專利名稱：半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體基板的制造方法
半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體基板的制造方法。背景技術(shù)：
在Si基板上形成的AlN緩沖層的上面使GaN選擇生長的技術(shù)已廣為人知(比如， 參照非專利文獻(xiàn)1)。同時，采用在半導(dǎo)體基板上形成的校準(zhǔn)標(biāo)記(alignment marks)使半導(dǎo)體結(jié)晶生長的技術(shù)也為公知(比如，參照專利文獻(xiàn)1)。非專利文獻(xiàn) 1 S. Haffouz, et. al. , Journal of crystal growth, 311(2009)2087-2090專利文獻(xiàn)1日本專利特開平10-64781號公報采用了光刻法的電子器件和光學(xué)器件的制造工藝中，首先在基底基板的整個面形成功能結(jié)晶。其次，將在基底基板中預(yù)先設(shè)置的觸點(notch)或定向平面(orientation flat)作為機械的向?qū)?，在該功能結(jié)晶上形成校準(zhǔn)標(biāo)記。此后，以所形成的校準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)， 在功能結(jié)晶上定位而形成電極、布線金屬等功能部件。由此形成含有功能結(jié)晶的電子器件和光學(xué)器件?？墒牵绻杂|點或定向平面作為機械的向?qū)褂?，并非在基底基板的整個面而是部分地形成功能結(jié)晶，則此后在形成校準(zhǔn)標(biāo)記時，將產(chǎn)生以下的問題。如果將觸點或定向平面作為機械的向?qū)褂脮r，定位精度低，所以不能相對于基底基板精確地定位并部分地形成功能結(jié)晶，而且，不能相對于基底基板，在基底基板上或在功能結(jié)晶上高精度地定位并形成校準(zhǔn)標(biāo)記。因此，即使是相對于校準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行位置校準(zhǔn)后形成的功能部件，也無法相對功能結(jié)晶進(jìn)行高精度地定位。這個問題在功能結(jié)晶的尺寸變得越小越明顯。因此，可以在校準(zhǔn)標(biāo)記形成后，測量校準(zhǔn)標(biāo)記的位置和功能結(jié)晶的位置的偏差的大小，按照該測量值進(jìn)行位置修正后的光刻。根據(jù)該方法，在功能結(jié)晶上，能以高度的位置精度配置電極及金屬配線等的功能部件。然而，這個方法，將引起工序增加而造成生產(chǎn)率的降低和高成本。特別是在近來的半導(dǎo)體工藝中，依照數(shù)十秒左右的生產(chǎn)節(jié)拍(1個工作時間所需要的時間)，自動地連續(xù)處理許多的半導(dǎo)體芯片，所以，對每一張基板測量位置的修正值，并根據(jù)該值來修正形成功能部件的位置的工序?qū)е嘛@著的生產(chǎn)率的降低和成本的提尚ο同時，如果在半導(dǎo)體基板上使半導(dǎo)體結(jié)晶生長的話，由于半導(dǎo)體結(jié)晶也在校準(zhǔn)標(biāo)記內(nèi)生長，所以使得對校準(zhǔn)標(biāo)記的邊界線(邊緣)進(jìn)行圖像識別變難。其結(jié)果，因為以高精度檢測校準(zhǔn)標(biāo)記變得困難，所以要想在半導(dǎo)體結(jié)晶上配置電極、金屬配線等的功能部件，則需要除去校準(zhǔn)標(biāo)記內(nèi)的半導(dǎo)體結(jié)晶。要想不除去校準(zhǔn)標(biāo)記內(nèi)的半導(dǎo)體結(jié)晶時，需要重新形成校準(zhǔn)標(biāo)記。

發(fā)明內(nèi)容為了解決上述課題，本發(fā)明的第1方式中，提供半導(dǎo)體基板的制造方法，包括在基底基板上形成校準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；在形成校準(zhǔn)標(biāo)記的步驟之后，在基底基板上的包含校準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域，形成阻擋結(jié)晶生長的阻擋層的步驟；根據(jù)顯示應(yīng)該形成以校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)的開口的位置的信息，在阻擋層中的未設(shè)置校準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域，形成用于露出基底基板的開口的步驟；以及在開口內(nèi)使半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟。該制造方法，還可以包括以校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)，在半導(dǎo)體結(jié)晶上形成電極及金屬配線中的至少1種的步驟。在形成開口的步驟中，在沒有設(shè)置校準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域，可以形成多個開口?？梢栽谛纬伤鲩_口的步驟中，根據(jù)顯示應(yīng)該形成以校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)的多個開口的位置的信息，形成多個開口。在使半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟中，比如，讓半導(dǎo)體結(jié)晶在多個開口的各個開口中分別生長。該制造方法，還具有功能部件形成步驟，即以校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)，在多個開口內(nèi)的各半導(dǎo)體結(jié)晶的上方形成具有電極及金屬配線中的至少一種的功能部件。在功能部件形成步驟中，比如，通過以校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)的光刻法，形成功能部件。該制造方法所使用的基底基板，比如是表面為硅結(jié)晶的基板、表面為鍺結(jié)晶的基板或是3-5族化合物半導(dǎo)體基板。