專利名稱：半導(dǎo)體芯片分離裝置及半導(dǎo)體芯片分離方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片分離裝置及半導(dǎo)體芯片分離方法，尤其涉及薄半導(dǎo)體芯片的分離裝置與分離方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體封裝工藝中，包含多個裸片(dice)的半導(dǎo)體晶片通常通過粘著層，例如，聚脂薄膜(mylar film)而設(shè)置于晶片環(huán)(wafer ring)上以方便后續(xù)的切割工藝 (dicing process)而使裸片彼此分離。切割工藝之后，將裸片從粘著層中逐個拾取，并可根據(jù)不同的應(yīng)用而置放在其他的裸片、導(dǎo)線架、層狀基底、或其他載體之上。為了自動拾取所切割的裸片，采用裸片分離系統(tǒng)(dieejection system)。為了避免裸片爆裂的危險，在通過拾取頭進(jìn)行裸片的整體移除之前，將裸片從粘著層上進(jìn)行部分分離是有益的。因此，裸片分離系統(tǒng)通常具有裸片分離銷(ejector pins)，用于從粘著層貼合裸片的粘著面的相對另一面提升裸片，以使粘著層與裸片彼此至少部分分離。其后，以拾取頭吸取裸片而自粘著層完全分離該裸片。然而，傳統(tǒng)的裸片分離銷僅適用于厚度較厚的裸片(或芯片)，例如厚度大于 300 μ m的裸片。對于厚度較薄的裸片(例如，介于約100 μ m至約300 μ m之間)，傳統(tǒng)的裸片分離銷可能會對厚度較薄的裸片造成損壞。這是因為厚度較薄的裸片強度較低，傳統(tǒng)的裸片分離銷可能會對于裸片的表面造成過大的應(yīng)力。嚴(yán)重時，可能造成裸片破裂。因此，業(yè)界急需能順利分離粘著層與裸片的裝置及其方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明一實施例提供一種半導(dǎo)體芯片分離裝置，用以使貼附于一粘著層上一半導(dǎo)體芯片與該粘著層分離，包括一基座，用以承載該粘著層及該半導(dǎo)體芯片，該基座具有至少一開口，露出該半導(dǎo)體芯片下方的部分的該粘著層；至少一中間上頂部件，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片的一中間區(qū)域正下方的該粘著層之下，該中間上頂部件用于將該半導(dǎo)體芯片向上頂起以使該半導(dǎo)體芯片與該粘著層至少部分分離；以及一周邊上頂部件，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片的一周邊區(qū)域正下方的該粘著層之下，該周邊區(qū)域圍繞該中間區(qū)域，且該周邊上頂部件圍繞該中間上頂部件，該周邊上頂部件用于將該半導(dǎo)體芯片向上頂起以使該半導(dǎo)體芯片與該粘著層至少部分分離。本發(fā)明一實施例提供一種半導(dǎo)體芯片分離方法，用于使貼附于一粘著層上一半導(dǎo)體芯片與該粘著層分離，包括提供一基座，該基座具有至少一開口，該粘著層及該半導(dǎo)體芯片設(shè)置于該基座之上，且該開口露出該半導(dǎo)體芯片下方的部分的該粘著層；提供一中間上頂部件，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片的一中間區(qū)域正下方的該粘著層之下；提供至少一周邊上頂部件，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片的一周邊區(qū)域正下方的該粘著層之下，該周邊區(qū)域圍繞該中間區(qū)域，且該周邊上頂部件圍繞該中間上頂部件；使該中間上頂部件將該半導(dǎo)體芯片向上頂起以使該半導(dǎo)體芯片與該粘著層至少部分分離；以及使該周邊上頂部件將該半導(dǎo)體芯片向上頂起以使該半導(dǎo)體芯片與該粘著層至少部分分離。本發(fā)明可分散半導(dǎo)體芯片所感受到的應(yīng)力，使受力均勻分布，有效避免半導(dǎo)體芯片于自粘著層分離的工藝中受到損壞。


