本公開涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置，并且更具體地，涉及一種通過使有機(jī)發(fā)光元件的驅(qū)動電壓隨著時間的增加最小化并且因此解決功耗增加的問題而具有更長壽命的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置是具有自發(fā)光特性的下一代顯示裝置。與液晶顯示裝置不同，OLED器件不需要單獨(dú)的光源。因此，OLED器件能夠被制造為重量輕且薄的形式。另外，OLED器件在觀察角度、對比度、響應(yīng)時間、功耗等方面是有利的。因此，OLED器件作為下一代顯示裝置受到大量關(guān)注。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置是這樣的顯示裝置，其中，空穴和電子分別從兩個電極被注入并且在發(fā)光層中復(fù)合為激子，并且激子在能量釋放期間發(fā)出具有特定波長的光。OLED器件具有自發(fā)光特性。

然而，OLED器件具有比諸如液晶顯示裝置這樣的其它顯示裝置更短的壽命的問題。具體地講，如果OLED器件被長時間驅(qū)動，則發(fā)光層中的空穴和電子集中發(fā)生復(fù)合的發(fā)光區(qū)域朝向與該發(fā)光層相鄰的另一有機(jī)層移位。在該情況下，發(fā)光層與和該發(fā)光層相鄰的有機(jī)層之間的界面以及該發(fā)光層會劣化。特性的這種改變使得OLED器件的驅(qū)動電壓增加。因此，OLED器件的功耗增加，并且OLED器件的壽命減少。

因此，本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識到上述問題并且進(jìn)行了各種實(shí)驗(yàn)以減小由發(fā)光區(qū)域的移位所引起的驅(qū)動電壓的增加。本發(fā)明的發(fā)明人通過各種實(shí)驗(yàn)使有機(jī)層，尤其是兩個電極之間的空穴傳輸層的結(jié)構(gòu)最佳化。然后，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)明了具有改進(jìn)的功耗的新OLED器件。

因此，本公開的優(yōu)點(diǎn)在于提供一種OLED器件，該OLED器件通過配置多個空 穴傳輸層以具有用于使由發(fā)光區(qū)域的由于延長區(qū)域?qū)е碌囊莆凰鸬尿?qū)動電壓的增加最小化的厚度比率，從而具有改進(jìn)的功耗和提高的壽命。

本公開的優(yōu)點(diǎn)不限于前述優(yōu)點(diǎn)，并且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，根據(jù)下面的描述，以上未提及的其它優(yōu)點(diǎn)將是顯而易見的。

根據(jù)本公開的一方面，提供一種OLED器件，該OLED器件包括：第一發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元位于第一電極與第二電極之間，并且包括第一空穴傳輸層和第一發(fā)光層；以及第二發(fā)光單元，所述第二發(fā)光單元位于所述第一發(fā)光單元與所述第二電極之間，并且包括第二空穴傳輸層和第二發(fā)光層，所述第二發(fā)光層發(fā)出與由所述第一發(fā)光層發(fā)出的光的顏色相同的光。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式，所述第一空穴傳輸層與所述第二空穴傳輸層具有以下厚度比率，該厚度比率用于使由所述第一發(fā)光層或所述第二發(fā)光層中的發(fā)光區(qū)域的由于延長驅(qū)動導(dǎo)致的移位所引起的驅(qū)動電壓的增加最小化。因此，能夠解決OLED器件的功耗增加的問題，并且因此能夠提高OLED器件的壽命。優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層具有這樣的厚度比率，即，所述厚度比率導(dǎo)致所述第一發(fā)光層中或者所述第二發(fā)光層中的所述發(fā)光區(qū)域相對于所述第一發(fā)光層或所述第二發(fā)光層中的中心部分朝向上部偏移或者朝向下部偏移。優(yōu)選地，所述第二空穴傳輸層的厚度大于所述第一空穴傳輸層的厚度。優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層與所述第二空穴傳輸層的厚度比率在從1:1.1至1:1.5的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層的厚度與所述第二空穴傳輸層的厚度的總和在從至的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層由相同的材料形成。優(yōu)選地，所述第一電極與所述第二電極之間的距離在從至的范圍內(nèi)，該距離導(dǎo)致在從所述第一發(fā)光層發(fā)出的光與從所述第二發(fā)光層發(fā)出的光之間由于微腔效應(yīng)而產(chǎn)生相長干涉。優(yōu)選地，所述第一發(fā)光層與所述第二發(fā)光層之間的距離在從至的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層分別具有針對每個像素劃分的圖案化結(jié)構(gòu)，并且所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層分別具有遍及多個像素布置的公共結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本公開的另一方面，提供一種包括彼此相鄰的多個像素的頂部發(fā)光型的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：多個第一電極，所述多個第一電極分別與所述多個像素對應(yīng)并且彼此分隔開；以及第一公共空穴傳輸層，所述第一公共空穴傳輸層在所述多個第一電極上。另外，所述OLED器件包括：多個第一圖案化發(fā)光層， 所述多個第一圖案化發(fā)光層分別在與所述多個像素對應(yīng)的所述第一公共空穴傳輸層上；第二公共空穴傳輸層，所述第二公共空穴傳輸層在所述多個第一圖案化發(fā)光層上，具有比所述第一公共空穴傳輸層的厚度更大的厚度；多個第二圖案化發(fā)光層，所述多個第二圖案化發(fā)光層分別在與所述多個像素對應(yīng)的所述第二公共空穴傳輸層上；以及第二電極，所述第二電極位于所述多個第二圖案化發(fā)光層上。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓或者delta電壓增加的問題。優(yōu)選地，所述第一公共空穴傳輸層與所述第二公共空穴傳輸層的厚度比率在從1:1.1至1:1.5的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，所述第一公共空穴傳輸層和所述第二公共空穴傳輸層由相同的材料形成。優(yōu)選地，所述第一公共空穴傳輸層的厚度與所述第二公共空穴傳輸層的厚度的總和在從至的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，所述第一電極與所述第二電極之間的距離在從至的范圍內(nèi)，該距離導(dǎo)致在從所述第一圖案化發(fā)光層發(fā)出的光與從所述第二圖案化發(fā)光層發(fā)出的光之間由于微腔效應(yīng)而產(chǎn)生相長干涉。優(yōu)選地，所述第一圖案化發(fā)光層與所述第二圖案化發(fā)光層之間的距離在從至的范圍內(nèi)。

