專(zhuān)利名稱(chēng)：一種高出光效率的led晶片及其制造方法
一種高出光效率的LED晶片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED晶片，尤其是涉及一種高出光效率的LED晶片及其制造方法。背景技術(shù)：
發(fā)光二極管具有體積小、效率高和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，在交通指示、戶外全色顯示等領(lǐng) 域有著廣泛的應(yīng)用。尤其是利用大功率發(fā)光二極管可能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體固態(tài)照明，引起人類(lèi)照 明史的革命，從而逐漸成為目前電子學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。為了獲得高亮度的LED關(guān)鍵要提高器件的內(nèi)部量子效率和外量子效率。目前晶片 光提取效率是限制器件外部量子效率的主要因素，主要原因是襯底的材料、外延材料以及 空氣之間的折射率差別較大，導(dǎo)致有源區(qū)產(chǎn)生的光在不同折射率材料界面發(fā)生全反射而不 能導(dǎo)出晶片。常規(guī)晶片的外形為立方體，兩對(duì)側(cè)面相互平行，這樣有部分光在兩個(gè)端面來(lái)回 反射，直到完全被晶片所吸收，轉(zhuǎn)化為熱能，降低了晶片的出光效率。1993年，M. R. Krames 等用磨成角度切割刀將四元LED晶片切割成倒梯臺(tái)形狀。晶片的四個(gè)側(cè)面不再是相互平 行，可以使得射到晶片側(cè)面的光經(jīng)側(cè)面的反射到頂面，以小于臨界角的角度射出；現(xiàn)有的 幾種提高晶片光提取效率的方法主要有改變晶片的幾何外形，減少光在晶片內(nèi)部的傳播路 程，降低光的吸收損耗，如上述采用倒梯臺(tái)結(jié)構(gòu)，控制和改變自發(fā)輻射，通常采用諧振腔或 光子晶體等結(jié)構(gòu)；采用表面粗糙方法，使光在粗糙的半導(dǎo)體和空氣界面發(fā)生漫射，增加其透 射的機(jī)會(huì)；此外還有利用倒裝焊技術(shù)。但上述制造工藝相對(duì)比較復(fù)雜，且制作成本也比較 高，不適應(yīng)于目前大批量工業(yè)化生產(chǎn)的要求。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種高出光效率的LED晶片，該LED晶片具有出 光效率高及使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種高出光效率的LED晶片， 包括襯底，形成于襯底正面的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括依次形成于襯底正面的N型半 導(dǎo)體層、發(fā)光層以及P型半導(dǎo)體層，其特征在于所述襯底為倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)襯底的側(cè) 邊與垂直方向形成的夾角為30 45° ；所述半導(dǎo)體層為倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層的側(cè) 邊與襯底正面形成的夾角為50 70°，所述半導(dǎo)體層的底部表面積比所述襯底正面的表 面積小。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是由于本發(fā)明將襯底設(shè)置成倒梯臺(tái)形狀，并 將半導(dǎo)體層設(shè)置成倒梯臺(tái)形狀，半導(dǎo)體層的底部表面積比襯底正面的表面積小，這樣設(shè)置 可以增大半導(dǎo)體層的側(cè)面發(fā)光面積，而襯底正面的表面積比半導(dǎo)體層的底部表面積大，半 導(dǎo)體層側(cè)面發(fā)出的光可以通過(guò)襯底正面將光反射出去，這樣可以減少光損耗及避免光在半 導(dǎo)體層內(nèi)發(fā)生全反射，提高LED晶片的出光效率；將襯底設(shè)置成倒梯臺(tái)形狀，這樣設(shè)置可以 增大襯底的側(cè)面發(fā)光面積，半導(dǎo)體層底部發(fā)出的光可以通過(guò)倒梯臺(tái)襯底改變光線的出光角 度，減少光損耗及避免光在襯底內(nèi)發(fā)生全反射，進(jìn)一步提高LED晶片的出光效率，將光線最大可能地從LED晶片內(nèi)導(dǎo)出，避免光能轉(zhuǎn)化為熱能，大大提高了 LED晶片的使用壽命。