專利名稱：拋光墊修整器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種用于修整或者調(diào)節(jié)一化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)墊的器具，尤其是有 關(guān)具有復(fù)合式超硬材料的修整器。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是制作晶片時(shí)的精密拋光 工藝，用以拋光陶瓷晶片、硅晶片、玻璃晶片、石英晶片及金屬晶片等各種晶片。拋光過程通 常必須使該晶片緊靠一個(gè)不斷旋轉(zhuǎn)的拋光墊，并使用一種化學(xué)研磨液。該拋光墊可由聚亞 安酯的耐用有機(jī)物質(zhì)所制造的；該化學(xué)研磨液包含超細(xì)磨粒、化學(xué)氧化劑和液體介質(zhì)組成 的混合液。該研磨液不斷地被添加至該旋轉(zhuǎn)的拋光墊，借助磨粒的機(jī)械磨削及化學(xué)氧化劑 的腐蝕作用來完成對該晶片表面的拋光，使晶片表面全面平坦化，以便設(shè)計(jì)的精微電路圖 案經(jīng)由曝光及顯影工藝能完整的布于該晶片上。對于達(dá)到拋光品質(zhì)，重要的是在整個(gè)拋光 墊上所述磨粒的分布情況。該拋光墊由其研磨端的多個(gè)纖維或者小孔隙抓持所述磨粒。該拋光墊必須提供 足夠大的摩擦力，以防止所述磨粒因該拋光墊的回轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)所施加的離心力而被甩離該拋光 墊。因此，使該拋光墊的研磨端必須盡可能保持柔軟、盡可能使所述纖維保持直立、及確保 有足夠可用于抓持新添加的磨粒的小孔隙是重要的。然而，該拋光墊表面在研磨過程中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)問題，該問題是來自該拋光墊、該研 磨液及該晶片的拋光碎屑堆積。此堆積會(huì)導(dǎo)致該拋光墊頂部“釉化”或硬化、使所述纖維纏 結(jié)，而使得該拋光墊表面不易抓持研磨液的磨粒。這些影響顯著降低了該拋光墊的全面拋 旋光性能，而使得該晶片的拋光表面的整體粗糙度降低且極為不均。利用一修整器對該拋 光墊表面進(jìn)行“精梳”與“裁剪”，使其得以恢復(fù)。此過程被稱為“修整”(Dressing)或者“調(diào) 整”(Conditioning)該拋光墊。有各種用于修整或者調(diào)節(jié)一化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)墊的修整器的專利技術(shù)，例如中 國臺(tái)灣專利1300024揭示的具塑料基座的陶瓷研磨墊修整器及其制造方法；中國臺(tái)灣專利 1290337揭示的修整晶片研磨墊的修整器及其制造方法；中國臺(tái)灣專利1264345揭示的化 學(xué)機(jī)械研磨修整器；中國臺(tái)灣公開專利200837823揭示的化學(xué)機(jī)械拋光墊調(diào)整器及其相關(guān) 方法，及下述多個(gè)專利技術(shù)。中國臺(tái)灣公告專利411302揭示的一種平坦基板拋光，與化學(xué)-機(jī)械-平面化儀 器用的拋光盤調(diào)整頭，能加倍用于半導(dǎo)體晶片工藝中平面化和/或拋光氧化物和金屬外 層的拋光盤可用壽命，并于拋光盤的壽命期間提供更多的均勻拋光。拋光盤調(diào)整頭包括 適合的基板、平均分布于基板表面上的鉆石砂礫、以及以化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)長在鉆石砂礫和基板上的CVD鉆石，如此鉆石砂礫變成包裝于CVD鉆石 中，并粘結(jié)于基板的表面。其中，化學(xué)氣相沉積是指以真空沉積過程所沉積的材料，包括從 反應(yīng)性氣態(tài)前驅(qū)材料做活化沉積，以及從氣態(tài)前驅(qū)材料做電漿、微波、DC或RF電漿電弧噴 射沉積。
