專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置。
背景技術(shù)：
OLED裝置是包括陽極、陰極以及設(shè)置在陰極和陽極之間的有機(jī)發(fā)光層 的自發(fā)射顯示裝置。當(dāng)向OLED裝置施加電壓時(shí)，從陰極注入的電子和從陽 極注入的空穴在有機(jī)發(fā)光層內(nèi)復(fù)合，由此產(chǎn)生光。與陰極射線管(CRT)或 液晶顯示器(LCD)相比，可以將OLED裝置設(shè)計(jì)成輕的且薄的，由于OLED 裝置的寬視角、快響應(yīng)速度、低功耗等，所以O(shè)LED裝置作為下一代顯示裝 置而備受關(guān)注。
在全彩色OLED裝置中，像素根據(jù)像素顯示的顏色來提供不同的發(fā)光效 率。換言之，綠色發(fā)光材料的發(fā)光效率比紅色發(fā)光材料和藍(lán)色發(fā)光材料的發(fā) 光效率高。紅色發(fā)光材料的發(fā)光效率比藍(lán)色發(fā)光材料的發(fā)光效率高。因此， 為了通過控制有機(jī)膜的厚度來獲得OLED的最大效率和最高亮度，已經(jīng)投入 了很多努力。
然而，為了在像素內(nèi)形成具有不同厚度的有機(jī)膜，需要精細(xì)金屬掩模。 這個(gè)工藝是復(fù)雜的，結(jié)果常常產(chǎn)生諸如污點(diǎn)或盲點(diǎn)之類的缺陷，進(jìn)而導(dǎo)致利 用這種工藝制造的OLED裝置的良率降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例的方面旨在提供一種有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置，該 OLED裝置具有共振結(jié)構(gòu)，以提高生產(chǎn)率和成品率。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種具有有機(jī)發(fā)光單元的OLED裝置，所述有機(jī)發(fā)光單元包括形成在基底上的第一電極層、形成在所述第一電極層上 的第二電極層以及形成在所述第一電極層和所述第二電極層之間的有機(jī)層，
所述OLED裝置包括形成在所述有機(jī)層和所述第一電極層之間的第一輔助電 極層，其中，所述有機(jī)發(fā)光單元被分為第一像素單元、第二像素單元和第三 像素單元，所述第一像素單元、所述第二像素單元和所述第三像素單元中的 至少兩個(gè)像素單元中的每個(gè)包括形成在所述有機(jī)層和所述第一輔助電極層之 間的第二輔助電極層，所述第一像素單元、所述第二像素單元和所述第三像 素單元中的所述至少兩個(gè)像素單元的第二輔助電極層形成為分別具有不同的 厚度，使得從所述第一像素單元、所述第二像素單元和所述第三像素單元發(fā) 射的光束可以被提供有共振效應(yīng)。
每個(gè)第二輔助電極層可以由蝕刻速率比用于形成其對(duì)應(yīng)的第 一輔助電極 層的材料的蝕刻速率高的材料形成。
所述第一輔助電極層可以包括ITO，所述第二輔助電極層中的每個(gè)可以 包括IZO或AZO。
所述第一像素單元、所述第二像素單元和所述第三像素單元可以分別發(fā) 射不同顏色的光。
所述第一像素單元可以發(fā)射紅光，所述第二像素單元可以發(fā)射綠光，所 述第三像素單元可以發(fā)射藍(lán)光。
所述第二像素單元的第二輔助電極層的厚度可小于所述第一像素單元的 第二輔助電極層的厚度并大于所述第三像素單元的第二輔助電極層的厚度。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第三像素單元不具有第二輔助電極層。
所述第一電極層可以包括反射金屬，所述第二電極層可以包括半透明金屬。
所述第一電極層可以包括半透明金屬，所述第二電極層可以包括反射金屬。


附圖與說明書 一起示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與說明書 一起用于 解釋本發(fā)明的原理。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的頂部發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置的示 意性剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在圖1中示出的頂部發(fā)射OLED裝置的有機(jī) 發(fā)光單元的示意性剖視圖3是根據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例的底部發(fā)射OLED裝置的有機(jī)發(fā)光單元的