優(yōu)先地，所述倒梯臺(tái)襯底的側(cè)邊與垂直方向形成的夾角為38° ；所述倒梯臺(tái)半導(dǎo) 體層的側(cè)邊與襯底正面形成的夾角為60°。這種結(jié)構(gòu)是光在LED晶片內(nèi)導(dǎo)出的最佳角度， 可以大大提高LED晶片的出光效率及延長(zhǎng)LED晶片的使用壽命。優(yōu)先地，所述襯底與N型半導(dǎo)體層之間還設(shè)置有一層緩沖層，所述緩沖層與所述N 型半導(dǎo)體層形成倒梯臺(tái)形狀，緩沖層的底部表面積比所述襯底正面的表面積小。這種結(jié)構(gòu) 的目的是為了使半導(dǎo)體層與襯底之間結(jié)合更好，同時(shí)也是為了提高LED晶片的出光效率、 良率以及延長(zhǎng)LED晶片的使用壽命。優(yōu)先地，所述倒梯臺(tái)襯底的背面及側(cè)面設(shè)置有反射層。這種結(jié)構(gòu)是為了使光從LED 晶片的上表面出去，避免光從襯底的底部及側(cè)邊導(dǎo)出，減少光損耗，使LED晶片出來(lái)的光更 集中。本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問(wèn)題是提供一種高出光效率的LED晶片制造方法，該方 法制造LED晶片具有出光效率高及使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種高出光效率的LED晶片 制造方法，具體步驟包括(a)通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積或分子束外延技術(shù)在襯底上生長(zhǎng) 出半導(dǎo)體層形成外延片，所述半導(dǎo)體層為依次在襯底上生長(zhǎng)的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型 半導(dǎo)體層；(b)在外延片的表面沉積SiO2保護(hù)層，通過(guò)圖形曝光半導(dǎo)體平面工藝，使用電感 耦合等離子體刻蝕半導(dǎo)體層，使半導(dǎo)體層形成凹形臺(tái)面及切割道，部分N型半導(dǎo)體層外露 凹形臺(tái)面，利用激光或鉆石刀在外延片的正面沿切割道切割，在外延片的正面形成X軸切 割槽和Y軸切割槽，所述X軸切割槽和Y軸切割槽的深度為5 40 μ m，將外延片浸泡SiO2 腐蝕溶液里，去除SiO2保護(hù)層；(c)將外延片的背面研磨、精拋光，使襯底的厚度為80 200ym;(d)利用相互成夾角的雙束激光頭，雙束激光頭的激光束形成交叉點(diǎn)，在襯底上切 出V型槽，所述V型槽的位置與步驟(b) X軸切割槽和Y軸切割槽的位置對(duì)應(yīng)，所述V型槽 的夾角為60 90°，V型槽的深度為20 80 μ m，V型槽的開(kāi)口寬度為30 500 μ m ； (e) 采用藍(lán)膜將步驟(d)切割的碎屑粘走，用水沖洗外延片，去除殘留碎屑；(f)將外延片浸泡 在酸性混合溶液里，將步驟(b) X軸切割槽和Y軸切割槽兩側(cè)形成的半導(dǎo)體層吸光物質(zhì)及步 驟(d)切割V型槽時(shí)兩側(cè)碳化的襯底吸光物質(zhì)蝕刻去除，使襯底為倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)襯底 的側(cè)邊與垂直方向形成的夾角為30 45°，半導(dǎo)體層呈倒梯臺(tái)形，倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層的側(cè)邊 與襯底正面形成的夾角為50 70°，所述半導(dǎo)體層的底部表面積比所述襯底正面的表面 積??；(g)在所述凹形臺(tái)面制作N電極，在P型半導(dǎo)體層的表面制作P電極；(h)裂片、點(diǎn)測(cè) 分選。