在使半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟中，比如，使3-5族化合物半導(dǎo)體結(jié)晶或2-6族化合物半導(dǎo)體結(jié)晶生長。使半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟中包括使具有 CxlSiylGezlSni_xl_yl_zl (0 彡 xl < 1、0 ^ yl ^ 1、0 彡 zl 彡 1、且 0 < xl+yl+zl 彡 1)的組成的第一半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟；以及在第一半導(dǎo)體結(jié)晶上使第2半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟。用該制造方法形成的阻擋層，比如具有氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或氧化鋁的其中1種。在形成校準(zhǔn)標(biāo)記的步驟中，比如通過蝕刻基底基板在基底基板上形成校準(zhǔn)標(biāo)記。 在形成校準(zhǔn)標(biāo)記的步驟中，可以通過在基底基板上形成選自由鉭、鈮、鎳、鎢及鈦構(gòu)成的組中的至少1種金屬，而在基底基板上形成校準(zhǔn)標(biāo)記。本發(fā)明的第2方式中，提供一種半導(dǎo)體基板，包括形成有校準(zhǔn)標(biāo)記的基底基板； 設(shè)置在基底基板上的形成有校準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域以外的區(qū)域，具有露出基底基板的開口，且阻擋結(jié)晶生長的第1阻擋層；設(shè)置在校準(zhǔn)標(biāo)記上，且阻擋結(jié)晶生長的第2阻擋層；以及在開口內(nèi)結(jié)晶生長的半導(dǎo)體結(jié)晶。第1阻擋層可以具有多個開口，半導(dǎo)體基板可以具有在多個開口的各個開口中結(jié)晶生長的半導(dǎo)體結(jié)晶。比如，在校準(zhǔn)標(biāo)記的位置處的基底基板的厚度，與在校準(zhǔn)標(biāo)記的位置以外的基底基板的區(qū)域的基底基板的厚度不同，從基底基板的與第1阻擋層相接的面相反的面即背面到第1阻擋層的與靠近基底基板的面相反的面之間的距離，與從該背面到第2阻擋層的與靠近基底基板的面相反的面之間的距離不同。在校準(zhǔn)標(biāo)記的位置處的基底基板的厚度，比在校準(zhǔn)標(biāo)記的位置以外的基底基板的區(qū)域的基底基板的厚度小，從基底基板的與第1阻擋層相接的面相反的面即背面到第1阻擋層的與靠近基底基板的面相反的面之間的距離，可以比從該背面到第2阻擋層的與靠近基底基板的面相反的面之間的距離大。在校準(zhǔn)標(biāo)記的位置處的基底基板的厚度，比在校準(zhǔn)標(biāo)記的位置以外的基底基板的區(qū)域中的基底基板的厚度更大，從基底基板的與第1阻擋層相接的面相反的面即背面到第 1阻擋層的與靠近基底基板的面相反的面之間的距離，可以比從該背面到第2阻擋層的與靠近基底基板的面相反的面的距離更小。不過，上述的發(fā)明內(nèi)容，并非列舉了本發(fā)明的全部必要特征。同時，這些特征群的輔助組合也能成為本發(fā)明。
附圖標(biāo)記

圖1A是本實施方式涉及的半導(dǎo)體基板100的剖面圖。圖IB是半導(dǎo)體基板100的平面圖。圖2是本實施方式涉及的半導(dǎo)體基板200的剖面圖。圖3是其他的實施方式涉及的半導(dǎo)體基板300的剖面圖。圖4是其他的實施方式涉及的半導(dǎo)體基板400的剖面圖。圖5是其他的實施方式涉及的半導(dǎo)體基板500的平面圖。圖6A表示半導(dǎo)體基板200的制造方法。圖6B表示半導(dǎo)體基板200的制造方法。圖6C表示半導(dǎo)體基板200的制造方法。圖7是所制造的半導(dǎo)體基板700的剖面圖。圖8表示在半導(dǎo)體基板700上形成的校準(zhǔn)標(biāo)記720的形狀。圖9是所制造的半導(dǎo)體基板900的剖面圖。
具體實施方式以下，通過發(fā)明的實施的方式說明本發(fā)明，不過，以下的實施方式并非限定權(quán)利要求涉及的發(fā)明。同時，在實施方式中說明的特征的組合并非全部是發(fā)明的解決手段所必須的。圖1A，是本實施方式涉及的半導(dǎo)體基板100的剖面圖。圖1B，是半導(dǎo)體基板100 的平面圖。圖1A，是在圖IB中的A-A線剖面圖。半導(dǎo)體基板100具有基底基板110、阻擋層130、阻擋層132及半導(dǎo)體結(jié)晶150。在基底基板110上形成校準(zhǔn)標(biāo)記120。校準(zhǔn)標(biāo)記120，比如，通過蝕刻基底基板110的一部分區(qū)域來形成。基底基板110是表面為硅結(jié)晶的基板、表面為鍺結(jié)晶的基板或是3-5族化合物半導(dǎo)體基板。在這里，所謂表面為硅結(jié)晶的基板，是指在基板上具有基板表面由硅結(jié)晶構(gòu)成的區(qū)域。作為表面為硅結(jié)晶的基板，比如可以例舉基板整體為硅結(jié)晶的Si基板(Si晶片)和 SOI (silicon-on-insulator)基板。所謂表面為鍺結(jié)晶的基板是指基板的表面具有由鍺結(jié)晶構(gòu)成的區(qū)域的基板。作為表面為鍺結(jié)晶的基板，比如可以列舉基板整體為鍺結(jié)晶的Ge基板(Ge晶片)、GOI基板 (germaniumu-on-insulator)。所謂3_5族化合物半導(dǎo)體基板，是由3_5族化合物半導(dǎo)體組成的基板。作為3-5族化合物半導(dǎo)體基板，可以例舉GaAs基板?；谆?10的表面是硅結(jié)晶時，基底基板110的面之中，與阻擋層130相接的一側(cè)的主面，比如是(100)面、(110)面、(111)面、與(100)面等效的面、與(110)的面等效的面或是與(111)面等效的面。同時，基底基板110的主面可以從上述的結(jié)晶學(xué)的面方位稍稍傾斜。即，基底基板110可以有切偏角(cut off angle) 0阻擋層130，被設(shè)置在基底基板110上的形成校準(zhǔn)標(biāo)記120的區(qū)域以外的區(qū)域。阻擋層130，具有露出基底基板110的開口 140。開口 140，比如，通過對阻擋層130 —部分的區(qū)域進(jìn)行蝕刻來形成。阻擋層130用于阻擋半導(dǎo)體結(jié)晶150的結(jié)晶生長。比如，如圖IA所示，半導(dǎo)體結(jié)晶150在開口 140內(nèi)結(jié)晶生長，而在阻擋層130的表面上不結(jié)晶生長。
