專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各方面總的來說涉及半導(dǎo)體裝置，具體地說涉及具有多芯片封裝結(jié)構(gòu)的 半導(dǎo)體裝置以及用于控制該半導(dǎo)體裝置的方法。
背景技術(shù)：
通常，以包括至少兩個(gè)芯片的多芯片封裝的形式來使用半導(dǎo)體裝置，以提高集成效率。在多芯片封裝中，利用諸如金屬線、焊線以及穿透硅通孔的信號(hào)傳輸元件來連接 多個(gè)芯片，使得可以在芯片之間進(jìn)行信號(hào)傳輸。在半導(dǎo)體裝置中，重要的是實(shí)施上電控制、或?qū)Υ_定源電壓是否達(dá)到一電平進(jìn)行 控制，該電平能夠執(zhí)行半導(dǎo)體裝置的正常操作、從而允許適當(dāng)?shù)貓?zhí)行各種功能。在具有多芯片封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，利用信號(hào)傳輸元件電連接各種芯片。當(dāng) 構(gòu)成各芯片的器件的操作特性不同時(shí)，可能形成異常的電流路徑，使得電流消耗增大，且整 個(gè)多芯片封裝的可靠性可由于多個(gè)芯片中的某個(gè)芯片的錯(cuò)誤操作而降低。這種情況可導(dǎo)致 多種問題。因此，現(xiàn)有技術(shù)中需要發(fā)展穩(wěn)定和有效的上電控制的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，需要一種改進(jìn)的半導(dǎo)體裝置以及用于控制該半導(dǎo)體裝置的方法，該半導(dǎo)體 裝置可以防止異常電流路徑的形成以及防止芯片在異常電源狀態(tài)下操作。本發(fā)明的實(shí)施例可提供一種包括芯片的半導(dǎo)體裝置，所述芯片包括上電信號(hào)發(fā) 生部分，配置成產(chǎn)生上電信號(hào)；驅(qū)動(dòng)器，配置成驅(qū)動(dòng)并輸出上電信號(hào)；以及主電路塊，配置 成響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)器的輸出，執(zhí)行預(yù)定功能；其中，通過可斷開元件連接驅(qū)動(dòng)器的輸入端和上電 信號(hào)發(fā)生部分。本發(fā)明的另一實(shí)施例可提供一種半導(dǎo)體裝置，包括主芯片，配置成產(chǎn)生第一上電 信號(hào)，并且響應(yīng)于檢測信號(hào)，將第一上電信號(hào)去激活；以及從芯片，配置成產(chǎn)生第二上電信 號(hào)，并且在檢測到第二上電信號(hào)的去激活之后，產(chǎn)生檢測信號(hào)。本發(fā)明的另一實(shí)施例可提供一種半導(dǎo)體裝置，包括主芯片，配置成產(chǎn)生第一上電 信號(hào)，并且響應(yīng)于多個(gè)檢測信號(hào)，將第一上電信號(hào)去激活；以及多個(gè)從芯片，配置成分別產(chǎn) 生第二上電信號(hào)，并且通過分別檢測第二上電信號(hào)的去激活，分別產(chǎn)生所述多個(gè)檢測信號(hào)。本發(fā)明的另一實(shí)施例可提供一種半導(dǎo)體裝置，包括主芯片，配置成產(chǎn)生第一上電 信號(hào)，并且響應(yīng)于檢測信號(hào)，將第一上電信號(hào)去激活；以及從芯片，配置成產(chǎn)生第二上電信號(hào)，并且在檢測到第二上電信號(hào)的去激活之后，產(chǎn)生檢測信號(hào)；第一穿透硅通孔，連接在所 述主芯片和從芯片之間，并且將第一上電信號(hào)供應(yīng)給所述從芯片；以及第二穿透硅通孔，連 接在所述主芯片和從芯片之間，并且將所述檢測信號(hào)供應(yīng)給所述主芯片。本發(fā)明的另一實(shí)施例可提供一種用于控制包括主芯片和從芯片的半導(dǎo)體裝置的 方法，包括確定所述從芯片中是否出現(xiàn)上電異常；以及當(dāng)確定在所述從芯片中出現(xiàn)上電 異常時(shí)，中斷所述主芯片和從芯片的操作。本發(fā)明的又一實(shí)施例可提供一種用于控制包括主芯片和多個(gè)從芯片的半導(dǎo)體裝 置的方法，包括步驟確定是否去激活從多個(gè)從芯片輸出的上電信號(hào)中的一個(gè)；以及當(dāng)去 激活上電信號(hào)中的一個(gè)時(shí)，中斷所述主芯片和多個(gè)從芯片的操作。