圖IA-圖IB顯示發(fā)明人所知的一種半導(dǎo)體芯片分離裝置的剖面示意圖。圖IC顯示發(fā)明人所知的一種半導(dǎo)體芯片分離裝置的局部俯視圖。圖2A顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的局部俯視圖。圖2B顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的剖面圖。圖3顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片的剖面圖。圖4A顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的局部俯視圖。圖4B顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的剖面圖。圖5A-圖5E顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的一系列操作剖面圖。圖6A顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的局部俯視圖。圖6B顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的剖面圖。圖7A顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的局部俯視圖。圖7B顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的剖面圖。圖8顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的剖面圖。圖9顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的剖面圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下10、20、40、60、70、80、90 芯片分離裝置；100、200、400 基座；102,202,402 粘著層；104、204、404 芯片；404a 導(dǎo)電凸塊；106、206a、206b、406a、406bl、406b2、406b3、406b4、406b5 開口 ；108 分離銷；208a、408a 中間上頂部件；
208b、408bl、408b2、408b3、408b4、408b5 周邊上頂部件；302 絕緣層；304 導(dǎo)電材料；306 穿孑L ；f 吸力；W1、W2 寬度。
具體實施例方式以下，將詳細(xì)討論本發(fā)明實施例的形成與使用方式。然而應(yīng)注意的是，實施例提供許多可應(yīng)用于廣泛應(yīng)用面的發(fā)明特點。所討論的特定實施例僅為舉例說明制作與使用本發(fā)明實施例的特定方式，不可用以限制本發(fā)明實施例的范圍。
此外，在不同實施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)記或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不一定代表所討論的不同實施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。另外，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。且在附圖中，實施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，以簡化或是方便標(biāo)示。另外，圖中未示出或描述的元件，為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知的形式。圖IA-圖IB顯示發(fā)明人所知的一種半導(dǎo)體芯片分離裝置的剖面示意圖。圖IC顯示發(fā)明人所知的一種半導(dǎo)體芯片分離裝置的局部俯視圖。然而，應(yīng)注意的是，其并非為用以判定本發(fā)明的可專利性的公知技術(shù)，僅用以顯示發(fā)明人所發(fā)現(xiàn)的問題。請參照圖1A，在芯片分離裝置10中，基座100上設(shè)置有粘著層102及半導(dǎo)體芯片 104(或裸片)。基座100具有多個開口 106，露出半導(dǎo)體芯片104下方的粘著層102。芯片分離裝置10還包括分離銷108，用以將半導(dǎo)體芯片104向上頂起以使半導(dǎo)體芯片104與粘著層102至少部分分離。如圖IB所示，在分離銷108向上頂起半導(dǎo)體芯片104時，可同時通過設(shè)置于基座 100下的真空系統(tǒng)(未顯示)對粘著層102提供向下吸力f，可進(jìn)一步促使粘著層102與半導(dǎo)體芯片104分離。圖IC顯示芯片分離裝置10的局部俯視圖，其中半導(dǎo)體芯片104及粘著層102未于附圖中繪出以方便辨識。