專利名稱：模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造與其模封陣列處理制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，特別是涉及一種模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造(MAP type semiconductor package)及其模封陣列處理制程。
技術(shù)背景在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域中，使用模封陣列處理(Mold Array Process, MAP) 可以大幅降低封膠體的制造成本并提升封裝效率。復(fù)數(shù)個(gè)晶片栽體是一體 包含在一基板條內(nèi)，在粘貼半導(dǎo)體晶片之后，使用模封技術(shù)將一封膠體覆 蓋一基板條的大部分表面，港著該些晶片載體的邊界切割該封膠體與該基 板條，可以得到方塊形的MAP半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。請(qǐng)參閱圖1所示， 一種現(xiàn)有習(xí)知模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造100 主要包含一晶片栽體IIO、 一晶片120與一封膠體130。其與傳統(tǒng)單顆模封 的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造最大差異在于，該封膠體130是具有四周切割面，其是 與該晶片載體110的切割邊緣為縱向?qū)R。該晶片120是設(shè)置于該晶片栽 體110上。打線形成的復(fù)數(shù)個(gè)焊線140電性連接該晶片120的焊墊121至 該晶片載體110，該封膠體130是以模封方式形成于該晶片載體110上，而 該晶片載體110的下方可以設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)例如焊球的外接端子150。該封膠體 130是具有與該晶片載體110對(duì)齊的切割面。然而沖莫封陣列處理(MAP)制程 容易在晶片120的一側(cè)邊形成一封裝氣泡131。請(qǐng)參閱圖2所示，這是由于 在模封陣列處理(MAP)制程中，復(fù)數(shù)個(gè)晶片載體110是陣列配置并一體連接 成一基板條, 一封膠體130在熟化前的前驅(qū)材料依模封方向132以模封方式 大面積覆蓋該些晶片栽體110，由于該些晶片120會(huì)阻擋前驅(qū)材料的模流速 度，故該封膠體130的前驅(qū)材料在該些晶片12Q的模流速度會(huì)小于在該些 晶片載體110兩側(cè)的模流速度，且在g段排列的晶片120部分，在該些 晶片載體110中央(具有晶片120的部位)的模流速度與在該些晶片載體110 兩側(cè)的模流速度差異會(huì)越來越大，晶片側(cè)邊的空氣來不及排出，會(huì)有MAP 封裝氣泡131的問題。臺(tái)灣發(fā)明專利證書號(hào)數(shù)第1240395 r陣列型態(tài)^^上封膠方法J提出一 種解決MAP封裝氣泡的半導(dǎo)體封裝技術(shù)。在MAP制程中，在每一晶片栽體 的上表面兩側(cè)設(shè)有障礙物(obstruction),以減緩兩側(cè)模流速度，而與晶片 載體的上表面具有晶片^的模流速度相當(dāng)，以解決MAP封裝氣泡的問題。然 而該些障礙物是為額外附加在晶片載體上,會(huì)增加制程步驟與封裝成本。當(dāng)
采用厚膜焊罩層，則其厚度不足，減緩模流速度的效果有限。由此可見，上述現(xiàn)有的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為 了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久 以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒有適切的結(jié) 構(gòu)及方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如 何能創(chuàng)設(shè)一種新的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課 題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造存在的缺陷，本發(fā) 明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合 學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的模封陣列處理的半導(dǎo) 體封裝構(gòu)造，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，使其 更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終 于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。 -發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造 存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造與模 封陣列處理制程，所要解決的技術(shù)問題是使其能刪減先前技術(shù)中的障礙物 并仍具備延緩該封膠體在晶片載體兩側(cè)的局部流動(dòng)速度，達(dá)到中央與側(cè)邊模流平衡，不會(huì)在晶片旁邊產(chǎn)生MAP封裝氣泡，故能以原有元件的封膠體 形狀變化達(dá)到現(xiàn)有習(xí)知障礙物技術(shù)特征省略的功效。