以及刻蝕阻擋層的圖形； 形成所述第一 TFT的源極和漏極與所述第二 TFT的柵極的圖形； 形成具有過(guò)孔的樹(shù)脂層，所述過(guò)孔的底部為所述第二 TFT的漏極； 形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述第二 TFT的漏極相連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，還包括 在形成有所述像素電極的所述陣列基板的過(guò)孔中填充遮光材料，所述遮光材料的表面與所述像素電極的表面相平。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述在基板上分別形成第一TFT的柵極、第二 TFT的源極和漏極以及柵絕緣層圖形包括 在基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成柵線、Vdd線、第一 TFT的柵極、第二 TFT的源極和漏極以及柵絕緣層的圖形。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一TFT的源極和漏極與所述第二 TFT的柵極的圖形包括 通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成數(shù)據(jù)線、所述第一 TFT的源極和漏極與所述第二 TFT的柵極的圖形。
17.根據(jù)權(quán)利要求13至16任一所述的方法，其特征在于，所述第二TFT的源極和漏極的邊緣均為斜面； 所述有源層形成在所述第二 TFT的源極和漏極之間，通過(guò)所述斜面與所述第二 TFT的源極和漏極接觸。
18.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在基板上分別形成第一 TFT的源極和漏極、第二 TFT的柵極以及柵絕緣層的圖形； 在所述基板的表面通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成有源層以及刻蝕阻擋層的圖形； 形成所述第一 TFT的柵極與所述第二 TFT的源極和漏極的圖形； 形成具有過(guò)孔的樹(shù)脂層，所述過(guò)孔的底部為所述第二 TFT的漏極； 形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述第二 TFT的漏極相連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，還包括 在形成有所述像素電極的所述陣列基板的過(guò)孔中填充遮光材料，所述遮光材料的表面與所述像素電極的表面相平。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述在基板上分別形成第一TFT的源極和漏極、第二 TFT的柵極以及柵絕緣層的圖形包括 在基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成數(shù)據(jù)線、第一 TFT的源極和漏極、第二 TFT的柵極以及柵絕緣層的圖形。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一TFT的柵極與所述第二 TFT的源極和漏極的圖形包括通過(guò)一次構(gòu)圖工藝分別形成柵線、Vdd線、所述第一 TFT的柵極與所述第二 TFT的源極和漏極的圖形。
22.根據(jù)權(quán)利要求18至21任一所述的方法，其特征在于，所述第一 TFT的源極和漏極的邊緣均為斜面； 所述有源層形成在所述第一 TFT的源極和漏極之間，通過(guò)所述斜面與所述第一 TFT的源極和漏極接觸。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制造方法、OLED顯示裝置，涉及顯示裝置制造領(lǐng)域，可以提高顯示裝置的有效發(fā)光面積，簡(jiǎn)化制作工藝，降低產(chǎn)品的生產(chǎn)難度和生產(chǎn)成本。陣列基板包括由橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線在基板上劃分出的多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元包括第一TFT、第二TFT和像素電極，所述第一TFT的柵極連接所述柵線，所述第一TFT的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第二TFT的漏極連接所述像素電極，所述第一TFT的源極和漏極與所述第二TFT的柵極形成于同一層，且所述第一TFT的漏極與所述第二TFT的柵極直接相連接。本發(fā)明實(shí)施例用于制造顯示裝置。
文檔編號(hào)H01L51/56GK102881712SQ201210372198
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月28日
發(fā)明者牛菁 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司