第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層具有以下厚度比率，所述厚度比率用于使由第一發(fā)光層或第二發(fā)光層中的發(fā)光區(qū)域的由于延長驅(qū)動導(dǎo)致的移位所引起的驅(qū)動電壓的增加最小化。因此，能夠解決OLED器件的功耗增加的問題，并且因此能夠提高OLED器件的壽命。

第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層的厚度比率導(dǎo)致所述發(fā)光區(qū)域相對于發(fā)光層的中心部分朝向上部偏移或者朝向下部偏移。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓或者delta電壓增加的問題。

在由相同的材料形成的兩個空穴傳輸層中，靠近陽極設(shè)置的空穴傳輸層具有比另一空穴傳輸層更小的厚度。因此，即使在延長驅(qū)動的情況下，也能夠使OLED器件的驅(qū)動電壓的增加最小化。

兩個電極之間的距離以及發(fā)出相同顏色的光的兩個發(fā)光層之間的距離被最佳化。因此，由于發(fā)光層的微腔效應(yīng)而能夠產(chǎn)生相長干涉，并且因此能夠提高OLED的光效率和壽命。

本公開的效果不限于前述效果，并且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，根據(jù)下面的描述，以上未提及的其它效果將是顯而易見的。

在目的、方面和效果中的描述沒有指定權(quán)利要求的必要特征，并且因此不限制本 公開的權(quán)利范圍。

附圖說明

本公開的以上和其它方面、特征和其它優(yōu)點(diǎn)將根據(jù)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下詳細(xì)描述被更清楚地理解，在附圖中：

圖1是例示了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件的平面圖；

圖2是沿圖1的I-I’截取的截面圖；

圖3是例示了在圖1中例示的部分A的主要組件的截面圖；

圖4A和圖4B是解釋發(fā)光層中的發(fā)光區(qū)域(emission zone)的移位的示意性截面圖；

圖5、圖6和圖7是例示了關(guān)于根據(jù)比較示例與本公開的示例的壽命的評估結(jié)果的曲線圖；以及

圖8是例示了關(guān)于根據(jù)比較示例與本公開的示例的delta電壓(delta voltage)的評估結(jié)果的曲線圖。

具體實(shí)施方式

根據(jù)下面參照附圖描述的示例性實(shí)施方式，將更清楚地理解本公開的優(yōu)點(diǎn)和特征及其實(shí)現(xiàn)方法。然而，本公開不限于以下示例性實(shí)施方式，而是可以按照各種不同的形式來實(shí)現(xiàn)。這些示例性實(shí)施方式僅被提供以使本公開的公開完整，并且給本公開所屬的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員充分地提供本公開的范疇，并且本公開將由所附的權(quán)利要求來限定。

在附圖中例示的、用于描述本公開的示例性實(shí)施方式的形狀、尺寸、比率、角度、數(shù)字等僅是示例，并且本公開不限于此。在整個本說明書中，相同的附圖標(biāo)記通常表示相同的元件。此外，在以下描述中，可以省略已知相關(guān)技術(shù)的詳細(xì)說明，以避免使本公開的主題不必要地模糊。

除非諸如本文中使用的“包括”、“具有”和“由…構(gòu)成”這樣的術(shù)語與術(shù)語“僅”一起使用，否則這些術(shù)語通常旨在使得能夠添加其它組件。除非另外明確地陳述，否則對單數(shù)的任何引用可以包括復(fù)數(shù)。

即使沒有明確地闡明，組件也被解釋為包括一般誤差范圍。

當(dāng)使用諸如“在…上”、“在…上方”、“在…下面”和“挨著”這樣的術(shù)語來描述兩個部件之間的位置關(guān)系時，除非這些術(shù)語與術(shù)語“緊接地”或“直接地”一起被使用，否則在這兩個部件之間可以設(shè)置一個或更多部件。

當(dāng)使用諸如“在…之后”、“繼…之后”、“緊接著”和“在…之前”這樣的術(shù)語來描述兩個或更多個事件之間的時間順序時，除非這些術(shù)語與術(shù)語“緊接地”或“直接地”一起被使用，否則所述兩個或更多個事件可以不連續(xù)。

盡管術(shù)語“第一”、“第二”等被用于描述不同的組件，但是這些組件不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅被用于將一個組件與另一組件區(qū)分開。因此，下面要提到的第一組件在本公開的技術(shù)構(gòu)思中可以是第二組件。

由于附圖中示出的每個組件的尺寸和厚度是為了便于解釋而表示的，因此本公開不一定受限于每個組件的所示出的尺寸和厚度。

本公開的各個實(shí)施方式的特征可以部分地或整體地結(jié)合或彼此組合，并且能夠按照技術(shù)上的各種方式連結(jié)并操作，并且這些實(shí)施方式能夠被彼此獨(dú)立執(zhí)行或彼此關(guān)聯(lián)執(zhí)行。

在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本公開的示例性實(shí)施方式。

圖1是例示了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)裝置1000的平面圖，并且圖2是沿圖1的I-I’截取的截面圖。

參照圖1和圖2，OLED器件1000包括彼此相鄰的多個像素P1、P2和P3。像素是指實(shí)際發(fā)光的最小單元，并且也可以被稱作子像素或者像素區(qū)域。另外，多個像素可以形成能夠表示白光的最小群。圖1例示了作為單個群“A”的第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3，但是不必一定限于此?？梢砸愿鞣N方式設(shè)計(jì)像素。形成單個群的多個像素P1、P2和P3發(fā)出不同顏色的光。例如，如圖2所例示地，根據(jù)像素設(shè)計(jì)，多個像素P1、P2和P3可以分別發(fā)出紅(R)光、綠(G)光和藍(lán)(B)光。

參照圖2，在OLED器件1000中，每個像素包括薄膜晶體管(TFT)300和有機(jī)發(fā)光元件400。TFT 300設(shè)置在基板100上并且被配置為向有機(jī)發(fā)光元件400提供信號。在圖2中示出的TFT 300可以是與有機(jī)發(fā)光元件400的第一電極410連接的驅(qū)動薄膜晶體管。雖然附圖中未示出，但是像素P1、P2和P3中的每一個還可以包括用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光元件400的開關(guān)薄膜晶體管或者電容器。

基板100可以由絕緣材料形成。例如，基板100可以由玻璃形成或者可以被形成 為由聚酰亞胺系材料形成的柔性膜。

TFT 300包括柵極310、有源層320、源極330和漏極340。參照圖2，柵極310形成在基板100上，并且柵絕緣層210覆蓋柵極310。有源層320設(shè)置在柵絕緣層210上以便與柵極310交疊。源極330和漏極340被設(shè)置為在有源層320上彼此分隔開。