美國專利US6，818，029揭示的一種用于拋光墊的修整器及其制法(Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same)，該修整器包括一基材，該 基材的至少一邊具有多個(gè)等高幾何紋路的突出物；及一切割部，該切割部具有同一厚度的 鉆石層，該鉆石層實(shí)質(zhì)上形成于該基材具有突出物一邊的全部表面；幾何紋路的突出物具 有一平坦的上表面，或該上表面可包括多條由小凹溝形成的小幾何紋路突出物。中國臺(tái)灣公開專利200821093揭示的鉆石修整器具有圓板狀的修整器基板；和 被設(shè)置于該修整器基板上，且由環(huán)狀凹溝隔開的同心帶狀的多個(gè)鉆石砥粒粘接部。該鉆石 砥粒粘接部的表面，經(jīng)由粘接層粘接有鉆石砥粒。在各鉆石砥粒粘接部上，各自粘接有不同 種類的鉆石砥粒。中國臺(tái)灣公開專利200400866揭示的復(fù)合式修整片，包含一基底，其用于支撐修整 材料；該基底具有一研磨區(qū)段，用于切割該拋光墊的拋光表面；及一聚合體區(qū)段，用于處理該 拋光墊的拋光表面，該聚合體區(qū)段在第一位置中操作，且僅以該聚合體區(qū)段與該拋光墊的拋 光表面接觸，并且在第二位置中操作，且僅以該研磨區(qū)段與該拋光墊的拋光表面接觸。目前的CMP修整器多為單晶鉆石的分布排列，或是多晶的鉆石(Polycrystalline Diamond，PCD鉆石)切割排列，或是在基材上形成鉆石層，或是傳統(tǒng)的尼龍刷子。這些鉆石 修整器各有利弊，傳統(tǒng)的單晶鉆石修整器的材料移除率低，無法迅速的將CMP拋光墊上的 堆積物移除，但是單晶鉆石的耐磨性佳，壽命長；而多晶鉆石(PCD鉆石，CVD鉆石)修整器 因具有較多的切刃，切削軟材料(拋光墊)的速度較快，但相對于單晶鉆石而言，不耐磨耗， 壽命較短，且成本較高。PCD鉆石的成本比CVD鉆石的成本更高。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決傳統(tǒng)的單晶鉆石CMP修整器的移除材料效率不佳的問題及兼顧C(jī)MP修整 器的使用壽命及制造成本，而提出本發(fā)明。本發(fā)明的主要目的，在提供一種拋光墊修整器，利用至少一片CVD鉆石刀片或進(jìn) 一步與一般傳統(tǒng)的單晶鉆石等超硬材料顆粒(Grit)及PCD鉆石刀片混合排列，以提升CMP 修整器的移除材料效率。本發(fā)明的另一目的，在提供一種拋光墊修整器，利用由整片CVD鉆石片切割的至 少一片CVD鉆石刀片及與一般傳統(tǒng)的單晶鉆石等超硬材料顆?；騊CD鉆石刀片混合排列， 除了具有單晶鉆石等超硬材料顆粒耐磨性佳及使用壽命長的特性外，并利用CVD鉆石刀片 提升CMP修整器的移除材料效率，同時(shí)因不需使用較貴的整片CVD鉆石片而可節(jié)省CMP修 整器的制造成本。本發(fā)明提供一種拋光墊修整器，用以修整CMP拋光墊，包括一基座；至少一 CVD鉆石刀片；其中，該基座支撐及固定結(jié)合該至少一 CVD鉆石刀片；該至少一 CVD鉆石刀片突出
該基座一突出量。


本發(fā)明的其它目的、功效，請參閱附圖及實(shí)施例，詳細(xì)說明如下，其中
圖1為本發(fā)明拋光墊修整器第一實(shí)施例的示意圖。圖2為本發(fā)明拋光墊修整器第二實(shí)施例的示意圖。圖3為本發(fā)明拋光墊修整器第三實(shí)施例的示意圖。圖4為本發(fā)明鉆石刀片的形狀及排列的第一實(shí)施例的示意圖。圖5為本發(fā)明鉆石刀片的形狀及排列的第二實(shí)施例的示意圖。圖6為本發(fā)明鉆石刀片的形狀及排列的第三實(shí)施例的示意圖。圖7為本發(fā)明鉆石刀片的形狀及排列的第四實(shí)施例的示意圖。圖8為本發(fā)明鉆石刀片的形狀及排列的第五實(shí)施例的示意圖。圖9為本發(fā)明鉆石刀片的形狀及排列的第六實(shí)施例的示意圖。圖10為本發(fā)明鉆石刀片的形狀及排列的第七實(shí)施例的示意圖。圖11為本發(fā)明鉆石刀片的形狀及排列的第八實(shí)施例的示意圖。圖12為本發(fā)明拋光墊修整器第四實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式一般傳統(tǒng)的單晶鉆石等超硬材料顆粒耐磨性佳及使用壽命長，但因單晶鉆石的突 出角度不易控制，故材料移除率低，無法迅速的將CMP拋光墊上的堆積物移除；而PCD鉆石， CVD鉆石是多晶鉆石具有較多的切刃，切削軟材料的速度較快，但較不耐磨耗，壽命較短，且 成本較高；PCD鉆石較CVD鉆石的切削軟材料的速度更快，但較不耐磨耗且成本較高。