如圖IC所示，分離銷108通過基座100的開口 106而向上伸出。伸出的分離銷108可將其正上方的粘著層102與半導(dǎo)體芯片104頂起，由于另一部分的粘著層102(未與分離銷108接觸的部分)仍貼覆或被吸附于基座100上，因此粘著層102 與半導(dǎo)體芯片104可彼此分離。芯片分離裝置10適于較厚芯片或裸片的分離取出工藝，例如為厚度大于約300 μ m的芯片。然而，對于厚度較薄的裸片(例如，介于約100 μ m至約 300 μ m之間)，芯片分離裝置10可能會對厚度較薄的裸片造成損壞。這是因為厚度較薄的裸片強度較低，分離銷108可能會對于芯片的表面造成過大的應(yīng)力而使芯片破裂。尤其，對于具有穿硅導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(TSV)的芯片而言，其厚度因薄化工藝而較薄，且穿硅導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(TSV) 的穿孔將使芯片的強度下降，更容易在芯片分離工藝中受到分離銷108的傷害。為改善上述問題，本發(fā)明一實施例提供一種半導(dǎo)體芯片分離裝置，可避免較薄及/ 或較脆弱的芯片受損。以下，將配合

本發(fā)明實施例。圖2A顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置20的局部俯視圖。圖2B顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置 20的剖面圖。請同時參照圖2A及圖2B，在一實施例中，半導(dǎo)體芯片分離裝置20包括基座200， 用以承載粘著層202及貼附于粘著層202上的半導(dǎo)體芯片204。在一實施例中，半導(dǎo)體芯片的厚度介于(但不限于)約IOOym至約300 μ m之間。在另一實施例中，半導(dǎo)體芯片204 包括穿硅導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(TSV)，其例如具有圖3所示的結(jié)構(gòu)。圖3顯示本發(fā)明一實施例的具有穿硅導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片204的剖面圖。如圖 3所示，半導(dǎo)體芯片204包括貫穿半導(dǎo)體芯片204的穿孔306，且穿孔306中填充有導(dǎo)電材料304。導(dǎo)電材料304與半導(dǎo)體芯片204之間可隔有絕緣層302。具有穿硅導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片204 —般需薄化，且結(jié)構(gòu)強度較低。請繼續(xù)參照圖2A及圖2B，基座200具有至少一開口，露出半導(dǎo)體芯片204下方的部分的粘著層202。在此實施例中，基座200具有開口 206a及開口 206b。開口 206a位于半導(dǎo)體芯片204的中間區(qū)域之下，而開口 206b位于半導(dǎo)體芯片204的周邊區(qū)域之下。在圖 2的實施例中，開口 206b為一溝槽，其圍繞一矩形區(qū)域。在其他實施例中，開口 206b不限于圍繞一矩形區(qū)域，例如其可圍繞一圓形或橢圓形區(qū)域。半導(dǎo)體芯片分離裝置20包括中間上頂部件208a，其設(shè)置于半導(dǎo)體芯片204的中間區(qū)域正下方的粘著層202之下。中間上頂部件208a可依需求上升或下降至特定高度。中間上頂部件208a可向上升高而穿越開口 206a，可用于將半導(dǎo)體芯片204向上頂起以使半導(dǎo)體芯片204與粘著層202至少部分分離。與半導(dǎo)體芯片分離裝置10相似，半導(dǎo)體芯片分離裝置20可選擇性包括一真空系統(tǒng)(未顯示)，用以對粘著層202提供一向下吸力，使半導(dǎo)體芯片204與粘著層202的分離更為容易。在一實施例中，中間上頂部件208a的頂端為球狀結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體芯片分離裝置20還包括至少一周邊上頂部件208b，其設(shè)置于半導(dǎo)體芯片 204的周邊區(qū)域正下方的粘著層202之下。半導(dǎo)體芯片204的周邊區(qū)域圍繞半導(dǎo)體芯片204 的中間區(qū)域。而且，周邊上頂部件208b大抵圍繞中間上頂部件208a。如圖2A所示，周邊上頂部件208b的周邊圍出一矩形。