在本公開中，兩個物體的交疊可以意味著這兩個物體的至少部分在這兩個物體之間以垂直關(guān)系交疊，而不考慮在它們之間是否存在另一物體，并且也可以被稱為使用各種其它術(shù)語。

柵極310、源極330和漏極340由導(dǎo)電材料形成。它們可以由例如鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、以及銅(Cu)或者它們的合金中的任意一種形成，但是不限于此，并且可以由不同的材料形成。

有源層320可以根據(jù)有源層320的種類由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、氧化物、以及有機(jī)材料中的任意一種形成，但是不限于此。

柵絕緣層210可以包括由無機(jī)材料形成的單層或多層，并且可以由硅氧化物(SiO_x)、硅氮化物(SiN_x)等形成。

圖2例示了具有交錯結(jié)構(gòu)的TFT 300，但是不限于此。TFT 300可以具有共面結(jié)構(gòu)。

將源極330的一部分暴露的平坦化層220設(shè)置在TFT 300上。平坦化層220可以包括單層或多層并且可以由有機(jī)材料形成。具體地，平坦化層220可以由聚酰亞胺、丙烯醛基等形成。

雖然圖2中未示出，但是在平坦化層220與TFT 300之間還可以形成鈍化層。鈍化層可以由無機(jī)材料形成，可以保護(hù)TFT 300，并且還可以以與平坦化層220相同的方式暴露源極330的一部分，

有機(jī)發(fā)光元件400設(shè)置在平坦化層220上，并且包括第一電極410、發(fā)光單元420和第二電極430。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件1000是頂部發(fā)光型的OLED器件，由此，由發(fā)光單元420發(fā)出的光穿透第二電極430并且在向上方向上發(fā)射。

圖3是例示了圖1中例示的部分A的主要組件的截面圖。具體地，圖3是解釋在單個群中彼此相鄰的多個像素P1、P2和P3的有機(jī)發(fā)光元件400的結(jié)構(gòu)的截面圖。

參照圖2和圖3，多個第一電極410P1、410P2和410P3被設(shè)置為彼此分隔開并 且與各個像素P1、P2和P3對應(yīng)。多個第一電極410P1、410P2和410P3被配置為向發(fā)光單元420的發(fā)光層423和427提供空穴。多個第一電極410P1、410P2和410P3中的每一個連接到TFT 300的源極330。多個第一電極410P1、410P2和410P3可以被稱作陽極。

雖然附圖中未示出，但是第一電極410可以根據(jù)TFT 300的種類而連接到漏極340。另外，由于本公開的OLED器件1000是頂部發(fā)光型的OLED器件，因此多個第一電極410P1、410P2和410P3可以包括反射層。例如，第一電極410可以具有包括依次堆疊的透明層和反射層的兩層結(jié)構(gòu)，或者包括依次堆疊的透明層、反射層和透明層的三層結(jié)構(gòu)。透明層可以由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)這樣的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)材料形成。反射層可以由諸如銅(Cu)、銀(Ag)和鈀(Pd)這樣的金屬材料形成。

第二電極430共同設(shè)置在整個多個像素P1、P2和P3上，并且被配置為向發(fā)光單元420的發(fā)光層423和427提供電子。第二電極430需要透射來自發(fā)光單元420的光。因此，第二電極430可以由具有非常小的厚度(例如，至)的金屬材料形成，或者由透明材料形成。第二電極430可以由例如銀(Ag)、鎂(Mg)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫氧化物(ITO)等形成。第二電極430可以被稱作陰極。

根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件1000包括第一發(fā)光單元420a、第二發(fā)光單元420b、以及在第一電極410與第二電極430之間的電荷產(chǎn)生層425，如圖3所示。

第一發(fā)光單元420a包括空穴注入層421、第一空穴傳輸層422、第一發(fā)光層423、以及第一電子傳輸層424。

空穴注入層421設(shè)置在第一電極410上并且將從第一電極410提供的空穴平穩(wěn)地注入到第一發(fā)光層423?？昭ㄗ⑷雽?21可以由4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、銅酞菁(CuPc)、或者聚(3,4-乙撐二氧噻吩，聚苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PSS)形成，但是不必一定限于此。另外，空穴注入層421可以具有大約至大約的厚度。

第一空穴傳輸層422設(shè)置在空穴注入層421上并且將從第一電極410提供的空穴平穩(wěn)地傳輸?shù)降谝话l(fā)光層423。第一空穴傳輸層422可以由N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(TPD)或者N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPB) 形成，但是不必一定限于此。

第一電子傳輸層424設(shè)置在第一發(fā)光層423上并且將從電荷產(chǎn)生層425提供的電子平穩(wěn)地傳輸?shù)降谝话l(fā)光層423。第一電子傳輸層424可以由噁二唑、三唑、菲咯啉、苯并噁唑、苯并噻唑等形成，但是不必一定限于此。另外，第一電子傳輸層424可以具有大約至大約的厚度。

空穴注入層421、第一空穴傳輸層422和第一電子傳輸層424具有均設(shè)置在整個多個像素P1、P2和P3上的公共結(jié)構(gòu)。換句話說，空穴注入層421、第一空穴傳輸層422和第一電子傳輸層424中的每一個在與第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3對應(yīng)的多個第一電極410P1、410P2和410P3上延伸。具有公共結(jié)構(gòu)的層在沒有對像素P1、P2和P3中的每一個進(jìn)行圖案化的情況下，在像素P1、P2和P3中被形成為相同的形狀。例如，可以使用對像素P1、P2和P3中的所有像素開放的公共掩模來沉積這些層。

