專利名稱：陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)的產(chǎn)品開發(fā)過程中，會出現(xiàn)面板(panel)的各種不良，迅速解決或修復(fù)這些不良的能力是衡量ー個(gè)公司產(chǎn)品開發(fā)水平的ー個(gè)重要指標(biāo)。傳統(tǒng)的陣列基板如圖Ia和Ib所示，包括若干柵線I、數(shù)據(jù)線2及柵線I和數(shù)據(jù)線2圍成的若干像素單元，對于Cs on common的結(jié)構(gòu)如圖la，還包括公共電極線5。其中像素單元包括TFT3和像素電極4，該陣列基板上只有在柵線I (gate線)和數(shù)據(jù)線2 (data線)兩端才有每條柵線I和數(shù)據(jù)線2的序號，所以在解析或修復(fù)不良時(shí)很難在陣列基板的有源(active)區(qū)域精確地辨識出每個(gè)子像素的具體坐標(biāo)位置。現(xiàn)有的解析方法是借助激光在某個(gè)像素打上標(biāo)記，然后細(xì)心尋線到對應(yīng)的data pad和gatepad,最后才能確定出該像素的具體坐標(biāo)，不難看出這種方法不僅耗時(shí)，而且會對樣品造成無法復(fù)原的破壞，此時(shí)如果要利用SEM，TEM, FIB, EDX等手段對該像素附近的區(qū)域做線寬、膜厚、元素成分的測試，則無法獲得真實(shí)的數(shù)據(jù)。因此，尋求一種在陣列基板上設(shè)計(jì)像素坐標(biāo)的方案可以方便的解決這ー難題。隨著TFT-LCD行業(yè)的飛速發(fā)展，在開發(fā)階段提高解決或修復(fù)不良的能力已變得尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何快速確定像素單元的位置。(ニ)技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括若干柵線、數(shù)據(jù)線及所述柵線和數(shù)據(jù)線圍成的若干像素単元，所述陣列基板的每個(gè)像素単元中，與成盒后的黑矩陣對應(yīng)區(qū)域的各膜層之ー上設(shè)置有標(biāo)識所述像素単元坐標(biāo)的標(biāo)志。其中，所述像素単元包括像素電極，所述像素電極上設(shè)有標(biāo)識有所述標(biāo)志的突出部，所述突出部與圍成該像素単元的一條柵線重疊。其中，每個(gè)所述像素単元中的突出部位于所述像素電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的柵線重疊。其中，所述像素単元包括像素電極，所述像素電極上設(shè)有標(biāo)識有所述標(biāo)志的突出部，所述突出部與圍成該像素単元的一條數(shù)據(jù)線重疊。其中，每個(gè)所述像素単元中的突出部位于所述像素電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的數(shù)據(jù)線重疊。其中，所述像素單元包括像素電極和公共電極，所述像素電極或公共電極上設(shè)有標(biāo)識有所述標(biāo)志的突出部，所述突出部與圍成該像素単元的一條柵線重疊。其中，每個(gè)所述像素単元中的突出部位于所述像素電極或公共電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的柵線重疊。其中，所述像素單元包括像素電極和公共電極，所述像素電極或公共電極上設(shè)有標(biāo)識有所述標(biāo)志的突出部，所述突出部與圍成該像素單元的一條數(shù)據(jù)線重疊。其中，每個(gè)所述像素單元中的突出部位于所述像素電極或公共電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的數(shù)據(jù)線重疊。其中，所述標(biāo)識所述像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志為標(biāo)識圍成所述像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號組成的圖案。本發(fā)明還提供了一種陣列基板制作方法，包括在基板上制作陣列基板各膜層圖案的步驟，在形成其中任一膜層的圖案時(shí)，在該膜層上與黑矩陣對應(yīng)區(qū)域，采用構(gòu)圖工藝形成標(biāo)識像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志。其中，所述采用構(gòu)圖工藝形成標(biāo)識像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志方式為在采用掩膜工藝形成所述膜層圖案的同時(shí)，在掩膜板上增加所述標(biāo)識像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志的圖案。