專(zhuān)利名稱(chēng)：一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及到一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，屬于半導(dǎo)體二極管制作技術(shù) 領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
瞬態(tài)電壓抑制二極管是一種高效能的電路保護(hù)器件。近年來(lái)，航空、航天用電子元 器件朝著小型化方向發(fā)展，原有的金屬封裝、玻璃鈍化封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管已不能滿(mǎn) 足要求，要求有體積更小的瞬態(tài)電壓抑制二極管以滿(mǎn)足電子設(shè)備小型化的要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于，提供一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，以縮小硅雙向瞬 態(tài)電壓抑制二極管的體積、便于工程安裝，從而克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣構(gòu)成的本實(shí)用新型的一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二 極管，包括管殼，管殼內(nèi)設(shè)有芯片，芯片的一個(gè)N區(qū)直接與A極連接，芯片的另一個(gè)N區(qū)經(jīng)連 接片與B極連接。前述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管中，所述管殼與A極和B極之間均設(shè)有絕緣體， A極與B極之間也設(shè)有絕緣體。前述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管中，所述管殼上設(shè)有蓋板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型采用貼片式封裝，具有體積小，重量輕、瞬間吸收功 率大及可靠性高的特點(diǎn)。隨著武器裝備系統(tǒng)向著小型化、智能化方向發(fā)展，具有更小體積和 更便于安裝的表貼類(lèi)瞬態(tài)電壓抑制二極管有更好的發(fā)展前景；并且該器件在研制過(guò)程中采 用了非常先進(jìn)的平行縫焊封裝技術(shù)，使得器件內(nèi)部氣氛能夠控制在更低的水平，很好的提 升的器件的使用壽命，具有更好的可靠性。

圖1是本實(shí)用新型芯片的結(jié)構(gòu)示意圖圖2是本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中的標(biāo)記為1-管殼，2-芯片，3-A極，4-連接片，5-B極，6-絕緣體，7-蓋板。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，但不作為對(duì)本實(shí)用新 型的任何限制。本實(shí)用新型的實(shí)施例本實(shí)用新型的一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，其結(jié)構(gòu)示 意圖如圖1和圖2所示，該硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管包括管殼1，制作時(shí)，在管殼1內(nèi)設(shè) 有芯片2，將芯片2的一個(gè)N區(qū)直接與A極3連接，芯片1的另一個(gè)N區(qū)經(jīng)連接片4與B極 5連接；在管殼1與A極3和B極5之間均設(shè)有絕緣體6，在A極與B極之間也設(shè)有絕緣體6 ；然后再管殼1上安裝上蓋板7即成。本實(shí)用新型的一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法是在P型硅片兩面擴(kuò) 散出兩個(gè)N區(qū)，在兩個(gè)N區(qū)表面鍍鎳，劃片后得正六邊形芯片，將芯片封裝在管殼內(nèi)，引出電 極得硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管。所述擴(kuò)散采用擴(kuò)散臺(tái)面工藝進(jìn)行磷擴(kuò)散。所述P型硅片 為P型無(wú)錯(cuò)位硅單晶片，電阻率在0. 09 0. 15 Ω . cm之間，厚度在290 310 μ m之間。所 述N區(qū)厚度在40 50 μ m之間。所述N區(qū)表面噴砂后鍍鎳。所述正六邊形的頂角為3mm。 所述封裝采用貼片式封裝。本實(shí)用新型的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管型號(hào)為SY023型，屬瞬態(tài)電壓保護(hù)器， 在整機(jī)中做過(guò)壓保護(hù)用，其技術(shù)指標(biāo)要求瞬間吸收功率大、反向漏電流小，外形需采用 YE0-01A (SMD-0. 5)貼片式封裝，其外形尺寸較小，綜合產(chǎn)品特點(diǎn)和我廠實(shí)際生產(chǎn)情況，我們 采用了擴(kuò)散工藝制作PN結(jié)。該器件為雙向器件，要求擊穿電壓V (BE) :37V 40. 3V，電壓一 致性要求高，反向漏電流Ik彡3μΑ，ΙΡ=9. 9Α, Vc ^ 53. 3V。瞬態(tài)電壓抑制器的特點(diǎn)是在規(guī)定的反向應(yīng)用條件下，當(dāng)承受一個(gè)高能量的瞬時(shí)過(guò) 壓脈沖時(shí)，其工作阻抗能立即降至很低的導(dǎo)通值，允許大電流通過(guò)，并將電壓箝制到預(yù)定水 平，從而有效地保護(hù)電子線(xiàn)路中的精密元器件免受損壞。根據(jù)器件的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮 瞬時(shí)大能量的吸收問(wèn)題。當(dāng)器件管芯尺寸選定后，如何降低瞬態(tài)熱阻是提高器件瞬態(tài)脈沖 功率的關(guān)鍵。根據(jù)瞬態(tài)熱阻公式
權(quán)利要求1.一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，包括管殼(1)，其特征在于在管殼(1)內(nèi)設(shè)有芯 片(2)，芯片(2)的一個(gè)N區(qū)直接與A極(3)連接，芯片(2)的另一個(gè)N區(qū)經(jīng)連接片(4)與B 極(5)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于所述管殼(1)與A 極(3 )和B極(5 )之間均設(shè)有絕緣體(6 )，A極與B極之間也設(shè)有絕緣體(6 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于所述管殼(1)上設(shè) 有蓋板(7)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，包括管殼(1)，在管殼(1)內(nèi)設(shè)有芯片(2)，芯片(2)的一個(gè)N區(qū)直接與A極(3)連接，芯片(1)的另一個(gè)N區(qū)經(jīng)連接片(4)與B極(5)連接。本實(shí)用新型采用貼片式封裝，具有體積小，重量輕、瞬間吸收功率大及可靠性高的特點(diǎn)。隨著武器裝備系統(tǒng)向著小型化、智能化方向發(fā)展，具有更小體積和更便于安裝的表貼類(lèi)瞬態(tài)電壓抑制二極管有更好的發(fā)展前景；并且該器件在研制過(guò)程中采用了非常先進(jìn)的平行縫焊封裝技術(shù)，使得器件內(nèi)部氣氛能夠控制在更低的水平，很好的提升的器件的使用壽命，具有更好的可靠性。
文檔編號(hào)H01L21/329GK201877435SQ20102064404
公開(kāi)日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2010年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月7日
發(fā)明者吳貴松, 周廷榮, 周鵬 申請(qǐng)人:中國(guó)振華集團(tuán)永光電子有限公司