示意性剖視圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的詳細(xì)描述中，僅通過舉例說明的方式示出并描述了本發(fā)明的特 定示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以以許多不同的形式 來實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于在此提出的實(shí)施例。另外，在本申請(qǐng)的上下 文中，當(dāng)元件被稱作"在"另一元件"上"時(shí)，該元件可以直接在另一元件 上或間接在另一元件上，而在它們之間設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)中間元件。在整個(gè) 說明書中，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的頂部發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置100 的示意性剖視圖。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的頂部發(fā)射OLED裝置100 的包括第一像素單元110R、第二像素單元110G和第三像素單元110B的有機(jī) 發(fā)光單元110的示意性剖視圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的底部發(fā) 射OLED裝置100的包括第一像素單元110R、第二像素單元110G和第三像 素單元110B的有機(jī)發(fā)光單元110的示意性剖視圖。
參照?qǐng)D1至圖3,頂部發(fā)射OLED裝置100和底部發(fā)射OLED裝置100 中的每個(gè)可以包括基底101、密封構(gòu)件102和有機(jī)發(fā)光單元110。
基底101可以由諸如透明玻璃、塑料片或硅之類的材料形成，并可以具 有柔性或剛性特性以及透明或不透明特性。然而，本發(fā)明不限于這些列出的 材料，可以使用金屬板作為基底101。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)圖1和圖3中的 頂部發(fā)射OLED裝置100和底部發(fā)射OLED裝置100中的每個(gè)為有源矩陣 OLED (AMOLED)裝置時(shí)，基底101還包括薄膜晶體管(TFT)。
密封構(gòu)件102可以設(shè)置在有機(jī)發(fā)光單元110上方，并可粘著到基底101 (或與基底101結(jié)合在一起)。如圖1所示，密封構(gòu)件102可以與有機(jī)發(fā)光 單元110隔開，并通過結(jié)合構(gòu)件與基底101結(jié)合。密封構(gòu)件102可以是玻璃 基底或塑料基底(例如，丙烯?；?。在頂部發(fā)射OLED裝置100中，密封 構(gòu)件102可以由相對(duì)于有片幾發(fā)光單元110產(chǎn)生的光具有高透射率的電絕緣材 料形成。電絕緣材料的示例包括堿玻璃、透明玻璃(例如，無堿玻璃)、透明陶t(例如，聚對(duì)笨二曱酸乙二酯(PET )、聚碳酸酯、聚醚砜、聚氟乙烯(PVF )、 聚丙烯酸酯或氧化鋯)、石英等。
有機(jī)發(fā)光單元110可以形成在基底101上。有沖幾發(fā)光單元110可以包括 多個(gè)像素單元，即第一像素單元110R、第二像素單元110G和第三像素單元 110B。第一像素單元110R、第二像素單元110G和第三像素單元110B可以 發(fā)射不同顏色的光。更具體地講，第一像素單元UOR可以發(fā)射紅光LR，第 二像素單元110G可以發(fā)射綠光LG,第三像素單元UOB可以發(fā)射藍(lán)光LB。
可以通過順序地堆疊第一電極層111R、第一輔助電極層113R、第二輔 助電極層114R、有機(jī)層115G和第二電極層112形成第一像素單元nOR，可 以通過順序地堆疊第一電極層111G、第一輔助電極層113G、第二輔助電極 層114G、有機(jī)層115R和第二電極層112形成第二像素單元110G，可以通過 順序地堆疊第一電極層111B、第一輔助電極層113B、第二輔助電極層114B、 有機(jī)層115B和第二電極層112形成第三像素單元110B。