應(yīng)注意的是，此處的“大抵圍繞”指本發(fā)明實施例的周邊上頂部件不限定為密閉式地圍繞其中的較內(nèi)圍的周邊上頂部件及中間上頂部件。在其他實施例中，周邊上頂部件可能具有一些缺口而未完全將較內(nèi)圍的周邊上頂部件及中間上頂部件圍繞于其中。此外，應(yīng)注意的是，周邊上頂部件208b的輪廓可視需求而自由設(shè)計，不限定為矩形輪廓。在其他實施例中，周邊上頂部件208b的周邊可圍出圓形、橢圓形、或多邊形等。在圖2的實施例中，半導(dǎo)體芯片204的一寬度Wl大于周邊上頂部件208b的一最大寬度W2。然而應(yīng)注意的是，在其他實施例中，半導(dǎo)體芯片204的寬度Wl可大抵等于周邊上頂部件208b 的最大寬度W2。相似地，周邊上頂部件208b可依需求上升或下降至特定高度。周邊上頂部件208b 可向上升高而穿越開口 206b，可用于將半導(dǎo)體芯片204向上頂起以使半導(dǎo)體芯片204與粘著層202至少部分分離。如上所述，周邊上頂部件208b的輪廓可視需求而作改變或潤飾。因此，開口 206b 的形狀、位置、及尺寸也可隨之調(diào)整，以方便周邊上頂部件208b可順利向上升高而穿越開口 206b，并將半導(dǎo)體芯片204頂起。在圖2的實施例中，使半導(dǎo)體芯片204與粘著層202至少部分分離的步驟可包括以中間上頂部件208a及周邊上頂部件208b同時將半導(dǎo)體芯片204向上頂起。接著，以上頂部件208a更進(jìn)一步將半導(dǎo)體芯片204向上頂起而使之與粘著層202至少部分分離。由于本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體芯片封裝裝置通過“環(huán)形”的上頂部件的輔助而將半導(dǎo)體芯片推起，可分散半導(dǎo)體芯片所感受到的應(yīng)力，并可使受力均勻分布，有效避免半導(dǎo)體芯片于自粘著層分離的工藝中受到損壞。圖4A顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置40的局部俯視圖。圖4B顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置40的剖面圖。請同時參照圖4A及圖4B，在一實施例中，半導(dǎo)體芯片分離裝置40包括基座400， 用以承載粘著層402及貼附于粘著層402上的半導(dǎo)體芯片404。在一實施例中，半導(dǎo)體芯片404的厚度介于(但不限于)約IOOym至約300 μ m之間。在另一實施例中，半導(dǎo)體芯片404包括穿硅導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(TSV)，其例如具有圖3所示的結(jié)構(gòu)。請繼續(xù)參照圖4A及圖4B，基座400具有至少一開口，露出半導(dǎo)體芯片404下方的部分的粘著層402。在此實施例中，基座400具有開口 406a及開口 406bl 406b5。開口 406a位于半導(dǎo)體芯片404的中間區(qū)域之下，而開口 406b 1 406b5位于半導(dǎo)體芯片404的周邊區(qū)域之下。在圖4的實施例中，開口 406bl 406 為多個溝槽，其分別圍繞矩形區(qū)域。 在其他實施例中，開口 406bl 406 不限于圍繞矩形區(qū)域，例如其可圍繞圓形或橢圓形區(qū)域。半導(dǎo)體芯片分離裝置40包括中間上頂部件408a，其設(shè)置于半導(dǎo)體芯片404的中間區(qū)域正下方的粘著層402之下。中間上頂部件408a可依需求上升或下降至特定高度。中間上頂部件408a可向上升高而穿越開口 406a，可用于將半導(dǎo)體芯片404向上頂起以使半導(dǎo)體芯片404與粘著層402至少部分分離。與半導(dǎo)體芯片分離裝置10相似，半導(dǎo)體芯片分離裝置40可選擇性包括一真空系統(tǒng)(未顯示)，用以對粘著層402提供一向下吸力，使半導(dǎo)體芯片404與粘著層402的分離更為容易。在一實施例中，中間上頂部件408a的頂端為球狀結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體芯片分離裝置40還包括至少一周邊上頂部件，其設(shè)置于半導(dǎo)體芯片404的周邊區(qū)域正下方的粘著層402之下。半導(dǎo)體芯片404的周邊區(qū)域圍繞半導(dǎo)體芯片404的中間區(qū)域。而且，周邊上頂部件大抵圍繞中間上頂部件408a。在圖4的實施例中，半導(dǎo)體芯片分離裝置40包括多個周邊上頂部件408bl 408b5。