結(jié)合附圖描述本發(fā)明的特征、方面以及實(shí)施例，在附圖中圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方框圖；圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方框圖；以及圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方框圖。
具體實(shí)施例下文，將參照附圖借助于優(yōu)選實(shí)施例，描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置以及用于控 制該半導(dǎo)體裝置的方法。圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方框圖。參見圖1，根據(jù)本實(shí)施例 的半導(dǎo)體裝置1舉例示出一多芯片封裝，其使用三個(gè)芯片。一個(gè)芯片可構(gòu)成主芯片MAS，而 其余兩個(gè)芯片可構(gòu)成從芯片SLAl和SLA2。主芯片MAS包括上電信號(hào)發(fā)生部分11、驅(qū)動(dòng)器12和13、以及主電路塊14。上電信號(hào)發(fā)生部分11配置成輸出上電信號(hào)PWRUP_MAS，該上電信號(hào)指示從外部供 應(yīng)的電源電壓VDD的電平是否達(dá)到適于芯片操作的目標(biāo)電平或電壓電平。主電路塊14配置成執(zhí)行主芯片MAS的功能，并且當(dāng)上電信號(hào)PWRUP_MAS為高電平 時(shí)，執(zhí)行正常操作。驅(qū)動(dòng)器12和13配置成將上電信號(hào)PWRUP_MAS傳輸?shù)街麟娐窙Q14。從芯片SLAl和SLA2也分別包括上電信號(hào)發(fā)生部分21和31、驅(qū)動(dòng)器22和23以及 32和33、以及主電路塊24和34。在通過利用穿透硅通孔10將主芯片MAS與從芯片SLAl和SLA2連接到一起來構(gòu) 造多芯片封裝之前，分開地測試主芯片MAS與從芯片SLAl和SLA2。由于該原因，上電信號(hào) 發(fā)生部分11至31中的每一個(gè)均是必需的。 作為替換，根據(jù)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)，可以使用焊線或金屬線替換穿透硅通孔10。在完成多芯片封裝的構(gòu)造之后，由主芯片MAS對上電控制進(jìn)行管理。因此，在分開完成所有芯片測試之后，利用穿透硅通孔10將驅(qū)動(dòng)器12、22和32的 輸出端連接到一起，使得由主芯片MAS產(chǎn)生的上電信號(hào)PWRUP_MAS可被共同供應(yīng)給從芯片 SLAl 禾口 SLA2。圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100的方框圖。參見圖2，半導(dǎo)體裝置100圖示出包括三個(gè)芯片的多芯片封裝。在此，去激活在多芯片封裝的構(gòu)造完成 之后將不再使用的電路部件。一個(gè)芯片可構(gòu)成主芯片MAS，而其余兩個(gè)芯片可構(gòu)成從芯片 SLAl 禾口 SLA2。由于在制成多芯片封裝之后，由主芯片MAS對上電控制進(jìn)行管理，因此由主芯片 MAS產(chǎn)生的上電信號(hào)PWRUP_MAS應(yīng)當(dāng)傳輸?shù)綇男酒琒LAl和SLA2。因此，利用作為信號(hào)傳輸 元件的穿透硅通孔400連接主芯片MAS與從芯片SLAl和SLA2。穿透硅通孔400是信號(hào)傳 輸元件的實(shí)例，可替換地，也可以使用金屬線或焊線。穿透硅通孔400形成為將主芯片MAS產(chǎn)生的上電信號(hào)PWRUP_MAS共同供應(yīng)給從芯 片 SLAl 禾口 SLA2。主芯片MAS包括上電信號(hào)發(fā)生部分110、驅(qū)動(dòng)器120和130、以及主電路塊140。上電信號(hào)發(fā)生部分110配置成輸出上電信號(hào)PWRUP_MAS，該上電信號(hào)指示從外部 供應(yīng)的電源電壓VDD的電平是否達(dá)到適于芯片操作的目標(biāo)電平或電壓電平。在這點(diǎn)上，假 設(shè)當(dāng)電源電壓VDD的電平高于目標(biāo)電平時(shí)，上電信號(hào)發(fā)生部分110輸出高電平的上電信號(hào) PWRUP_MAS0主電路塊140是執(zhí)行主芯片MAS功能、并且當(dāng)上電信號(hào)PWRUP_MAS為高電平時(shí)執(zhí) 行正常操作的必需電路元件。