阻擋層132被設(shè)置在校準(zhǔn)標(biāo)記120上，且阻擋結(jié)晶生長。在阻擋層132的面上，半導(dǎo)體結(jié)晶150也不結(jié)晶生長。作為一個例子，阻擋層130及阻擋層132具有氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或有氧化鋁。阻擋層130及阻擋層132也可以通過將氧化硅，氮化硅，氧氮化硅或做氧化鋁中的任何一個層疊而形成。優(yōu)選阻擋層132是透明的。當(dāng)阻擋層132是透明時，如果從半導(dǎo)體基板 100上方照射了光，則所照射的光透過阻擋層132到達(dá)校準(zhǔn)標(biāo)記120的底面，所以能高精度地檢測出校準(zhǔn)標(biāo)記120。半導(dǎo)體結(jié)晶150，比如是3-5族化合物半導(dǎo)體或2-6族化合物半導(dǎo)體。3_5族化合物半導(dǎo)體層，比如，作為3族元素包括Al、GaUn中的至少1種，作為5族元素包括N、P、As、 Sb中的至少1種。半導(dǎo)體結(jié)晶150，比如是GaN。半導(dǎo)體結(jié)晶150，比如，可作為LED、雙極晶體管或場效應(yīng)晶體管中的電子及空穴移動的區(qū)域的半導(dǎo)體結(jié)晶使用。優(yōu)選半導(dǎo)體結(jié)晶150，與基底基板110晶格匹配或準(zhǔn)晶格匹配。在這里，所謂準(zhǔn)晶格匹配，是指在相接的2個半導(dǎo)體層的各晶格常數(shù)之差小，所以不是完全的晶格匹配，是指能夠在晶格失配造成的缺陷不顯著的范圍內(nèi)，以大體上晶格匹配的方式層疊相接的2個半導(dǎo)體層的狀態(tài)。比如，Si層及GaN層的層疊的狀態(tài)，是Si層及GaN層準(zhǔn)晶格匹配的狀態(tài)。在校準(zhǔn)標(biāo)記120的位置處的基底基板110的厚度和在校準(zhǔn)標(biāo)記120位置以外的基底基板110的區(qū)域中的基底基板110的厚度不同。由于在校準(zhǔn)標(biāo)記120位置處的基底基板 110的厚度和校準(zhǔn)標(biāo)記120位置以外的基底基板110的區(qū)域中的基底基板110的厚度不同， 因而能夠通過采用了光學(xué)顯微鏡的圖像識別裝置檢測到校準(zhǔn)標(biāo)記的位置。作為一個例子， 基于從基底基板110上方照射了光時產(chǎn)生的反射光，能夠檢測校準(zhǔn)標(biāo)記120的位置。具體而言，按照對校準(zhǔn)標(biāo)記120或校準(zhǔn)標(biāo)記120以外的區(qū)域照射光時的反射光量和與校準(zhǔn)標(biāo)記 120的邊界上照射了光時的反射光的量之差，檢測出校準(zhǔn)標(biāo)記120的邊界線。從基底基板110的與阻擋層130相接的面相反的面即背面到阻擋層130的與靠近基底基板110的面相反的面之間的距離，與從基底基板110的背面到阻擋層132的與靠近基底基板110的面相反的面之間的距離不同。即使在阻擋層132形成于校準(zhǔn)標(biāo)記120內(nèi)時， 由于阻擋層130的表面的高度和阻擋層132的表面的高度不同，因而校準(zhǔn)標(biāo)記120的邊界線殘留，從而能夠通過從基底基板110上方照射光線來檢測出校準(zhǔn)標(biāo)記120的位置。如圖IA所示，當(dāng)通過對基底基板110的一部分區(qū)域進(jìn)行蝕刻形成校準(zhǔn)標(biāo)記120 時，校準(zhǔn)標(biāo)記120位置處的基底基板110的厚度，比在校準(zhǔn)標(biāo)記120位置以外的基底基板 110區(qū)域中的基底基板110厚度更小。同時，從基底基板110的與阻擋層130相接的面相反的面即背面到阻擋層130的與靠近基底基板110的表面相反的表面之間的距離，比從基底基板110的背面到阻擋層132的與靠近基底基板110的面相反的面的距離更大。校準(zhǔn)標(biāo)記120，可以有任意的形狀。如圖IB所示，校準(zhǔn)標(biāo)記120，比如是十字形。至少連接1個校準(zhǔn)標(biāo)記120的中心點和開口 140的中心點的直線，比如與開口 140露出的基底基板110的面的邊平行或垂直。同時，構(gòu)成將校準(zhǔn)標(biāo)記120投影于基底基板110的主面時的校準(zhǔn)標(biāo)記120的輪廓線的各線段，比如與開口 140露出的基底基板110的面的邊平行或垂直。圖2是本實施方式涉及的半導(dǎo)體基板200的剖面圖。半導(dǎo)體基板200與圖IA所示的半導(dǎo)體基板100的相異之處是在半導(dǎo)體結(jié)晶150和基底基板110之間具有緩沖層152。開口 140露出緩沖層152。緩沖層152的晶格常數(shù)的大小在基底基板110的晶格常數(shù)和半導(dǎo)體結(jié)晶150的晶格常數(shù)之間。緩沖層152，比如是3-5族化合物半導(dǎo)體或4族半導(dǎo)體。緩沖層152也可以是3族氮化物半導(dǎo)體。比如，在基底基板110的表面是Si，半導(dǎo)體結(jié)晶150是3_5族化合物半導(dǎo)體結(jié)晶或為2-6族化合物半導(dǎo)體結(jié)晶的情況下，緩沖層152，具有CxlSiylGezlSni_xl_yl_zl (0^xl< 1、 0彡yl彡1、0彡zl彡1、且0 < xl+yl+zl彡1)的組成。緩沖層152防止由于半導(dǎo)體結(jié)晶 150和基底基板110之間的晶格常數(shù)之差而在半導(dǎo)體結(jié)晶150上產(chǎn)生缺陷。具體而言，緩沖層152，能降低基底基板110和緩沖層152間的缺陷的發(fā)生，且，還能降低緩沖層152和半導(dǎo)體結(jié)晶150間的缺陷的發(fā)生。緩沖層152，還可以緩和由于基底基板110及半導(dǎo)體結(jié)晶150 的熱膨脹系數(shù)差引起的基底基板110的翹曲。圖3，是有關(guān)其他的實施方式的半導(dǎo)體基板300的剖面圖。圖3所示的校準(zhǔn)標(biāo)記 122，與圖IA所示的半導(dǎo)體基板100的校準(zhǔn)標(biāo)記120相異之處在于通過在基底基板110的一部分區(qū)域進(jìn)行金屬沉積來形成這一點。