相比之下，第一發(fā)光層423具有針對像素P1、P2和P3中的每一個所劃分的圖案化結(jié)構(gòu)。參照圖3，第一像素P1的第一發(fā)光層423P1被設(shè)置為與第一像素P1的第一電極410P1交疊，并且可以發(fā)出例如紅光。第二像素P2的第一發(fā)光層423P2被設(shè)置為與第二像素P2的第一電極410P2交疊，并且可以發(fā)出例如綠光。第三像素P3的第一發(fā)光層423P3被設(shè)置為與第三像素P3的第一電極410P3交疊，并且可以發(fā)出例如藍(lán)光。在第一發(fā)光層423中，針對像素P1、P2和P3，分別將發(fā)出不同顏色的光的發(fā)光層423P1、423P2和423P3圖案化?？梢允褂冕槍ο袼豍1、P2和P3中的每一個開放并且被劃分的掩模(例如，精細(xì)金屬掩模(FMM))來沉積第一發(fā)光層423并且使第一發(fā)光層423圖案化。第一圖案化發(fā)光層423P1、423P2和423P3可以具有彼此不同的高度。盡管圖3為了便于說明示出了在第一圖案化發(fā)光層423P1、423P2和423P3之間存在間隔，但是第一電子傳輸層424可以置于第一圖案化發(fā)光層423P1、423P2和423P3之間。

第二發(fā)光單元420b設(shè)置在第一發(fā)光單元420a與第二電極430之間。第二發(fā)光單元420b包括第二空穴傳輸層426、第二發(fā)光層427和第二電子傳輸層428。

第二空穴傳輸層426設(shè)置在電荷產(chǎn)生層425上并且將從電荷產(chǎn)生層425提供的空穴平穩(wěn)地傳輸?shù)降诙l(fā)光層427。

第二電子傳輸層428設(shè)置在第二發(fā)光層427上并且將從第二電極430提供的電子 平穩(wěn)地傳輸?shù)降诙l(fā)光層427。第二電子傳輸層428可以由噁二唑、三唑、菲咯啉、苯并噁唑、苯并噻唑形成，但是不必一定限于此。另外，第二電子傳輸層428可以具有大約至大約的厚度。

第二空穴傳輸層426和第二電子傳輸層428具有以與空穴注入層421、第一空穴傳輸層422和第一電子傳輸層424相同的方式，均設(shè)置在整個多個像素P1、P2和P3上的公共結(jié)構(gòu)。換句話說，第二空穴傳輸層426和第二電子傳輸層428在沒有對像素P1、P2和P3中的每一個進(jìn)行圖案化的情況下，在像素P1、P2和P3中被形成為相同的形狀。

相比之下，第二發(fā)光層427具有以與第一發(fā)光層423相同的方式，針對像素P1、P2和P3中的每一個所劃分的圖案化結(jié)構(gòu)。第二圖案化發(fā)光層427P1、427P2和427P3可以具有彼此不同的高度。第二發(fā)光層427發(fā)出與由第一發(fā)光層423發(fā)出的光的顏色相同的光。更具體地講，第一像素P1的第一發(fā)光層423P1和第二發(fā)光層427P1可以發(fā)出相同顏色的光，例如，紅光。換句話說，第一像素P1的第一發(fā)光層423P1和第二發(fā)光層427P1可以發(fā)出具有相同峰值波長的光。第一發(fā)光層423P1和第二發(fā)光層427P1中的每一個可以具有從600nm至650nm的峰值波長。在該情況下，即使第一發(fā)光層423P1和第二發(fā)光層427P1不具有確切相同的峰值波長，也能夠認(rèn)為這些層發(fā)出相同顏色的光。如果第一像素P1的第一發(fā)光層423P1和第二發(fā)光層427P1是發(fā)出紅光的發(fā)光層，則第一像素P1是紅色像素。

另外，第二像素P2的第一發(fā)光層423P2和第二發(fā)光層427P2可以發(fā)出相同顏色的光，例如，綠光。換句話說，第二像素P2的第一發(fā)光層423P2和第二發(fā)光層427P2發(fā)出具有相同峰值波長的光。第一發(fā)光層423P2和第二發(fā)光層427P2中的每一個可以具有從540nm至580nm的峰值波長。在該情況下，即使第一發(fā)光層423P2和第二發(fā)光層427P2不具有確切相同的峰值波長，也能夠認(rèn)為這些發(fā)光層發(fā)出相同顏色的光。如果第二像素P2的第一發(fā)光層423P2和第二發(fā)光層427P2是發(fā)出綠光的發(fā)光層，則第二像素P2是綠色像素。

同樣地，第三像素P3的第一發(fā)光層423P3和第二發(fā)光層427P3可以發(fā)出相同顏色的光，例如，藍(lán)光。換句話說，第三像素P3的第一發(fā)光層423P3和第二發(fā)光層427P3發(fā)出具有相同峰值波長的光。第一發(fā)光層423P3和第二發(fā)光層427P3中的每一個可以具有從440nm至480nm的峰值波長。在該情況下，即使第一發(fā)光層423P3和第二發(fā) 光層427P3不具有完全相同的峰值波長，也能夠認(rèn)為這些發(fā)光層發(fā)出相同顏色的光。如果第三像素P3的第一發(fā)光層423P3和第二發(fā)光層427P3是發(fā)出藍(lán)光的發(fā)光層，則第三像素P3是藍(lán)色像素。

空穴注入層421、第一空穴傳輸層422、第一電子傳輸層424、第二空穴傳輸層426以及第二電子傳輸層428具有均設(shè)置在整個多個像素P1、P2和P3上的公共結(jié)構(gòu)。因此，可以將它們分別稱作公共空穴注入層421、第一公共空穴傳輸層422、第一公共電子傳輸層424、第二公共空穴傳輸層426以及第二公共電子傳輸層428。

同時，第一發(fā)光層423和第二發(fā)光層427具有針對像素P1、P2和P3中的每一個所劃分的圖案化結(jié)構(gòu)。因此，可以將它們分別稱作多個第一圖案化發(fā)光層423和多個第二圖案化發(fā)光層427。

電荷產(chǎn)生層425設(shè)置在第一發(fā)光單元420a與第二發(fā)光單元420b之間。電荷產(chǎn)生層425控制第一發(fā)光單元420a與第二發(fā)光單元420b之間的電荷的平衡。電荷產(chǎn)生層425可以包括N型電荷產(chǎn)生層425n和P型電荷產(chǎn)生層425p。

N型電荷產(chǎn)生層425n與第一發(fā)光單元420a相鄰設(shè)置并且向第一發(fā)光單元420a提供電子。N型電荷產(chǎn)生層425n可以被形成為摻雜有諸如鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)或銫(Cs)這樣的堿金屬、或者諸如鎂(Mg)、鍶(Sr)、鋇(Ba)或鐳(Ra)這樣的堿土金屬的有機(jī)層，但是不必一定限于此。另外，N型電荷產(chǎn)生層425n可以具有從大約至大約的厚度。