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是由于本方法將襯底制作成倒梯臺(tái)形狀，并 將半導(dǎo)體層制作成倒梯臺(tái)形狀，其中半導(dǎo)體層的底部表面積比襯底正面的表面積小，這樣 設(shè)置可以增大半導(dǎo)體層的側(cè)面發(fā)光面積，而襯底正面的表面積比半導(dǎo)體層的底部表面積 大，半導(dǎo)體層側(cè)面發(fā)出的光可以通過(guò)襯底正面將光反射出去，這樣可以減少光損耗及避免 光在半導(dǎo)體層內(nèi)發(fā)生全反射，提高LED晶片的出光效率；將襯底設(shè)置成倒梯臺(tái)形狀，這樣設(shè) 置可以增大襯底的側(cè)面發(fā)光面積，半導(dǎo)體層底部發(fā)出的光可以通過(guò)倒梯臺(tái)襯底改變光線的 出光角度，減少光損耗及避免光在襯底內(nèi)發(fā)生全反射，提高LED晶片的出光效率，將光線最 大可能地從LED晶片內(nèi)導(dǎo)出，避免光能轉(zhuǎn)化為熱能，大大提高了 LED晶片的使用壽命。采用本發(fā)明制造方法還具有成本低、效率高及適合批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。


下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
圖1為本發(fā)明LED晶片切割前外延片的局部放大平面圖。
圖2為本發(fā)明在外延片上的切割示意圖。
圖3為本發(fā)明采用藍(lán)膜去屑的示意圖。
圖4為本發(fā)明單顆LED晶片切割后的側(cè)視圖。
圖5為圖4所示LED晶片浸泡酸性混合溶液后的側(cè)視圖。
附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明
1-凹形臺(tái)面2-P型半導(dǎo)體層3-X軸切割槽
4-Y軸切割槽5-發(fā)光層6-N型半導(dǎo)體層
7-緩沖層8-襯底IOa-激光頭
IOb-激光頭Ila-光束lib-光束
12-襯底吸光物質(zhì)13-外延片14-激光束交叉點(diǎn)
15-碎屑15a-V型槽16-藍(lán)膜
17-倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層18-半導(dǎo)體層吸光物質(zhì)20-半導(dǎo)體層
22-外延片 23-倒梯臺(tái)襯底 25-反射層
30-LED晶片
具體實(shí)施方式參照附圖1、圖2、圖3、圖4、圖5所述，本發(fā)明提供一種高出光效率的LED晶片30， 包括襯底8，形成于襯底8正面的半導(dǎo)體層20，所述半導(dǎo)體層20包括依次形成于襯底8正 面的N型半導(dǎo)體層6、發(fā)光層5以及P型半導(dǎo)體層2，所述襯底8為倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)襯底 23的側(cè)邊與垂直方向形成的夾角θ為30 45°，即倒梯臺(tái)襯底23的側(cè)邊與水平面形成 的夾角β為45 60°，所述半導(dǎo)體層20設(shè)置為倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層17的側(cè)邊 與襯底8正面形成的夾角α為50 70°，按該角度范圍設(shè)置可以更大可能地將光從LED 晶片30內(nèi)導(dǎo)出；所述半導(dǎo)體層的底部表面積比所述襯底正面的表面積小。最好是倒梯臺(tái)襯 底23的側(cè)邊與垂直方向形成的夾角θ為38°，即倒梯臺(tái)襯底23的側(cè)邊與水平面形成的 夾角β為52°，倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層17的側(cè)邊與襯底8正面形成的夾角α為60°。為了使 半導(dǎo)體層20與襯底8之間結(jié)合更好，提高LED晶片30的良率及延長(zhǎng)LED晶片30的使用壽 命，在襯底8與N型半導(dǎo)體層6之間還設(shè)置有一層緩沖層7，緩沖層7與N型半導(dǎo)體層6形 成倒梯臺(tái)形狀，緩沖層7的底部表面積比襯底8正面的表面積小。為了使光從LED晶片30 的上表面出去，避免光從襯底8的底部及側(cè)邊導(dǎo)出，減少光損耗，使LED晶片30出來(lái)的光更 集中，在倒梯臺(tái)襯底23的背面及側(cè)面設(shè)置有反射層25，所述反射層25為氧化物反射層、金 屬反射層或者氧化物反射層和金屬反射層的混合，所述氧化物一般采用3102或1102。所述 襯底8可以采用藍(lán)寶石襯底或者碳化硅襯底。參照附圖1、圖2、圖3、圖4、圖5所述，本發(fā)明還提供一種高出光效率的LED晶片 30制造方法，首先，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積或分子束外延技術(shù)在襯底8上生長(zhǎng)出半導(dǎo)
