專利名稱：測量晶片偏壓的方法與裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片處理腔。本發(fā)明尤其涉及在等離子體處理期間測量晶片直流偏壓的裝置。
背景技術(shù)：
在慣用的晶片處理系統(tǒng)中，通過由靜電卡盤(ESC)提供的靜電吸引力將晶片固定到下電極基座是普遍的。靜電卡持通常是通過在位于基座上表面上的兩個絕緣膜之間提供導電膜來實施的。一旦半導體晶片被固定到ESC，晶片就可以被處理。在半導體集成電路的常規(guī)生產(chǎn)中，等離子體被用于促進用于刻蝕、化學氣相淀積或濺射晶片的處理氣體的離子化。在慣用的電容式等離子體處理系統(tǒng)中，例如大面積平行板等上、下電極互相面對，設(shè)置在壓強可控的處理腔中。在該等離子體處理系統(tǒng)中，位于腔頂部或上部的電極被連接到地電位，而高頻率電壓被施加到腔底部或下部的電極。下電極也用作基座。通過上電極與下電極之間的放電處理氣體被轉(zhuǎn)化為等離子體。在電極與等離子體之間產(chǎn)生了強電場區(qū)域。這些強電場區(qū)域被稱為等離子體鞘。 該強電場區(qū)域使電子與離子從電極到等離子體加速，反之亦然。通過電場力將等離子體中的電子和離子吸引到位于基座上的半導體晶片。離子與半導體的表面反應(yīng)。在慣用的等離子體處理裝置中，通過電容器將高頻率電壓施加到下電極，而作為結(jié)果高頻率電壓也被施加到位于基座上的晶片。該結(jié)構(gòu)在基座與晶片上產(chǎn)生了大體上為負的直流電勢。該負的直流電勢通常被稱為直流偏壓。在高頻率電壓為正的半個循環(huán)期間，等離子體中帶負電的電子被吸引到了晶片， 但在高頻率電壓為負的另外半個循環(huán)期間，等離子體中帶正電的離子被吸引到了晶片。因為電子比離子具有的更小的重量，所以電子比離子更容易被轉(zhuǎn)移到晶片。因此晶片變?yōu)閹ж撾?，因為與離子相比更多的電子被吸引到晶片。因此，晶片形成了大體上為負的直流偏壓。直流偏壓增加了出現(xiàn)在晶片的離子的能量且因此改變了晶片處理系統(tǒng)的效果。 400V到500V范圍的極大偏壓會損壞晶片表面上的氧化膜。因此在晶片處理系統(tǒng)中能夠監(jiān)控并控制晶片的直流偏壓或晶片電勢是至關(guān)重要的。直接測量晶片電勢是非常困難的。將探針附加或連接到晶片用于直接測量晶片電勢幾乎是不可能的，因為探針不能承受晶片周圍惡劣的環(huán)境。若干慣用方法已經(jīng)被開發(fā)用于在半導體處理系統(tǒng)中估算晶片電勢。雖然這些慣用方法能夠估算晶片電勢，但每種方法都有精確性、壽命、維護、結(jié)構(gòu)和/或電勢誤差方面的問題。一種估算晶片電勢的慣用方法使用了位于等離子體處理系統(tǒng)腔壁內(nèi)的探針。現(xiàn)在將參照圖1描述該慣用方法。
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圖1示出了慣用晶片處理系統(tǒng)100的范例。如圖所示，晶片處理系統(tǒng)100包括通訊通道104、用戶界面106、2MHz的RF發(fā)生器110、27MHz的RF發(fā)生器112、60MHz的RF發(fā)生器114、阻抗匹配電路116、ESC118、ESC基板120、晶片處理腔122、陶瓷耦合環(huán)126、熱緣環(huán) (HER) 128、電壓測量儀130以及探針132。晶片102位于ESC 118上并由靜電吸引力將其夾持到ESC 118。HER 1 圍繞ESC 118并在晶片102的邊緣附近提供一致的刻蝕率與降低的刻蝕率偏移。陶瓷耦合環(huán)126圍繞ESC 118并位于HER 1 的下方。ESC基板120位于ESC 118與陶瓷耦合環(huán)126的下方。阻抗匹配電路116接收來自2MHz的RF發(fā)生器110、27MHz的RF發(fā)生器112以及 60MHz的RF發(fā)生器114的驅(qū)動信號并將合適的RF信號IM提供到ESC基板120。阻抗匹配電路116被配置為其阻抗是晶片處理腔122阻抗的復共軛，因此其最小化了被反射能量并能使由2MHz的RF發(fā)生器110、27MHz的RF發(fā)生器112以及60MHz的RF發(fā)生器114提供到晶片處理腔122的信號的RF能量轉(zhuǎn)移最大化。由RF信號IM供應(yīng)RF能量的結(jié)果是在晶片102上產(chǎn)生了等離子體108。使用等離子體108通過用帶正電的離子轟擊晶片102轉(zhuǎn)化或處理晶片102。等離子體鞘136位于等離子體108與晶片102、HER 128之間。