專利名稱：Cmp拋光墊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)拋光墊及其制造方法，更具體涉及表面上具有由激光束形成的孔以改善CMP工藝穩(wěn)定性的CMP拋光墊以及其制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件是通過在半導(dǎo)體襯底如硅上高密度集成電子器件如晶體管或電容器而形成并且利用沉積、光刻和蝕刻技術(shù)制造的。這樣的沉積、光刻和蝕刻工藝的反復(fù)進(jìn)行導(dǎo)致形成具有特定形狀的圖案。當(dāng)在層狀結(jié)構(gòu)中反復(fù)形成圖案時(shí)，在所得結(jié)構(gòu)的頂部，高度差逐漸變得嚴(yán)重。結(jié)構(gòu)頂部的這種嚴(yán)重的高度差使得在后續(xù)光刻工藝中的光掩模圖案聚焦不清，由此導(dǎo)致難以形成微細(xì)圖案。包括減少襯底上的高度差以增加光刻法分辨率的技術(shù)之一是化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)。CMP包括以機(jī)械和化學(xué)方式拋光具有高度差的襯底以使襯底頂部平坦化。圖1是說明CMP工藝的示意圖。參考圖1，CMP工藝通過使晶片103在旋轉(zhuǎn)的同時(shí)與旋轉(zhuǎn)的CMP拋光墊102接觸來進(jìn)行，使得在晶片103頂部上形成的層可被拋光。CMP拋光墊102固定在旋轉(zhuǎn)平臺101上，并且晶片103在通過載體104旋轉(zhuǎn)的同時(shí)與CMP拋光墊102接觸。在此，從漿料供應(yīng)噴嘴105向CMP拋光墊102的頂部供應(yīng)漿料106。CMP拋光墊是用于拋光晶片表面的消耗品并且對于CMP工藝是必不可少的。在CMP 期間，在CMP拋光墊和晶片表面之間存在漿料以進(jìn)行晶片表面的化學(xué)機(jī)械拋光。然后，將使用過的漿料排放到外部。為了使?jié){料在CMP拋光墊上保留預(yù)定時(shí)間，需要在CMP拋光墊上貯存該漿料。CMP拋光墊的這種漿料貯存性可通過在拋光墊上形成的孔或洞獲得。換句話說，將漿料引入形成在CMP拋光墊上的孔或洞中，使得半導(dǎo)體表面可長時(shí)間有效拋光。為了確保CMP拋光墊抑制漿料泄漏以及提供高拋光效率，需要良好地控制孔或洞的形狀，并且將拋光墊的物理性質(zhì)如硬度保持在最佳狀態(tài)。常規(guī)CMP拋光墊通過利用物理或化學(xué)方法在拋光墊內(nèi)部形成不規(guī)則尺寸和布置的孔來獲得。圖2是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)獲得的CMP拋光墊的截面圖。參考圖2，具有各種形狀和尺寸的孔10 以無規(guī)分布形式布置在聚合物制成的拋光墊102的表面或內(nèi)部。在CMP拋光墊上形成孔或洞的常規(guī)方法中的一種物理方法是將微米尺寸材料與形成拋光墊的材料混合。在這種情況下，需要將多孔微米尺寸材料設(shè)置為使得其可以在拋光墊制造的初始時(shí)刻與拋光墊材料混合良好。但是，難以通過物理方法使得微米尺寸材料與拋光墊材料良好混合。此外，微米尺寸材料的尺寸并不均勻。通常，物理方法形成的孔的平均孔直徑為約100微米，但每個孔的直徑范圍從幾十微米到幾百微米不等。這源于成孔的技術(shù)限制。另外，當(dāng)制造拋光墊時(shí)，由于重力導(dǎo)致孔隨機(jī)分布在不同的位置。因此，難以獲得具有均一品質(zhì)的拋光墊。當(dāng)在CMP拋光墊上形成的孔的尺寸或分布不均勻時(shí)，在高精度拋光晶片時(shí)，拋光效率隨位置或時(shí)間而變化。用于在CMP拋光墊上形成孔的一種化學(xué)方法使用水或能夠轉(zhuǎn)化成氣體的液體。當(dāng)水或這類液體被引入聚氨酯溶液并然后加熱時(shí)，在液體轉(zhuǎn)化為氣體的同時(shí)形成孔。然而，這種利用氣體形成孔的方法仍然是有問題的，其問題在于難以保持均勻的孔尺寸。