6體層20形成外延片13，半導(dǎo)體層20為依次在襯底8上生長(zhǎng)的N型半導(dǎo)體層6、發(fā)光層5及 P型半導(dǎo)體層2 ；接下來(lái)在外延片13的表面沉積SiO2保護(hù)層，通過(guò)圖形曝光半導(dǎo)體平面工 藝，使用電感耦合等離子體刻蝕半導(dǎo)體層20，使半導(dǎo)體層20形成凹形臺(tái)面1及切割道，部 分N型半導(dǎo)體層6外露凹形臺(tái)面1，利用激光或鉆石刀在外延片13的正面沿切割道切割， 在外延片13的正面形成X軸切割槽3和Y軸切割槽4，所述X軸切割槽3和Y軸切割槽4 的深度為5 40 μ m，將外延片13浸泡SW2腐蝕溶液里，去除SW2保護(hù)層；接下來(lái)將外延 片13的背面研磨、精拋光，使襯底8的厚度為80 200 μ m，最佳厚度為120 150 μ m，該 厚度方便切割，同時(shí)也防止LED晶片30內(nèi)部結(jié)構(gòu)損傷；接下來(lái)利用相互成夾角的雙束激光 頭10a、10b，雙束激光頭10a、IOb對(duì)應(yīng)的激光束IlaUlb形成交叉點(diǎn)14，在襯底8上切出V 型槽15a，所述V型槽15a的位置與X軸切割槽3和Y軸切割槽4的位置對(duì)應(yīng)，V型槽1 的夾角2 θ為60 90°，V型槽15a的深度為20 80 μ m，V型槽15a的開(kāi)口寬度為30 500 μ m ；接下來(lái)采用藍(lán)膜16將雙束激光頭10a、10b切割的襯底8碎屑15粘走，用水沖洗外 延片13，去除殘留碎屑15 ；接下來(lái)將外延片13浸泡在酸性混合溶液里，將X軸切割槽3和Y 軸切割槽4兩側(cè)形成的半導(dǎo)體層吸光物質(zhì)18及切割V型槽時(shí)兩側(cè)碳化的襯底吸光物質(zhì)12 蝕刻去除，使襯底8為倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)襯底23的側(cè)邊與垂直方向形成的夾角θ為30 45°，即倒梯臺(tái)23的側(cè)邊與水平面形成的夾角β為45 60°，半導(dǎo)體層20呈倒梯臺(tái)形 狀，倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層17的側(cè)邊與襯底8正面形成的夾角α為50 70°，所述半導(dǎo)體層20 的底部表面積比所述襯底8正面的表面積小。最好是倒梯臺(tái)襯底23的側(cè)邊與垂直方向形 成的夾角θ為38°，即倒梯臺(tái)襯底23的側(cè)邊與水平面形成的夾角β為52°，倒梯臺(tái)半導(dǎo) 體層17的側(cè)邊與襯底8正面形成的最佳夾角為60°。為了使半導(dǎo)體層20與襯底8之間 結(jié)合更好，提高LED晶片30的良率及延長(zhǎng)LED晶片30的使用壽命，在襯底8與N型半導(dǎo)體 層6之間還設(shè)置有一層緩沖層7，緩沖層7與N型半導(dǎo)體層6形成倒梯臺(tái)形狀，緩沖層7的 底部表面積比襯底8正面的表面積小。所述酸性混合溶液為和H3PO4的混合物，H2SO4 與H3PO4在同一濃度時(shí)的體積比為2 5 1，浸泡時(shí)所述混合物的溫度為200 300°C，浸 泡時(shí)間為5 30分鐘；接下來(lái)在凹形臺(tái)面1制作N電極，在P型半導(dǎo)體層2表面制作P電 極；最后采用裂片機(jī)對(duì)外延片13進(jìn)行裂片以及點(diǎn)測(cè)分選，完成高出光效率的LED晶片30制 作過(guò)程。為了使光從LED晶片30的上表面出去，避免光從襯底8的底部及側(cè)邊導(dǎo)出，減少 光損耗，使LED晶片30出來(lái)的光更集中，在倒梯臺(tái)襯底23背面及側(cè)面通過(guò)蒸鍍或者其它方 法形成一層反射層25，所述反射層25為氧化物反射層、金屬反射層或者氧化物反射層和金 屬反射層的混合，所述氧化物一般采用SW2或TiO2,所述金屬為Au或Al或Ag。所述襯底 8可以采用藍(lán)寶石襯底或者碳化硅襯底。 