由于等離子體108與晶片102、HER 128之間的強電場區(qū)域，帶正電的離子被推動跨越等離子體鞘136。通過通訊通道104將有關(guān)涉及晶片處理腔122狀態(tài)的信息通訊到用戶界面106。 進一步地，用戶(未示出)經(jīng)由用戶界面106與通訊通道136可操作地控制2MHz的RF發(fā)生器110、27MHz的RF發(fā)生器112以及60MHz的RF發(fā)生器114。探針132由導電材料制成并被附加到晶片處理腔122的側(cè)面。導電體134被連接到探針132且在晶片處理腔122之外并連接到電壓測量儀130。電壓測量儀130能夠測量交流(峰間)或直流(偏置電平)電壓。電壓測量儀130測量晶片102的電勢。在慣用的晶片處理系統(tǒng)100中，探針132不直接接觸晶片102或等離子體鞘136 且提供給電壓測量儀130的晶片102的電勢測量值容易產(chǎn)生誤差。此外，因為晶片處理系統(tǒng)100的結(jié)構(gòu)使用多頻率驅(qū)動等離子體，所以在復雜的負載轉(zhuǎn)換期間估算晶片102的電勢中誤差特別顯著。由于在估算晶片102電勢中發(fā)生復合負載轉(zhuǎn)換誤差，所以這種處理晶片的方法難以校正和配置。估算晶片電勢的另一慣用方法是在ESC的外圍周圍提供與晶片接觸的電極。該電極通常由碳化硅探針構(gòu)成。不幸的是，該電極的使用在處理腔內(nèi)產(chǎn)生了污染物，因為該電極被等離子體所侵蝕。該污染物通過降低等離子體刻蝕率消極地影響了等離子體的效果。此夕卜，該電極是可消耗的并且必須頻繁地更換，而這需要大量的時間、精力與成本。圖2示出了慣用晶片處理系統(tǒng)200的范例。晶片處理系統(tǒng)200包含若干圖1晶片處理系統(tǒng)100的共同元件。然而，晶片處理系統(tǒng)100的探針132與導電體134在晶片處理系統(tǒng)200中被替換為探針202與導電體204。如圖2所示，探針202的上端通過穿過ESC基板120、ESC 118與HER 128的空腔206接觸晶片102的底面。探針202的下端連接導電體 204。導電體204連接到電壓測量儀130。探針202通常由碳化硅針構(gòu)成。晶片102的電勢通過探針202檢測并被轉(zhuǎn)移到電壓測試儀130。電壓測量儀130然后能夠測量晶片102的交流(峰間)或直流(偏置電平)
4電壓。雖然因為晶片處理系統(tǒng)200能精確測量晶片102的電勢，但其在晶片處理期間導致了來自探針202損耗并進入處理腔的污染物。這些污染物通過降低等離子體刻蝕率消極地影響等離子體的效果。此外，這些電極是可消耗的且必須頻繁更換，而這需要大量的時間、精力和成本。測量晶片電勢的另一慣用方法是通過改變施加到靜電卡持電極的直流電壓并測量晶片與靜電卡持電極之間的漏電流執(zhí)行的。測得的漏電流接著被用于估算晶片電勢。雖然估算晶片電勢的漏電流測量方法能夠提供了可行的晶片處理系統(tǒng)，但該方法高度依賴于漏電流的量級。漏電流的量級會根據(jù)等離子體處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)而顯著變化。因此，估算晶片電勢的ESC漏電流檢測方法需要相當?shù)臅r間、精力和成本來進行校正和配置。不幸的是，測量晶片電勢的慣用方法是不精確的、壽命短暫、易于錯誤且需要大量精力用于維護和配置。所需要的測量晶片電勢的方法是精確的、壽命持久、不容易錯誤且不需要大量的精力用于維護與配置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種精確的、壽命持久、不易于出錯且易于維護及配置的測量等離子體處理系統(tǒng)中晶片電勢的裝置。本發(fā)明的一個方面包括在具有等離子體形成容積空間(volume)與熱緣環(huán)的晶片處理腔中使用的裝置。所述熱緣環(huán)具有第一表面與第二表面。所述第一表面與所述等離子體形成容積空間接觸。所述第二表面不與所述等離子體形成容積空間接觸。所述裝置包括可操作地接觸所述熱緣環(huán)的所述第二表面的檢測器。所述檢測器能夠檢測所述熱緣環(huán)的參數(shù)并能基于所述檢測到的參數(shù)提供檢測到的信號。本發(fā)明的其他目的、優(yōu)點和新穎性特征的部分陳述在以下的說明書中，部分對于審閱以下內(nèi)容的本領(lǐng)域技術(shù)人員將會是顯而易見的或通過實施本發(fā)明可以得知。本發(fā)明的目標和優(yōu)點通過所附權(quán)利要求中特別指出的手段或其組合能夠?qū)崿F(xiàn)和獲取。