P型電荷產(chǎn)生層425p與第二發(fā)光單元420b相鄰設(shè)置并且向第二發(fā)光單元420b提供空穴。P型電荷產(chǎn)生層425p可以被形成為包含P型雜質(zhì)的有機(jī)層，但是不必一定限于此，另外，P型電荷產(chǎn)生層425p可以具有大約至大約的厚度。

在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件1000中，第一發(fā)光單元420a的第一空穴傳輸層422和第二發(fā)光單元420b的第二空穴傳輸層426具有一厚度比率。該厚度比率用于使由第一發(fā)光層423或第二發(fā)光層427中的發(fā)光區(qū)域的由于OLED器件1000的延長驅(qū)動導(dǎo)致的移位所引起的驅(qū)動電壓的增加最小化。

下面將參照圖4A和圖4B來描述其細(xì)節(jié)。

發(fā)光區(qū)域EZ是指從第一電極410或電荷產(chǎn)生層425提供的空穴與從第二電極430或電荷產(chǎn)生層425提供的電子的復(fù)合集中地發(fā)生在發(fā)光層423和427內(nèi)的部分或區(qū)域。

由于OLED器件1000的延長驅(qū)動，會導(dǎo)致發(fā)光區(qū)域EZ移位。例如，參照圖4A，發(fā)光區(qū)域EZ可以形成在發(fā)光層423的中心部分處。在該情況下，發(fā)光區(qū)域EZ由于延長驅(qū)動而會朝向發(fā)光層423的上部移位，或者作為與發(fā)光層423相鄰的另一有機(jī)層而朝向第一電子傳輸層424移位。在該情況下，發(fā)光層423與第一電子傳輸層424之間的界面會劣化。在特性方面的這種改變使得OLED器件1000的驅(qū)動電壓增加。因此，增加了OLED器件1000的功耗，并且減少了OLED器件1000的壽命。

相比之下，參照圖4B，發(fā)光區(qū)域EZ可以是在相對于發(fā)光層423的中心部分的下部的單側(cè)。在該情況下，發(fā)光區(qū)域EZ朝向第一電子傳輸層424的移位距離增加。因此，針對發(fā)光區(qū)域EZ和第一電子傳輸層424而言彼此靠近的時間增加。也就是說，即使在延長驅(qū)動的情況下，也能夠減少由發(fā)光區(qū)域EZ的移位引起的發(fā)光層423與第一電子傳輸層424之間的界面的特性的改變。

圖4A和圖4B例示了發(fā)光區(qū)域EZ在向上方向(例如，靠近第一電子傳輸層424方向)上移位。然而，發(fā)光區(qū)域EZ可以根據(jù)從發(fā)光層423和427發(fā)出的光的峰值波長或者兩個電極410與430之間的層的厚度在向下方向(例如，靠近第一空穴傳輸層422的方向)上移位。

因此，第一發(fā)光層423或第二發(fā)光層427中的發(fā)光區(qū)域EZ可以是在相對于第一發(fā)光層423或第二發(fā)光層427的中心部分的上部或下部處的單側(cè)。在該情況下，能夠減少由于延長驅(qū)動導(dǎo)致的發(fā)光區(qū)域EZ的移位所引起的發(fā)光層423或427與和發(fā)光層423或427相鄰的另一有機(jī)層之間的界面的特性的改變(諸如，劣化)。因此，能夠減小OLED器件1000的驅(qū)動電壓或者delta電壓的增加，并且因此能夠提高OLED器件1000的壽命。

返回參照圖3，如圖所示，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式，第二空穴傳輸層426的厚度T4可以大于第一空穴傳輸層422的厚度T3。具體地，第一空穴傳輸層422與第二空穴傳輸層426的厚度比率T3:T4可以是從1:1.1至1:1.5。因此，發(fā)光區(qū)域EZ可以是在第一發(fā)光層423或第二發(fā)光層427內(nèi)的上部或者下部的單側(cè)。另外，第一空穴傳輸層422和第二空穴傳輸層426可以由相同材料形成。在該情況下，根據(jù)兩個空穴傳輸層422和426的厚度比率來調(diào)節(jié)發(fā)光區(qū)域EZ變得更容易。因此，能夠使由第一發(fā)光層423或第二發(fā)光層427內(nèi)的發(fā)光區(qū)域EZ的移位所引起的驅(qū)動電壓或者delta電壓的增加最小化。因此，能夠提高OLED器件1000的壽命。

當(dāng)相對于空穴傳輸層422和426來控制例如電子傳輸層424和428或者空穴注入層421的其它有機(jī)層的厚度時，會極大地改變OLED器件1000的諸如驅(qū)動電壓或者驅(qū)動電流這樣的特性。因此，可能難以管理在制造工藝期間的偏差或缺陷。當(dāng)與其它有機(jī)層比較時，空穴傳輸層422和426較少地影響OLED器件1000的特性。因此，可以通過分別控制空穴傳輸層422和426的厚度T3和T4來控制發(fā)光區(qū)域EZ在發(fā)光層423和427內(nèi)的位置。

第一空穴傳輸層422的厚度T3與第二空穴傳輸層426的厚度T4的總和可以是從至具體地，第一空穴傳輸層422的厚度T3可以是從至并且第二空穴傳輸層426的厚度T4可以是從至第一空穴傳輸層422和第二空穴傳輸層426的相應(yīng)厚度T3和T4以及厚度的總和(T3+T4)在上述范圍內(nèi)。因此，發(fā)光區(qū)域EZ可以是在第一發(fā)光層423內(nèi)或者在第二發(fā)光層427內(nèi)的上部或下部的單側(cè)。也就是說，能夠使由第一發(fā)光層423內(nèi)或者在第二發(fā)光層427內(nèi)的發(fā)光區(qū)域EZ的移位所引起的驅(qū)動電壓的增加最小化。另外，如果空穴傳輸層422和426太薄，則它們將空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層423和427的能力會減弱。因此，OLED 1000的光效率會降低。此外，如果空穴傳輸層422和426太厚，則OLED器件1000的厚度會增加或者用于形成空穴傳輸層422和426的時間會增加。因此，工藝進(jìn)度時間會增加。

在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的應(yīng)用上述結(jié)構(gòu)的OLED器件1000中，第一電極410與第二電極430之間的距離T1可以具有這樣的值，該值導(dǎo)致在從第一發(fā)光層423發(fā)出的光與從第二發(fā)光層427發(fā)出的光之間由于微腔(micro-cavity)效應(yīng)而產(chǎn)生相長干涉。第一電極410可以包括由ITO或者IZO形成的透明導(dǎo)電層和由金屬材料形成的反射層。在該情況下，從反射層的頂表面到第二電極430的底表面的距離T1是第一電極410與第二電極430之間的距離T1。