驅(qū)動(dòng)器120和130配置成將上電信號(hào)PWRUP_MAS傳輸?shù)街麟娐穳K140。從芯片SLAl和SLA2也包括上電信號(hào)發(fā)生部分210和310、驅(qū)動(dòng)器220和230以及 320和330、以及主電路塊240和340。從芯片SLAl具有分別位于上電信號(hào)發(fā)生部分210和驅(qū)動(dòng)器220之間的熔斷器 250、以及位于驅(qū)動(dòng)器220和主電路塊240之間的熔斷器260。從芯片SLA2具有分別位于上電信號(hào)發(fā)生部分310和驅(qū)動(dòng)器320之間的熔斷器 350、以及位于驅(qū)動(dòng)器320和主電路塊340之間的熔斷器360。可替換地，也可使用金屬替換熔斷器250、260、350和360。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100中，當(dāng)連接熔斷器250、260、350以及360 時(shí)，分開地測試從芯片SLAl和SLA2。穿透硅通孔400不在此時(shí)形成。在完成測試之后，切斷熔斷器250、260、350以及360，并形成穿透硅通孔400，使得
多芯片封裝被構(gòu)造成。如果熔斷器250、260、350以及360被切斷，則上電信號(hào)PWRUP_SLA1和PWRUP_SLA2 不能輸入到驅(qū)動(dòng)器220和320。因此，在多芯片封裝的構(gòu)造完成之后的正常操作中，即使在上電信號(hào)PWRUP_MAS、 PWRUP_SLA1和PWRUP_SLA2中的任一個(gè)具有不同電平的時(shí)侯，也可以防止異常電流路徑的 形成。 圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置101的框圖，其示范出使用三個(gè)芯 片來構(gòu)造多芯片封裝的情形，其中構(gòu)造方式為當(dāng)檢測到上電異常時(shí)，中斷所有芯片的操 作。在這三個(gè)芯片中，一個(gè)芯片可構(gòu)成主芯片MAS，而其余兩個(gè)芯片可構(gòu)成從芯片SLAl和 SLA2。此時(shí)，可一起采用如圖2所示實(shí)施例中的方案，使得在多芯片封裝的構(gòu)造完成之后將 不再使用的電路部件被去激活。
由于在完成多芯片封裝的制造之后，主芯片MAS應(yīng)當(dāng)對上電控制進(jìn)行管理，因此 由主芯片MAS產(chǎn)生的上電信號(hào)PWRUP_MAS應(yīng)當(dāng)傳輸?shù)綇男酒琒LAl和SLA2。因此，使用作 為信號(hào)傳輸元件的穿透硅通孔400來連接主芯片MAS與從芯片SLAl和SLA2。穿透硅通孔 400僅是信號(hào)傳輸元件的示例，可替換地，可使用金屬線或焊線。穿透硅通孔400將主芯片MAS產(chǎn)生的上電信號(hào)PWRUP_MAS供應(yīng)給從芯片SLAl禾口 SLA2。主芯片MAS包括上電信號(hào)發(fā)生部分110、驅(qū)動(dòng)器120和130、主電路塊140、以及控 制部分150。上電信號(hào)發(fā)生部分110配置成輸出上電信號(hào)PWRUP_MAS，該上電信號(hào)指示從外部 供應(yīng)的電源電壓VDD的電平是否達(dá)到適于芯片操作的目標(biāo)電平或電壓電平。在這點(diǎn)上，假 設(shè)當(dāng)電源電壓VDD的電平高于目標(biāo)電平時(shí)，上電信號(hào)發(fā)生部分110輸出高電平的上電信號(hào) PWRUP_MAS0主電路塊140配置成執(zhí)行主芯片MAS的功能，并且在上電信號(hào)PWRUP_MAS是高電 平時(shí)，執(zhí)行正常操作。

驅(qū)動(dòng)器120和130配置成將上電信號(hào)PWRUP_MAS傳輸?shù)街麟娐穳K140?？刂撇糠?50配置成當(dāng)檢測信號(hào)PWRERR_DET被激活時(shí)，將上電信號(hào)PWRUP_MAS轉(zhuǎn) 變成去激活電平。控制部分150包括晶體管Ml。晶體管Ml的源極接地，柵極接收檢測信號(hào) PWRERR_DET，且漏極連接到位于上電信號(hào)發(fā)生部分110和驅(qū)動(dòng)器120之間的節(jié)點(diǎn)A。從芯片SLAl包括上電信號(hào)發(fā)生部分210、驅(qū)動(dòng)器220和230、主電路塊240、熔斷器 250和260、以及檢測部分270。上電信號(hào)發(fā)生部分210、驅(qū)動(dòng)器220和230、主電路塊240、以及熔斷器250和260