由于本發(fā)明將襯底8設(shè)置成倒梯臺(tái)形狀，并將半導(dǎo)體層20設(shè)置成倒梯臺(tái)形狀，半 導(dǎo)體層20的底部表面積比襯底8正面的表面積小，這樣設(shè)置可以增大半導(dǎo)體層20的側(cè)面 發(fā)光面積，而襯底8正面的表面積比半導(dǎo)體層20的底部表面積大，半導(dǎo)體層20側(cè)面發(fā)出的 光可以通過(guò)襯底8正面將光反射出去，這樣可以減少光損耗及避免光在半導(dǎo)體層20內(nèi)發(fā)生 全反射，提高LED晶片30的出光效率；將襯底設(shè)置成倒梯臺(tái)形狀，這樣設(shè)置可以增大襯底的 側(cè)面發(fā)光面積，半導(dǎo)體層20底部發(fā)出的光可以通過(guò)倒梯臺(tái)襯底23改變光線的出光角度，減 少光損耗及避免光在襯底8內(nèi)發(fā)生全反射，提高LED晶片30的出光效率，將光線最大可能 地從LED晶片30內(nèi)導(dǎo)出，避免光能轉(zhuǎn)化為熱能，大大提高了 LED晶片30的使用壽命。采用本發(fā)明制造方法還具有成本低、效率高及適合批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。 以上所述均以方便說(shuō)明本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)作的精神范疇內(nèi)，熟悉此技術(shù) 的本領(lǐng)域的技術(shù)人員所做的各種簡(jiǎn)單的變相與修飾仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種高出光效率的LED晶片，包括襯底，形成于襯底正面的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層 包括依次形成于襯底正面的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及P型半導(dǎo)體層，其特征在于所述襯 底為倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)襯底的側(cè)邊與垂直方向形成的夾角為30 45° ；所述半導(dǎo)體層為 倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層的側(cè)邊與襯底正面形成的夾角為50 70°，所述半導(dǎo)體層的 底部表面積比所述襯底正面的表面積小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高出光效率的LED晶片，其特征在于所述倒梯臺(tái)襯底的側(cè)邊 與垂直方向形成的夾角為38° ；倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層的側(cè)邊與襯底正面形成的夾角為60°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述高出光效率的LED晶片，其特征在于所述襯底與N型半 導(dǎo)體層之間還設(shè)置有一層緩沖層，所述緩沖層與所述N型半導(dǎo)體層形成倒梯臺(tái)形狀，緩沖 層的底部表面積比所述襯底正面的表面積小。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述高出光效率的LED晶片，其特征在于所述倒梯臺(tái)襯底的背面 及側(cè)面設(shè)置有反射層。
5.一種高出光效率的LED晶片制造方法，其特征在于，包括以下步驟(a)通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積或分子束外延技術(shù)在襯底上生長(zhǎng)出半導(dǎo)體層形成外延 片，所述半導(dǎo)體層為依次在襯底上生長(zhǎng)的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層；(b)在外延片的表面沉積SiO2保護(hù)層，通過(guò)圖形曝光半導(dǎo)體平面工藝，使用電感耦合等 離子體刻蝕半導(dǎo)體層，使半導(dǎo)體層形成凹形臺(tái)面及切割道，部分N型半導(dǎo)體層外露凹形臺(tái) 面，利用激光或鉆石刀在外延片的正面沿切割道切割，在外延片的正面形成X軸切割槽和Y 軸切割槽，所述X軸切割槽和Y軸切割槽的深度為5 40 μ m，將外延片浸泡SiO2腐蝕溶液 里，去除SiO2保護(hù)層；(c)將外延片的背面研磨、精拋光，使襯底的厚度為80 