微腔效應(yīng)是指由于從發(fā)光層423和427發(fā)出的光在兩個電極410與430之間通過反復(fù)地反射和再反射而被放大并且因此產(chǎn)生相長干涉，而導(dǎo)致在光效率方面的改進(jìn)。另外，發(fā)光區(qū)域EZ的初始位置可以根據(jù)從發(fā)光層423和427發(fā)出的光的峰值波長和兩個電極410與430之間的層的厚度來改變。僅當(dāng)發(fā)光區(qū)域EZ位于在從兩個發(fā)光層423和427發(fā)出的光之間由于微腔效應(yīng)而產(chǎn)生相長干涉的部分處時，能夠提高光效率。

根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式，第二空穴傳輸層426的厚度T4大于第一空穴傳輸層422的厚度T3。在該結(jié)構(gòu)中，如果第一電極410與第二電極430之間的距離T1 是從至則發(fā)光區(qū)域EZ在發(fā)光層423與427內(nèi)的位置最佳。因此，在第一電極410與第二電極430之間，由于微腔效應(yīng)而導(dǎo)致在從第一發(fā)光層423發(fā)出的光與從第二發(fā)光層427發(fā)出的光之間有效地產(chǎn)生相長干涉。因此，能夠提高OLED1000的光效率。

考慮從第一發(fā)光層423和第二發(fā)光層427發(fā)出的光的峰值波長來確定第一電極410與第二電極430之間的距離T1。如上所述，設(shè)置在各個像素P1、P2和P3中并且被圖案化的第一發(fā)光層423P1、423P2和423P3針對各個像素P1、P2和P3發(fā)出不同顏色的光。另外，設(shè)置在各個像素P1、P2和P3中并且被圖案化的第二發(fā)光層427P1、427P2和427P3針對各個像素P1、P2和P3發(fā)出不同顏色的光。

因此，第二電極430與第一像素P1的第一電極410P1之間的距離、第二電極430與第二像素P2的第一電極410P2之間的距離、以及第二電極430與第三像素P3的第一電極410P3之間的距離可以彼此不同?？梢允褂眯纬稍诟鱾€像素P1、P2和P3中并且被圖案化的第一發(fā)光層423和第二發(fā)光層427的厚度來控制各個像素P1、P2和P3中的兩個電極410與430之間的距離T1。也就是說，第一圖案化發(fā)光層423P1、423P2和423P3的高度以及第二圖案化發(fā)光層427P1、427P2和427P3的高度可以針對各個像素P1、P2和P3而不同。此外，第二圖案化發(fā)光層427P1、427P2和427P3可以相應(yīng)地具有與對應(yīng)的第一圖案化發(fā)光層423P1、423P2和423P3相同的高度，或者不具有與對應(yīng)的第一圖案化發(fā)光層423P1、423P2和423P3相同的高度。

第一像素P1可以是紅色像素。在該情況下，發(fā)出相同顏色的光的第一發(fā)光層423P1和第二發(fā)光層427P1中的每一個可以具有從至的厚度，所述厚度導(dǎo)致在兩個電極410P1與430之間由于微腔效應(yīng)而產(chǎn)生相長干涉。

另外，第二像素P2可以是綠色像素。在該情況下，發(fā)出相同顏色的光的第一發(fā)光層423P2和第二發(fā)光層427P2中的每一個可以具有從至的厚度，所述厚度導(dǎo)致在兩個電極410P2與430之間由于微腔效應(yīng)而產(chǎn)生相長干涉。

此外，第三像素P3可以是藍(lán)色像素。在該情況下，發(fā)出相同顏色的光的第一發(fā)光層423P3和第二發(fā)光層427P3中的每一個可以具有至的厚度，所述厚度導(dǎo)致在兩個電極410P3與430之間由于微腔效應(yīng)而產(chǎn)生相長干涉。

根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式，在每個像素P1、P2和P3中的兩個發(fā)光層423與427之間的距離T2也從至因此，能夠進(jìn)一步提高OLED器件1000 的光效率。在同一像素中發(fā)出相同顏色的光的兩個發(fā)光層423與427之間的距離T2是從至因此，能夠進(jìn)一步放大兩個電極410與430之間由于微腔效應(yīng)而產(chǎn)生的相長干涉。另外，當(dāng)從電荷產(chǎn)生層425分別向兩個發(fā)光層423和427提供電子和空穴時，第二空穴傳輸層426的厚度T4最好大于電子傳輸層424的厚度以保持電子和空穴的供應(yīng)平衡。

因此，OLED器件1000根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式包括：第一發(fā)光單元420a，其包括第一圖案化發(fā)光層423和第一公共空穴傳輸層422；以及第二發(fā)光單元420b，其包括第二圖案化發(fā)光層427和第二公共空穴傳輸層426。在OLED器件1000中，第二公共空穴傳輸層426的厚度T4大于第一公共空穴傳輸層422的厚度T3。因此，能夠解決由第一圖案化發(fā)光層423和第二圖案化發(fā)光層427內(nèi)的發(fā)光區(qū)域EZ的移位所引起的OLED器件1000的驅(qū)動電壓或者delta電壓增加的問題。另外，在第一發(fā)光單元420a和第二發(fā)光單元420b中分別包括的第一公共空穴傳輸層422和第二公共空穴傳輸層426由相同的材料形成。包括在第一發(fā)光單元420a中的第一公共空穴傳輸層422(即，靠近第一電極410或者陽極設(shè)置的空穴傳輸層422)的厚度T3小于包括在第二發(fā)光單元420b中的第二公共空穴傳輸層426的厚度T4。因此，即使在延長驅(qū)動的情況下，也能夠使OLED器件1000的驅(qū)動電壓的增加最小化。

圖5至圖7是例示了關(guān)于根據(jù)比較示例和本公開的示例的壽命的評估結(jié)果的曲線圖。

關(guān)于圖5，在圖1至圖3中例示的根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件1000中，如果多個圖案化發(fā)光層423和427發(fā)出藍(lán)光，則可以將如在下面的表1中列出的第一空穴傳輸層422的厚度T3和第二空穴傳輸層426的厚度T4應(yīng)用到結(jié)構(gòu)中。圖5是例示了關(guān)于根據(jù)比較示例和示例的上述結(jié)構(gòu)的壽命的評估結(jié)果的曲線圖。參照表1，假設(shè)第一空穴傳輸層422和第二空穴傳輸層426中的任意一個的厚度為100％并且比較并表述另一個的厚度。