可以用與圖2所示類似的方式來配置。檢測部分270配置成檢測上電信號(hào)PWRUP_SLA1的去激活，并且激活檢測信號(hào) PWRERR_DET。檢測部分270可包括晶體管M2。在晶體管M2中，源極接收電源電壓VDD，柵 極接收上電信號(hào)PWRUP_SLA1，且漏極連接到穿透硅通孔500。從芯片SLA2包括上電信號(hào)發(fā)生部分310、驅(qū)動(dòng)器320和230、主電路塊340、熔斷器 350和360、以及檢測部分370。上電信號(hào)發(fā)生部分310、驅(qū)動(dòng)器320和330、主電路塊340、以及熔斷器350和360 可以用與圖2所示類似的方式來配置。檢測部分370配置成檢測上電信號(hào)PWRUP_SLA2的去激活，并且激活檢測信號(hào) PWRERR_DET。檢測部分370可包括晶體管M3。在晶體管M3中，源極接收電源電壓VDD，柵 極接收上電信號(hào)PWRUP_SLA2，且漏極連接到穿透硅通孔500。可替換地，也可使用金屬替換熔斷器250、260、350以及360。由從芯片SLAl和SLA2產(chǎn)生的檢測信號(hào)PWRERR_DET可傳輸?shù)街餍酒琈AS。因此， 從芯片SLAl和SLA2的檢測部分270和370通過穿透硅通孔500連接到主芯片MAS的控制 部分150?？墒怯煤妇€替換穿透硅通孔500。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)連接熔斷器250、260、350以及360時(shí)，分開測試半導(dǎo)體裝 置101中的從芯片SLAl和SLA2。穿透硅通孔400和500不在此時(shí)形成。
在完成測試之后，切斷熔斷器250、260、350以及360，并形成穿透硅通孔400和 500，以構(gòu)造多芯片封裝。當(dāng)熔斷器250、260、350以及360被切斷時(shí)，上電信號(hào)PWRUP_SLA1和PWRUP_SLA2 不能輸入到驅(qū)動(dòng)器220和320。因此，在多芯片封裝的構(gòu)造完成之后的正常操作中，即使在上電信號(hào)PWRUP_MAS、 PWRUP_SLA1和PWRUP_SLA2中的任一個(gè)具有不同電平的時(shí)侯，也可以防止異常電流路徑的 形成。在構(gòu)造完多芯片封裝之后，由主芯片MAS的上電信號(hào)發(fā)生部分110產(chǎn)生的上電信 號(hào)PWRUP_MAS通過穿透硅通孔400傳輸?shù)綇男酒琒LAl和SLA2。也就是說，在多芯片封裝的構(gòu)造完成之后，所有芯片即主芯片MAS與從芯片SLAl 禾口 SLA2的操作由上電信號(hào)PWRUP_MAS控制。此時(shí)，在構(gòu)成主芯片MAS與從芯片SLAl和SLA2的器件的操作特性之間可能存在 差異。盡管通過切斷熔斷器250、260、350以及360能防止異常電流路徑的形成，但是無法 對構(gòu)成主芯片MAS與從芯片SLAl和SLA2的器件的操作特性之間的差異進(jìn)行補(bǔ)償。因此，雖然電源電壓VDD的電平可以是能夠激活上電信號(hào)PWRUP_MAS的電平，即能 夠確保主芯片MAS穩(wěn)定操作的電平，電源電壓VDD的電平可能不是能夠確保從芯片SLAl和 SLA2穩(wěn)定操作的電平。因此，檢測從芯片SLAl和SLA2的上電異常性，使得能夠控制構(gòu)成多芯片封裝的所 有芯片的操作。當(dāng)從芯片SLAl和SLA2輸出的上電信號(hào)PWRUP_SLA1和PWRUP_SLA2種的一個(gè)被去 激活或位于低電平時(shí)，例如，假設(shè)上電信號(hào)PWRUP_SLA1是高電平，而上電信號(hào)PWRUP_SLA2 是低電平。因?yàn)樯想娦盘?hào)PWRUP_SLA2是低電平，因此從檢測部分370輸出的高電平信號(hào)通過 穿透硅通孔500供應(yīng)給主芯片MAS的控制部分150，作為檢測信號(hào)PWRERR_DET。由于檢測信號(hào)PWRERR_DET為高電平，因此控制部分150的晶體管Ml導(dǎo)通，并且據(jù) 此，上電信號(hào)PWRUP_MAS轉(zhuǎn)變成去激活電平即低電平。去激活的上電信號(hào)PWRUP_MAS供應(yīng)給所有主電路塊140、240以及340。因此，所有主電路塊140、240以及340響應(yīng)于去激活的上電信號(hào)PWRUP_MAS，中斷 構(gòu)成多芯片封裝的所有芯片即主芯片MAS與從芯片SLAl和SLA2的操作。盡管以上描述了一些實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，所述實(shí)施例僅是通 過示例描述。因此，不應(yīng)基于描述的實(shí)施例限制本文所述的裝置和方法。而是，應(yīng)當(dāng)僅根據(jù) 所附的權(quán)利要求結(jié)合上述描述和附圖來限制本文所述的裝置和方法。