附圖被合并到說明書并形成說明書的一部分，附圖與說明書一起說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，用于解釋本發(fā)明的原理。圖中圖1說明了慣用晶片處理系統(tǒng)的范例；圖2說明了慣用晶片處理系統(tǒng)的另一范例；圖3說明了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的晶片處理系統(tǒng)的范例；圖4是圖3的一部分的截面圖；圖5是比較由探針測得的等離子體電勢與由有線晶片測得的晶片電勢的圖；圖6是比較由探針測得的等離子體電勢與由根據(jù)本發(fā)明的一份方面使用HER測得的晶片電勢的圖；圖7說明了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的信號檢測器的范例實施方式；圖8說明了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的信號檢測器的另一范例實施方式；圖9說明了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的信號檢測器的另一范例實施方式；以及
圖IOA與IOB說明了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的信號檢測器的另一范例實施方式。
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明的一個方面，HER被用作等離子體鞘電壓傳感器(voltage transducer)以監(jiān)控晶片處理系統(tǒng)中的晶片電勢。相應(yīng)地，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，電壓探針不像上面根據(jù)圖1和2討論的慣用系統(tǒng)那樣暴露于等離子體?，F(xiàn)在將根據(jù)圖3-10B描述本發(fā)明的多個方面。圖3說明了根據(jù)本發(fā)明一個方面的晶片處理系統(tǒng)300的范例。晶片處理系統(tǒng)300 包含圖2晶片處理系統(tǒng)200的若干共同元件。然而，晶片處理系統(tǒng)300不包括探針202與導電體204。晶片處理系統(tǒng)300進一步包括信號調(diào)整器310和處理器304。此外，晶片處理系統(tǒng)200的ESC基板120與陶瓷耦合環(huán)1 在晶片處理系統(tǒng)300中已經(jīng)被取代為ESC基板 312與陶瓷耦合環(huán)314。ESC基板312與陶瓷耦合環(huán)314能產(chǎn)生并傳送電信號308。電信號308從陶瓷耦合環(huán)314發(fā)出并從晶片處理腔122傳送到信號調(diào)整器310。信號調(diào)整器310包括用于從電信號308過濾RF信號的電路以提供直流偏壓306，直流偏壓306是晶片102電勢的表征。直流偏壓306對于等離子體工具處理監(jiān)控、處理端點檢測和重大處理事件檢測是有用的。直流偏壓306被傳送到處理器304。處理器304監(jiān)控直流偏壓306，以驗證對晶片 102的正確處理并監(jiān)控晶片處理腔122內(nèi)的誤差情況。處理器304能使用戶監(jiān)控晶片處理腔122的運行并確定誤差情況是否已經(jīng)發(fā)生。提供裁切部分(cut0ut)302是為了詳細說明位于裁切部分區(qū)域內(nèi)的本發(fā)明的實施方式，且以下將參閱圖4對其描述。圖4是圖3所示裁切部分302的截面圖。HER 128具有底表面404和斜表面408。 陶瓷耦合環(huán)314具有頂表面406。HER 128的底表面404安置在陶瓷耦合環(huán)314的頂表面 406。斜表面408位于HER 1 的內(nèi)徑上并在晶片處理期間暴露于等離子體。晶片102被配置在ESC 118上并靠近于HERU8的斜表面408。設(shè)置HER 128的斜表面408的目的是幫助晶片102定位并有利于靠近晶片102邊緣的等離子體的成形。如圖中所示，信號檢測器400位于ESC基板312與陶瓷耦合環(huán)314內(nèi)的空間402 中?？?02從空間402延伸到位于陶瓷耦合環(huán)314頂表面406的孔410。信號檢測器400 通過孔410與HER 128電接觸并產(chǎn)生電信號308。相應(yīng)地，HER 1 用作測量晶片電勢的探針。