第一電極層111R、 111G和111B布置在基底101上，從而分別對(duì)應(yīng)于第 一像素單元110R、第二像素單元IIOG和第三像素單元110B。第二電極層112 設(shè)置在第一電極層111R、 111G和111B上方。有機(jī)層115R、第二輔助電極 層114R和第一輔助電極層113R位于第二電極層112和第一電極層111R之 間，有機(jī)層115G、第二輔助電極層114G和第一輔助電極層113G位于第二 電極層112和第一電極層111G之間，有機(jī)層115B、第二輔助電極層114B和 第一輔助電極層113B位于第二電極層112和第一電極層111B之間。
第一電極層111R、 111G、 111B和第二電極層112在第一電極層1UR、 111G、 111B與第二電極層112之間施加電壓。第一電極層111R、 111G、 111B 和第二電極層112反射或透射由有機(jī)層115R、 115G和115B產(chǎn)生的光。
更具體地講，在圖2中示出的頂部發(fā)射OLED裝置100的有機(jī)發(fā)光單元 110中，第一電極層111R、 111G和111B可以反射分別由有機(jī)層115R、 115G 和115B發(fā)射的紅光LR、綠光LG和藍(lán)光LB,第二電極層112可以透射由有 機(jī)層115R、 115G和115B發(fā)射的紅光LR、綠光LG和藍(lán)光LB。在這種情況 下，第一電極層111R、 111G和111B可以由諸如銀、鋁、金、鉑、鉻或含這 些金屬的合金之類的反射金屬形成，第二電極層112可以由半透明金屬形成。 半透明金屬可以是鎂(Mg)和銀(Ag)的合金?？蛇x地，半透明金屬可以是 諸如銀、鋁、金、鉑、鉻或含這些金屬的合金之類的金屬。當(dāng)?shù)诙姌O層112由半透明金屬形成時(shí)，第二電極層112可以被形成為具有允許5%或更大的反
射率和50%的透射率的厚度。
另一方面，在圖3中示出的底部發(fā)射OLED裝置的有機(jī)發(fā)光單元110中， 第二電極層112可以反射由有機(jī)層115R、 115G和115B發(fā)射的紅光LR、綠 光LG和藍(lán)光LB,第一電極層111R、 111G和111B可以透射分別由有機(jī)層 115.R、 U5G和115B發(fā)射的紅光LR、綠光LG和藍(lán)光LB。在這種情況下， 第一電極層111R、 U1G和111B可以由半透明金屬形成。半透明金屬可以是 Mg和Ag的合金?？蛇x地，半透明金屬可以是諸如銀、鋁、金、柏、鉻或含 這些金屬的合金之類的金屬。當(dāng)?shù)谝浑姌O層111R、 111G和111B由半透明金 屬形成時(shí)，第一電極層111R、 111G和111B可以被形成為具有允許5%或更 大的反射率和50。/。的透射率的厚度。第二電極層112可以由諸如銀、鉆、金、 鉑、鉻或含這些金屬的合金之類的反射金屬形成。
由有機(jī)層115R、 115G和115B發(fā)射的紅光LR、綠光LG和藍(lán)光LB在 第一電極層111R、 lll.G、 111B與第二電極層112之間的空間中被反射且傳 播。根據(jù)第一電極層11R與第二電極層112之間的距離HR、第一電極層111G 與第二電極層112之間的距離HG和第一電極層111B與第二電極層112之間 的距離HB而在紅光LR、綠光LG和藍(lán)光LB中發(fā)生共振?，F(xiàn)在將更詳細(xì)地 描述這種共振。
在圖2和圖3中示出的各個(gè)有機(jī)發(fā)光單元110中，第一輔助電極層113R 和第二輔助電極層114R可以堆疊在第一電極層111R上，第一輔助電極層 113G和第二輔助電極層114G可以堆疊在第一電極層111G上，第一輔助電 極層113B和第二輔助電極層114B可以堆疊在第一電極層111B上。第一輔 助電極層113R、 113G和113B可以分別在第一電極層111R、 111G和111B 上形成為具有相同的(或基本上相同的)厚度。第一輔助電極層113R、 113G 和113B可以由透明金屬形成。例如，第一輔助電極層113R、 113G和113B 可以由透明金屬化合物(例如，氧化銦錫(ITO ))形成。
第二輔助電極層114R、 114G和114B分別形成在第一輔助電極層113R、 113G和113B上。第一像素單元IIOR的第二輔助電極層114R、第二像素單 元110G的第二輔助電極層114G和第三像素單元110B的第二輔助電極層 114B被形成為具有不同的厚度。具體而言，當(dāng)?shù)谝幌袼貑卧狪IOR發(fā)射紅光 LR、第二像素單元IIOG發(fā)射綠光LG以及第三像素單元IIOB發(fā)射藍(lán)光LB時(shí)，第二像素單元110G的第二輔助電極層114G的厚度TG可以小于第一像 素單元110R的第二輔助電極層114R的厚度TR而大于第三像素單元110B的 第二輔助電極層114B的厚度TB。在另一實(shí)施例中，第三像素單元110B甚 至可以通過完全地蝕刻掉第二輔助電極層114B而不包括第二輔助電極層 114B。