本發(fā) 明的拋光墊修整器是將至少一片CVD鉆石片或與單晶鉆石等超硬材料顆粒、PCD鉆石片混 合排列，并配合各種CMP拋光墊的軟硬特性及所需的切削速率、使用壽命及制造成本，分別 調(diào)整CVD鉆石片、單晶鉆石等超硬材料顆粒及PCD鉆石片的數(shù)量及排列形狀。例如需要較長 的使用壽命時(shí)，可使用較多的超硬材料顆粒；需要較快的切削速率時(shí)，可使用較多片的CVD 鉆石片，或是全部是CVD鉆石片；需要更快的切削速率且允許較高的制造成本時(shí)，可再增加 PCD鉆石片的數(shù)量。因此可解決傳統(tǒng)的單晶鉆石CMP修整器的移除材料效率不佳的問題及 能兼顧C(jī)HP修整器的使用壽命及制造成本。請參閱圖1所示，本發(fā)明的拋光墊修整器，是用以修整CMP拋光墊。本發(fā)明第一實(shí) 施例的拋光墊修整器1，包括一基座10及至少一 CVD鉆石刀片21、多個(gè)超硬材料顆粒22及 一 P⑶鉆石刀片23 ；基座10用以支撐及固定結(jié)合CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及P⑶ 鉆石刀片23，且基座10的全部上表面分別結(jié)合CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及P⑶ 鉆石刀片23?；?0包括一基板11、一結(jié)合劑層12及一固定模具13。固定模具13具有至少 一第一孔131、多個(gè)第二孔132及至少一第三孔133。CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及 P⑶鉆石刀片23的一端分別穿過第一孔131、第二孔132及第三孔133接觸基板11 ；CVD鉆 石刀片21、超硬材料顆粒22及PCD鉆石刀片23的另一端分別突出固定模具13，即突出基 座10，且具有相等的凸出量，突出量可為0. 01mm-2mm(毫米)。結(jié)合劑層12置于基板11及 固定模具13之間?；?1、CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22、P⑶鉆石刀片23及固定模 具13由結(jié)合劑層12結(jié)合一體。請參閱圖2所示， 本發(fā)明第二實(shí)施例的拋光墊修整器3，包括一基座30及至少一 CVD鉆石刀片21、多個(gè)超硬材料顆粒22及一 PCD鉆石刀片23 ；基座30用以支撐及固定結(jié)合CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及P⑶鉆石刀片23，且基座30的全部上表面分別結(jié) 合CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及PCD鉆石刀片23。
基座30包括一基板31及一結(jié)合劑層32。CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及 P⑶鉆石刀片23的一端分別接觸基板31。基板31、CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及 P⑶鉆石刀片23藉由結(jié)合劑層32結(jié)合一體。CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及P⑶鉆 石刀片23的另一端分別突出結(jié)合劑層32，即突出基座30，且具有相等的凸出量，突出量可 為0.01mm-2mm。結(jié)合劑層32置于基板31的上方。請參閱圖3所示，本發(fā)明第三實(shí)施例的拋光墊修整器4，包括一基座40及至少一 CVD鉆石刀片21、多個(gè)超硬材料顆粒22及一 PCD鉆石刀片23 ；基座40用以支撐及固定結(jié) 合CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及P⑶鉆石刀片23，且基座30的全部上表面分別結(jié) 合CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及PCD鉆石刀片23。CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒 22及PCD鉆石刀片23分別突出基座40，且具有相等的凸出量，突出量可為0. 01mm-2mm。基 座40可為結(jié)合劑層的材料構(gòu)成。本發(fā)明上述各拋光墊修整器實(shí)施例的制造方法，可利用發(fā)明人已申請的中國臺(tái)灣 發(fā)明專利第097138391號(hào)揭示的研磨工具的制法，但不限于該制法，也可利用一般已知修 整器的制造方法。本發(fā)明拋光墊修整器的鉆石刀片的形狀可以是圓形、環(huán)形、矩形、三角形、多邊形 或無規(guī)則形狀等各種形狀，且多片鉆石刀片可有各種不同的排列，例如圖4所示的拋光墊 修整器51，其CVD鉆石刀片511呈環(huán)形，而其多個(gè)超硬材料顆粒512排列于環(huán)內(nèi)；圖5所示 的拋光墊修整器52，其CVD鉆石刀片521呈圓型，而其多個(gè)超硬材料顆粒522排列于圓外； 圖6所示的拋光墊修整器53，有多種不同形狀的CVD鉆石刀片531、532、533、534、535、536， 而其多個(gè)超硬材料顆粒537排列于多種不同形狀的CVD鉆石刀片531、532、533、534、535、 536之間；圖7所示的拋光墊修整器54，其多片相同長條形的CVD鉆石刀片541等間隔且呈 對稱性的排列成圓形，每個(gè)CVD鉆石刀片541的排列方向朝向圓心，而其多個(gè)超硬材料顆粒 542排列于多片相同形狀的CVD鉆石刀片541之間；圖8所示的拋光墊修整器55，其多片相 同長條形的CVD鉆石刀片551等間隔且呈對稱性的排列成多邊形，而其多個(gè)超硬材料顆粒 552排列于多片相同形狀的CVD鉆石刀片551之間；圖9所示的拋光墊修整器56，其多片相 同長條形的CVD鉆石刀片561等間隔的排列成圓形，每個(gè)CVD鉆石刀片561的排列方向偏 離圓心，而其多個(gè)超硬材料顆粒562排列于多片相同形狀的CVD鉆石刀片561之間；圖10 所示的拋光墊修整器57，其多片相同長條形的CVD鉆石刀片571依序排列成鋸齒狀且為成 圓形，而其多個(gè)超硬材料顆粒572排列于多片相同形狀的CVD鉆石刀片571之間。另如果 要增加切削的速率可以使用全部是CVD鉆石刀片的拋光墊修整器，如圖11所示的拋光墊修 整器58，其多片相同長條形的CVD鉆石刀片581等間隔且呈對稱性的排列成圓形，每個(gè)CVD 鉆石刀片581的排列方向朝向圓心。這種全部是CVD鉆石刀片的的拋光墊修整器特別適合 使用于切削軟拋光墊，尤其CMP工藝進(jìn)入到32納米(nm)階段，若使用單晶鉆石顆粒時(shí)，鉆 石顆粒會(huì)陷到軟的拋光墊里，失去切削的能力；而CVD鉆石刀片的表面有很多排列非常密 的晶粒，不會(huì)陷到軟的拋光墊里，因此可以切削軟的拋光墊。本發(fā)明圖3所示的拋光墊修整器4可以加入如圖1的固定模具13，形成本發(fā)明第 四實(shí)施例的拋光墊修整器6，其基座60包括一基板61及一固定模具62 ；基板61可為結(jié)合劑層的材料構(gòu)成，用以支撐及固定結(jié)合CVD鉆石刀片21、超硬材料顆粒22及PCD鉆石刀片 23，且結(jié)合固定模具62，如圖12所示。本發(fā)明的CVD鉆石刀片也可以是含硼的導(dǎo)電CVD鉆石刀片。本發(fā)明的超硬材料顆粒可為人造鉆石顆粒、非人造鉆石顆粒、立方晶氮化硼(CBN) 顆粒、多晶立方氮化硼(PCBN)顆粒、最硬結(jié)晶體顆?；蛏鲜鲱w粒的混合。本發(fā)明的基板可為任何形狀、厚度、或材質(zhì)，而具有支撐CVD鉆石刀片、超硬材料 顆粒及PCD鉆石刀片的能力，能達(dá)成支撐、固定CVD鉆石刀片、超硬材料顆粒及PCD鉆石刀 片的功效；該基板可由堅(jiān)固的材料所組成、由工藝中形成堅(jiān)固的粉狀或膠狀材料所組成、或 由具有彈性的材料所組成；典型的基板材料包含金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物(Polymer)、 陶瓷制品、碳制品、玻璃材料、及上述材料的混合物。