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。本發(fā) 明揭示一種模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，主要包含一晶片載體、至少 一晶片以及一封膠體。該晶片載體是具有一上表面、 一下表面及復(fù)數(shù)個(gè)在 該上表面與該下表面之間的切割邊緣。該晶片是設(shè)置于該晶片載體的上表 面并與該晶片載體電性連接。該封膠體是實(shí)質(zhì)覆蓋該晶片栽體的上表面并 密封該晶片，其中該封膠體的其中兩側(cè)是各形成為一模流限制部，其是較 低于該封膠體的中央頂面且對(duì)齊至該晶片載體的對(duì)應(yīng)切割邊緣。另揭示該 半導(dǎo)體封裝構(gòu)造之模封陣列處理制程。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。在前述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，其中該些模流限制部是 具有一側(cè)頂面，由該些側(cè)頂面至該晶片載體的上表面的一第 一高度是降低 而接近至由該封膠體的中央頂面至該晶片的主動(dòng)面的一第二高度。在前述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，其中該封裝構(gòu)造是概呈 矩形方塊體，該兩模流限制部是為條狀，而該封膠體的其余兩側(cè)則不形成 有模流限制部。在前述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，其中該些模流限制部的 寬度是不超過該晶片的側(cè)面，且該些模流限制部至該晶片側(cè)面的間隙是大 致等同或小于前述第一高度。在前述的才莫封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，另包含有復(fù)數(shù)個(gè)焊線，其 是電性連接該晶片與該晶片栽體。在前述的才莫封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，其中該晶片的一主動(dòng)面 是貼附于該晶片栽體的上表面，且該晶片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊是對(duì)準(zhǔn)在該晶片栽 體的一槽孔內(nèi)，該些焊線是通過該槽孔電性連接該些焊墊至該晶片載體。在前述的才莫封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，其中該晶片的一主動(dòng)面 是遠(yuǎn)離該晶片載體的上表面，并以該些焊線將該晶片在該主動(dòng)面上的焊墊 電性連接至該晶片載體。在前述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，另包含有復(fù)數(shù)個(gè)外接端 子，其是接合在該晶片載體的下表面。在前述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，其中該些外接端子是包 含焊球。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明4莫封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造與其模封陣列處理制程，其能 刪減先前技術(shù)中的障礙物并仍具備延緩該封膠體在晶片載體兩側(cè)的局部流 動(dòng)速度，達(dá)到中央與側(cè)邊，莫流平衡，不會(huì)在晶片旁邊產(chǎn)生MAP封裝氣泡,故效。藉由封膠體的形狀變化，能在不需要增加緩流障礙物元件的條件下達(dá) 到中央與側(cè)邊模流平衡，在晶片旁邊不會(huì)有MAP封裝氣泡。綜上所述，本發(fā)明新穎的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造具有上述諸 多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、方法或功能上皆有較大的改進(jìn)，在 技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的模封陣列 處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實(shí)用，并具有 產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是一種現(xiàn)有習(xí)知模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖2是在現(xiàn)有習(xí)知模封陣列處理過程中一封膠體在陣列型態(tài)基板上流 動(dòng)速度差異的示意圖。圖3是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例， 一種模封陣列處理的半導(dǎo)體封 裝構(gòu)造的截面示意圖。圖4是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的頂面示意圖。圖5A至圖5D是^l據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，在該半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理過程中其晶片載體截面示意圖。圖6是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，繪示在模封陣列處理過程中一 封膠體在陣列型態(tài)基板上流動(dòng)速度一致化的示意圖。圖7是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，另一種模封陣列處理的半導(dǎo)體 封裝構(gòu)造的截面示意圖。