專利名稱：包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體裝置的封裝制造技術(shù)，特別是有關(guān)于一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)在半導(dǎo)體封裝技術(shù)中基于成本考慮與量產(chǎn)需求，普遍采用模封陣列處理(Mold Array Process,MAP)工藝。以一基板條(Substrate Strip)作為多個芯片的載體，基板條包含有四個以上排列成一矩陣的基板單元，在經(jīng)過設(shè)置芯片、電性連接等半導(dǎo)體封裝作業(yè)后，一形成面積大于矩陣的模封膠體連續(xù)覆蓋基板單元及基板單元之間的切 割道，再沿著切割道進行單體化切割，便可制得四個以上半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。圖I為一種利用模封陣列處理制得的公知窗口型球格陣列形態(tài)的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，圖2為模封陣列處理中所使用的基板條。如圖I所示，公知半導(dǎo)體封裝構(gòu)造100主要包含基板單元113、芯片120、封膠體130。該芯片120設(shè)置于該基板單元113的上表面111。如為窗口型球格陣列形態(tài)時，該基板單元113更具有貫穿上表面111與下表面112的中央槽孔117，并且位于該芯片120的主動面121的兩個以上電極122對準(zhǔn)于該中央槽孔117內(nèi)。該芯片120常見地借由兩個以上打線形成的焊線150通過該中央槽孔117將這些電極122電性連接至該基板單元113。而該封膠體130形成于該基板單元113的上表面111上與中央槽孔117內(nèi)，以密封該芯片120與這些焊線150，并且該基板單元113的下表面112可設(shè)有兩個以上焊球160，以作為該半導(dǎo)體封裝構(gòu)造100對外電性連接的端子。然而依目前公知模封陣列處理技術(shù)，該封膠體130無法覆蓋至該基板單元113的側(cè)邊116，不可避免地造成該基板單元113內(nèi)部的核心層與金屬線路在該側(cè)邊116外露，使得水氣容易入侵到封裝內(nèi)部，導(dǎo)致產(chǎn)品可靠度不佳。如圖2所示，上述的基板單元113在公知模封陣列處理過程中為多個一體形成并呈矩陣排列在公知基板條Iio內(nèi)。在相鄰基板單元113之間與周邊形成有兩個以上縱橫交錯的切割道114。配合參閱圖1，在粘晶與電性連接之后，上述的封膠體130為模封形成并連續(xù)地覆蓋在這些基板單元113與這些切割道114上。而在每一基板單元113之間的切割道114在工藝后段必須被移除，以達到單體化分離，故基板條110的切割道114部位與在這些切割道114上的封膠體130不會存在于最終的封裝產(chǎn)品內(nèi)。當(dāng)依據(jù)這些切割道114切離該基板單元113時，會同時切穿該封膠體130與該基板條110，使得該基板單元113具有切齊于該封膠體130被切側(cè)面的顯露側(cè)邊116，即該基板單元113的側(cè)邊116無法被該封膠體130保護。因此，在單體化分離之后，該基板單元113的側(cè)邊116的電鍍線路與核心層會呈現(xiàn)外露狀態(tài)，導(dǎo)致耐濕性較差，且易受到外界異物的干擾。此外，在單體化分離過程中切割工具容易拉扯或是破壞到位于該基板單元113的周邊線路，而造成后續(xù)的不良影響。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種防止基板單元的電鍍線路外露，進而提升半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的耐濕性的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法。為達到上述目的，本發(fā)明解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。本發(fā)明揭示一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，包含提供一基板條，該基板條具有四個以上排列成一矩陣的基板單元，每一基板單元的尺寸對應(yīng)于一半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，在相鄰基板單元之間與該矩陣的周邊各形成有切割道，并且在相鄰基板單元之間與該矩陣的周邊形成有寬度大于對應(yīng)切割道的預(yù)切槽孔，使這些基板單元的側(cè)邊呈內(nèi)凹地顯露于這些預(yù)切槽孔內(nèi)；在這些基板單元上設(shè)置兩個以上芯片；將芯片電性連接至對應(yīng)的這些基板單元。在基板條上模封形成封膠體，以連續(xù)地覆蓋在該矩陣內(nèi)的這些基板單元以及這些切割道，使該封膠體填入至這些預(yù)切槽孔內(nèi)，以覆蓋這些基板單元的側(cè)邊；單體化分離步驟，以切割方式移除在這些切割道處的該封膠體，將這些基板單元單體化分離為單獨的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，并且在切割后這些基板單元的側(cè)邊仍被該封膠體所包覆。本發(fā)明解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