因此，需要開發(fā)一種方法，用以保持在CMP拋光墊上形成的孔或洞的均勻形狀并且根據(jù)需要控制孔或洞的分布。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本公開涉及提供一種在其表面上形成有孔的CMP拋光墊，其中所述孔具有控制為預(yù)定尺寸的直徑。本公開還涉及提供一種用于制造在其表面上形成有孔的CMP拋光墊的方法，其中所述孔具有控制為預(yù)定尺寸的直徑。技術(shù)方案在一個一般方面，本公開提供一種在其至少一個表面上形成有多個孔的CMP拋光墊，其中所述孔通過將吸光材料分散在CMP拋光墊的表面內(nèi)或表面上并用激光束照射所述吸光材料而形成。根據(jù)一個實(shí)施方案，所述孔可具有由所述激光束的波長所確定的直徑。根據(jù)另一個實(shí)施方案，所述孔的直徑可與所述激光束的波長成比例。根據(jù)另一個實(shí)施方案，所述激光束可具有300-20000nm的中值波長。根據(jù)另一個實(shí)施方案，所述孔可具有1_200μπι的直徑。根據(jù)另一個實(shí)施方案，所述吸光材料可吸收波長范圍為300-15000nm的光。根據(jù)另一個實(shí)施方案，所述吸光材料可以為選自包括菁染料、二硫綸染料、二亞銨染料、醌染料、羅丹明染料、維多利亞染料、亞甲基染料、亮色染料、萘染料、r印id-filter gelb、echtblau, pinaorthol染料、吡喃錫染料、硫堇染料、尼羅藍(lán)染料、甲酚染料、噪嗪染料、試鹵靈染料、刃天青染料、派洛寧染料、吖啶染料和奇通染料的組中的至少一種。在一個變化方案中，提供一種具有多個孔的CMP拋光墊，所述孔的形成方式為在拋光墊表面上形成吸光材料層并用激光束照射該吸光材料層，使得所述激光束穿透所述吸光材料層并且所述孔形成至拋光墊的預(yù)定深度。根據(jù)一個實(shí)施方案，所述吸光材料層可通過將吸光材料鋪展在拋光墊表面上或?qū)⑵渲蟹稚⒂形獠牧系哪じ街翏伖鈮|表面來形成。在另一一般方面，本公開提供一種制造CMP拋光墊的方法，包括確定待在CMP拋光墊上形成的孔的直徑；根據(jù)所述孔直徑確定待用激光的具體類型；根據(jù)所述激光類型確定吸光材料的具體類型；將所述吸光材料分散在所述CMP拋光墊中；和利用所述激光束照射具有分散在其中的所述吸光材料的所述CMP拋光墊以形成孔。根據(jù)一個實(shí)施方案，所述孔的直徑可與激光束的波長成比例。根據(jù)另一個實(shí)施方案，所述吸光材料可以是選自包括菁染料、二硫綸染料、二亞銨染料、醌染料、羅丹明染料、維多利亞染料、亞甲基染料、亮色染料、萘染料、r印id-filter gelb、echtblau, pinaorthol染料、吡喃錫染料、硫堇染料、尼羅藍(lán)染料、甲酚染料、噪嗪染料、試鹵靈染料、刃天青染料、派洛寧染料、吖啶染料和奇通染料的組中的至少一種。根據(jù)另一個實(shí)施方案，在所述CMP拋光墊上形成多個孔，并且所述孔的分布和深度可通過改變所述拋光墊的位置來控制。
根據(jù)另一個實(shí)施方案，在所述CMP拋光墊上形成多個孔，并且所述孔的分布和深度可通過改變所述激光的位置來控制。有利效果本文所公開的拋光墊使用在其表面上或表面內(nèi)能夠吸收特定范圍波長的光的吸光材料，從而允許利用激光束形成孔。因此，可以通過根據(jù)待形成的孔的直徑來選擇激光束的波長和與其對應(yīng)的吸光材料從而在CMP拋光墊上有效地形成具有期望直徑的孔。此外， 由于該孔由激光束形成，所以它們可以具有在拋光墊中的期望的深度和分布。此外，基于待拋光材料的類型或漿料的組成，CMP工藝可以以高拋光效率和高工藝穩(wěn)定性實(shí)施。