[表1]

參照圖5，在根據(jù)示例的結(jié)構(gòu)中，第二空穴傳輸層的厚度T4大于第一空穴傳輸 層的厚度T3。具體地，第一空穴傳輸層與第二空穴傳輸層的厚度比率T3:T4在該結(jié)構(gòu)中為1:1.25。通過該結(jié)構(gòu)，能夠看到，當(dāng)假設(shè)OLED器件的初始亮度為100％時，在經(jīng)過大約150小時之后，存在大約5％的亮度下降。

相比之下，在根據(jù)比較示例1和比較示例2的結(jié)構(gòu)中，第二空穴傳輸層的厚度T4小于第一空穴傳輸層的厚度T3。具體地，第一空穴傳輸層與第二空穴傳輸層的厚度比率T3:T4在這兩個結(jié)構(gòu)中為1:0.8和1:0.5。通過這兩個結(jié)構(gòu)，能夠看到，當(dāng)假設(shè)OLED器件的初始亮度為100％時，在經(jīng)過大約100小時之后，存在大約5％的亮度下降。

也就是說，在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件中，第二空穴傳輸層的厚度大于第一空穴傳輸層的厚度。因此，能夠看到，包括發(fā)出藍(lán)光的多個圖案化發(fā)光層的OLED器件的壽命極大地增加了大約50％。

在圖1至圖3例示的根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件1000中，如果多個圖案化發(fā)光層423和427發(fā)出綠光，則可以將如在以上表1中列出的第一空穴傳輸層422的厚度T3和第二空穴傳輸層426的厚度T4應(yīng)用到結(jié)構(gòu)中。與圖5類似，圖6例示了關(guān)于根據(jù)比較示例和示例的上述結(jié)構(gòu)的壽命的評估結(jié)果的曲線圖。

參照圖6，在根據(jù)示例的結(jié)構(gòu)中，第二空穴傳輸層的厚度T4大于第一空穴傳輸層的厚度T3。通過該結(jié)構(gòu)，能夠看到，當(dāng)假設(shè)OLED器件的初始亮度為100％時，在經(jīng)過大約135小時之后，存在大約5％的亮度下降。

相比之下，在根據(jù)比較示例1和比較示例2的結(jié)構(gòu)中，第二空穴傳輸層的厚度T4小于第一空穴傳輸層的厚度T3。通過這兩個結(jié)構(gòu)，能夠看到，當(dāng)假設(shè)OLED器件的初始亮度為100％時，在經(jīng)過大約125小時之后，存在大約5％的亮度下降。

也就是說，在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件中，第二空穴傳輸層的厚度大于第一空穴傳輸層的厚度。因此，能夠看到，包括發(fā)出綠光的多個圖案化發(fā)光層的OLED器件的壽命增加了大約8％。

在圖1至圖3例示的根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件中，如果多個圖案化發(fā)光層423和427發(fā)出紅光，則可以將如在以上表1中列出的第一空穴傳輸層422的厚度T3和第二空穴傳輸層426的厚度T4應(yīng)用到結(jié)構(gòu)中。與圖5和圖6類似，圖7例示了關(guān)于根據(jù)比較示例和示例的上述結(jié)構(gòu)的壽命的評估結(jié)果的曲線圖。

參照圖7，在根據(jù)示例的結(jié)構(gòu)中，第二空穴傳輸層的厚度T4大于第一空穴傳輸 層的厚度T3。通過該結(jié)構(gòu)，能夠看到，當(dāng)假設(shè)OLED器件的初始亮度為100％時，在經(jīng)過大約1100小時之后，存在大約5％的亮度下降。

相比之下，在根據(jù)比較示例1和比較示例2的結(jié)構(gòu)中，第二空穴傳輸層的厚度T4小于第一空穴傳輸層的厚度T3。通過這兩個結(jié)構(gòu)，能夠看到，當(dāng)假設(shè)OLED器件的初始亮度為100％時，在經(jīng)過大約750小時至大約900小時之后，存在大約5％的亮度下降。

也就是說，在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件中，第二空穴傳輸層的厚度大于第一空穴傳輸層的厚度。因此，能夠看到，包括發(fā)出紅光的多個圖案化發(fā)光層的OLED器件的壽命極大地增加了大約22％至大約47％。

圖8是例示了關(guān)于根據(jù)比較示例和本公開的示例的delta電壓的評估結(jié)果的曲線圖。如果多個圖案化發(fā)光層423和427發(fā)出藍(lán)光，則可以將如以上表1中列出的第一空穴傳輸層422的厚度T3和第二空穴傳輸層426的厚度T4應(yīng)用到圖5中例示的結(jié)構(gòu)中。圖8是例示了關(guān)于根據(jù)比較示例和示例的上述結(jié)構(gòu)的delta電壓ΔV的評估結(jié)果的曲線圖。delta電壓在初始驅(qū)動電壓與根據(jù)時間改變的驅(qū)動電壓之間呈現(xiàn)差異。delta電壓的增加意味著驅(qū)動電壓增加了那么多。

參照圖8，通過根據(jù)示例的第二空穴傳輸層的厚度T4大于第一空穴傳輸層的厚度T3的結(jié)構(gòu)，能夠看到，在OLED器件被驅(qū)動大約150小時之后，delta電壓為大約0.2V。也就是說，能夠看到，與初始驅(qū)動電壓相比，驅(qū)動電壓增加了大約0.2V。

相比之下，通過根據(jù)比較示例1和比較示例2的第二空穴傳輸層的厚度T4小于第一空穴傳輸層的厚度T3的結(jié)構(gòu)，能夠看到，在OLED器件被驅(qū)動大約150小時之后，delta電壓是大約0.26V和大約0.32V。也就是說，能夠看到，與初始驅(qū)動電壓相比，驅(qū)動電壓增加了大約0.26V和大約0.32V，并且與示例相比，驅(qū)動電壓也增加了大約30％和大約50％。

也就是說，在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件中，第二空穴傳輸層的厚度大于第一空穴傳輸層的厚度。因此，能夠看到，解決了包括發(fā)出藍(lán)光的多個圖案化發(fā)光層的OLED器件的驅(qū)動電壓和delta電壓的增加。