這些周邊上頂部件中的其中一較外圍的周邊上頂部件(例如，周邊上頂部件408 )大抵圍繞這些周邊上頂部件中的其中一較內(nèi)圍的周邊上頂部件(例如，周邊上頂部件408b4 408bl)及中間上頂部件408a。應(yīng)注意的是，此處的“大抵圍繞”指本發(fā)明實施例的周邊上頂部件不限定為密閉式地圍繞其中的較內(nèi)圍的周邊上頂部件及中間上頂部件。在其他實施例中，周邊上頂部件可能具有一些缺口而未完全將較內(nèi)圍的周邊上頂部件及中間上頂部件圍繞于其中。如圖4A所示，周邊上頂部件408b 1 408b5的周邊分別圍出矩形。然而應(yīng)注意的是，周邊上頂部件408bl 40油5的輪廓可視需求而分別自由設(shè)計，不限定為矩形輪廓。在其他實施例中，周邊上頂部件408bl 408b5的周邊可圍出圓形、橢圓形、或多邊形等。在圖4的實施例中，半導(dǎo)體芯片404的一寬度Wl大于周邊上頂部件中的一最大寬度W2。然而應(yīng)注意的是，在其他實施例中，半導(dǎo)體芯片404的寬度Wl可大抵等于周邊上頂部件408b的最大寬度W2。相似地，周邊上頂部件408bl 40油5可依需求上升或下降至特定高度。周邊上頂部件408bl 40油5可向上升高而分別穿越開口 406bl 406b5，可用于將半導(dǎo)體芯片 404向上頂起以使半導(dǎo)體芯片404與粘著層402至少部分分離。如上所述，周邊上頂部件408bl 40油5的輪廓可視需求而作改變或潤飾。因此， 開口 406bl 406b5的形狀、位置、及尺寸也可隨之調(diào)整，以方便周邊上頂部件408bl 408b5可順利向上升高而分別穿越開口 406b 1 406b5，并將半導(dǎo)體芯片404頂起。在圖4的實施例中，使半導(dǎo)體芯片204與粘著層202至少部分分離的步驟可以圖 5A-圖5E的半導(dǎo)體芯片分離裝置40的一系列操作剖面圖作說明，其中為簡化附圖，未于附圖中繪出基座400。如圖5A-圖5E所示，使半導(dǎo)體芯片404與粘著層402至少部分分離的步驟可包括以中間上頂部件408a及這些周邊上頂部件(例如，408bl 408b3)同時將半導(dǎo)體芯片404 向上頂起，如圖5A-圖5B所示。此時，半導(dǎo)體芯片404的外緣已開始逐漸與粘著層402分離，如圖5B所示。接著，如圖5C所示，以較內(nèi)圍的周邊上頂部件(例如，408bl 408b2)及中間上頂部件GOSa)更進(jìn)一步將半導(dǎo)體芯片404向上頂起。此時，半導(dǎo)體芯片404進(jìn)一步與粘著層 402分離。接著，如圖5D所示，持續(xù)以更內(nèi)圍的周邊上頂部件(例如，408bl)及中間上頂部件 (408a)再更進(jìn)一步將半導(dǎo)體芯片404向上頂起。此時，半導(dǎo)體芯片404更進(jìn)一步與粘著層 402分離。最后，如圖5E所示，以中間上頂部件408a再更進(jìn)一步將半導(dǎo)體芯片404向上頂起。如先前所述，在一實施例中，中間上頂部件408a的頂端可例如為球狀結(jié)構(gòu)。因此，在圖 5E的情形中，半導(dǎo)體芯片404與粘著層402之間的接觸貼合面積已很小。此時，可通過拾取裝置(例如，吸頭)而輕易地將半導(dǎo)體芯片404自粘著層402取下，并進(jìn)行后續(xù)所需的各項工藝。由于本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體芯片封裝裝置通過“環(huán)形”的上頂部件的輔助而將半導(dǎo)體芯片推起，可分散半導(dǎo)體芯片所感受到的應(yīng)力，并可使受力均勻分布，有效避免半導(dǎo)體芯片于自粘著層分離的工藝中受到損壞。在一實施例中，可增加周邊上頂部件的截面積以更進(jìn)一步減少施加于半導(dǎo)體芯片的應(yīng)力。圖6A顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置60的局部俯視圖。圖6B顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置60的剖面圖。其中，圖6的實施例與圖4的實施例相似，因而采用相同或相似的標(biāo)記標(biāo)示。圖6實施例與圖4實施例主要區(qū)別在于周邊上頂部件408bl 408b3的截面積被放大而可減少半導(dǎo)體芯片404所接收的應(yīng)力。此外，在另一實施例中，上頂部件的截面的形狀還可視需求作調(diào)整。