該金屬，比如，是從由鉭，鈮，鎳，鎢及鈦構(gòu)成的組中選出的至少1種金屬。在圖3中，校準(zhǔn)標(biāo)記122的位置處的基底基板110的厚度，比在校準(zhǔn)標(biāo)記122的位置以外的基底基板110區(qū)域中的基底基板110的厚度更大。同時，從基底基板110的與阻擋層130相接的面相反的面即背面到阻擋層130的與靠近基底基板110的面相反的面之間的距離，比從基底基板110的背面到阻擋層132的與靠近基底基板110的面相反的面之間的距離還小。即使如圖3所示，在通過金屬沉積形成校準(zhǔn)標(biāo)記122的情況下，也能夠通過從基底基板110上方照射光，來檢測校準(zhǔn)標(biāo)記122的位置。圖4，是有關(guān)其他的實施方式的半導(dǎo)體基板400的剖面圖。圖4所示的半導(dǎo)體基板 400，在基底基板110和阻擋層130之間形成緩沖層160這一點上，與圖IA所示的半導(dǎo)體基板100不同。由于半導(dǎo)體基板400具有緩沖層160，從而降低了起因于基底基板110和半導(dǎo)體結(jié)晶150之間晶格常數(shù)之差的結(jié)晶缺陷的發(fā)生數(shù)。在基底基板110的表面是硅，半導(dǎo)體結(jié)晶150為氮化鎵的情況下，緩沖層160比如是氮化鋁。圖5，是有關(guān)其他的實施方式的半導(dǎo)體基板500的平面圖。在半導(dǎo)體基板500中， 阻擋層130有多個開口 140-n、開口 142-n和開口 144-n(n為1以上4以下的整數(shù))。半導(dǎo)體基板500具有在多個開口 140的各個開口中結(jié)晶生長的半導(dǎo)體結(jié)晶150。作為一個例子，格子狀配置多個開口 140-n、開口 142-n和開口 144-n。S卩，開口 140-1，開口 140-2，開口 140-3及開口 140-4互相以第1間隔沿第1方向被配置成一條直線。同樣，開口 142-1，開口 142-2，開口 142-3及開口 142-4，互相以第1間隔沿第1方向被配置成一條直線。開口 144-1，開口 144-2，開口 144-3及開口 144-4，互相以第1間隔沿第 1方向被配置成一條直線。并且，開口 140-1，開口 142-1及開口 144-1，互相以第2間隔，沿與上述的第1方向垂直的第2方向被配置成一條直線。同樣，開口 140-2，開口 142-2及開口 144-2，互相以第2間隔，沿第2方向被配置成一條直線。開口 140-3，開口 142-3及開口 144-3，互相以第 2間隔，沿第2方向被配置成一條直線。第1間隔和第2間隔可以相等。半導(dǎo)體基板500具有多個校準(zhǔn)標(biāo)記120及多個校準(zhǔn)標(biāo)記122。比如，半導(dǎo)體基板 500具有沿第1方向被配置成一條直線的校準(zhǔn)標(biāo)記120-1、校準(zhǔn)標(biāo)記120-2、校準(zhǔn)標(biāo)記120-3及校準(zhǔn)標(biāo)記120-4，和沿第2方向被配置成一條直線的校準(zhǔn)標(biāo)記124-1、校準(zhǔn)標(biāo)記1M-2及校準(zhǔn)標(biāo)記124-3。在多個校準(zhǔn)標(biāo)記120及多個校準(zhǔn)標(biāo)記124的各個校準(zhǔn)標(biāo)記上分別設(shè)置阻擋層132。作為一個例子，半導(dǎo)體基板500具有與開口 140的數(shù)目對應(yīng)的數(shù)目的校準(zhǔn)標(biāo)記 120。半導(dǎo)體基板500，可以與在第1方向上被配置成一條直線的多個開口組的各個開口對應(yīng)，具有1個校準(zhǔn)標(biāo)記124。半導(dǎo)體基板500，可以與在第2方向上被配置成一條直線的多個開口組的各個開口對應(yīng)，具有1個校準(zhǔn)標(biāo)記120。比如，校準(zhǔn)標(biāo)記120-1的中心點被配置在連結(jié)開口 140-1、開口 142-1及開口 144-1的中心點的直線上。校準(zhǔn)標(biāo)記IM-I的中心點被配置在連結(jié)開口 140-1、開口 140-2、 開口 140-3及開口 140-4的中心點的直線上。通過這樣配置校準(zhǔn)標(biāo)記120或校準(zhǔn)標(biāo)記124， 可提高半導(dǎo)體基板500具有多個開口時的位置校準(zhǔn)精度。半導(dǎo)體基板500，可以在第1方向上，被配置成一條直線的多個開口組之中，在每個任意的多個開口組上具有1個校準(zhǔn)標(biāo)記124。同樣，半導(dǎo)體基板500，也可以在第2方向上被配置成一條直線的多個開口組之中，在每個任意的多個開口組上具有1個校準(zhǔn)標(biāo)記120。圖6A、圖6B和圖6C，表示半導(dǎo)體基板200的制造方法。在S601中，對基底基板 110涂敷感光性樹脂610。其次，在形成基底基板110中的校準(zhǔn)標(biāo)記120的位置時，比如通過光刻法形成開口 612。在S602中，以形成了開口 612的感光性樹脂610為掩模，通過將基底基板110進(jìn)行干式蝕刻，形成多個校準(zhǔn)標(biāo)記120。也可以通過對基底基板110照射激光形成校準(zhǔn)標(biāo)記 120。在S602中，可以通過在基底基板110上形成金屬，形成圖3所示的校準(zhǔn)標(biāo)記122。 該金屬，優(yōu)選為相對于此后的結(jié)晶生長時的溫度或工序溫度具有耐受性的金屬。作為該金屬，可以例舉是從由鉭、鈮、鎳、鎢及鈦構(gòu)成的群中選擇的至少1種金屬。具體，在所露出的基底基板110的表面進(jìn)行金屬沉積，加工成預(yù)先設(shè)計的形狀，能夠?qū)⑺玫降慕饘俪练e膜作為校準(zhǔn)標(biāo)記122使用。接著，在S603中，在基底基板110上的包含校準(zhǔn)標(biāo)記120的區(qū)域，形成用于阻擋結(jié)晶生長的阻擋層130及阻擋層132。阻擋層130及阻擋層132，比如能通過CVD法(Chemical Vapor Deposition)、氣相沉積法或濺射法形成。其次，在圖6B所示的S604中，在阻擋層130上形成感光性樹脂620。也可以在感光性樹脂620透過光的情況下，在阻擋層132的上方形成感光性樹脂620。