其中，所述任一膜層的圖案為像素電極圖案，形成所述像素電極圖案的步驟為在當(dāng)前基板上形成像素電極金屬薄膜，并在所述金屬薄膜上述涂覆光刻膠；采用掩膜板對所述光刻膠曝光顯影，去除像素電極區(qū)域以外的光刻膠，所述像素電極區(qū)域與其最近的一條柵線或一條數(shù)據(jù)線重疊，且去除重疊區(qū)域上所述標(biāo)志對應(yīng)區(qū)域的光刻膠；刻蝕掉暴露出的像素電極金屬薄膜，去除剩余的光刻膠，以形成像素電極及位于所述重疊區(qū)域的刻蝕有所述標(biāo)志的像素電極的突出部。其中，陣列基板上每個(gè)所述像素電極區(qū)域與其同一側(cè)最近的一條柵線或數(shù)據(jù)線重
疊其中，所述任一膜層的圖案為公共電極圖案，形成所述公共電極圖案的步驟為在當(dāng)前基板上形成公共電極金屬薄膜，并在所述金屬薄膜上述涂覆光刻膠；采用掩膜板對所述光刻膠曝光顯影，去除公共電極區(qū)域以外的光刻膠，所述公共電極區(qū)域與其最近的一條柵線或一條數(shù)據(jù)線重疊，且去除重疊區(qū)域上所述標(biāo)志對應(yīng)區(qū)域的光刻膠；刻蝕掉暴露出的公共電極金屬薄膜，去除剩余的光刻膠，以形成公共電極及位于所述重疊區(qū)域的刻蝕有所述標(biāo)志的公共電極的突出部。其中，陣列基板上每個(gè)所述公共電極區(qū)域與其同一側(cè)最近的一條柵線或數(shù)據(jù)線重疊。其中，所述標(biāo)識像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志為標(biāo)識圍成所述像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號組成的圖案。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。(三)有益效果本發(fā)明通過在陣列基板的每個(gè)像素單元中，與成盒后的黑矩陣對應(yīng)區(qū)域的各膜層之一上設(shè)置有標(biāo)識該像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志(柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號)使得在故障發(fā)生時(shí)，能夠快速定位像素單元的位置。


圖Ia是現(xiàn)有技術(shù)的一種陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；圖Ib是現(xiàn)有技術(shù)的另一種陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；圖2a是TN模式的顯示面板的像素單元沿垂直于數(shù)據(jù)線方向上的剖面線的剖面圖；圖2b是TN模式的顯示面板的像素單元沿垂直于柵線方向上的剖面線的剖面圖；圖3a是ADS模式的顯示面板的像素單元沿垂直于數(shù)據(jù)線方向上的剖面線的剖面圖；圖3b是ADS模式的顯示面板的像素單元沿垂直于柵線方向上的剖面線的剖面圖；圖4a是本發(fā)明實(shí)施例I的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4b是本發(fā)明實(shí)施例I的另一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖5a是本發(fā)明實(shí)施例2的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖5b是本發(fā)明實(shí)施例2的另一種陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。目前，各大廠商正逐漸將顯示效果更優(yōu)良的各種廣視角技術(shù)應(yīng)用于移動性產(chǎn)品中，比如 TN (Twisted Nematic,扭曲向列)、IPS (In-Plane Switching,共面轉(zhuǎn)換)、VA(Vertical Alignment,垂直配向)、AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching,高級超維場開關(guān)，簡稱為ADS)等廣視角技術(shù)。尤其在ADS模式下，通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，能夠很大程度提高液晶工作效率并增大透光效率。本發(fā)明實(shí)施例僅以TN和ADS模式為例進(jìn)行說明，但不用來限制本發(fā)明的范圍，其他模式也可以適用。