本發(fā)明的固定模具可為任何形狀、厚度、或材質(zhì)，而具有固定CVD鉆石刀片、超硬 材料顆粒及PCD鉆石刀片的能力，能達(dá)成固定CVD鉆石刀片、超硬材料顆粒及PCD鉆石刀片 的功效；典型的固定模具的材料包含金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物(Polymer)、陶制材料、碳 材料、玻璃材料、及上述材料的混合物，其中以不銹鋼為實(shí)施例代表。本發(fā)明的結(jié)合劑層的材料包含金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物(Polymer)、陶瓷材料、 復(fù)合材料、及上述材料的混合物，其中以有機(jī)聚合物為實(shí)施例代表。本發(fā)明利用固定模具結(jié)合CVD鉆石刀片、超硬材料顆粒及PCD鉆石刀片，方便控制 CVD鉆石刀片、超硬材料顆粒及PCD鉆石刀片的排列圖案、間距及露出高度，且利用固定模 具固定CVD鉆石刀片、超硬材料顆粒及PCD鉆石刀片，可以更穩(wěn)固的固定CVD鉆石刀片、超 硬材料顆粒及PCD鉆石刀片，使CVD鉆石刀片、超硬材料顆粒及PCD鉆石刀片較不會(huì)在研磨 加工中脫落。本發(fā)明拋光墊修整器，除了有超硬材料顆?？梢郧懈顠伖鈮|外，利用CVD鉆石刀 片不僅可以切割拋光墊，也可以掃除堆積在拋光墊上的拋光碎屑，可提升CMP修整器的移 除材料效率。本發(fā)明拋光墊修整器特別適合切削軟的拋光墊。本發(fā)明拋光墊修整器，不需使用較貴的整片CVD鉆石片，而是利用較少面積的由 整片CVD鉆石片切割的CVD鉆石刀片，并使CVD鉆石刀片與一般傳統(tǒng)的單晶鉆石等超硬材 料顆?；騊CD鉆石刀片混合排列，除了具有單晶鉆石等超硬材料顆粒耐磨性佳及使用壽命 長的特性外，并利用CVD鉆石刀片提升CMP修整器的移除材料效率，同時(shí)因不需使用較貴的 整片CVD鉆石片而可節(jié)省CMP修整器的制造成本。本發(fā)明拋光墊修整器可解決傳統(tǒng)的單晶鉆石CMP修整器的移除材料效率不佳的 問題及兼顧C(jī)MP修整器的使用壽命及制造成本。由CVD法將鉆石層物質(zhì)沉積于基板的方法已被廣泛的載述于專利及其它文獻(xiàn) 中。本發(fā)明所稱的“化學(xué)氣相沉積法”或“CVD”是指任何以氣相狀態(tài)化學(xué)沉積鉆石于基材 的方法，包括任何實(shí)例，但不限于化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD) 每 一種氣相沉積法的使用可在不改變基本原理的情況下做變動(dòng)，因此氣相沉積的方法實(shí)例包 括熱燈絲氣相沉積法(Filament CVD)、射頻化學(xué)氣相沉積(RF-CVD)、激光剝蝕法(Laser Ablation)、DC輝光放電(DC Arc)，微波強(qiáng)化CVD。本發(fā)明所使用的CVD鉆 石可沉積于一基材上，因此CVD鉆石刀片可包含沉積的基 材，該基材的材料可為硅(Si)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)0 CVD鉆石刀片的CVD鉆石也可是不含基材單獨(dú)的CVD鉆石層(Free Standing)。 以上所記載，僅為利用本發(fā)明技術(shù)內(nèi)容的實(shí)施例，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)者運(yùn)用本發(fā)明所為的修飾、變化，皆屬本發(fā)明主張的專利范圍，而不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容。
權(quán)利要求
一種拋光墊修整器，用以修整CMP拋光墊，包括一基座；至少一CVD鉆石刀片；其中，該基座支撐及固定結(jié)合該至少一CVD鉆石刀片；該至少一CVD鉆石刀片突出該基座一突出量。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一結(jié)合劑層；該至少 一CVD鉆石刀片的一端分別接觸該基板；該基板、該至少一CVD鉆石刀片由該結(jié)合劑層結(jié)合一體。