在前述的模封陣列處理方法中，該基板條在每一基板單元內(nèi)可另形成有一中央槽孔，在設(shè)置這些芯片的步驟中，這些芯片的主動面貼附至該基板條，并且這些芯片的兩個以上電極顯露在該中央槽孔內(nèi)。在前述的模封陣列處理方法中，所述將芯片電性連接至對應(yīng)的基板單元的步驟可包含以打線方式形成兩個以上焊線，這些焊線經(jīng)由這些中央槽孔連接這些芯片與這些基板單元。在前述的模封陣列處理方法中，所述將芯片電性連接至對應(yīng)的這些基板單元的步驟可包含以該基板條的兩個以上內(nèi)引線通過這些中央槽孔接合至這些芯片的兩個以上電極。
在前述的模封陣列處理方法中，在所述于基板條上模封形成封膠體的步驟之前，可另包含的步驟為在基板條的下表面貼附一保護膠帶。在前述的模封陣列處理方法中，該基板條在這些基板單元的角隅可形成有十字連接條，以對角線方式連接這些基板單元，并使這些預(yù)切槽孔不相互連通。在前述的模封陣列處理方法中，在所述于基板條上模封形成封膠體步驟之后與在所述單體化分離步驟之前，可另包含的步驟為在這些基板單元的下表面形成兩個以上焊球。在前述的模封陣列處理方法中，該封膠體所切割移除的間隙寬度可相同于這些切割道的寬度。本發(fā)明還提供一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其包含在一基板條上模封形成一封膠體，以連續(xù)地覆蓋在一矩陣內(nèi)的四個以上基板單元以及在這些基板單元之間的兩個以上切割道，其中在相鄰基板單元之間與該矩陣的周邊形成有一寬度大于對應(yīng)切割道的預(yù)切槽孔，使這些基板單元的側(cè)邊呈內(nèi)凹地顯露于這些預(yù)切槽孔內(nèi)，在所述于基板條上模封形成封膠體步驟中，該封膠體更填入至這些預(yù)切槽孔內(nèi)，以覆蓋這些基板單元的側(cè)邊；以及以切割方式移除在這些切割道處的所述封膠體，以將這些基板單元單體化分離為單獨的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，并且在切割后這些基板單元的側(cè)邊仍被所述封膠體所包覆。在所述于基板條上模封形成封膠體步驟之前，另包含的步驟為
在這些基板單元設(shè)置兩個以上芯片，并使這些芯片電性連接至這些基板單元；以及在設(shè)置芯片與電性連接步驟之后，在所述基板條上形成所述預(yù)切槽孔。由以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，具有以下優(yōu)點與功效一、可借由在相鄰基板單元之間與矩陣的周邊形成寬度大于對應(yīng)切割道的預(yù)切槽孔作為其中的一技術(shù)手段，由于封膠體填入預(yù)切槽孔內(nèi)，而覆蓋基板單元的側(cè)邊，并且在切割后基板單元的側(cè)邊仍被封膠體所包覆。因此，在單體化分離步驟時，只會切穿封裝材料，不會切到基板結(jié)構(gòu)，解決公知模封陣列處理方法中基板側(cè)邊外露的問題，可避免基板單元周邊的金屬線路與核心層外露，進而使封裝產(chǎn)品達到抗氧化、抗?jié)駳饧皩蛊渌h(huán)境侵害的作用，并提升半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的耐用度。二、可借由MAP工藝中封膠體填入寬度大于對應(yīng)切割道的預(yù)切槽孔作為本發(fā)明的其中一技術(shù)手段，在模封陣列處理的單體化分離步驟中不會切到基板結(jié)構(gòu)，避免單體化分離步驟的厚切割應(yīng)力作用于基板而造成內(nèi)部線路變形或位移。