圖7A顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置70的局部俯視圖。圖7B顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置70的剖面圖。其中，圖7的實施例與圖4的實施例相似，因而采用相同或相似的標(biāo)記標(biāo)示。圖6實施例與圖4實施例主要區(qū)別在于周邊上頂部件408bl 408b3的截面的形狀差異。圖8顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置80的剖面圖。其中，圖8的實施例與圖4的實施例相似，因而采用相同或相似的標(biāo)記標(biāo)示。在半導(dǎo)體芯片分離裝置80中， 半導(dǎo)體芯片404的寬度Wl小于周邊上頂部件的一最大寬度W2。在一實施例中，可形成如圖 8所示的半導(dǎo)體芯片分離裝置，其可適用于多種不同尺寸大小的芯片的分離工藝。此外，在一實施例中，芯片的底面具有導(dǎo)電凸塊或接墊。此時，可刻意設(shè)計上頂部件的形狀與分布，使其頂在芯片底面的導(dǎo)電凸塊或接墊上，可更進(jìn)一步減少芯片所受的應(yīng)力。圖9顯示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體芯片分離裝置的剖面圖90，其中相同或相似的元件將以相同或相似的標(biāo)記標(biāo)示。如圖9所示，半導(dǎo)體芯片404的底面上具有數(shù)個導(dǎo)電凸塊 40如。當(dāng)中間上頂部件408a與周邊上頂部件408b向上頂時，將抵住導(dǎo)電凸塊40 正下方的粘著層402。來自上頂部件的應(yīng)力將大抵由導(dǎo)電凸塊40 吸收而可進(jìn)一步避免半導(dǎo)體芯片404受損。在此情形下，周邊上頂部件408a的一周邊圍出一形狀，該形狀與半導(dǎo)體芯片 404上的多個導(dǎo)電凸塊40 (或多個接墊)所圍出的形狀相同。
由于本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體芯片封裝裝置通過“環(huán)形”的上頂部件的輔助而將半導(dǎo)體芯片推起，可分散半導(dǎo)體芯片所感受到的應(yīng)力，并可使受力均勻分布，有效避免半導(dǎo)體芯片于自粘著層分離的工藝中受到損壞。雖然本發(fā)明已以數(shù)個優(yōu)選實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片分離裝置，用以使貼附于一粘著層上一半導(dǎo)體芯片與該粘著層分離，包括一基座，用以承載該粘著層及該半導(dǎo)體芯片，該基座具有至少一開口，露出該半導(dǎo)體芯片下方的部分的該粘著層；一中間上頂部件，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片的一中間區(qū)域正下方的該粘著層之下，該中間上頂部件用于將該半導(dǎo)體芯片向上頂起以使該半導(dǎo)體芯片與該粘著層至少部分分離；以及至少一周邊上頂部件，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片的一周邊區(qū)域正下方的該粘著層之下，該周邊區(qū)域圍繞該中間區(qū)域，且該周邊上頂部件圍繞該中間上頂部件，該周邊上頂部件用于將該半導(dǎo)體芯片向上頂起以使該半導(dǎo)體芯片與該粘著層至少部分分離。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片分離裝置，其中該至少一周邊上頂部件為多個，且所述周邊上頂部件中的其中一較外圍的該周邊上頂部件圍繞所述周邊上頂部件中的其中一較內(nèi)圍的該周邊上頂部件及該中間上頂部件。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片分離裝置，其中該周邊上頂部件的一周邊圍出一矩形、一圓形、或一橢圓形。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片分離裝置，其中該中間上頂部件的一頂端為一球狀結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片分離裝置，其中該半導(dǎo)體芯片的一寬度大于或等于該周邊上頂部件的一最大寬度。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片分離裝置，其中該半導(dǎo)體芯片的一寬度小于該周邊上頂部件的一最大寬度。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片分離裝置，其中該半導(dǎo)體芯片包括一穿孔，該穿孔中填充有一導(dǎo)電材料。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片分離裝置，其中該周邊上頂部件的一周邊圍出一形狀，該形狀與該半導(dǎo)體芯片上的多個導(dǎo)電凸塊或多個接墊所圍出的形狀相同。