為了標(biāo)識陣列基板上每個(gè)像素單元的坐標(biāo)(柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號)，且盡量不影響最終的顯示效果，如圖2a、2b、3a及3b所示，本發(fā)明在陣列基板上的每個(gè)像素單元中，與成盒后的黑矩陣10對應(yīng)區(qū)域的各膜層之一上設(shè)置有標(biāo)識像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志。該標(biāo)志為標(biāo)識圍成該像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號組成的圖案。如圖2a和2b所示，分別為TN (twisted nematic)模式顯示面板的像素單元在沿垂直于數(shù)據(jù)線和垂直于柵線方向上的剖面線的剖面圖。彩膜基板11下方為黑矩陣10，黑矩陣10下方為公共電極6。在黑矩陣10對應(yīng)區(qū)域(即圖中虛線內(nèi)的區(qū)域)的陣列基板上的位于玻璃基板7上方的各膜層上均可刻蝕標(biāo)識像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志，即柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號組成的圖案?？梢栽跂啪€I、數(shù)據(jù)線2、像素電極4、柵絕緣層8或鈍化層9上刻蝕像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志(有源層體積很小，會影響TFT特性，造成TFT開光功能失效，因此一般不再有源層上刻蝕坐標(biāo))，對于Cs on common的結(jié)構(gòu)，還可以在公共電極線5上刻蝕像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志。如圖3a 和 3b 所不，分別為 ADS (Advanced-Super DimensionalSwitching)模式顯示面板的像素單元在沿垂直于數(shù)據(jù)線和垂直于柵線方向上的剖面線的剖面圖。彩膜基板11下方為黑矩陣10。在黑矩陣10對應(yīng)區(qū)域(即圖中虛線內(nèi)的區(qū)域)的陣列基板上的位于玻璃基板7上方的各膜層表面均可刻蝕標(biāo)識像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志，即柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號組成的圖案?？梢栽跂啪€I、數(shù)據(jù)線2、像素電極4、公共電極6、柵絕緣層8或鈍化層9上刻蝕像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志，對于Cs on common的結(jié)構(gòu)，還可以在公共電極線5(這個(gè)圖是截面圖，公共電極線5和像素電極4實(shí)際上是不接觸的)上刻蝕像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。實(shí)施例I如圖4a和圖4b所示，本實(shí)施例的陣列基板包括若干柵線I、數(shù)據(jù)線2及柵線I和數(shù)據(jù)線2圍成的若干像素單元。該像素單元包括TFT 3、像素電極4'及存儲電容。如圖4a中所示，存儲電容由公共電極線5的突出區(qū)域和像素電極4丨重疊部分形成，如圖4b中所示，存儲電容由柵線I的突出區(qū)域和像素電極4丨重疊部分形成。本實(shí)施例中，在像素電 極4 '上刻蝕圍成該像素單元的坐標(biāo)，只要保證刻蝕的坐標(biāo)位于黑矩陣對應(yīng)的區(qū)域即可?？紤]到序號字體的大小，在不影響顯示效果的情況下，可以在制作像素電極4丨時(shí)使其上有一突出部，如圖4a和4b所示。其突出部用于刻蝕該像素單元的坐標(biāo)，即圍成該像素單元的柵線I和數(shù)據(jù)線2的序號，通常是該像素單元中TFT 3所連接的柵線I和數(shù)據(jù)線2的序號，如圖中的G24、D36，表示第24條柵線I和第36條數(shù)據(jù)線2，即該像素單元位于第24條柵線I和第36條數(shù)據(jù)線2交叉的位置。理論上該突出部可以制作在像素電極4 '任意位置，但為了不影響顯示效果，進(jìn)一步地，本實(shí)施例中將該突出部設(shè)置在像素電極4 '上靠近圍成該像素單元的其中一條柵線I的一側(cè)，并與該柵線I重疊(部分或完全重疊)。由于在彩膜基板上兩個(gè)像素單元之間柵線I對應(yīng)的區(qū)域有黑矩陣，即該區(qū)域不是顯示區(qū)域，因此不會影響顯示效果。進(jìn)一步地，為了使整個(gè)陣列基板結(jié)構(gòu)均勻，且制作時(shí)方便布局，該突出部位于像素電極4'的同一側(cè)，且與形成矩形區(qū)域同一側(cè)的柵線I重疊。