圖I為一種以公知模封陣列處理制造的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的截面示意圖；圖2為一種基板條的局部俯視不意圖；圖3為依據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例的一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法所制成的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的截面示意圖；圖4A至圖4F為依據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法各步驟中的元件截面示意圖；圖5為依據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法繪示其基板條的局部俯視圖；圖6A至圖6H為依據(jù)本發(fā)明的第二具體實施例的另一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法各步驟中的元件截面示意圖；圖7A至圖7G為依據(jù)本發(fā)明的第三具體實施例的另一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法各步驟中的元件截面示意圖。附圖標(biāo)記說明S 封膠體切割移除的間隙寬度W切割道的寬度100半導(dǎo)體封裝構(gòu)造
110基板條111上表面 112下表面
113基板單元114切割道
116側(cè)邊117中央槽孔
120芯片121主動面 122電極
130封膠體150焊線 160焊球
·200半導(dǎo)體封裝構(gòu)造
210基板條
211矩陣212基板單元212A側(cè)邊
213切割道214預(yù)切槽孔215中央槽孔
216上表面217下表面 218十字連接條
220芯片
221主動面111電極 223粘晶材料
230封膠體240焊線 250焊球
300半導(dǎo)體封裝構(gòu)造
319內(nèi)引線360保護膠帶
400半導(dǎo)體封裝構(gòu)造
470切割膠帶
具體實施例方式以下將配合所附附圖詳細說明本發(fā)明的實施例，然而應(yīng)注意的是，這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方法來說明本發(fā)明的基本架構(gòu)或?qū)嵤┓椒ǎ蕛H顯示與本發(fā)明有關(guān)的元件與組合關(guān)系，圖中所顯示的元件并非以實際實施的數(shù)目、形狀、尺寸做等比例繪制，某些尺寸比例與其它相關(guān)尺寸比例或已夸張或是簡化處理，以提供更清楚的描述。實際實施的數(shù)目、形狀及尺寸比例為一種選擇性的設(shè)計，詳細的元件布局可能更為復(fù)雜。依據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例，一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法舉例說明于圖3繪示其所制成的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的截面示意圖、圖4A至圖4F的各步驟中元件截面示意圖以及圖5繪示其基板條的局部俯視圖。詳細說明如下。
首先，請參閱圖4A與圖5所示，提供一基板條210，其具有四個以上基板單元212，其在工藝中為該基板條210內(nèi)部的一體連接部分并在工藝制作后為保留于半導(dǎo)體封裝構(gòu)造內(nèi)的基板部位，用以承載與電性連接芯片。其中這些基板單元212排列成N乘以M的矩陣211。如圖5所示，N為2，M為3，由多個基板單元構(gòu)成2X3矩陣形態(tài)，僅是為了便于理解而減少N與M的數(shù)目。在實際產(chǎn)品中，N可為5，而M可為8，以構(gòu)成5X8矩陣形態(tài)，其中N與M值的選擇可適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，以符合不同種類的自動組裝設(shè)備的要求。詳細而言，通常該基板條210為印刷電路板并設(shè)有單面或雙面電性導(dǎo)通的金屬線路。該基板條210也可為軟性電路薄膜或陶瓷電路板。該基板條210的核心層材料可選用高分子樹脂材料，例如FR-4環(huán)氧樹脂(FR-4ep0Xy)，或者，為了適合特殊應(yīng)用需求，也可選用其它高性能的樹脂材料，例如聚亞酰胺(PI)樹脂、三氮雜苯雙馬來酰亞胺(BT)樹脂。此外，當(dāng)適用于窗口型球柵陣列封裝類型，該基板條210在每一基板單元212內(nèi)可另形成有中央槽孔215，其對準(zhǔn)在這些基板單元212的中央部位，并且這些中央槽孔215由該基板條210的上表面216貫穿至下表面217，用以作為打線連接的通道，以適用于窗口型球格陣列封裝。此外，在相鄰基板單元212之間與該矩陣211的周邊各形成有切割道213。如圖3與圖5所示，該矩陣211的每一基板單元212的尺寸具體界定為對應(yīng)于一半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200，即圖4A與圖5的基板單元 212在兩平行切割道213之間的寬度相同于圖3半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的同一截面方向的寬度。