在感光性樹脂 620的形成工序中，比如，通過旋涂法在阻擋層130上涂敷感光性樹脂。也可以通過在阻擋層130上粘貼感光性樹脂來形成感光性樹脂620。在S605中，比如通過光刻法，在基底基板110中的沒有設(shè)置校準(zhǔn)標(biāo)記120的區(qū)域上的感光性樹脂620上形成開口 622。接著，在S606中，以感光性樹脂620作為掩模使用， 通過蝕刻阻擋層130，在沒有設(shè)置校準(zhǔn)標(biāo)記120的區(qū)域，形成開口 140。開口 140，比如可以使用采用了藥液的濕式蝕刻或采用了氣體等離子的干式蝕刻法形成。在S607中，除去感光性樹脂620。在開口 140的底面露出基底基板110。開口 140的底面積，是0. Olmm2以下，優(yōu)選是1600 μ m2以下，更優(yōu)選是900 μ m2以下。如果開口 140具有上述底面積時，能降低在開口140內(nèi)的結(jié)晶生長的半導(dǎo)體結(jié)晶150上產(chǎn)生的缺陷。在S605中，按照顯示應(yīng)該形成把校準(zhǔn)標(biāo)記120位置作為基準(zhǔn)的開口 140的位置的信息，形成開口 622。具體，在感光性樹脂620的上方，配置使用光刻法的掩模630。在掩模 630上，形成與校準(zhǔn)標(biāo)記120對應(yīng)的基準(zhǔn)記號632，及與開口 140對應(yīng)的開口 634。以校準(zhǔn)標(biāo)記120的位置對準(zhǔn)在掩模630上形成的基準(zhǔn)記號632的位置的狀態(tài)，從掩模630上方照射紫外光線，在掩模630形成的開口 622的圖案復(fù)制在感光性樹脂620上。 接著，經(jīng)過沖洗工序，能夠?qū)㈤_口 622形成在感光性樹脂620上。在對齊基準(zhǔn)記號632的位置和校準(zhǔn)標(biāo)記120的位置的工序中，按照一邊照射紫外光一邊掃描基底基板110的上方而檢測出的反射光量的變化量來識別圖像，并檢測出校準(zhǔn)標(biāo)記120的位置。為使所檢測出的校準(zhǔn)標(biāo)記120位置和在掩模630形成的基準(zhǔn)記號632的位置一致，能夠通過控制掩模630的位置，使基準(zhǔn)記號632位置與校準(zhǔn)標(biāo)記120位置對齊。在控制掩模630的位置時，優(yōu)選使用形成了多個基準(zhǔn)記號632的掩模630。通過將多個校準(zhǔn)標(biāo)記120和多個基準(zhǔn)記號632的位置對齊，能夠使形成開口 140的位置的精度提尚ο在阻擋層130形成多個開口 140時，按照顯示應(yīng)該形成以校準(zhǔn)標(biāo)記120的位置為基準(zhǔn)的多個開口 140的位置的信息，形成多個開口 140。具體而言，掩模630，具有在與多個開口 140對應(yīng)的位置形成的多個開口 634。通過從掩模630上方照射紫外光線，在感光性樹脂620能形成與多個開口 140對應(yīng)的多個開口 622。其次，在圖6C所示的S608中，使緩沖層152結(jié)晶生長。并且，在緩沖層152上使半導(dǎo)體結(jié)晶150結(jié)晶生長。在S608中，優(yōu)選通過外延生長法，使緩沖層152及長半導(dǎo)體結(jié)晶150在開口 140內(nèi)結(jié)晶生長。作為外延生長法，能舉出有機金屬化學(xué)氣相生長法(M0CVD 法)、分子射線外延法(MBE法)。當(dāng)阻擋層130具有多個開口 140時，緩沖層152及半導(dǎo)體結(jié)晶150，在各自的開口 140內(nèi)結(jié)晶生長。半導(dǎo)體結(jié)晶150，比如是3-5族化合物半導(dǎo)體結(jié)晶或是2-6族化合物半導(dǎo)體結(jié)晶。緩沖層 152，比如具有 CxlSiylGezlSnl_xl_yl_zl(0 ^ xl < 1、0 彡 yl 彡 1、0 彡 zl 彡 1、且 0 < xl+yl+zl ( 1)的組成。緩沖層152及半導(dǎo)體結(jié)晶150，在阻擋層132上面不結(jié)晶生長。因此，緩沖層152 及半導(dǎo)體結(jié)晶150在開口 140中結(jié)晶生長的期間，校準(zhǔn)標(biāo)記120內(nèi)半導(dǎo)體結(jié)晶也不生長。其結(jié)果，使緩沖層152及半導(dǎo)體結(jié)晶150在開口 140內(nèi)結(jié)晶生長之后也能將校準(zhǔn)標(biāo)記120用于定位。具體，如S609到S611所示，能夠以校準(zhǔn)標(biāo)記120為基準(zhǔn)，在半導(dǎo)體結(jié)晶150形成電極660及電極662。也可以以校準(zhǔn)標(biāo)記120為基準(zhǔn)，在半導(dǎo)體結(jié)晶150上面形成金屬配線。在基底基板110上面形成多個半導(dǎo)體結(jié)晶150時，可以在各自的半導(dǎo)體結(jié)晶150上形成至少包含電極660、電極662及金屬配線內(nèi)的一種的功能部件。以校準(zhǔn)標(biāo)記120為基準(zhǔn)， 還可以形成晶片或元件分離區(qū)域。在S609中，涂敷感光性樹脂640，以使覆蓋阻擋層130、阻擋層132及半導(dǎo)體結(jié)晶 150。接著，在S610中，以校準(zhǔn)標(biāo)記120位置為基準(zhǔn)，在形成電極660及電極662的位置中， 在感光性樹脂640形成開口 650及開口 652。開口 650及開口 652，可以采用與開口 622的形成方法同樣的光刻法形成。其次，在S611中，在開口 650及開口 652中形成電極660及電極662。實施例(實施例1)圖7，是所制造的半導(dǎo)體基板700的剖面圖。圖8，表示在半導(dǎo)體基板700上形成的校準(zhǔn)標(biāo)記720的形狀。在半導(dǎo)體基板700中，在被設(shè)置在硅基板710上的阻擋層730中形成的開口內(nèi)，形成了 GaN緩沖層750、GaN結(jié)晶752及Al0.2Ga0.8N結(jié)晶754。采用MOCVD法，在內(nèi)部溫度900°C的反應(yīng)爐中，在Si基板的面方位(111)切偏角度0°的主面上，形成了厚度IOOnm的AlN緩沖層760。其次，從反應(yīng)爐取出所得到的基板。 對AlN緩沖層760上面涂敷感光性樹脂。通過光刻法形成了露出AlN緩沖層760的十字形的開口。