第二輔助電極層U4R、 114G和114B可以由蝕刻速率比用于形成第一輔 助電極層113R、 113G和113B的透明金屬的蝕刻速率高的透明金屬形成。在 一個(gè)實(shí)施例中，第二輔助電極層114R、 114G和114B可以由蝕刻速率比第一 輔助電極層113R、 113G和13B的材料的蝕刻速率大至少IO倍的材料形成。 因?yàn)檠趸X鋅(AZO)或氧化銦鋅(IZO)是蝕刻速率比ITO的蝕刻速率大 至少IO倍的金屬化合物，所以如果第一輔助電極層113R、 113G和113B由 ITO形成，那么第二輔助電極層114R、 114G和114B可以由AZO或IZO形
成o
可以利用光刻技術(shù)使第二輔助電極層114R、 114G和114B具有不同的厚 度TR、 TG和T:B。換言之，可以通過重復(fù)以下操作將第二輔助電極層114R、 114G和114B形成為具有不同的厚度TR、 TG和TB,所述操作包括涂覆透 明金屬，以在已經(jīng)形成有第一電極層111R、 111G、 111B和第一輔助電極層 113R、 113G、 113B的基底上形成第二輔助電極層114R、 114G和114B;在 所得的結(jié)構(gòu)上涂覆抗蝕膜；使所得的結(jié)構(gòu)曝光；蝕刻所得的結(jié)構(gòu)。因?yàn)榈诙?輔助電極層114R、 114G和14B的蝕刻速率遠(yuǎn)高于第一輔助電極層113R、 113G和113B的蝕刻速率，所以第一輔助電極層113R、 113G和113B與第二 輔助電極層114R、 114G和114B相比較少地被蝕刻。因此，對(duì)第 一輔助電極 層113R、 113G和113B的損害被最小化(或減小)，可以將第二輔助電極層 114R、 114G和114B分別形成為具有不同的厚度。
如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以通過將第二輔助電極層114R、 114G和114B分別形成為具有不同的厚度而獲得具有共"l展結(jié)構(gòu)的OLED裝置。 為了使OLED裝置具有共振結(jié)構(gòu)，根據(jù)由第一像素單元110R、第二像素單元 110G和第三像素單元110B發(fā)射的光束的波長，可以將第一電極層111R、 111G、 111B與第二電極層112之間的距離(即，光程)制成是不同的。在傳 統(tǒng)技術(shù)中，為了使OLED裝置具有共振結(jié)構(gòu)，將有機(jī)層115R、 115G和115B 形成為具有不同的厚度。為了將有機(jī)層115R、 115G和115B分別形成為具有不同的厚度，在傳統(tǒng)技術(shù)中，通過重復(fù)地使用精細(xì)金屬掩模將有機(jī)層115R、 115G和115B圖案化。然而，使用精細(xì)金屬掩模的圖案化工藝是復(fù)雜的，并 導(dǎo)致諸如污點(diǎn)或盲點(diǎn)之類的缺陷。另一方面，在本發(fā)明的實(shí)施例中，形成彼 此之間具有不同蝕刻選擇性的第一輔助電極層113R、 113G、 113B和第二輔 助電極層114R、 114G、 114B,從而獲得具有共振結(jié)構(gòu)的OLED裝置。因此， 形成具有不同厚度的有機(jī)層115R、 115G和115B的精細(xì)金屬掩模的使用可以 被最少化(或減小)。這提高了利用這種工藝制造的OLED裝置的良率并減小' 了制造工藝的長度。
有機(jī)層115R、 115G和115B分別形成在第二輔助電極層114R、 114G和 114B上。有機(jī)層115R、 115G和115B具有基本上相同的厚度。有機(jī)層115R、 115G和115B可以由小分子有機(jī)材料和/或聚合物有機(jī)材料形成。有機(jī)層 115R、 115G和115B中的每個(gè)可以通過堆疊空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層
(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL )來形成， 每個(gè)層可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。HIL可以由諸如銅酞菁(CuPc)、 N,N'-二 ( 萘 -1- 基 )-N,N'- 二 苯 基 - 聯(lián) 笨 胺