權(quán)利要求
1.一種包括芯片的半導(dǎo)體裝置，所述芯片包括上電信號(hào)發(fā)生部分，配置成產(chǎn)生上電信號(hào)；驅(qū)動(dòng)器，配置成驅(qū)動(dòng)并輸出所述上電信號(hào)；以及主電路塊，配置成響應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)器的輸出，執(zhí)行預(yù)定功能；其中，所述驅(qū)動(dòng)器的輸入端和所述上電信號(hào)發(fā)生部分通過可斷開元件連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述芯片是多芯片封裝中的從芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述芯片配置成通過信號(hào)傳輸元件從主 芯片接收上電信號(hào)，所述信號(hào)傳輸元件連接到所述多芯片封裝中的主芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述信號(hào)傳輸元件選自包括穿透硅通孔、 焊線以及金屬線的組。
5.一種半導(dǎo)體裝置，包括主芯片，配置成產(chǎn)生第一上電信號(hào)，并且響應(yīng)于檢測信號(hào)，將所述第一上電信號(hào)去激 活；以及從芯片，配置成產(chǎn)生第二上電信號(hào)，并且在檢測到所述第二上電信號(hào)的去激活之后，產(chǎn) 生所述檢測信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第一信號(hào)傳輸元件，連接在所述主芯片和所述從芯片之間，并且將所述第一上電信號(hào) 供應(yīng)給所述從芯片；以及第二信號(hào)傳輸元件，連接在所述主芯片和所述從芯片之間，并將所述檢測信號(hào)供應(yīng)給 所述主芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一信號(hào)傳輸元件和所述第二信號(hào) 傳輸元件中的每一個(gè)選自包括穿透硅通孔、焊線以及金屬線的組。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體裝置配置成當(dāng)所述第一上 電信號(hào)被去激活時(shí)，通過所述第一信號(hào)傳輸元件將所述去激活的上電信號(hào)供應(yīng)給所述從芯 片；以及當(dāng)檢測到所述第二上電信號(hào)的去激活時(shí)，將所述第一上電信號(hào)去激活，并且通過所 述第一信號(hào)傳輸元件將所述去激活的第一上電信號(hào)供應(yīng)給所述從芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述主芯片包括控制部分，該控制部分配 置成響應(yīng)于所述檢測信號(hào)，將所述第一上電信號(hào)去激活。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述從芯片包括檢測部分，該檢測部分 配置成檢測所述第二上電信號(hào)的去激活，并且產(chǎn)生所述檢測信號(hào)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測部分和所述控制部分通過所 述第二信號(hào)傳輸元件連接。