該開口，具有如圖8所示，分別使長邊為30 μ m,短邊為5 μ m的2個長方形在各自的長方形中心點互相正交地重合的形狀。接著，將所得到的基板移至反應(yīng)性離子蝕刻裝置腔體中，通過用SF6氣體等離子， 對在開口露出的AlN緩沖層760進(jìn)行干法蝕刻到Si基板的5 μ m的深度，形成了校準(zhǔn)標(biāo)記 720。其次，用丙酮溶解除去在開口以外附著的感光性樹脂。接著，由CVD法在基板整個面以50nm的厚度堆積成為阻擋層730的氧化硅。在校準(zhǔn)標(biāo)記720也能形成阻擋層732。作為原料氣體使用了硅烷和氧?；鍦囟葹?00°C。在阻擋層730上面通過步進(jìn)曝光法形成了具有一條邊為20 μ m的正方形的開口的感光性樹脂圖案。這時，對先形成的校準(zhǔn)標(biāo)記720的確定位置進(jìn)行曝光。將基板浸在5%的 HF水溶液中，通過蝕刻法除去在感光性樹脂開口露出的氧化硅使AlN緩沖層760露出。此后，除去感光性樹脂，在阻擋層730形成的開口中露出的AlN緩沖層760上，通過MOCVD法以生長溫度900°C、生長爐內(nèi)壓力3010 的條件使GaN緩沖層750 (厚度IOOnm) 生長。其次，通過MOCVD法，以生長溫度1060°C、生長爐內(nèi)壓力12ΜΙ^使作為功能結(jié)晶的GaN 結(jié)晶752 (厚度2000nm)、以及接下來的Al0.2Ga0.8N結(jié)晶754 (厚度30nm)外延生長。作為原料氣體，使用了三甲基鋁、三甲基鎵、氨。接著，從MOCVD反應(yīng)爐取出所得到的基板，設(shè)置于步進(jìn)曝光裝置。一邊相對于基板上形成的校準(zhǔn)標(biāo)記720進(jìn)行對位，一邊在通過步進(jìn)曝光法得到的基板上形成具有歐姆電極的形狀的感光性樹脂開口。在該基板上，以150nm的厚度氣相沉積Ti，接著以1500nm的厚度氣相沉積Al，通過剝離法形成了具有電極形狀的Ti/Al金屬的層疊構(gòu)造。接著，以800°C將基板退火30秒鐘，形成了歐姆電極接著，一邊對校準(zhǔn)標(biāo)記720進(jìn)行對位，一邊通過步進(jìn)曝光法形成了具有柵極電極形狀的感光性樹脂開口。在該基板上，以IOOnm的厚度氣相沉積Ni，接著以2000nm的厚度氣相沉積Au，通過剝離法形成了具有電極形狀的Ni/Au金屬的層疊構(gòu)造。由此形成了柵極電極。根據(jù)以上的順序，制造出了在Si基板上具有校準(zhǔn)標(biāo)記720，且校準(zhǔn)標(biāo)記720和半導(dǎo)體結(jié)晶及功能部件的相對位置精度優(yōu)良的規(guī)定的半導(dǎo)體基板。在使半導(dǎo)體結(jié)晶結(jié)晶生長之后，不需要重新形成用于功能部件的形成的校準(zhǔn)標(biāo)記720，從而提高了生產(chǎn)率。(實施例2)圖9，是所制造的半導(dǎo)體基板900的剖面圖。在半導(dǎo)體基板900中，在被設(shè)置在 GaAs基板910上的阻擋層930中形成的開口內(nèi)，形成了 GaAs緩沖層950、Al0.2Ga0.8As結(jié)晶952、Intl l5Gatl 85As 結(jié)晶 954、Alci 2Gatl 8As 結(jié)晶 956、n_GaAs 結(jié)晶 958。GaAs基板910的面方位(001)切偏角度2°的主面上涂敷感光性樹脂。通過光刻法形成了 GaAs基板910露出的十字形的開口。其次，把得到的基板移至反應(yīng)性離子蝕刻裝置的腔室，通過用SF6氣體等離子，對在開口露出的GaAs基板910進(jìn)行干法蝕刻到5 μ m的深度為止，從而形成了校準(zhǔn)標(biāo)記920。接著，用丙酮溶解除去感光性樹脂。通過CVD法，對包含校準(zhǔn)標(biāo)記920的基板整個面，以50nm的厚度堆積作為阻擋層 930的氧化硅。在校準(zhǔn)標(biāo)記920上形成了阻擋層932。作為原料氣體，使用了硅烷和氧?；鍦囟葹?00°。在氧化硅上，通過步進(jìn)曝光法形成了具有邊長為20μπι的正方形的開口的感光性樹脂圖案。這時，對先形成的校準(zhǔn)標(biāo)記920進(jìn)行位置決定并進(jìn)行曝光。將基板浸在5%的 HF水溶液中，通過蝕刻法除去在感光性樹脂開口露出的氧化硅使GaAs基板910露出。此后，除去感光性樹脂，在氧化硅開口中露出的GaAs基板910上，通過MOCVD法，在生長溫度 600°C、生長爐內(nèi)壓力IOKPa的環(huán)境下使GaAs緩沖層950 (厚度IOOnm)生長。其次，采用MOCVD法，以生長溫度600°C、生長爐內(nèi)壓力IOKI3a使作為功能結(jié)晶的以下結(jié)晶外延生長。即Al0.2Ga0.8As結(jié)晶952(厚度2000nm)，接下來In0.15Ga0.85As結(jié)晶954(厚度 20nm)、Al0.2Ga0.8As 結(jié)晶 956 (厚度 200nm)、n-GaAs 結(jié)晶 958 (厚度 20nm)。作為原料氣體，使用了三甲基鋁、三甲基鎵、胂。作為η型摻雜劑原料使用了硅烷。在這些半導(dǎo)體結(jié)晶生長過程中，校準(zhǔn)標(biāo)記920因為被氧化硅的阻擋層932覆蓋，所以在校準(zhǔn)標(biāo)記920的上面沒有半導(dǎo)體結(jié)晶生長。因此，不會發(fā)生因在校準(zhǔn)標(biāo)記920上附著結(jié)晶而引起的校準(zhǔn)標(biāo)記920變形。其結(jié)果，通過光刻法形成以后示出的電極等的功能部件的工序中，用該校準(zhǔn)標(biāo)記920，能夠以高度的定位精度形成功能部件。從MOCVD反應(yīng)爐取出所得到的基板，并設(shè)置了步進(jìn)曝光裝置。通過步進(jìn)曝光法，一邊相對于上述校準(zhǔn)標(biāo)記920進(jìn)行定位，一邊形成在與形成電極的位置對應(yīng)的位置具有開口的感光性樹脂。接著，開口部通過氧化硅HF水溶液溶解除去。接下來，用丙酮溶解除去感光性樹脂。一邊以校準(zhǔn)標(biāo)記920為基準(zhǔn)進(jìn)行定位，一邊用步進(jìn)曝光法形成了具有與歐姆電極形狀對應(yīng)的形狀的開口的感光性樹脂。在該基板上，將Ti以150nm的厚度進(jìn)行氣相沉積， 接著將Al以1500nm的厚度進(jìn)行氣相沉積，通過剝離法，形成了具有電極形狀的Ti/Al金屬層疊結(jié)構(gòu)。其次，通過以800°C退火30秒鐘形成了歐姆電極。接著，一邊以所形成的校準(zhǔn)標(biāo)記920為基準(zhǔn)進(jìn)行定位，一邊用步進(jìn)曝光法形成了具有柵極電極形狀的曝光開口。在該基板上，將Ni以IOOnm的厚度，接著將Au以2000nm 的厚度進(jìn)行氣相沉積，通過剝離法，形成了具有電極形狀的Ni/Au金屬的層疊構(gòu)造。由此形成了柵極電極。按以上操作，形成了 GaAs系場效應(yīng)晶體管。根據(jù)以上的次序制得了在GaAs基板910上有校準(zhǔn)標(biāo)記920，校準(zhǔn)標(biāo)記920和半導(dǎo)體結(jié)晶及電極等的功能部件之間的相對位置精度良好的常規(guī)的半導(dǎo)體基板。使半導(dǎo)體結(jié)晶結(jié)進(jìn)行晶生長之后，因為不需要重新形成功能部件的形成所用的校準(zhǔn)標(biāo)記，從而能夠提高