圖2中突出部都位于每個(gè)像素電極4'的上側(cè)(當(dāng)然也可以位于下側(cè))，即與該像素單元中TFT 3連接的柵線I重疊。本實(shí)施例的陣列基板的每個(gè)像素單元的像素電極均設(shè)置有用于刻蝕該像素單元所在的坐標(biāo)的突出部，使得在故障發(fā)生時(shí)，能夠快速定位像素單元的位置。另外，該突出部與柵線重疊，即使在上面刻蝕坐標(biāo)也不會影響其顯示效果。實(shí)施例2如圖5a和5b所示，本實(shí)施例的陣列基板包括若干柵線I、數(shù)據(jù)線2及柵線I和數(shù)據(jù)線2圍成的若干像素單元。該像素單元包括TFT 3、像素電極4 "及存儲電容。如圖5a中，存儲電容由公共電極線5的突出區(qū)域和像素電極4 "重疊部分形成，如圖5b所示，存儲電容由柵線I的突出區(qū)域和像素電極4 "重疊部分形成。本實(shí)施例和實(shí)施例I不同的是像素電極4"的突出部設(shè)置在像素電極4"上靠近圍成該像素單元的其中一條數(shù)據(jù)線2的一偵牝并與該數(shù)據(jù)線2重疊。由于在彩膜基板上兩個(gè)像素單元之間數(shù)據(jù)線2對應(yīng)的區(qū)域有黑矩陣，即該區(qū)域不是顯示區(qū)域，因此不會影響顯示效果。進(jìn)一步地，為了使整個(gè)陣列基板結(jié)構(gòu)均勻，且制作時(shí)方便布局，該突出部位于像素電極4 "的同一側(cè)，且與形成矩形區(qū)域同一側(cè)的數(shù)據(jù)線2重疊。圖3中突出部都位于每個(gè)像素電極4 "的左側(cè)(當(dāng)然也可以位于右側(cè))，即與該像素單元中TFT 3連接的數(shù)據(jù)線2重疊。本實(shí)施例的陣列基板的每個(gè)像素單元的像素電極均設(shè)置有用于刻蝕該像素單元所在的坐標(biāo)的突出部，使得在故障發(fā)生時(shí)，能夠快速定位像素單元的位置。另外，該突出部與數(shù)據(jù)線重疊，即使在上面刻蝕坐標(biāo)也不會影響其顯示效果。上述實(shí)施例I和實(shí)施例2的效果基本相同，由于柵線通常比數(shù)據(jù)線寬，因此實(shí)施例I中在制作突出部和刻蝕坐標(biāo)時(shí)相對容易。實(shí)施例3對于ADS (Advanced-Super Dimensional Switching)模式顯不面板，由于公共電極也位于陣列基板上，可以在公共電極上刻蝕坐標(biāo)，只要保證刻蝕的坐標(biāo)位于黑矩陣對應(yīng)的區(qū)域即可。同時(shí)考慮到序號字體的大小，在不影響顯示效果的情況下，公共電極上也可以設(shè)有刻蝕坐標(biāo)的突出部，其具體方案與實(shí)施例I和實(shí)施例2類似，此處不再贅述。 實(shí)施例4如圖2a 3b所示,在黑矩陣10對應(yīng)區(qū)域的柵絕緣層8 (gate insulation, GI)上干刻出坐標(biāo)。該方案的缺點(diǎn)是數(shù)字在像素區(qū)域會影響顯示效果，如果在金屬線位置則會被金屬線擋著，只能從背面才能看到數(shù)字序號。但相對與實(shí)施例f實(shí)施例3刻蝕的區(qū)域較大，無需制作突出部，刻蝕時(shí)相對容易。 實(shí)施例5如圖2a 3b所示，在黑矩陣10對應(yīng)區(qū)域的鈍化層9 (PVX)上干刻出坐標(biāo)。本實(shí)施例的優(yōu)劣和實(shí)施例4類似。實(shí)施例6如圖2a 3b所示，沿用傳統(tǒng)的像素單元結(jié)構(gòu)，直接在數(shù)據(jù)線2上濕刻出坐標(biāo)。該方案的缺點(diǎn)是影響數(shù)據(jù)線2的電阻，對產(chǎn)品的顯示效果不利。實(shí)施例7如圖2a 3b所示，沿用傳統(tǒng)的像素單元結(jié)構(gòu)，直接在柵線I上濕刻出坐標(biāo)。該方案的缺點(diǎn)是影響柵線I的電阻，對產(chǎn)品的顯示效果不利。實(shí)施例8如圖2a 3b所示，沿用傳統(tǒng)的像素單元結(jié)構(gòu)，若有公共電極線5直接在公共電極線5上濕刻出坐標(biāo)。該方案會影響存儲電容的大小，由于每個(gè)像素單元的坐標(biāo)不同，會造成每個(gè)像素對應(yīng)的存儲電容的不一致，對產(chǎn)品顯示效果不利。實(shí)施例9本實(shí)施例中提供了一種顯示裝置，包括實(shí)施例I、中的陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。實(shí)施例9本實(shí)施例還提供了一種制作上述陣列基板的方法，包括在基板上制作陣列基板各膜層圖案的步驟。且在形成其中任一膜層的圖案時(shí)，在該膜層上與黑矩陣對應(yīng)區(qū)域，采用構(gòu)圖工藝形成標(biāo)識像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志。