9.一種半導(dǎo)體芯片分離方法，用于使貼附于一粘著層上一半導(dǎo)體芯片與該粘著層分離，包括提供一基座，該基座具有至少一開口，該粘著層及該半導(dǎo)體芯片設(shè)置于該基座之上，且該開口露出該半導(dǎo)體芯片下方的部分的該粘著層；提供一中間上頂部件，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片的一中間區(qū)域正下方的該粘著層之下；提供至少一周邊上頂部件，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片的一周邊區(qū)域正下方的該粘著層之下，該周邊區(qū)域圍繞該中間區(qū)域，且該周邊上頂部件圍繞該中間上頂部件；使該中間上頂部件將該半導(dǎo)體芯片向上頂起以使該半導(dǎo)體芯片與該粘著層至少部分分離；以及使該周邊上頂部件將該半導(dǎo)體芯片向上頂起以使該半導(dǎo)體芯片與該粘著層至少部分分離。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片分離方法，其中使該半導(dǎo)體芯片與該粘著層至少部分分離的過程包括以該中間上頂部件及該周邊上頂部件同時將該半導(dǎo)體芯片向上頂起；以及在該中間上頂部件及該周邊上頂部件同時將該半導(dǎo)體芯片向上頂起之后，以該上頂部件更進(jìn)一步將該半導(dǎo)體芯片向上頂起。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片分離方法，其中該至少一周邊上頂部件為多個，且所述周邊上頂部件中的其中一較外圍的該周邊上頂部件圍繞所述周邊上頂部件中的其中一較內(nèi)圍的該周邊上頂部件及該中間上頂部件，且其中使該半導(dǎo)體芯片與該粘著層至少部分分離的過程包括以該中間上頂部件及該周邊上頂部件同時將該半導(dǎo)體芯片向上頂起；在該中間上頂部件及該周邊上頂部件同時將該半導(dǎo)體芯片向上頂起之后，以該較內(nèi)圍的該周邊上頂部件及該中間上頂部件更進(jìn)一步將該半導(dǎo)體芯片向上頂起；以及在以該較內(nèi)圍的該周邊上頂部件及該中間上頂部件更進(jìn)一步將該半導(dǎo)體芯片向上頂起之后，以該中間上頂部件再更進(jìn)一步將該半導(dǎo)體芯片向上頂起。
12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片分離方法，其中該半導(dǎo)體芯片包括一穿孔，該穿孔中填充有一導(dǎo)電材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片分離裝置及半導(dǎo)體芯片分離方法，該裝置用以使貼附于粘著層上半導(dǎo)體芯片與粘著層分離，包括基座，用以承載粘著層及半導(dǎo)體芯片，具有至少一開口露出半導(dǎo)體芯片下方的部分的粘著層；中間上頂部件，設(shè)置于半導(dǎo)體芯片的中間區(qū)域正下方的粘著層之下，用于將半導(dǎo)體芯片向上頂起以使半導(dǎo)體芯片與粘著層至少部分分離；以及至少一周邊上頂部件，設(shè)置于半導(dǎo)體芯片的周邊區(qū)域正下方的粘著層之下，周邊區(qū)域圍繞中間區(qū)域，周邊上頂部件圍繞中間上頂部件且用于將半導(dǎo)體芯片向上頂起以使半導(dǎo)體芯片與粘著層至少部分分離。本發(fā)明可分散半導(dǎo)體芯片所感受到的應(yīng)力，使受力均勻分布，有效避免半導(dǎo)體芯片于自粘著層分離的工藝中受到損壞。
文檔編號H01L21/00GK102254787SQ201010185509
公開日2011年11月23日 申請日期2010年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月21日
發(fā)明者余振華, 施應(yīng)慶, 林俊成, 邱文智, 鄭心圃 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司