使用HER 128作為探針測量晶片電勢的方面的最好解釋是首先說明由探針202 測得的等離子體電勢與由有線晶片測得的晶片電勢線性相關(guān)；接著討論用作測量等離子體電勢探針的HER 128與由探針202測得的等離子體電勢線性相關(guān)；然后試驗性地驗證HER 1 可以被用作測量晶片電勢的探針。返回到圖2，已經(jīng)確定了由探針202測得的等離子體電勢與由有線晶片測得的晶片電勢線性相關(guān)。圖5是比較由探針202測得的等離子體電勢與由有線晶片測得的晶片電勢的圖 500。為了獲得由有線晶片測得的晶片電勢，將探針設(shè)置為與晶片的頂表面或上表面接觸。 對于兩種測量，來自探針的信號都被過濾以移除RF部分。在應(yīng)用RF過濾之后，信號就只包含直流電壓了。在圖500中，χ軸是時間(以秒為單位)，而y軸是測得的電壓(以伏為單位)。點線502對應(yīng)于由探針202測得的等離子體電勢，而虛線504對應(yīng)于由有線晶片測得的晶片電勢。如圖500所示，點線502與虛線504非常相似?；邳c線502與虛線504的相似特性，可以確定由探針202測量等離子體電勢能準確地代表晶片電勢。圖6是比較由探針測得的等離子體電勢與根據(jù)本發(fā)明的一個方面使用HER 128測得的晶片102的電勢的圖600。圖600中，χ軸是時間(以秒為單位)，而y軸是測得的電壓(以伏為單位)。點線602對應(yīng)于由探針202測得的等離子體電勢，而虛線604對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的一個方面使用HER 128測得的晶片102的電勢。如圖600所示，點線602與虛線604非常相似?；邳c線602與虛線604的相似情況，可以確定由HER 128測量的晶片102的電勢能準確地代表由探針202測得的等離子體電勢。如上面參照圖5所討論的那樣，由探針202測量的等離子體電勢準確代表了晶片電勢。進一步地，如上面參照圖6所討論的那樣，由HER 1 測量的晶片102的電勢準確代表了由探針202測得的等離子體電勢。因此，由HER 1 測量的晶片102的電勢準確代表了晶片電勢。返回圖4，因為已經(jīng)確定了由HER 1 測得的晶片102的電勢準確代表了晶片電勢，所以信號檢測器400通過測量HER 128的電勢就能確定晶片102的電勢。參照圖7-10B，現(xiàn)在將描述信號檢測器400的范例實施方式。圖7說明了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的信號檢測器400的范例實施方式。在該范例實施方式中，信號檢測器400包括電觸頭700且電觸頭700被配置在空腔702內(nèi)。電觸頭700的上端被配置在孔402中，因此電觸頭700的上端與HER 128的底表面404接觸并電連接。HER 1 的電勢由電信號308傳送到信號檢測器400。圖8說明了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的信號檢測器400的另一范例實施方式。在該范例實施方式中，信號檢測器400包括電觸頭700、電阻器800和電觸頭802， 它們?nèi)勘慌渲迷诳涨?04內(nèi)。電觸頭700的下端電連接于電阻器800。電阻器800又電連接于電觸頭802的上端。HER 1 的電勢通過電信號308傳送到信號檢測器400。進一步參照圖3，電阻器800阻止由于阻抗匹配電路116與晶片處理腔122之間阻抗不匹配而可能形成的電弧。尤其在系統(tǒng)轉(zhuǎn)換期間，在阻抗匹配電路116與晶片處理腔 122之間可能會出現(xiàn)寄生(spurious)阻抗差。阻抗不匹配的這些階段可以在晶片處理腔 122內(nèi)引起不想要的電弧作用。電阻器800降低了阻抗匹配電路116與晶片處理腔122之間阻抗差的幅度。圖9說明了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的信號檢測器400的另一范例實施方式。在該范例實施方式中，信號檢測器400包括電觸頭700、電阻器800、電觸頭802和電介質(zhì)隔片900，它們?nèi)勘慌渲迷诳涨?02內(nèi)。電介質(zhì)隔片900被配置為鄰近電阻器800。 電介質(zhì)隔片900充當散熱器吸收來自電阻器800的熱。電介質(zhì)隔片900與電阻器800相比應(yīng)該具有低的介電常數(shù)值以提供高阻抗。這樣相對高的阻抗會將電信號通過電介質(zhì)隔片900的傳送最小化并會將電信號通過電阻器800的傳送最大化。同時顯示低的介電常數(shù)與出色的熱傳導性的材料的非限制范例是石英。圖IOA與IOB說明了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的信號檢測器400的另一范例實施方式。