各膜層的制作流程基本與現(xiàn)有制作流程一樣，并不涉及膜層工藝的變更，不同的是在需要刻蝕坐標(biāo)的膜層(柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極、柵絕緣層或鈍化層上)制作過程中，具體在曝光顯影過程中，在掩膜板上增加?xùn)啪€和數(shù)據(jù)線的序號的圖案即可，且該序號的位置位于黑矩陣下方。以制作像素電極圖案和公共電極圖案(ADS模式)為例說明如下形成像素電極圖案的步驟為在當(dāng)前基板(已經(jīng)形成像素電極之前的其它膜層的圖案)上形成像素電極金屬薄膜，并在金屬薄膜上述涂覆光刻膠。
采用掩膜板對光刻膠曝光顯影，去除像素電極區(qū)域以外的光刻膠，像素電極區(qū)域與其最近的一條柵線或一條數(shù)據(jù)線重疊，且去除重疊區(qū)域上標(biāo)志對應(yīng)區(qū)域的光刻膠?？涛g掉暴露出的像素電極金屬薄膜，去除剩余的光刻膠，以形成像素電極及位于重疊區(qū)域的刻蝕有標(biāo)志的像素電極的突出部。優(yōu)選地，在制作時(shí)，使陣列基板上每個(gè)像素電極區(qū)域與其同一側(cè)最近的一條柵線或數(shù)據(jù)線重疊，這樣整個(gè)陣列基板結(jié)構(gòu)均勻，且制作時(shí)方便掩膜板的布局。形成公共電極圖案的步驟為在當(dāng)前基板上形成公共電極金屬薄膜，并在金屬薄膜上述涂覆光刻膠；采用掩膜板對光刻膠曝光顯影，去除公共電極區(qū)域以外的光刻膠，公共電極區(qū)域與其最近的一條柵線或一條數(shù)據(jù)線重疊，且去除重疊區(qū)域上標(biāo)志對應(yīng)區(qū)域的光刻膠；刻蝕掉暴露出的公共電極金屬薄膜，去除剩余的光刻膠，以形成公共電極及位于重疊區(qū)域的刻蝕有標(biāo)志的公共電極的突出部。優(yōu)選地，在制作時(shí)，使陣列基板上每個(gè)公共電極區(qū)域與其同一側(cè)最近的一條柵線或數(shù)據(jù)線重疊。這樣整個(gè)陣列基板結(jié)構(gòu)均勻，且制作時(shí)方便掩膜板的布局。以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括若干柵線、數(shù)據(jù)線及所述柵線和數(shù)據(jù)線圍成的若干像素単元，其特征在于，所述陣列基板的每個(gè)像素単元中，與成盒后的黑矩陣對應(yīng)區(qū)域的各膜層之ー上設(shè)置有標(biāo)識所述像素単元坐標(biāo)的標(biāo)志。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述像素単元包括像素電極，所述像素電極上設(shè)有標(biāo)識有所述標(biāo)志的突出部，所述突出部與圍成該像素単元的一條柵線重疊。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述像素単元中的突出部位于所述像素電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的柵線重疊。
4.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述像素単元包括像素電極，所述像素電極上設(shè)有標(biāo)識有所述標(biāo)志的突出部，所述突出部與圍成該像素単元的一條數(shù)據(jù)線重疊。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述像素単元中的突出部位于所述像素電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的數(shù)據(jù)線重疊。
6.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述像素単元包括像素電極和公共電極，所述像素電極或公共電極上設(shè)有標(biāo)識有所述標(biāo)志的突出部，所述突出部與圍成該像素單元的一條柵線重疊。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述像素単元中的突出部位于所述像素電極或公共電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的柵線重疊。
8.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述像素単元包括像素電極和公共電極，所述像素電極或公共電極上設(shè)有標(biāo)識有所述標(biāo)志的突出部，所述突出部與圍成該像素単元的一條數(shù)據(jù)線重疊。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述像素単元中的突出部位于所述像素電極或公共電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的數(shù)據(jù)線重疊。