并且，在相鄰基板單元212之間與該矩陣211的周邊形成有一寬度大于對應(yīng)切割道213的預(yù)切槽孔214，使這些基板單元212的側(cè)邊212A呈內(nèi)凹地顯露于這些預(yù)切槽孔214內(nèi)。也就是說，在一完整且未切割的基板條210中，這些預(yù)切槽孔214的兩側(cè)作為相鄰的基板單元212的側(cè)邊212A。在較佳形態(tài)中，這些預(yù)切槽孔214的寬度為這些切割道213的寬度的I. 2至2倍，可與這些中央槽孔215在同一成孔步驟中形成。較佳地，該基板條210在這些基板單元212的角隅可形成有十字連接條218，以對角線方式連接這些基板單元212，并使這些預(yù)切槽孔214不相互連通。所稱的“對角線方式連接”是指每一十字連接條218的十字端部連接于這些基板單元212的角隅并對準(zhǔn)這些基板單元212的對角線，使得這些十字連接條218能夠以最小連接面積的方式連接相鄰的基板單元。接著，請參閱圖4B所示，在這些基板單元212上設(shè)置兩個以上芯片220，例如可以利用既有的粘晶操作完成。詳細而言，這些芯片220可為形成有集成電路(IntegratedCircuit, IC)的半導(dǎo)體元件，例如內(nèi)存芯片、邏輯芯片及特殊應(yīng)用芯片等等，可由晶圓分割而成。這些芯片220的主動面221可具有兩個以上電極222，作為這些芯片220傳輸內(nèi)部信號至外界的端點。通常這些電極222為鋁或銅材質(zhì)的焊墊，或可為突出于這些主動面221的導(dǎo)電凸塊。這些電極222可設(shè)置于這些芯片220的主動面221的單一側(cè)邊、兩對應(yīng)側(cè)邊、四周側(cè)邊或是中央位置。通常這些芯片220設(shè)置于對應(yīng)基板單元212內(nèi)的中央位置。在本實施例中，每一基板單元212上均設(shè)有芯片220，但不受限定地，也可應(yīng)用至多芯片堆棧的封裝，在每一基板單元212上可疊設(shè)兩個以上芯片。在本實施例中，在設(shè)置這些芯片220的步驟中，這些芯片220的主動面221貼附至該基板條210，并且這些芯片220的電極222顯露在該中央槽孔215內(nèi)。在較佳形態(tài)中，每一芯片220與對應(yīng)的基板單元212之間可設(shè)有粘晶材料223，用以接合這些芯片220與這些基板單元212。一般而言，該粘晶材料223可預(yù)先涂布于該基板條210的上表面216，或者是預(yù)先形成于這些芯片220的主動面221，但不覆蓋位于該主動面221中央的這些電極222。該粘晶材料223可為雙面PI膠帶、液態(tài)環(huán)氧膠、預(yù)型片、B階粘膠(B-stage adhesive)或是芯片貼附物質(zhì)(Die Attach Material,DAM)，以粘接這些芯片220至這些基板單元212上。請參閱圖4C所示，將這些芯片220電性連接至對應(yīng)的這些基板單元212。在本實施例中，所述的電性連接這些芯片220與這些基板單元212的步驟可包含以打線方式形成兩個以上焊線240，這些焊線240經(jīng)由這些中央槽孔215連接這些芯片220與這些基板單元212內(nèi)部線路的接指。其中，由于這些焊線240的一部分可隱藏于這些中央槽孔215之內(nèi)，使得這些焊線240的打線線弧突出于該基板條210的下表面217的高度降低，進而減少了整體封裝厚度。這些焊線240可利用打線工藝所形成的金屬細線，其材質(zhì)可為金、或是采用類似的高導(dǎo)電性的金屬材料(例如銅或鋁)，可利用這些焊線240作為這些芯片220至這些基板單元212之間的信號傳遞與接地/電源的連接。然而不受限地，這些芯片220除了可以打線電性連接之外，也可以覆晶接合(Flip Chip Bonding)、引腳接合(Lead Bond)或是其它已知電性連接方式完成這些芯片220與這些基板單元212的電性互連。
之后，請參閱圖4D所示，在該基板條210上模封形成封膠體230，以連續(xù)地覆蓋在該矩陣211內(nèi)的這些基板單元212以及這些切割道213，使該封膠體230填入至這些預(yù)切槽孔214內(nèi)，以覆蓋這些基板單元212的側(cè)邊212A。請配合參考圖5所示，位于該基板條210內(nèi)的斜線部位即為模封區(qū)域，相當(dāng)或大于該矩陣211，在模封過程中呈現(xiàn)流動態(tài)的封膠體230會主動地填滿于這些預(yù)切槽孔214內(nèi)，直到完全包覆這些基板單元212的側(cè)邊212A。此外，該封膠體230可更填入至這些中央槽孔215內(nèi)，而經(jīng)由這些中央槽孔215突出于該基板條210的下表面217且包覆這些焊線240，進而保護這些焊線240不會受到外界的干擾與損害。