特別是，圖IOA說明了當HER 1 被配置在陶瓷耦合環(huán)314上時信號檢測器400的第一狀態(tài)，而圖IOB則說明了當HER 1 從陶瓷耦合環(huán)314分離時信號檢測器400的第二狀態(tài)。在該范例實施方式中，信號檢測器400包括彈簧承載(spring-loaded)的觸頭 1000、電阻器800、電觸頭802和電介質(zhì)隔片900，它們都被配置在空腔1002內(nèi)。彈簧承載的觸頭1000的上端被配置在孔402處，因此彈簧承載的觸頭1000的上端就與HER 128的底表面404接觸并電連接。彈簧承載的觸頭1000的下端電連接于電阻器800。電阻器800 又電連接于電觸頭802的上端。HER 1 的電勢通過電信號308傳送到信號檢測器400。圖IOA說明了在晶片處理系統(tǒng)300的運行時期t。p內(nèi)信號檢測器400的運行。在運行時期t。p內(nèi)，HER 128的底表面404位于陶瓷耦合環(huán)314的頂表面406上，迫使彈簧承載的觸頭1000收縮。相應(yīng)地，信號檢測器400就能檢測來自HER 1 的信號。HER 1 可以具有運行壽命，其中HER 1 將會在預(yù)定的可接受的閾值參數(shù)內(nèi)起作用。然而在運行壽命之后，HER 1 就可能由于暴露于晶片處理系統(tǒng)300內(nèi)的等離子體導致的磨損而不能在預(yù)定的可接受的閾值參數(shù)內(nèi)起作用。相應(yīng)地，在運行壽命之后，HER 128 可能需要被移除并被替換為新的HER。在需要移除HER 1 的情況下，可以從陶瓷耦合環(huán) 314卸下HER 128。這將參照圖IOB在下面進行更詳細的描述。圖IOB說明了在晶片處理系統(tǒng)300非運行時期tn_p內(nèi)信號檢測器400的配置。在非運行時期tn_p內(nèi)，晶片處理系統(tǒng)300被關(guān)閉且信號檢測器400不檢測來自HER 128的信號。HER 1 可以從陶瓷耦合環(huán)314卸下，其中可以將HER 1 的底表面從陶瓷耦合環(huán)314 的頂表面406分離，這樣就使彈簧承載的觸頭1000從HER 1 分離了。如圖IOB所示，當HER 128從陶瓷耦合環(huán)314被分離時，HER 128將不斷被卸離陶瓷耦合環(huán)314以便空間1004會不斷增加且彈簧承載的觸頭1000會延伸通過孔402。在某個時間，彈簧承載的觸頭1000將停止通過孔402延伸。此后，HERU8被繼續(xù)舉起遠離陶瓷耦合環(huán)314并且空間1004繼續(xù)擴大，彈簧承載的觸頭1000將不再連接HER 128。在這種狀態(tài)下，彈簧承載的觸頭1000不接觸HER 128并不為來自HER 128的電勢提供電通路。一旦HER 1 被移除，就可以用新的HER替換HER 128。起初，彈簧承載的觸頭 1000將不與新的HER接觸并不會為來自新HER的電勢提供電通路。當新的HER不斷被移向陶瓷耦合環(huán)314且空間1004不斷減小時，彈簧承載的觸頭1000將最終接觸新的HER。新的 HER將不斷被移向陶瓷耦合環(huán)314，以便空間1004將不斷減小且彈簧承載的觸頭1000將向下壓縮到孔402中。新的HER最終將被配置到陶瓷耦合環(huán)314上，這樣新的HER的底表面將位于陶瓷耦合環(huán)314的頂表面406上。在此情況下，新的HER的底表面將保持與彈簧承載的觸頭1000的接觸。然后可以打開晶片處理系統(tǒng)300且信號檢測器400接著可以檢測來自新安裝的HER的信號。圖IOA與IOB所示范例實施方式的好處是，彈簧承載的觸頭1000的長度不需要像上面參照圖7-9討論的觸頭的長度那樣精確。特別地，上面參照圖7-9討論的觸頭應(yīng)當足夠長以通過孔402接觸HER 128的底表面404。然而，上面參照圖7-9討論的觸頭不應(yīng)該長到損壞HER 1 的底表面404。但是，就彈簧承載的觸頭1000而言，彈簧承載的觸頭1000的長度可以伸長和收縮以保持與HER 1 底表面404的接觸而不損壞HER 1 的底表面404。上面討論的范例實施方式中，由配置在陶瓷耦合環(huán)內(nèi)的檢測器通過接觸HER底表面來檢測HER的參數(shù)。在其他實施方式中，檢測器沒有設(shè)置在陶瓷耦合環(huán)內(nèi)，但被設(shè)置為不暴露于等離子體形成容積空間來檢測HER的參數(shù)。這樣實施方式的非限制性范例包括其中檢測器被配置在HER內(nèi)且不暴露于等離子體形成容積空間的實施方式。