3.如權(quán)利要求2所述的拋光墊修整器，其中該基座包括一固定模具；該固定模具具有 至少一第一孔；該至少一 CVD鉆石刀片的一端分別穿過該至少一第一孔接觸該基板；該結(jié) 合劑層置于該基板及該固定模具之間；該結(jié)合劑層固定結(jié)合該固定模具；該基板的材料為 選自金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物、陶瓷材料、碳材料、玻璃材料及上述材料的混合物其中之 一；該結(jié)合劑層的材料為選自金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物、陶瓷材料、碳材料、玻璃材料、上 述材料的混合物及焊接合金材料其中之一；該固定模具的材料為選自金屬、金屬合金、有機(jī) 聚合物、陶瓷材料、碳材料玻璃材料、上述材料的混合物其中之一。
4.如權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其中該基座支撐及固定結(jié)合多個(gè)超硬材料顆 粒；該多個(gè)超硬材料顆粒分別突出該基座該突出量。
5.如權(quán)利要求4所述的拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一結(jié)合劑層；該至少 一 CVD鉆石刀片及多個(gè)超硬材料顆粒的一端分別接觸該基板；該基板、該至少一 CVD鉆石刀 片及多個(gè)超硬材料顆粒由該結(jié)合劑層結(jié)合一體。
6.如權(quán)利要求5所述的拋光墊修整器，其中該基座包括一固定模具；該固定模具具有 至少一第一孔及多個(gè)第二孔；該至少一 CVD鉆石刀片、該多個(gè)超硬材料顆粒的一端分別穿 過該至少一第一孔、該多個(gè)第二孔接觸該基板；該結(jié)合劑層置于該基板及該固定模具之間； 該結(jié)合劑層固定結(jié)合該固定模具；該基板的材料為選自金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物、陶瓷 材料、碳材料、玻璃材料及上述材料的混合物其中之一；該結(jié)合劑層的材料為選自金屬、金 屬合金、有機(jī)聚合物、陶瓷材料、碳材料、玻璃材料、上述材料的混合物及焊接合金材料其中 之一；該固定模具的材料為選自金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物、陶瓷材料、碳材料玻璃材料、 上述材料的混合物其中之一。
7.如權(quán)利要求4所述的拋光墊修整器，其中該基座支撐及固定結(jié)合至少一PCD鉆石刀 片；該至少一 PCD鉆石刀片突出該基座；該至少一 PCD鉆石刀片突出該基座該突出量。
8.如權(quán)利要求7所述的拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一結(jié)合劑層；該至少 一 CVD鉆石刀片、該多個(gè)超硬材料顆粒及該至少一 PCD鉆石刀片的一端分別接觸該基板；該 基板、該至少一 CVD鉆石刀片、該多個(gè)超硬材料顆粒及該至少一 PCD鉆石刀片由該結(jié)合劑層 結(jié)合一體。
9.如權(quán)利要求8所述的拋光墊修整器，其中該基座包括一固定模具；該固定模具具有 至少一第一孔、多個(gè)第二孔及至少一第三孔；該至少一 CVD鉆石刀片、該多個(gè)超硬材料顆粒 及該至少一 P⑶鉆石刀片的一端分別穿過該至少一第一孔、該多個(gè)第二孔及該至少一第三 孔接觸該基板；該結(jié)合劑層置于該基板及該固定模具之間；該結(jié)合劑層固定結(jié)合該固定模 具；該基板的材料為選自金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物、陶瓷材料、碳材料、玻璃材料及上述材料的混合物其中之一；該結(jié)合劑層的材料為選自金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物、陶瓷材料、碳材料、玻璃材料、上述材料的混合物及焊接合金材料其中之一；該固定模具的材料為選自 金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物、陶瓷材料、碳材料玻璃材料、上述材料的混合物其中之一。
10.如權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一固定模具；該固定 模具具有至少一第一孔；該至少一 CVD鉆石刀片的一端分別穿過該至少一第一孔結(jié)合該基 板；該基板固定結(jié)合該固定模具。