生產(chǎn)率。以上，通過實施方式說明了本發(fā)明，不過，本發(fā)明的技術(shù)范圍不受以上的實施方式記載的范圍所限定。本行業(yè)人員明白，能夠?qū)ι鲜鰧嵤├右远喾N多樣的改良和變更。根據(jù)權(quán)利要求的記載可以明確，實施了這樣的變更和改良的實施方式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍之內(nèi)。應(yīng)留意的是，對于權(quán)利要求、說明書以及附圖中所示的裝置、系統(tǒng)、程序以及方法中的動作、流程、步驟以及階段等各處理的執(zhí)行順序，只要未特別明示為“在...之前”、 “比...先行”等，且只要未將前處理的輸出用于后處理中，則可按任意順序?qū)崿F(xiàn)。關(guān)于權(quán)利要求、說明書以及圖示中的動作流程，即使為方便起見而使用“首先”、“接著”等字樣進(jìn)行說明，但并非意味著必須按該順序?qū)嵤?b>符號說明100半導(dǎo)體基板，110基底基板，120校準(zhǔn)標(biāo)記，122校準(zhǔn)標(biāo)記，124校準(zhǔn)標(biāo)記，130 阻擋層，132阻擋層，140開口，150半導(dǎo)體結(jié)晶，152緩沖層，160緩沖層，200半導(dǎo)體基板， 300半導(dǎo)體基板，400半導(dǎo)體基板，500半導(dǎo)體基板，610感光性樹脂，612開口，620感光性樹脂，622開口，630掩模，632基準(zhǔn)記號，634開口，640感光性樹脂，650開口，652開口，660 電極，662電極，700半導(dǎo)體基板，710硅基板，720校準(zhǔn)標(biāo)記，730阻擋層，732阻擋層，750 GaN緩沖層，752 GaN結(jié)晶，754Α1α26εια8Ν結(jié)晶，760 AlN緩沖層，900半導(dǎo)體基板，910 GaAs 基板，920校準(zhǔn)標(biāo)記，930阻擋層，932阻擋層，950 GaAs緩沖層，952 Al0.2Ga0.8As結(jié)晶，954 Inai5Gaa85As 結(jié)晶，956 Ala2Gaa8As 結(jié)晶，958 n-GaAs 結(jié)晶。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體基板的制造方法，包括 在基底基板上形成校準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；在所述形成校準(zhǔn)標(biāo)記的步驟之后，在所述基底基板上的包含所述校準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域形成阻擋結(jié)晶生長的阻擋層的步驟；根據(jù)顯示應(yīng)該形成以所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)的開口的位置的信息，在所述阻擋層中的未設(shè)置所述校準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域，形成用于露出所述基底基板的所述開口的步驟；以及在所述開口內(nèi)使半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，還具有以所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)，在所述半導(dǎo)體結(jié)晶上形成電極及金屬配線中的至少1 種的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，在形成所述開口的步驟中，在沒有設(shè)置所述校準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域形成多個所述開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，在形成所述開口的步驟中，根據(jù)顯示應(yīng)該形成以所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)的所述多個開口的位置的信息，形成所述多個開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，在使所述半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟中，使所述半導(dǎo)體結(jié)晶在所述多個開口的各個開口中分別生長。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，還具有功能部件形成步驟，即以所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)，在所述多個開口內(nèi)的各所述半導(dǎo)體結(jié)晶的上方形成具有電極及金屬配線中的至少1種的功能部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，在所述功能部件形成步驟中，通過以所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)的光刻法形成所述功能部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，所述基底基板是表面為硅結(jié)晶的基板、表面為鍺結(jié)晶的基板、或3-5族化合物半導(dǎo)體基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，在使所述半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟中，使3-5族化合物半導(dǎo)體結(jié)晶或者2-6族化合物半導(dǎo)體結(jié)晶生長。