本公開的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將從以下參照附圖給出的特定示例性實(shí)施方案的描述而變得明顯，其中圖1是示出CMP工藝的示意圖；圖2是根據(jù)相關(guān)技術(shù)得到的CMP拋光墊的截面圖；圖3是示出利用激光在CMP拋光墊上形成具有期望的分布和深度的孔的方法的示意圖；圖4是示出具有利用激光束形成至預(yù)定深度的孔的CMP拋光墊的截面圖；圖5是示出根據(jù)本公開如何選擇待分散在CMP拋光墊上的吸光材料的流程圖；圖6是示出根據(jù)一個實(shí)施方案的具有分散在其中的吸光材料的CMP拋光墊的截面圖；圖7是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的具有分散在其中的吸光材料的CMP拋光墊的截面圖；和圖8是示出根據(jù)本公開的在具有吸光材料的CMP拋光墊上形成的孔的截面圖。最佳實(shí)施方式以下，將參照附圖詳細(xì)描述本公開的實(shí)施方案。本文所述的CMP拋光墊具有在其至少一個表面上形成的多個孔，其中所述孔通過將吸光材料分散在CMP拋光墊的表面內(nèi)或表面上并用激光束照射所述吸光材料而形成。所述孔由激光束形成，并具有由激光束的波長確定的直徑。通過利用激光束在CMP拋光墊上形成孔可以保持孔直徑均勻。在CMP拋光墊上形成有均勻直徑的孔允許CMP拋光墊保留漿料預(yù)定時(shí)間，從而確保高CMP效率和工藝穩(wěn)定性。 這種利用激光束形成孔是通過利用能夠被CMP拋光墊吸收的波長范圍的強(qiáng)激光束照射拋光墊使得形成拋光墊的材料可被部分熔融來實(shí)現(xiàn)的。在CMP拋光墊上形成的孔的分布及深度可通過調(diào)節(jié)拋光墊位置或激光位置來控制。圖3是示出利用激光在CMP拋光墊上形成具有期望的分布和深度的孔的方法的示意圖。 參考圖3，首先確定待在拋光墊上形成的孔的分布和深度，然后對其編程使得可通過計(jì)算機(jī)數(shù)值控制(CNC)過程控制激光裝置或與CMP拋光墊連接的移動機(jī)構(gòu)。在這種方式下，可以控制孔的分布和深度。形成在CMP拋光墊上的孔的分布通過在水平方向上移動激光裝置或移動機(jī)構(gòu)來控制，而孔的深度則通過激光束的強(qiáng)度或曝光時(shí)間或者通過在垂直方向上移動激光裝置或移動機(jī)構(gòu)來控制。
圖4是示出具有利用激光束形成至預(yù)定深度的孔的CMP拋光墊的截面圖。參考圖 4，具有均勻直徑的孔在CMP拋光墊頂部表面上形成為均勻深度。雖然圖4所示的孔具有相同的深度和相同的間距，但是也可以通過控制激光裝置或移動機(jī)構(gòu)的水平和垂直移動在 CMP拋光墊上形成具有各種分布圖案和不同深度的孔。當(dāng)利用激光束在CMP拋光墊上形成孔時(shí)，根據(jù)激光束的波長范圍和形成CMP拋光墊的材料，CMP拋光墊的激光束吸收存在一定的限制。通常，CMP拋光墊由聚氨酯聚合物制成，其對遠(yuǎn)紅外線和紫外線具有高吸收。當(dāng)在由聚氨酯聚合物制成的CMP拋光墊上形成孔時(shí)，使用波長為10. 64μπι的二氧化碳激光束由于二氧化碳激光束的波長使得難以控制孔直徑至100微米或更小。如果在CMP拋光墊上形成的孔具有大于100 μ m的直徑，則使用所述墊的CMP工藝具有差的拋光效率。當(dāng)使用波長范圍小于二氧化碳激光束的紫外線激光束來代替二氧化碳激光束時(shí)，可以控制在CMP拋光墊上形成的孔直徑至幾個微米的程度。然而，在這種情況下，仍然難以控制所述直徑至幾十微米的程度。如果在CMP拋光墊上形成的孔具有小至幾微米的直徑時(shí)，則在單位面積的墊上將形成過大數(shù)目的孔，導(dǎo)致加工時(shí)間增加和生產(chǎn)效率下降。簡而言之，當(dāng)利用激光束在CMP拋光墊上形成孔時(shí)，可控的孔直徑范圍與激光束的波長范圍成比例。因此，可使用近紅外線或可見光的激光裝置在CMP拋光墊上形成直徑為幾十微米的孔。在這種情況下，形成CMP拋光墊的材料需要吸收具有相應(yīng)波長范圍的光。為了解決上述問題，根據(jù)本公開，在CMP拋光墊中分散吸光材料。當(dāng)根據(jù)用于形成孔的激光束的波長范圍在CMP拋光墊中分散適當(dāng)?shù)奈獠牧蠒r(shí)，可以自由地將孔的直徑控制在幾微米到幾百微米的范圍內(nèi)。