12.一種用于控制包括主芯片和從芯片的半導(dǎo)體裝置的方法，包括確定所述從芯片中是否出現(xiàn)上電異常；以及當(dāng)確定在所述從芯片中出現(xiàn)上電異常時(shí)，中斷所述主芯片和所述從芯片的操作。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，確定所述從芯片中是否出現(xiàn)上電異常的步驟 包括確定所述從芯片中產(chǎn)生的上電信號(hào)是否被去激活。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，響應(yīng)于所述主芯片中產(chǎn)生的上電信號(hào)，共同確定是否操作所述主芯片和是否操作所述從芯片。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，中斷所述主芯片和所述從芯片的操作的步驟 包括去激活所述主芯片中產(chǎn)生的上電信號(hào)。
16.一種用于控制包括主芯片和多個(gè)從芯片的半導(dǎo)體裝置的方法，包括步驟確定是否去激活從所述多個(gè)從芯片輸出的上電信號(hào)中的一個(gè)；以及當(dāng)去激活所述上電信號(hào)中的一個(gè)時(shí)，中斷所述主芯片和所述多個(gè)從芯片的操作。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，響應(yīng)于所述主芯片中產(chǎn)生的上電信號(hào)，共同確 定是否操作所述主芯片和是否操作所述多個(gè)從芯片。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，中斷所述主芯片和所述多個(gè)從芯片的操作的 步驟包括去激活所述主芯片中產(chǎn)生的上電信號(hào)。
19.一種半導(dǎo)體裝置，包括主芯片，配置成產(chǎn)生第一上電信號(hào)，并且響應(yīng)于多個(gè)檢測信號(hào)，將所述第一上電信號(hào)去 激活；以及多個(gè)從芯片，配置成分別產(chǎn)生第二上電信號(hào)，并且通過分別檢測所述第二上電信號(hào)的 去激活，分別產(chǎn)生所述多個(gè)檢測信號(hào)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第一信號(hào)傳輸元件，共同連接在所述主芯片和所述多個(gè)從芯片之間，并且將所述第一 上電信號(hào)供應(yīng)給所述多個(gè)從芯片；以及第二信號(hào)傳輸元件，共同連接在所述主芯片和所述多個(gè)從芯片之間，并將所述檢測信 號(hào)作為單個(gè)信號(hào)供應(yīng)給所述主芯片。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一信號(hào)傳輸元件和所述第二信 號(hào)傳輸元件中的每一個(gè)包括穿透硅通孔、焊線或金屬線。
22.—種半導(dǎo)體裝置，包括主芯片，配置成產(chǎn)生第一上電信號(hào)，并且響應(yīng)于檢測信號(hào)，將所述第一上電信號(hào)去激 活；以及從芯片，配置成產(chǎn)生第二上電信號(hào)，并且在檢測到所述第二上電信號(hào)的去激活之后，產(chǎn) 生所述檢測信號(hào)；第一穿透硅通孔，連接在所述主芯片和所述從芯片之間，并且將所述第一上電信號(hào)供 應(yīng)給所述從芯片；以及第二穿透硅通孔，連接在所述主芯片和所述從芯片之間，并且將所述檢測信號(hào)供應(yīng)給 所述主芯片。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體裝置配置成當(dāng)所述第一上 電信號(hào)和所述第二上電信號(hào)中的任一個(gè)被去激活時(shí)，中斷所述主芯片和所述從芯片的操作。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置，包括上電信號(hào)發(fā)生部分，配置成產(chǎn)生上電信號(hào)；驅(qū)動(dòng)器，配置成驅(qū)動(dòng)并輸出所述上電信號(hào)；以及主電路塊，配置成響應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)器的輸出，執(zhí)行預(yù)定功能；其中，所述驅(qū)動(dòng)器的輸入端和上電信號(hào)發(fā)生部分由可斷開元件連接。
文檔編號(hào)H01L23/52GK102034803SQ20101000261
公開日2011年4月27日 申請日期2010年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者邊相鎮(zhèn), 陳伸顯 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司