10 :上模具20 :下才莫具100:半導(dǎo)體封裝構(gòu)造110:晶片載體120:晶片121:焊墊130:封膠體131:氣泡132:才莫流方向140:焊線150:外接端子200:才莫封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造210:晶片載體211:上表面212:下表面213:切割邊緣220:晶片221:主動(dòng)面222:背面223:焊墊230:封膠體231:模流限制部232:才莫:流方向233:中央頂面234:側(cè)頂面240:焊線250:外接端子300:模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造310:晶片栽體311:上表面312:下表面313:槽孔314:切割邊緣 v320:晶片321:主動(dòng)面322:焊墊330:封膠體331:才莫流限制部332:中央頂面340:焊線350:外接端子Hl :第一高度H2 :第二高度Sl :間隙
具體實(shí)施例方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的模封陣列處理的半導(dǎo) 體封裝構(gòu)造其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、制造方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì) 說明如后。實(shí)施方式在本發(fā)明的第一具體實(shí)施例中， 一種模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200主要包含一晶片載體210、至少一晶片220以及一封膠體230。由于該 半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200是以模封陣列處理制程形成該封膠體230,故該封膠體 2 3 0大致覆蓋于該晶片載體210之上且該封膠體2 3 0的四周邊緣是與該晶片 載體210的四邊切割邊緣213為切齊。該晶片載體210是具有一上表面211、 一下表面212及復(fù)數(shù)個(gè)在該上表 面211與該下表面212之間的切割邊緣213。在本實(shí)施例中，該晶片載體 210是可為一印刷電路板，其內(nèi)部設(shè)有線路結(jié)構(gòu)，但亦可為一陶資電路板、一 導(dǎo)線架或一金屬載板。該晶片220是設(shè)置于該晶片栽體210的上表面211并與該晶片栽體210 電性連接。具體而言，該晶片220是具有一主動(dòng)面221與一相對(duì)向的背面 222,復(fù)數(shù)個(gè)焊墊223是形成于該主動(dòng)面221上，并可利用現(xiàn)有習(xí)知的打線 或覆晶接合方式電性連接至該晶片栽體210。在本實(shí)施例中，該晶片220的 該主動(dòng)面221是遠(yuǎn)離該晶片載體210的上表面211,可利用已知粘晶材料將 該晶片220的背面222粘著在該晶片載體210的上表面211或其它晶片(圖 未繪出)上，并可采用傳統(tǒng)的打線電性連接，以復(fù)數(shù)個(gè)打線形成的焊線240 連接該些焊墊223至該晶片載體210的內(nèi)接指(圖未繪出)。請(qǐng)參閱圖3所示，該封膠體230是實(shí)質(zhì)覆蓋該晶片載體210的上表面211 并密封該晶片220。該封膠體230是以模封陣列處理(MoldArrayProcess, MAP) 技術(shù)制作。其中，配合參閱圖4所示，該封膠體230的其中兩側(cè)是各形成為 一模流限制部231，其是較低于該封膠體230的中央頂面233且對(duì)齊至該晶 片載體210的對(duì)應(yīng)切割邊緣213。在本實(shí)施例中，該封裝構(gòu)造200是概呈矩 形方塊體，兩模流限制部231是為條狀，而該封膠體230的其余兩側(cè)則不形 成有才莫流限制部231。較佳地，再如圖3所示，該些側(cè)頂面234至該晶片載 體210的上表面211的一第一高度Hl是降低而接近至由該封膠體230的中 央頂面233至該晶片220的主動(dòng)面221的一第二高度H2，故在才莫封陣列處 理以形成該封膠體230的過程中，兩側(cè)模流限制部231的降低高度可以相 同或接近該晶片220的厚度，依如圖6所示的模流方向232在該晶片載體 210的兩側(cè)模;腿度將會(huì)緩慢至與該晶片載體210受晶片220阻擋的中央模 流速度相當(dāng)，故能防止在較后段晶片220的側(cè)面產(chǎn)生MAP封裝氣泡。請(qǐng)參閱圖3與圖4所示，該些模流限制部231的寬度是不超過該晶片220的側(cè)面，且該些模流限制部231至該晶片220側(cè)面的間隙Sl是大致等 同或小于前述第一高度H1，使得該封膠體330具有一帽形截面，在該晶片 載體210的兩側(cè)模流速度與中央模流速度將更為一致化。此外，該半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200是可另包含有復(fù)數(shù)個(gè)外接端子250，其是 接合在該晶片載體210的下表面212。在本實(shí)施例中，該些外接端子250是 包含焊球。因此，在上述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200中，能在模封陣列處理(MAP)過程 中達(dá)到晶片載體210在中央與側(cè)邊模流的平衡，不會(huì)在晶片220旁邊產(chǎn)生 MAP封裝氣泡，僅以原有元件的封膠體230的形狀變化便可達(dá)到現(xiàn)有習(xí)知障 礙物技術(shù)特征省略且仍具備延緩該封膠體230在晶片載體210兩側(cè)的局部流動(dòng)速度的功效。該半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的模封陣列處理制程進(jìn)一步說明如后。