11.如權(quán)利要求4所述的拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一固定模具；該固定 模具具有至少一第一孔及多個(gè)第二孔；該至少一 CVD鉆石刀片、該多個(gè)超硬材料顆粒的一 端分別穿過該至少一第一孔、該多個(gè)第二孔結(jié)合該基板；該基板固定結(jié)合該固定模具。
12.如權(quán)利要求7所述的拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一固定模具；該固定 模具具有至少一第一孔、多個(gè)第二孔及至少一第三孔；該至少一 CVD鉆石刀片、該多個(gè)超硬 材料顆粒及該至少一 PCD鉆石刀片的一端分別穿過該至少一第一孔、該多個(gè)第二孔及該至 少一第三孔結(jié)合該基板；該基板固定結(jié)合該固定模具；該基板的材料為選自金屬、金屬合 金、有機(jī)聚合物、陶瓷材料、碳材料、玻璃材料及上述材料的混合物其中之一；該固定模具的 材料為選自金屬、金屬合金、有機(jī)聚合物、陶瓷材料、碳材料玻璃材料、上述材料的混合物其 中之一。
13.如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，其中該突出量為0.01毫米-2毫米。
14.如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，其中該CVD鉆石刀片是含硼的 導(dǎo)電CVD鉆石刀片。
15.如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，其中該至少一CVD鉆石刀片的 形狀是選自圓形、環(huán)形、矩行、三角形、多邊形及無規(guī)則形狀其中之一。
16.如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，包括多片CVD鉆石刀片；該多 片CVD鉆石刀片的形狀有不相同。
17.如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，包括多片CVD鉆石刀片；該多 片CVD鉆石刀片的形狀呈相同的長條形；該多片CVD鉆石刀片等間隔且呈對稱性的排列成 圓形，該多片CVD鉆石刀片的排列方向朝向圓心；該多個(gè)超硬材料顆粒排列于該多片CVD鉆 石刀片之間。
18.如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，包括多片CVD鉆石刀片；該多 片CVD鉆石刀片的形狀呈相同的長條形；該多片CVD鉆石刀片等間隔且呈對稱性的排列成 多邊形；該多個(gè)超硬材料顆粒排列于該多片CVD鉆石刀片之間。
19.如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，包括多片CVD鉆石刀片；該多 片CVD鉆石刀片的形狀呈相同的長條形；該多片CVD鉆石刀片等間隔的排列成圓形，該多片 CVD鉆石刀片的排列方向偏離圓心；該多個(gè)超硬材料顆粒排列于該多片CVD鉆石刀片之間。
20.如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，包括多片CVD鉆石刀片；該多 片CVD鉆石刀片的形狀呈相同的長條形；該多片CVD鉆石刀片依序排列成鋸齒狀且為成圓 形；該多個(gè)超硬材料顆粒排列于該多片CVD鉆石刀片之間。
全文摘要
一種拋光墊修整器，包括一基座、至少一CVD鉆石刀片及多個(gè)超硬材料顆粒；該基座支撐及固定結(jié)合該至少一CVD鉆石刀片及多個(gè)超硬材料顆粒；該至少一CVD鉆石刀片及多個(gè)超硬材料顆粒的頂端分別突出該基座的頂端；利用超硬材料顆粒可以切割拋光墊，利用CVD鉆石刀片不僅可以切割拋光墊，也可以掃除堆積在拋光墊上的拋光碎屑，可提升CMP修整器的移除材料效率及節(jié)省CMP修整器的制造成本。
文檔編號(hào)H01L21/306GK101844330SQ20091012826
公開日2010年9月29日 申請日期2009年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月24日
發(fā)明者宋健民, 陳盈同 申請人:宋健民