10.如權(quán)利要求I、中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述標(biāo)識所述像素単元坐標(biāo)的標(biāo)志為標(biāo)識圍成所述像素単元的柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號組成的圖案。
11.一種陣列基板制作方法，包括在基板上制作陣列基板各膜層圖案的步驟，其特征在于，在形成其中任一膜層的圖案時(shí)，在該膜層上與黑矩陣對應(yīng)區(qū)域，采用構(gòu)圖エ藝形成標(biāo)識像素単元坐標(biāo)的標(biāo)志。
12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述采用構(gòu)圖エ藝形成標(biāo)識像素単元坐標(biāo)的標(biāo)志方式為在采用掩膜エ藝形成所述膜層圖案的同時(shí)，在掩膜板上增加所述標(biāo)識像素単元坐標(biāo)的標(biāo)志的圖案。
13.如權(quán)利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述任ー膜層的圖案為像素電極圖案，形成所述像素電極圖案的步驟為 在當(dāng)前基板上形成像素電極金屬薄膜，并在所述金屬薄膜上述涂覆光刻膠； 采用掩膜板對所述光刻膠曝光顯影，去除像素電極區(qū)域以外的光刻膠，所述像素電極區(qū)域與其最近的一條柵線或一條數(shù)據(jù)線重疊，且去除重疊區(qū)域上所述標(biāo)志對應(yīng)區(qū)域的光刻膠； 刻蝕掉暴露出的像素電極金屬薄膜，去除剰余的光刻膠，以形成像素電極及位于所述重疊區(qū)域的刻蝕有所述標(biāo)志的像素電極的突出部。
14.如權(quán)利要求13所述的陣列基板制作方法，其特征在干，陣列基板上每個(gè)所述像素電極區(qū)域與其同一側(cè)最近的一條柵線或數(shù)據(jù)線重疊。
15.如權(quán)利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述任ー膜層的圖案為公共電極圖案，形成所述公共電極圖案的步驟為 在當(dāng)前基板上形成公共電極金屬薄膜，并在所述金屬薄膜上述涂覆光刻膠； 采用掩膜板對所述光刻膠曝光顯影，去除公共電極區(qū)域以外的光刻膠，所述公共電極區(qū)域與其最近的一條柵線或一條數(shù)據(jù)線重疊，且去除重疊區(qū)域上所述標(biāo)志對應(yīng)區(qū)域的光刻膠； 刻蝕掉暴露出的公共電極金屬薄膜，去除剰余的光刻膠，以形成公共電極及位于所述重疊區(qū)域的刻蝕有所述標(biāo)志的公共電極的突出部。
16.如權(quán)利要求15所述的陣列基板制作方法，其特征在干，陣列基板上每個(gè)所述公共電極區(qū)域與其同一側(cè)最近的一條柵線或數(shù)據(jù)線重疊。
17.如權(quán)利要求irie中任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述標(biāo)識像素単元坐標(biāo)的標(biāo)志為標(biāo)識圍成所述像素単元的柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號組成的圖案。
18.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求f 10中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，該陣列基板包括若干柵線、數(shù)據(jù)線及所述柵線和數(shù)據(jù)線之間形成的若干像素單元，所述陣列基板的每個(gè)像素單元中，與成盒后黑矩陣對應(yīng)區(qū)域的各膜層之一上設(shè)置有標(biāo)識所述像素單元坐標(biāo)的標(biāo)志。本發(fā)明通過在像素單元上對應(yīng)黑矩陣區(qū)域的各膜層之一上設(shè)置坐標(biāo)(柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號)，使得在故障發(fā)生時(shí)，能夠快速定位像素單元的位置。
文檔編號H01L21/77GK102867823SQ20121037199
公開日2013年1月9日 申請日期2012年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月27日
發(fā)明者周紀(jì)登 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司