但不受限定地，這些芯片220也可為裸晶形態(tài)而顯露出這些芯片220的背面以利于散熱。具體而言，該封膠體230可為環(huán)氧模封化合物(Epoxy Molding Compound, EMC),通常具有絕緣性與熱固性。該封膠體230能以轉(zhuǎn)移成型(Transfer Molding)或稱壓模的技術(shù)加以形成，或者該封膠體230也可使用其它已知的模封工藝形成，例如壓縮模封、使用一模具的印刷或噴涂等等。請參閱圖4E所示，在所述的模封形成步驟之后與在所述的單體化分離步驟之前，在這些基板單元212的下表面217可另形成兩個以上焊球250，以作為半導(dǎo)體封裝構(gòu)造對外電性連接的通道。在較佳實施例中，這些焊球250的材質(zhì)可為錫膏或其它適當(dāng)?shù)臒o鉛材料。這些焊球250可呈柵狀陣列排列，使相同單位面積的基板單元212可以容納更多輸入/輸出連接端(I/O Connection)以符合高度集成化(Integration)的半導(dǎo)體芯片所需。然而不受限定地，在不同的實施例中，這些焊球250也可替換為錫膏、接觸墊或接觸針。請參閱圖4F所示，以切割方式移除在這些切割道213處的該封膠體230，以單體化分離這些基板單元212為可單獨分離的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200，由于這些預(yù)切槽孔214的寬度大于這些切割道213，故可避免在單體化分離過程中直接切割到這些基板單元212，并且在切割后這些基板單元212的側(cè)邊212A仍被該封膠體230所包覆。在已完成封裝的這些基板單元212由該基板條210單體化分離之后，即可得到單獨的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200 (如圖3所示)。請配合參閱圖4E與圖4F所示，該封膠體230所切割移除的間隙寬度S可相同于這些切割道213的寬度W，所以在該封膠體230切割之后，仍可使該封膠體230包覆于這些基板單元212的側(cè)邊212A。在模封陣列處理的單體化分離步驟中不會切到基板結(jié)構(gòu)，避免單體化分離步驟的厚切割應(yīng)力作用于該基板條210而造成內(nèi)部線路變形或位移。
在本發(fā)明中，可借由在相鄰的這些基板單元212之間與該矩陣211的周邊形成寬度大于對應(yīng)這些切割道213的預(yù)切槽孔214作為其中的一技術(shù)手段，由于該封膠體230填入這些預(yù)切槽孔214內(nèi)，而更覆蓋這些基板單元212的側(cè)邊212A，并且這些預(yù)切槽孔214的寬度大于這些切割道213的寬度，故當(dāng)切割刀具依據(jù)這些切割道213切穿該封膠體230時，可避免切割刀具直接切割到這些基板單元212內(nèi)部的線路。此外，由于在切割后這些基板單元212的側(cè)邊212A仍被該封膠體230所包覆，因此解決公知模封陣列處理工藝中基板側(cè)邊外露的問題，能防止這些基板單元212內(nèi)部的電鍍線路與核心層外露，進而提升半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的耐濕性。依據(jù)本發(fā)明的第二具體實施例，另一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法舉例說明于圖6A至圖6H各步驟中元件的截面示意圖，用以說明本發(fā)明可適用于不同封裝類型，其中主要元件與第一實施例相同者以相同符號標(biāo)示并不再詳細贅述。
請參閱圖6A所示，提供一基板條210，其具有四個以上排列成N乘以M矩陣211的基板單兀212。在本實施例中，除了內(nèi)部線路結(jié)構(gòu)，該基板條210可另具有兩個以上內(nèi)引線319，并顯露于這些基板單元212的中央槽孔215內(nèi)。這些內(nèi)引線319可為該基板條210內(nèi)部金屬線路層的延伸部分或由外附加的懸空內(nèi)引線(lead)，通常為表面有電鍍層的銅線，可利用蝕刻銅箔等的金屬箔或?qū)щ姴俳?jīng)電鍍而形成，故具有可撓曲性。在未電性連接之前，這些內(nèi)引線319可通過上述的這些中央槽孔215而為騰空。請參閱圖6B所示，在這些基板單元212上設(shè)置兩個以上芯片220，并使這些芯片220的主動面221朝向該基板條210的上表面216，其中這些芯片220的兩個以上電極222對準(zhǔn)于對應(yīng)的基板單元212的中央槽孔215。請參閱圖6C所示，借由該基板條210的這些內(nèi)引線319通過這些中央槽孔215接合至這些芯片220的電極222，所以不會有打線線弧突出于該基板條210的下表面217，更加降低了整體的封裝厚度?？