換句話說，將根據(jù)激光束波長所選擇的吸光材料分散在 CMP拋光墊的表面上或表面內(nèi)，使得可以增加近紅外線至可見光范圍的光吸收。在這種方式下，可以更高效地在拋光墊上形成孔。圖5是示出根據(jù)本公開如何選擇待分散在CMP拋光墊上的吸光材料的流程圖。參考圖5，首先根據(jù)CMP工藝的具體類型和待拋光材料的具體類型來確定待在拋光墊上形成的孔的直徑。接著，根據(jù)如上所述確定的孔直徑，確定激光束的適當(dāng)波長范圍和激光裝置的具體類型。最后，確定能夠吸收對應(yīng)于所確定的激光束波長范圍的光的吸光材料。用于形成CMP拋光墊的聚氨酯聚合物對于遠(yuǎn)紅外線和紫外線具有高吸收，但其對于對應(yīng)于近紅外線和可見光的光的吸收并不太高。因此，需要在拋光墊的表面上或內(nèi)部分散能夠吸收對應(yīng)于近紅外線和可見光的光的吸光材料。產(chǎn)生可見光或近紅外線范圍的光的激光裝置包括GaAs激光器(0. 83 μ m)、Nd-YAG激光器(1. 06 μ m)或HF激光器(2. 8 μ m)。除了這些激光器外，可以使用能夠產(chǎn)生適當(dāng)波長范圍的光的各種類型的激光器。吸光材料可以根據(jù)由特定激光裝置所產(chǎn)生的光的波長范圍來選擇?？梢允褂靡阎仗囟úㄩL范圍的光的常規(guī)染料或者有機(jī)或無機(jī)材料。吸收近紅外波長的光的吸光材料的具體例子包括菁染料、二硫綸染料、二亞銨染料、醌染料、羅丹明染料、維多利亞染料、亞甲基染料、亮色染料、萘染料、 r印id-filter gelb、echtblau、pinaorthol染料、吡喃錫染料、硫堇染料、尼羅藍(lán)染料、甲酚染料、噪嗪染料、試鹵靈染料、刃天青染料、派洛寧染料、吖啶染料和奇通染料。菁染料的具體實(shí)例包括酞菁化合物、萘酞菁化合物、含氨基酞菁化合物、含氟酞菁化合物等。二硫綸染料的具體實(shí)例包括雙(二硫代芐基)鎳配位化合物、雙(1，2-苊烯二硫酚)鎳配位化合物、 4-叔丁基-1，2-苯二硫酚鎳配位化合物、含烷氧基雙(二硫代芐基)鎳配位化合物等。雖然例舉了一些類型的染料，但是除上述列舉的染料之外的各種類型染料也可使用。吸收波長范圍為0. 95-1. 1 μ m的光的二亞銨染料也可用作根據(jù)本公開的吸光材料。吸收對應(yīng)于可見光波長范圍的光的吸光材料包括吸收波長范圍為0. 532 μ m的綠光的羅丹明染料等。圖6是示出根據(jù)一個實(shí)施方案的具有分散在其中的吸光材料的CMP拋光墊的截面圖。參考圖6，如部分(a)所示，可將吸光材料引入并分散在拋光墊內(nèi)?；蛘?，如部分(b)所示，可將吸光材料以顆粒形式均勻地分散在拋光墊內(nèi)。為了如部分(a)所示將吸光材料引入形成拋光墊的材料中，可選擇與聚氨酯聚合物具有高相容性的吸光材料。此外，當(dāng)如部分 (b)所示吸光材料以顆粒形式分散在聚氨酯聚合物中時(shí)，需要吸光材料均勻分散，以使孔直徑沿所述墊的深度保持均勻。這樣的顆粒形式的吸光材料在激光束存在下自身熔融?；蛘?， 即使吸光材料不熔融，其將熱轉(zhuǎn)移至周圍，使得聚氨酯聚合物可熔融。所述顆?？删哂锌刂茷榧す馐睆降?/10或更小的尺寸。根據(jù)另一實(shí)施方案，吸光材料可以分散在CMP拋光墊的表面上。當(dāng)吸光材料分散在拋光墊內(nèi)時(shí)，其與形成拋光墊的聚氨酯聚合物混溶或以顆粒形式均勻分散在聚氨酯聚合物中。與之相反，當(dāng)吸光材料分散在拋光墊的表面上時(shí)，顆粒狀吸光材料主要分布及分散在拋光墊表面上，或施加到拋光墊表面。當(dāng)顆粒狀吸光材料主要分布在拋光墊表面上時(shí)，假定在拋光墊制造過程中由于重力使得較高比例的顆粒狀吸光材料分布在拋光墊底表面上。這可有利地適用于在拋光墊上形成具有相對小深度的孔。吸光材料施加到拋光墊表面的其它實(shí)施方案可以有利地應(yīng)用于在拋光墊上分散與形成拋光墊的材料具有低相容性的吸光材料。根據(jù)另一實(shí)施方案，吸光材料可以在CMP拋光墊表面上形成為單獨(dú)的層。吸光材料在CMP拋光墊上形成為單獨(dú)層的方法包括將吸光材料鋪展在拋光墊上的方法和在拋光墊上涂覆含有吸光材料的膜的方法。