首先，請(qǐng) 參閱圖5A與6圖所示，提供一基板條，其是包含復(fù)數(shù)個(gè)陣列且一體連接的 晶片載體210。接著如圖5B所示，設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)晶片220于該些晶片載體210 的上表面211。并以該些焊線240電性連接該些晶片220與該些晶片載體 210。如圖5C與6圖所示，以轉(zhuǎn)移模制(transfer molding)方式形成一封膠 體230，其是以一上模具10與一下模具20夾合該基板條，該上模具10是 具有一非平面模穴，以成形該封膠體230。該封膠體230是能一體實(shí)質(zhì)覆蓋 該些晶片載體210的上表面211以密封該些晶片2 2 0 。其中該封膠體2 3 0對(duì) 應(yīng)在每一晶片栽體210的其中兩側(cè)各形成為一模流限制部231，其是較低于 該封膠體230的中央頂面233，以減緩兩側(cè)才莫^i4度。如圖6所示,依溪流方 向232,該封膠體230在每一晶片載體210兩側(cè)模流速度將被減緩而大致與 該封膠體230在該些晶片220上方的中央才莫^il;l相當(dāng)。如圖5D所示，在 脫模之后，在不附加現(xiàn)有習(xí)知障礙物的情況下能解決現(xiàn)有習(xí)知MAP封裝氣泡 的問題。最后，可以鋸切(sawing)方式切割該封膠體230與該_|41條，得到 復(fù)數(shù)個(gè)如圖3與圖4所示的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200，以使每一晶片栽體210是 具有復(fù)數(shù)個(gè)在該上表面211與該下表面212之間的切割邊緣213，故切割單 離后的封膠體230的模流限制部231是對(duì)齊至對(duì)應(yīng)晶片載體210的對(duì)應(yīng)切 割邊緣213。請(qǐng)參閱圖7所示，在本發(fā)明的第二具體實(shí)施例中， 一種模封陣列處理 的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造300是主要包含一晶片栽體310、至少一晶片320以及一 封膠體330。該晶片載體310是具有一上表面311、 一下表面312及復(fù)數(shù)個(gè) 在該上表面311與該下表面312之間的切割邊緣314。該晶片320是設(shè)置于 該晶片載體310的上表面311并與該晶片載體310電性連接。在本實(shí)施例 中，其封裝型態(tài)是為窗口珎恭陣列(WindowBGA)，該晶片320的主動(dòng)面321 是貼附于該晶片載體310的上表面311,且該晶片320的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊322是 對(duì)準(zhǔn)在該晶片載體310的一槽孔313內(nèi)，復(fù)數(shù)個(gè)焊線340是通過該槽孔313 電性連接該些焊墊322至該晶片載體310。該封膠體330是實(shí)質(zhì)覆蓋該晶片載體310的上表面311并填滿該槽孔 313,以密封該晶片320與該些焊線340，其中該封膠體330在該上表面311 的其中兩側(cè)是各形成為一模流限制部331,其是較低于該封膠體330的中央 頂面332且對(duì)齊至該晶片載體310的對(duì)應(yīng)切割邊》彖314。因此，能在不需要 增加緩流障礙物元件的條件下達(dá)到中央與側(cè)邊才莫流平衡，在晶片320旁邊 不會(huì)有MAP封裝氣泡。此外，由于兩側(cè)的模流限制部331相對(duì)于該封膠體 330的中央更低，故其切割面較小，可以降低鋸切刀具的磨耗。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí) 施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以 上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方 案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其主要包含一晶片載體，其是具有一上表面、一下表面及復(fù)數(shù)個(gè)在該上表面與該下表面之間的切割邊緣；至少一晶片，其是設(shè)置于該晶片載體的上表面并與該晶片載體電性連接；以及一封膠體，其是實(shí)質(zhì)覆蓋該晶片載體的上表面并密封該晶片，其中該封膠體的其中兩側(cè)是各形成為一模流限制部，其是較低于該封膠體的中央頂面且對(duì)齊至該晶片載體的對(duì)應(yīng)切割邊緣。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在 于其中所述的該些模流限制部是具有一側(cè)頂面，由該些側(cè)頂面至該晶片栽 體的上表面的一第一高度是降低而接近至由該封膠體的中央頂面至該晶片 的主動(dòng)面的一第二高度。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在 于其中該封裝構(gòu)造是概呈矩形方塊體，該兩模流限制部是為條狀，而該封 膠體的其余兩側(cè)則不形成有模流限制部。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在 于其中所述的該些模流限制部的寬度是不超過該晶片的側(cè)面，且該些模流 限制部至該晶片側(cè)面的間隙是大致等同或小于前述第一高度。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在 于其另包含有復(fù)數(shù)個(gè)焊線，其是電性連接該晶片與該晶片載體。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在 于其中所述的晶片的一主動(dòng)面是貼附于該晶片載體的上表面，且該晶片的 復(fù)數(shù)個(gè)焊墊是對(duì)準(zhǔn)在該晶片載體的一槽孔內(nèi)，該些焊線是通過該槽孔電性 連接該些焊墊至該晶片載體。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在 于其中所述的晶片的一主動(dòng)面是遠(yuǎn)離該晶片載體的上表面，并以該些焊線 將該晶片在該主動(dòng)面上的焊墊電性連接至該晶片栽體。