衫脙?nèi)引腳壓合治具(ILBbonding head)打斷這些內(nèi)引線319的預(yù)斷點并使這些內(nèi)引線319壓合接觸至這些芯片220的電極222，而與這些芯片220達到信號溝通的電性連接。請參閱圖6D所示，較佳地可在該基板條210的下表面217貼附保護膠帶360，并緊密地封住這些中央槽孔215與這些預(yù)切槽孔214的下方開口，以避免在后續(xù)模封形成步驟中發(fā)生封膠體由這些中央槽孔215與這些預(yù)切槽孔214溢流至基板條210的下表面217的情況。請參閱圖6E所示，在該基板條210上模封形成封膠體230，以密封這些芯片220。該封膠體230填入至這些中央槽孔215與這些預(yù)切槽孔214內(nèi)，并包覆這些基板單元212的側(cè)邊212A。在模封形成步驟之后，如圖6F所示，由該基板條210的下表面217移除該保護膠帶360。請參閱圖6G所示，在這些基板單元212的下表面217形成兩個以上焊球250。之后，如圖6H所示，單體化分離該基板條210的這些基板單元212，進而形成為獨立的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造300。依據(jù)本發(fā)明的第三具體實施例，另一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法舉例說明于圖7A至圖7G各步驟中的元件截面示意圖，用以說明預(yù)切槽孔不必形成于基板條提供步驟，其中主要元件與第一實施例相同者以相同符號標(biāo)示并不再詳細贅述。
請參閱圖7A所示，提供一基板條210，其具有四個以上排列成N乘以M矩陣211的基板單元212。請參閱圖7B所示，在這些基板單元212上設(shè)置兩個以上芯片220，并使這些芯片220電性連接至這些基板單元212。請參閱圖7C所示，在該基板條210的下表面217可貼附切割膠帶470，用以承載該基板條210，并作為后續(xù)切割承載之用。請參閱圖7D所示，在該基板條210上形成這些預(yù)切槽孔214。在本實施例中，可借由切割刀具沿著這些切割道213在這些基板單元212的周邊切割形成這些預(yù)切槽孔214，并且由于該基板條210的下表面217設(shè)置有該切割膠帶470，在形成這些預(yù)切槽孔214而切穿該基板條210之后，仍可保持這些基板單元212在該切割膠帶470上的固定位置而不散離，故使得這些預(yù)切槽孔214可相互連通。請參閱圖7E所示，在基板條210上模封形成封膠體230，以連續(xù)地覆蓋在該矩陣211內(nèi)的這些基板單元212與在這些基板單元212之間的預(yù)切槽孔214，以密封這些芯片220。在模封形成步驟中，該封膠體230填入至這些預(yù)切槽孔214內(nèi)，以覆蓋這些基板單元212的側(cè)邊212A。 請參閱圖7F所示，以切割方式移除在這些切割道213處的該封膠體230，以單體化分離這些基板單元212為可單獨分離的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造400，并且在切割后這些基板單元212的側(cè)邊212A仍被該封膠體230所包覆。在單體化分離過程中，所使用的刀具并不會切穿該切割膠帶470，以確保該切割膠帶470在切割后能發(fā)揮承載這些基板單元212的作用。之后，如圖7F與圖7G所示，移除該切割膠帶470之后，即可得到單獨的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造400。由于每一半導(dǎo)體封裝構(gòu)造400均分別獨立地粘貼于該切割膠帶470上，故可輕易地由該切割膠帶470上剝離該半導(dǎo)體封裝構(gòu)造400。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本項技術(shù)的人，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)，所作的任何簡單修改、等效性變化與修飾，均仍涵蓋于本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其特征在于，其包含 提供一基板條，其具有四個以上排列成一矩陣的基板單元，每一基板單元的尺寸對應(yīng)于一半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，在相鄰所述基板單元之間與該矩陣的周邊各形成有一切割道，并且在相鄰所述基板單元之間與所述矩陣的周邊形成有一寬度大于對應(yīng)切割道的預(yù)切槽孔，使這些基板單元的側(cè)邊呈內(nèi)凹地顯露于這些預(yù)切槽孔內(nèi)； 在這些基板單元上設(shè)置兩個以上芯片； 將所述芯片電性連接至對應(yīng)的所述基板單元； 在所述基板條上模封形成一封膠體，以連續(xù)地覆蓋在所述矩陣內(nèi)的基板單元以及這些切割道，使所述封膠體填入至這些預(yù)切槽孔內(nèi)，以覆蓋這些基板單元的側(cè)邊；以及 單體化分離步驟，以切割方式移除在所述切割道處的所述封膠體，將這些基板單元單體化分離為單獨的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，并且在切割后這些基板單元的側(cè)邊仍被所述封膠體所包覆。