200μm ；(d)利用相互成夾角的雙束激光頭，雙束激光頭的激光束形成交叉點(diǎn)，在襯底上切出V 型槽，所述V型槽的位置與步驟(b) X軸切割槽和Y軸切割槽的位置對(duì)應(yīng)，所述V型槽的夾 角為60 90°，V型槽的深度為20 80 μ m，V型槽的開(kāi)口寬度為30 500 μ m ；(e)采用藍(lán)膜將步驟(d)切割的碎屑粘走，用水沖洗外延片，去除殘留碎屑；(f)將外延片浸泡在酸性混合溶液里，將步驟(b)X軸切割槽和Y軸切割槽兩側(cè)形成的 半導(dǎo)體層吸光物質(zhì)及步驟(d)切割V型槽時(shí)兩側(cè)碳化的襯底吸光物質(zhì)蝕刻去除，使襯底為 倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)襯底的側(cè)邊與垂直方向形成的夾角為30 45°，半導(dǎo)體層呈倒梯臺(tái)形 狀，倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層的側(cè)邊與襯底正面形成的夾角為50 70°，所述半導(dǎo)體層的底部表面 積比所述襯底正面的表面積??；(g)在所述凹形臺(tái)面制作N電極，在P型半導(dǎo)體層的表面制作P電極；(h)裂片、點(diǎn)測(cè)分選。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED晶片制造方法，其特征在于步驟(f)所述酸性混合溶 液為H2SO4和H3PO4的混合物，所述H2SO4與H3PO4在同一濃度時(shí)的體積比為2 5 1，浸泡 時(shí)所述混合物的溫度為200 300°C，浸泡時(shí)間為5 30分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED晶片制造方法，其特征在于步驟(f)所述倒梯臺(tái)襯底 的側(cè)邊與垂直方向形成的夾角為38° ；所述倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層的側(cè)邊與襯底正面形成的夾角 為 60°。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED晶片制造方法，其特征在于步驟(f)在所述倒梯臺(tái)襯底的底部及側(cè)面形成有反射層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED晶片制造方法，其特征在于所述反射層為氧化物反射 層或/和金屬反射層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED晶片制造方法，其特征在于所述氧化物為SiO2或TiO2, 所述金屬為Au或Al或Ag。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種高出光效率的LED晶片及其制造方法，包括襯底，形成于襯底正面的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括依次形成于襯底正面的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及P型半導(dǎo)體層，其特征在于，所述襯底為倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)襯底的側(cè)邊與垂直方向形成的夾角為30～45°；所述半導(dǎo)體層為倒梯臺(tái)形狀，倒梯臺(tái)半導(dǎo)體層的側(cè)邊與襯底正面形成的夾角為50～70°，所述半導(dǎo)體層的底部表面積比所述襯底正面的表面積小。這樣設(shè)置可以增大LED晶片的出光面積，減少光在LED晶片內(nèi)發(fā)生全反射，提高LED晶片的出光效率，將光最大可能地從LED晶片內(nèi)導(dǎo)出，同時(shí)也大大提高了LED晶片的使用壽命。
文檔編號(hào)H01L33/46GK102130253SQ20111003564
公開(kāi)日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2011年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月27日
發(fā)明者樊邦揚(yáng) 申請(qǐng)人:廣東銀雨芯片半導(dǎo)體有限公司