8、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在 于其另包含有復(fù)數(shù)個(gè)外接端子，其是接合在該晶片栽體的下表面。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在 于其中所述的該些外接端子是包含焊球。
10、 一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其特征在于其至少包 含以下步驟提供一基板條，其是包含復(fù)數(shù)個(gè)陣列且一體連接的晶片載體，該些晶片載體是具有一上表面與 一下表面；設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)晶片于該些晶片載體的上表面； 電性連接該些晶片與該些晶片載體；以轉(zhuǎn)移模制方式形成一封膠體，其是一體實(shí)質(zhì)覆蓋該些晶片載體的上 表面以密封該些晶片，其中該封膠體對(duì)應(yīng)在每一晶片載體的其中兩側(cè)各形 成為一模流限制部，其是較低于該封膠體的中央頂面，以減緩兩側(cè)模流速 度；以及切割該封膠體與該基板條，以使每一晶片載體是具有復(fù)數(shù)個(gè)在該上表 面與該下表面之間的切割邊緣，切割單離后的封膠體的模流限制部是對(duì)齊 至對(duì)應(yīng)晶片載體的對(duì)應(yīng)切割邊緣。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其 特征在于其中所述的每一模流限制部是具有一側(cè)頂面，由該些側(cè)頂面至該 些晶片載體的上表面的一第一高度是降低而接近至由該封膠體的中央頂面 至對(duì)應(yīng)晶片的主動(dòng)面的一第二高度。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程,其 特征在于其中在切割后的復(fù)數(shù)個(gè)封裝構(gòu)造是概呈矩形方塊體，該些模流限 制部是為條狀，而該些封膠體的其余兩側(cè)則不形成有^f莫流限制部。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其 特征在于其中所述的該些模流限制部的寬度是不超過對(duì)應(yīng)該些晶片的側(cè) 面，且該些模流限制部至對(duì)應(yīng)晶片側(cè)面的間隙是大致等同或小于前述第一 高度。
14、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的才莫封陣列處理制程,其 特征在于其中所述的電性連接步驟中是以復(fù)數(shù)個(gè)焊線電性連接該些晶片與 該些晶片栽體。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其 特征在于其中所述的晶片的一主動(dòng)面是貼附于該晶片載體的上表面，且該 晶片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊是對(duì)準(zhǔn)在該晶片栽體的一槽孔內(nèi)，該些焊線是通過該槽 孔電性連接該些焊墊至該晶片載體。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所球的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其 特征在于其中所述的晶片的一主動(dòng)面是遠(yuǎn)離該晶片載體的上表面，并以該些焊線將該晶片在該主動(dòng)面上的焊墊電性連接至該晶片栽體。
17、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其 特征在于其另包含有接合復(fù)數(shù)個(gè)外接端子在該些晶片載體的下表面。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其 特征在于其中所述的該些外接端子是包含焊球。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造與模封陣列處理制程。該模封陣列處理(Mold-Array-Process，MAP)的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，主要包含一晶片載體、至少一晶片以及一封膠體。該晶片是設(shè)置于該晶片載體上并與該晶片載體電性連接。該封膠體是實(shí)質(zhì)覆蓋該晶片載體的一上表面并密封該晶片，其中該封膠體的其中兩側(cè)是各形成為一模流限制部，其是較低于該封膠體的中央頂面且對(duì)齊至該晶片載體的對(duì)應(yīng)切割邊緣。因此藉由封膠體的形狀變化，能在不需要增加緩流障礙物元件的條件下達(dá)到中央與側(cè)邊模流平衡，在晶片旁邊不會(huì)有MAP封裝氣泡。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101131971SQ20061011147
公開日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2006年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月22日
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