前者可包括通過旋涂法等將吸光材料鋪展在拋光墊表面上，通過氣相沉積法將固相吸光材料鋪展在拋光墊表面上，或?qū)㈩w粒狀吸光材料加入含聚合物樹脂和溶劑的溶液中并將該溶液鋪展在拋光墊表面上。后者可包括將吸光材料分散在膜中并將該膜涂覆在拋光墊表面上，或?qū)⑽獠牧箱佌乖谀さ谋砻嫔喜⒃撃ね扛苍趻伖鈮|表面上。在此，所述膜可由聚合物樹脂形成并且可利用粘合劑或熱壓涂覆在拋光墊上。 當(dāng)吸光材料形成為拋光墊表面上的單獨(dú)層時(shí)，照射到拋光墊的激光束首先被形成在拋光墊上的吸光材料吸收，隨后穿透所述墊，從而形成預(yù)定深度的孔。因此，這樣的在CMP拋光墊表面上形成為單獨(dú)層的吸光材料增加光吸收，并且不改變CMP拋光墊的固有物理性質(zhì)。圖7是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的具有在CMP拋光墊表面上形成為單獨(dú)層的吸光材料的CMP拋光墊的截面圖。參考圖7，吸光材料層302形成為在CMP拋光墊301上的單獨(dú)層。在圖7中，吸光材料層的厚度被夸大，使得吸光材料層與拋光墊明顯區(qū)別。當(dāng)吸光材料層302形成為膜時(shí)，可在吸光材料層302和拋光墊301之間插入粘合劑層(未示出)。圖8是示出根據(jù)本公開的在具有吸光材料的CMP拋光墊上形成的孔的截面圖。參考圖8，直徑為70 μ m的孔在CMP拋光墊上形成至2000 μ m的深度。因此，可見這種不可能容易地通過相關(guān)技術(shù)以其他方式獲得的具有受控直徑的孔通過在拋光墊內(nèi)分散吸光材料而在CMP拋光墊上有效地形成。在CMP拋光墊上形成的孔的直徑可根據(jù)CMP工藝的具體類型和待拋光材料的具體類型在廣泛的范圍內(nèi)進(jìn)行控制。在CMP拋光墊上形成的孔的直徑可為1-200 μ m。當(dāng)孔直徑小于1 μ m時(shí)，在拋光墊的單位面積上形成過大數(shù)目的孔，導(dǎo)致拋光墊的生產(chǎn)效率下降。當(dāng)孔直徑大于200μπι時(shí)，難以將漿料保留在拋光墊中。用于形成孔的激光束可具有 300nm-20000nm的波長范圍。此外，分散在拋光墊內(nèi)的吸光材料可吸收在300nm-15000nm波長范圍內(nèi)的光。考慮在CMP拋光墊上形成孔的直徑來確定激光束的波長范圍。吸光材料的吸收波長范圍確定為使其彌補(bǔ)聚氨酯聚合物的光吸收波長范圍的缺陷。
當(dāng)利用激光束在CMP拋光墊中形成孔時(shí)，孔可以以各種方式分布。所述孔可布置為規(guī)則的、無規(guī)的、無序的或分形的圖案或它們的組合。所述孔布置可以考慮待拋光材料、 漿料的具體類型或晶片尺寸等進(jìn)行選擇。例如，在CMP拋光墊上形成的孔的分布可實(shí)現(xiàn)為使得較高比例的孔存在于中心處并且孔數(shù)目朝向周邊部分逐漸減少，或較低比例的孔存在于中心處并且孔數(shù)目朝向周邊部分逐漸增加。前者提供的CMP拋光墊在中心處的硬度較低，并允許漿料進(jìn)料富集在中心處。后者得到相反的效果?？椎姆植伎梢愿鶕?jù)進(jìn)行CMP的材料的圖案形狀或CMP系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行多樣性控制。
權(quán)利要求
1.一種CMP拋光墊，所述CMP拋光墊在其至少一個表面上形成有多個孔，其中所述孔通過將吸光材料分散在CMP拋光墊的表面內(nèi)或表面上并用激光束照射所述吸光材料而形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP拋光墊，其中所述孔具有由所述激光束的波長所確定的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMP拋光墊，其中所述孔的直徑與所述激光束的波長成比例。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP拋光墊，其中所述激光束具有300-20000nm的中值波長。