如上所述，在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件中，第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層具有以下厚度比率，該厚度比率用于使由多個圖案化發(fā)光層中的發(fā)光區(qū)域的由于延長驅(qū)動導(dǎo)致的移位所引起的驅(qū)動電壓的增加最小化。因此，能夠解決 OLED器件的功耗增加的問題，由此能夠提高OLED器件的壽命。

另外，在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的OLED器件中，第二空穴傳輸層的厚度大于第一空穴傳輸層的厚度。因此，即使在延長驅(qū)動的情況下，也能夠使OLED器件的delta電壓或者驅(qū)動電壓的增加最小化。

本公開的示例性實(shí)施方式也可以被描述如下：

根據(jù)本公開的一方面，提供一種OLED器件。該OLED器件包括：第一發(fā)光單元，其在第一電極與第二電極之間，該第一發(fā)光單元包括第一空穴傳輸層和第一發(fā)光層；以及第二發(fā)光單元，其在第一發(fā)光單元與第二電極之間，該第二發(fā)光單元包括第二空穴傳輸層和第二發(fā)光層，第二發(fā)光層發(fā)出與由第一發(fā)光層發(fā)出的光的顏色相同的光。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式，第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層具有以下厚度比率，該厚度比率用于使由第一發(fā)光層或第二發(fā)光層中的發(fā)光區(qū)域的由于延長驅(qū)動導(dǎo)致的移位所引起的驅(qū)動電壓的增加最小化。因此，能夠解決OLED器件的功耗增加的問題，由此能夠提高OLED器件的壽命。

第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層可以具有以下厚度比率，該厚度比率導(dǎo)致發(fā)光區(qū)域在第一發(fā)光層或者第二發(fā)光層中相對于第一發(fā)光層或第二發(fā)光層的中心部分朝向上部偏移或者朝向下部偏移。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓增加的問題，并且因此能夠提高OLED器件的壽命。

第二空穴傳輸層的厚度可以大于第一空穴傳輸層的厚度。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓增加的問題，并且因此能夠提高OLED器件的壽命。

第一空穴傳輸層與第二空穴傳輸層的厚度比率可以在從1:1.1至1:1.5的范圍內(nèi)。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓增加的問題，并且因此能夠提高OLED器件的壽命。

第一空穴傳輸層的厚度與第二空穴傳輸層的厚度的總和可以在從至的范圍內(nèi)。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓增加的問題，并且因此能夠提高OLED器件的壽命。

第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層可以由相同的材料形成。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓增加的問題，并且因此能夠提高OLED器件的壽命。

第一電極與第二電極之間的距離可以在從至的范圍內(nèi)，該厚度導(dǎo)致在從第一發(fā)光層發(fā)出的光與從第二發(fā)光層發(fā)出的光之間由于微腔效應(yīng)而產(chǎn)生相長 干涉。因此，能夠提高OLED器件的光效率和壽命。

第一發(fā)光層與第二發(fā)光層之間的距離可以在從至的范圍內(nèi)。因此，能夠提高OLED器件的光效率和壽命。

第一發(fā)光層和第二發(fā)光層可以分別具有針對每個像素劃分的圖案化結(jié)構(gòu)，并且第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層可以分別具有設(shè)置在整個多個像素上的公共結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本公開的另一方面，提供一種包括彼此相鄰的多個像素的頂部發(fā)光型的OLED器件。該OLED器件包括：多個第一電極，其分別與多個像素對應(yīng)并且彼此分隔開；以及第一公共空穴傳輸層，其在多個第一電極上。另外，該OLED器件包括：多個第一圖案化發(fā)光層，其分別在與多個像素對應(yīng)的第一公共空穴傳輸層上；第二公共空穴傳輸層，其在多個第一圖案化發(fā)光層上，具有比第一公共空穴傳輸層的厚度更大的厚度；多個第二圖案化發(fā)光層，其分別在與多個像素對應(yīng)的第二公共空穴傳輸層上；以及第二電極，其在多個第二圖案化發(fā)光層上。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓和delta電壓增加的問題。

第一公共空穴傳輸層與第二公共空穴傳輸層的厚度比率可以在從1:1.1至1:1.5的范圍內(nèi)。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓增加的問題，并且因此能夠提高OLED器件的壽命。

第一公共空穴傳輸層與第二公共空穴傳輸層可以由相同的材料形成。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓增加的問題，并且因此能夠提高OLED器件的壽命。

第一公共空穴傳輸層的厚度與第二公共空穴傳輸層的厚度的總和可以在從至的范圍內(nèi)。因此，能夠解決OLED器件的驅(qū)動電壓增加的問題，并且因此能夠提高OLED器件的壽命。

在多個像素中的每一個像素中，第一電極與第二電極之間的距離可以在從至的范圍內(nèi)，該厚度導(dǎo)致在從第一圖案化發(fā)光層發(fā)出的光與從第二圖案化發(fā)光層發(fā)出的光之間由于微腔效應(yīng)而產(chǎn)生相長干涉。因此，能夠提高OLED器件的光效率和壽命。

第一圖案化發(fā)光層與第二圖案化發(fā)光層之間的距離可以在從至的范圍內(nèi)。因此，能夠提高OLED器件的光效率和壽命。

雖然已經(jīng)參照附圖詳細(xì)地描述了本公開的示例性實(shí)施方式，但是本公開不限于此，并且在不脫離本公開的技術(shù)構(gòu)思的情況下，可以以很多不同的形式來實(shí)施。因此， 提供本公開的示例性實(shí)施方式僅出于說明性的目的，而不旨在限制本公開的技術(shù)構(gòu)思。本公開的技術(shù)構(gòu)思的范圍不限于此。因此，應(yīng)該理解的是，上述示例性實(shí)施方式在所有方面是示例性的并且不限制本公開。本公開的保護(hù)范圍應(yīng)該基于所附權(quán)利要求來解釋，并且在其等效范圍中的技術(shù)構(gòu)思應(yīng)該被解釋為落入本公開的范圍內(nèi)。

對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是，能夠在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對包括本發(fā)明的彎曲傳感器的顯示裝置進(jìn)行各種修改和變型。因此，本發(fā)明旨在涵蓋本發(fā)明的落入所附的權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的修改和變型。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2015年7月30日在韓國專利局提交的韓國專利申請第10-2015-0108036號的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容針對所有目的通過引用方式被完全地并入到本文中。