(N,N'-Di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB )或三-8-J^基p奎神水 鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)之類的材泮牛形成。HTL可以由PEDOT 形成。ETL可以由多環(huán)烴系列衍生物、雜環(huán)化合物或三(8-羥基喹啉)鋁
(tris(8-quinolinolate) aluminum)形成。EIL可以由i者i口 LiF、 Liq、 NaF或Naq 之類的材料形成。
當(dāng)?shù)谝幌袼貑卧?10R、第二像素單元110G和第三像素單元110B分別 發(fā)射紅光LR、綠光LG和藍(lán)光LB時(shí)，第一像素單元110R的EML可以由包 含主體材料(例如，?？ㄟ蚵?lián)苯(CBP )或mCP )和摻雜材料(例如，PIQIr (acac) (二 (1- 苯基異喹啉)乙酰丙酮銥 (PIQIr (acac) bis(l-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium))、 PQIr(acac)(二(l-苯基p奎啉) 乙酰丙酉同4衣(PQIr(acac)bis(l-phenylquinoline)acetylacetonate iridium))、 PQIr(三 (l-苯基p奎啉)4衣(PQIr tris(l-phenylquinoline) iridium))和PtPEP(八乙基吟啉鉑 (octaethylporphyrin platinum))中的至少 一種)的磷光體形成?？蛇x地，第 一像 素單元110R的EML可以由熒光材料(例如，PED:Eu(DBM)3(Phen)或菲) 形成。
第二像素單元110G的EML可以由包括主體(例如，CBP或mCP)和4參雜劑(例長口， Ir(ppy)3 (fac三(2-笨基口比口定)4衣(fac tris(2-phenylpyridine) indium))的磷光體材料形成?？蛇x地，第二像素單元110G的EML可以由焚 光材料(例如，Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)形成。
第三像素單元110B的EML可以由包括DPVBi、螺-DPVBi、螺-6P、 二 笨乙烯基苯(DSB)、 二苯乙烯基芳烴(distyrylarylene， DSA)、 PFO系列聚 合物和/或PPV系列聚合物的焚光材料形成。當(dāng)?shù)谌袼貑卧?10B的EML 由磷光體材料形成時(shí)，光特性是不穩(wěn)定的。因此，第三像素單元110B的EML 由熒光材料形成。
可以使用合適的方法(例如，激光誘致熱成像(LITI)、噴墨印刷和/或 氣相沉積)形成這些EML。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明的實(shí)施例的OLED裝置通過使用具有不同蝕刻選 擇性的第一輔助電極層和第二輔助電極層來形成共振結(jié)構(gòu)，由此提高OLED 裝置的生產(chǎn)率和良率。
雖然已經(jīng)結(jié)合特定的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解的是， 本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明旨在涵蓋包括在權(quán)利要求 及其等同物的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
權(quán)利要求
1、一種具有有機(jī)發(fā)光單元的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光單元包括位于基底上的第一電極層、位于所述第一電極層上的第二電極層以及位于所述第一電極層和所述第二電極層之間的有機(jī)層，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括位于所述有機(jī)層和所述第一電極層之間的第一輔助電極層，其中所述有機(jī)發(fā)光單元被分為第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元；所述第一像素單元、所述第二像素單元和所述第三像素單元中的至少兩個(gè)像素單元中的每個(gè)包括位于所述有機(jī)層和所述第一輔助電極層之間的第二輔助電極層；所述第一像素單元、所述第二像素單元和所述第三像素單元中的所述至少兩個(gè)像素單元的第二輔助電極層分別具有不同的厚度，使得從所述第一像素單元、所述第二像素單元和所述第三像素單元發(fā)射的光束被提供有共振效應(yīng)。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，每個(gè)第二輔助電極層的材料特性為蝕刻速率比與其對(duì)應(yīng)的第 一輔助電極層的蝕刻速率高。