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，HER被用作檢測晶片處理系統(tǒng)中晶片電勢的檢測系統(tǒng)的一部分。相應(yīng)地，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，不再需要暴露于等離子體的探針，因而降低了運行和維護成本。為了說明和描述的目的，已經(jīng)提供了前面的描述的本發(fā)明的各種優(yōu)選實施方式。 但并不意圖將其窮盡或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的形式，顯然根據(jù)上述教導許多修改或變化也是可行的。選擇并描述上述優(yōu)選實施方式是為了最好地解釋本發(fā)明的原理與其實際應(yīng)用，由此使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員以各種實施方式最佳地利用本發(fā)明并為達到預(yù)期的特定用途而做出各種修改。本發(fā)明的保護范圍將由這里所附的權(quán)利要求確定。
權(quán)利要求
1.一種在具有等離子體形成容積空間和熱緣環(huán)的晶片處理腔中使用的裝置，所述熱緣環(huán)具有第一表面與第二表面，所述第一表面與所述等離子體形成容積空間接觸，所述第二表面與所述等離子體形成容積空間不接觸，所述裝置包括檢測器，其可操作地接觸所述熱緣環(huán)的所述第二表面，其中所述檢測器可操作地檢測所述熱緣環(huán)的參數(shù)并基于所檢測到的所述參數(shù)提供檢測到的信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進一步包括耦合環(huán)，其可操作地接觸所述熱緣環(huán)的所述第二表面，所述耦合環(huán)中具有空腔，所述空腔具有面向所述熱緣環(huán)的所述第二表面的開口，其中所述檢測器被配置在所述空腔內(nèi)并被設(shè)置為與所述熱緣環(huán)的所述第二表面接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進一步包括輸出部分，其可操作地基于所述檢測到的信號提供輸出信號；及電阻器，其被配置在所述檢測器與所述輸出部分之間并與所述檢測器和所述輸出部分串聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，進一步包括配置為與所述電阻器接觸的散熱器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述散熱器包括石英。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述檢測器包括銦。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述檢測器包括偏置部分與接觸部分，且其中所述偏置部分可操作地提供靠壓所述接觸部分的偏置力以保持所述接觸部分與所述熱緣環(huán)的所述第二表面接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述偏置部分包括螺旋彈簧。
9.一種在具有等離子體形成容積空間和熱緣環(huán)的晶片處理腔中測量晶片電勢的方法， 所述熱緣環(huán)具有第一表面與第二表面，所述第一表面與所述等離子體形成容積空間接觸， 所述第二表面與所述等離子體形成容積空間不接觸，所述方法包括使所述熱緣環(huán)的所述第二表面與檢測器接觸；使用所述檢測器檢測所述熱緣環(huán)的參數(shù)；基于所檢測到的所述參數(shù)提供檢測到的信號；以及基于所述檢測到的信號測量晶片電勢。
全文摘要
一種在具有等離子體形成容積空間和熱緣環(huán)的晶片處理腔中使用的裝置。所述熱緣環(huán)具有第一表面與第二表面。所述第一表面與所述等離子體形成容積空間接觸。所述第二表面不與所述等離子體形成容積空間接觸。所述裝置包括可操作地連接所述熱緣環(huán)的所述第二表面的檢測器。所述檢測器能檢測所述熱緣環(huán)的參數(shù)并能基于測得的參數(shù)提供檢測到的信號。
文檔編號H01L21/66GK102484062SQ201080036933
公開日2012年5月30日 申請日期2010年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月21日
發(fā)明者康斯坦丁·莫格拉喬夫, 約翰·瓦爾庫 申請人:朗姆研究公司