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中， 在使所述半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟中，包括使具有CxlSiylGezlSni_xl_yl_zl組成的第一半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟，所述 CxlSiylGezlSni_xl_yl_zl 中，0 ≤ xl < 1、0 ^ yl ^ 1、0 ≤ zl ≤ 1、且 0 < xl+yl+zl ≤ 1 ；以及在所述第一半導(dǎo)體結(jié)晶上使第2半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中， 所述阻擋層具有氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或氧化鋁中的任1種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，在形成所述校準(zhǔn)標(biāo)記的步驟中，通過對所述基底基板進(jìn)行蝕刻而在所述基底基板上形成所述校準(zhǔn)標(biāo)記。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其中，在形成所述校準(zhǔn)標(biāo)記的步驟中，通過在所述基底基板上形成選自由鉭、鈮、鎳、鎢及鈦構(gòu)成的組中的至少1種金屬，而在所述基底基板上形成所述校準(zhǔn)標(biāo)記。
14.一種半導(dǎo)體基板，包括 基底基板，其形成有校準(zhǔn)標(biāo)記；第1阻擋層，其設(shè)置在所述基底基板上的形成有所述校準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域以外的區(qū)域，具有露出所述基底基板的開口，且阻擋結(jié)晶生長；第2阻擋層，其設(shè)置在所述校準(zhǔn)標(biāo)記上，且阻擋結(jié)晶生長；以及半導(dǎo)體結(jié)晶，在所述開口內(nèi)結(jié)晶生長。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體基板，其中， 所述第1阻擋層具有多個所述開口；所述半導(dǎo)體基板具有在所述多個開口的各個開口分別結(jié)晶生長的所述半導(dǎo)體結(jié)晶。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體基板，其中，所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置處的所述基底基板的厚度與所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置以外的所述基底基板的區(qū)域的所述基底基板的厚度不同；從下述基底基板的背面到所述第1阻擋層的與靠近所述基底基板的面相反的面之間的距離，與從下述基底基板的背面到所述第2阻擋層的與靠近所述基底基板的面相反的面之間的距離不同，所述基底基板的背面為所述基底基板的與所述第1阻擋層相接的面相反的面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體基板，其中，在所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置處的所述基底基板的厚度，比在所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置以外的所述基底基板的區(qū)域中的所述基底基板的厚度更??；從下述基底基板的背面到所述第1阻擋層的與靠近所述基底基板的面相反的面之間的距離，比從下述基底基板的背面到所述第2阻擋層的與靠近所述基底基板的面相反的面之間的距離更大，所述基底基板的背面為所述基底基板的與所述第1阻擋層相接的面相反的面。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體基板，其中，在所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置處的所述基底基板的厚度，比在所述校準(zhǔn)標(biāo)記的位置以外的所述基底基板的區(qū)域中的所述基底基板的厚度更大；從下述基底基板的背面到所述第1阻擋層的與靠近所述基底基板的面相反的面之間的距離，比從下述基底基板的背面到所述第2阻擋層的與靠近所述基底基板的面相反的面之間的距離更小，所述基底基板的背面為所述基底基板的與所述第1阻擋層相接的面相反的面。 全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體基板的制造方法，包括如下步驟在基底基板上形成校準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；形成校準(zhǔn)標(biāo)記的步驟之后，在基底基板上的包含校準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域形成阻擋結(jié)晶生長的阻擋層的步驟；根據(jù)顯示應(yīng)該形成以校準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)的開口位置，在阻擋層中的未設(shè)置校準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域，形成用于露出基板的開口的步驟，以及在開口內(nèi)使半導(dǎo)體結(jié)晶生長的步驟。
文檔編號H01L21/20GK102598215SQ20108005027
公開日2012年7月18日 申請日期2010年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月26日
發(fā)明者佐澤洋幸 申請人:住友化學(xué)株式會社