3、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一輔助電極層包括氧化銦錫，每個(gè)第二輔助電極層包括氧化銦鋅和氧化鋁鋅中的至少 一者。
4、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一像素單元、所述第二像素單元和所述第三像素單元分別發(fā)射不同顏色的光。
5、 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，.其中，所述第一像素單元發(fā)射紅光，所述第二像素單元發(fā)射綠光，所述第三像素單元發(fā)射藍(lán)光。
6、 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二像素單元的第二輔助電極層的厚度小于所述第一像素單元的第二輔助電極層的厚度并大于所述第三像素單元的第二輔助電極層的厚度。
7、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一電極層包括反射金屬，所述第二電極層包括半透明金屬。
8、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一電極層包括半透明金屬，所述第二電極層包括反射金屬。
9、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述有機(jī)層被分為用于所述第一像素單元的第一有機(jī)層、用于所述第二像素單元的第二有機(jī)層和用于所述第三像素單元的第三有機(jī)層。
10、 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一有機(jī)層、所述第二有機(jī)層和所述第三有機(jī)層具有相同的厚度。
11、 一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括第一有機(jī)發(fā)光單元；第二有機(jī)發(fā)光單元；第三有機(jī)發(fā)光單元，所述第一有機(jī)發(fā)光單元、所述第二有機(jī)發(fā)光單元和所述第三有機(jī)發(fā)光單元中的每個(gè)包括位于基底上的第一電極層、位于所述第一電極層上的第二電極層、位于所述第一電極層和所述第二電極層之間的有機(jī)層以及位于所述有機(jī)層和所述第 一 電極層之間的第 一輔助電極，其中所述第 一有機(jī)發(fā)光單元、所述第二有機(jī)發(fā)光單元和所述第三有機(jī)發(fā)光單元中的至少兩個(gè)有機(jī)發(fā)光單元中的每個(gè)包括位于所述有機(jī)層和所述第 一輔助電極層之間的第二輔助電極層；所述第一有機(jī)發(fā)光單元、所述第二有機(jī)發(fā)光單元和所述第三有機(jī)發(fā)光單元中的所述至少兩個(gè)有機(jī)發(fā)光單元的第二輔助電極層分別具有不同的厚度，使得從所述第一有機(jī)發(fā)光單元、所述第二有機(jī)發(fā)光單元和所述第三有機(jī)發(fā)光單元發(fā)射的光束被提供有共振效應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置，該OLED裝置具有有機(jī)發(fā)光單元，該有機(jī)發(fā)光單元包括位于基底上的第一電極層、位于第一電極層上的第二電極層以及位于第一電極層和第二電極層之間的有機(jī)層，OLED裝置包括位于有機(jī)層和第一電極層之間的第一輔助電極層。有機(jī)發(fā)光單元被分為第一、第二和第三像素單元。第一、第二和第三像素單元中的至少兩個(gè)像素單元中的每個(gè)包括位于有機(jī)層和第一輔助電極層之間的第二輔助電極層。第一、第二和第三像素單元的第二輔助電極層形成為分別具有不同的厚度，使得從第一、第二和第三像素單元發(fā)射的光束可以被提供有共振效應(yīng)。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101593766SQ200910128159
公開日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2009年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月28日
發(fā)明者尹智煥, 李寬熙 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社