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP拋光墊，其中所述孔具有1-200μ m的直徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP拋光墊，其中所述吸光材料吸收在300-15000nm波長范圍內(nèi)的光。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP拋光墊，其中所述吸光材料為選自包括菁染料、二硫綸染料、二亞銨染料、醌染料、羅丹明染料、維多利亞染料、亞甲基染料、亮色染料、萘染料、 r印id-filter gelb、echtblau、pinaorthol染料、吡喃錫染料、硫堇染料、尼羅藍(lán)染料、甲酚染料、噪嗪染料、試鹵靈染料、刃天青染料、派洛寧染料、吖啶染料和奇通染料的組中的至少一種材料。
8.一種具有多個孔的CMP拋光墊，所述孔的形成方式為在拋光墊表面上形成吸光材料層并且利用激光束照射所述吸光材料層，使得所述激光束穿透所述吸光材料層并且所述孔形成至所述拋光墊的預(yù)定深度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMP拋光墊，其中所述吸光材料層通過將吸光材料鋪展在拋光墊表面上或通過將其中分散有吸光材料的膜附著至拋光墊表面來形成。
10.一種制造CMP拋光墊的方法，包括確定待在CMP拋光墊上形成的孔的直徑；根據(jù)所述孔的直徑確定待用激光的具體類型；根據(jù)所述激光的類型確定吸光材料的具體類型；將所述吸光材料分散在所述CMP拋光墊中；和利用所述激光束照射具有分散在其中的所述吸光材料的所述CMP拋光墊以形成孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造CMP拋光墊的方法，其中所述孔的直徑與所述激光束的波長成比例。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造CMP拋光墊的方法，其中所述吸光材料可為選自包括菁染料、二硫綸染料、二亞銨染料、醌染料、羅丹明染料、維多利亞染料、亞甲基染料、亮色染料、萘染料、r印id-filtergelb、echtblau、pinaorthol染料、吡喃錫染料、硫堇染料、尼羅藍(lán)染料、甲酚染料、噪嗪染料、試鹵靈染料、刃天青染料、派洛寧染料、吖啶染料和奇通染料的組中的至少一種材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造CMP拋光墊的方法，其中在所述CMP拋光墊上形成多個孔，并且所述孔的分布和深度通過改變所述拋光墊的位置來控制。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造CMP拋光墊的方法，其中在所述CMP拋光墊上形成多個孔，并且所述孔的分布和深度通過改變所述激光的位置來控制。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種CMP拋光墊及其制造方法。所述CMP拋光墊利用以下方法制造將吸光材料分散在所述墊的表面內(nèi)或表面上以及利用吸光材料吸收激光束以形成孔，其中所述孔的直徑由激光束的波長確定。本發(fā)明的CMP拋光墊具有通過在CMP拋光墊的表面上或表面內(nèi)分散的吸光材料吸收激光束而在其中形成的孔，并且根據(jù)吸光材料的類型可有效地吸收各種波長的激光束，使得可在CMP拋光墊中形成具有期望直徑的孔，由此能夠低成本地制造具有優(yōu)異拋光特性的CMP拋光墊。
文檔編號H01L21/304GK102484058SQ201080038956
公開日2012年5月30日 申請日期2010年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者金七敏 申請人:西江大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)