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其特征在于，所述基板條在每一基板單元內(nèi)另形成有一中央槽孔，在設(shè)置所述芯片的步驟中，所述芯片的主動面貼附至所述基板條，并且所述芯片的電極顯露在所述中央槽孔內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其特征在于，所述將芯片電性連接至對應(yīng)的基板單元的步驟包含以打線方式形成兩個以上焊線，這些焊線經(jīng)由這些中央槽孔連接這些芯片與這些基板單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其特征在于，所述將芯片電性連接至對應(yīng)的基板單元的步驟包含以所述基板條的兩個以上內(nèi)引線通過所述中央槽孔接合至所述芯片的電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其特征在于，在所述于基板條上模封形成封膠體的步驟之前，另包含的步驟為在所述基板條的下表面貼附一保護膠帶。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其特征在于，所述基板條在這些基板單元的角隅形成有一十字連接條，以對角線方式連接這些基板單元，并使這些預(yù)切槽孔不相互連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其特征在于，在所述于基板條上模封形成封膠體步驟之后與在所述單體化分離步驟之前，另包含的步驟為在這些基板單元的下表面形成兩個以上焊球。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其特征在于，所述封膠體所切割移除的間隙寬度相同于這些切割道的寬度。
9.一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其特征在于，其包含 在一基板條上模封形成一封膠體，以連續(xù)地覆蓋在一矩陣內(nèi)的四個以上基板單元以及在這些基板單元之間的兩個以上切割道，其中在相鄰基板單元之間與該矩陣的周邊形成有一寬度大于對應(yīng)切割道的預(yù)切槽孔，使這些基板單元的側(cè)邊呈內(nèi)凹地顯露于這些預(yù)切槽孔內(nèi)，在所述于基板條上模封形成封膠體步驟中，該封膠體更填入至這些預(yù)切槽孔內(nèi)，以覆蓋這些基板單元的側(cè)邊；以及 以切割方式移除在這些切割道處的所述封膠體，以將這些基板單元單體化分離為單獨的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，并且在切割后這些基板單元的側(cè)邊仍被所述封膠體所包覆。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法，其特征在于，在所述于基板條上模封形成封膠體步驟之前，另包含的步驟為 在這些基板單元設(shè)置兩個以上芯片，并使這些芯片電性連接至這些基板單元；以及在設(shè)置芯片與電性連接步驟之后，在所述基板條上形成所述預(yù)切槽孔。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種包覆基板側(cè)邊的模封陣列處理方法?；鍡l的四個以上基板單元排列成一矩陣。在相鄰基板單元之間與矩陣周邊各形成有一切割道，并沿著切割道形成有一寬度大于對應(yīng)切割道的預(yù)切槽孔。在基板條上模封形成一封膠體，以連續(xù)地覆蓋基板單元與切割道，更使封膠體填入至預(yù)切槽孔內(nèi)，以覆蓋基板單元的側(cè)邊。在單體化分離為單獨的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造時，在切割后基板單元側(cè)邊仍被封膠體所包覆。因此，可解決公知模封陣列處理時基板單元的電鍍線路外露，進而提升半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的耐濕性。
文檔編號H01L21/56GK102709199SQ20111007514
公開日2012年10月3日 申請日期2011年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月28日
發(fā)明者李國源, 邱文俊, 陳永祥 申請人:華東科技股份有限公司