專利名稱：非接觸式供電系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有感應(yīng)地耦接至高頻電流饋線的獲取單元(Pickup unit)的非接觸式供電系統(tǒng)，此系統(tǒng)被設(shè)計成借由獲取單元所感應(yīng)的電動勢而供應(yīng)電力給負(fù)載。
背景技術(shù)：
在例如日本專利公開第2003-5^555、11-192866和2004-120880號，以及日本專利第3263421號，都揭露了此種非接觸式供電系統(tǒng)。在這些非接觸式供電系統(tǒng)中，都已安裝高頻電流饋線，其會沿著傳動單元(Travel Unit)的移動軌跡而延伸。配置在傳動單元中的獲取單元，會被感應(yīng)地耦接至饋線。借由獲取單元所感應(yīng)的電動勢，就可以供應(yīng)電力給負(fù)載，該負(fù)載例如是一種用來移動該傳動單元的電動馬達(dá)。獲取單元包括圓周地圍繞著饋線的管狀核心，以及由纏繞著核心的繞線所形成的繞組。大多數(shù)的磁通量都是圍繞饋線而產(chǎn)生且通過該核心，因此在繞組中所感應(yīng)的電動勢就會增加。核心具有在饋線的軸向上延伸的開口，使得至少饋線可以徑向地通過此開口。因此，獲取單元很容易安裝到饋線，或從饋線移除。在傳統(tǒng)獲取單元中所使用的核心，其橫剖面大致上為“C”的形狀。因此，當(dāng)核心的內(nèi)周面或外周面是由互相連接的平面所形成時，部分的磁通量會從平面到平面的邊界部 (或角落部)漏失。這就造成了電力從饋線傳遞至獲取單元的效率降低的問題。另外，由于傳統(tǒng)的獲取單元的核心內(nèi)，形成供饋線插入的開口，因此穿過核心的磁通量也會部分地通過開口而漏失。而由于漏失的磁通量會流經(jīng)配置在獲取單元附近的金屬構(gòu)件，例如傳動單元和移動軌道，因此會產(chǎn)生渦電流(Eddy current)，而造成了電力的損耗。這可能會造成傳遞給獲取單元的電力下降。假設(shè)有兩條分別進(jìn)入和離開高頻供電器的饋線，其中一條內(nèi)置于核心內(nèi)，而另一條配置在獲取單元附近，則繞所述另一條饋線而產(chǎn)生的磁通量就會抵消透過開口而通過核心的磁通量。這也可能會造成傳遞至獲取單元的電力的效率下降。雖然在傳統(tǒng)的做法中，在繞組和傳動單元之間會提供磁屏蔽層，但是卻未考慮到從核心的開口所漏失的磁通量的影響，或未考慮配置在核心外部的饋線周圍所產(chǎn)生的磁通量的影響。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種非接觸式供電系統(tǒng)，可以提升電力從饋線傳遞到獲取單元的效能，并且可以增加所供應(yīng)的電力的量。本發(fā)明還提供一種非接觸式供電系統(tǒng)，可以減少從核心的開口所漏失的磁通量的影響，或使配置于核心外部的饋線周圍所產(chǎn)生的磁通量的影響減少。本發(fā)明還提供一種非接觸式供電系統(tǒng)，可以穩(wěn)定核心的高頻阻抗。依照本發(fā)明的第一觀點(diǎn)，則提供一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括饋線，其有高頻電流流過；以及獲取單元，被感應(yīng)地耦接至饋線，該非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元內(nèi)感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載，其中獲取單元包括圓周地圍繞該饋線的管狀核心，以及由在核心上纏繞繞線而形成的繞組，其中核心具有內(nèi)表面、外表面和開口，該開口在饋線的軸向上延伸，使得至少該饋線在徑向上通過該開口，而核心的內(nèi)表面和外表面的至少其中之一表面形成彎曲的表面形狀。依照本發(fā)明第二觀點(diǎn)，則提供一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括饋線，其有高頻電流流過；以及被感應(yīng)地耦接至饋線的獲取單元，該非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元中感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載，其中獲取單元包括圓周地圍繞該饋線的管狀核心，以及由繞線在核心上纏繞成單層而形成的繞組。依照本發(fā)明的第三觀點(diǎn)，則提供一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括饋線，其有高頻電流流過；以及被感應(yīng)地耦接至饋線的獲取單元，該非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元中感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載，其中獲取單元包括管狀核心，可以圓周地圍繞該饋線，而核心則具有開口，該開口在饋線的軸向上延伸，使得至少饋線在徑向上通過該開口 ； 繞組，由繞線纏繞在該核心上而形成；以及磁屏蔽體，用于罩住該核心和繞組，該磁屏蔽體由具有高導(dǎo)磁率的材料所制成。依照本發(fā)明第四觀點(diǎn)，則提供一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括饋線，其有高頻電流流過；以及獲取單元，被感應(yīng)地耦接至饋線，所述非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元內(nèi)感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載，其中獲取單元包括圓周地圍繞該饋線的管狀核心，而核心則具有開口，該開口在饋線的軸向上延伸，使得至少饋線在徑向上通過開口 ；繞組，由繞線纏繞在該核心上而形成，而該饋線包括插入核心內(nèi)的進(jìn)入饋線以及配置在核心外部的引出饋線；以及磁屏蔽體，其由具有高導(dǎo)磁率的材料所制成，該磁屏蔽體配置在引出饋線和核心的開口之間。依照本發(fā)明的第五觀點(diǎn)，則提供一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括饋線，其有高頻電流流過；以及獲取單元，被感應(yīng)地耦接至饋線，該非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元內(nèi)感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載，其中獲取單元包括管狀核心，可以圓周地圍繞該饋線；線軸(bcAbin)，其配合成圍繞該核心；以及繞組，由繞線纏繞在該線軸上所形成，其中該核心具有為彎曲表面形狀的內(nèi)周面和外周面，并且該核心具有大致為C形的橫切面，此橫切面與核心的軸向相交，其中該線軸包括外周面和多個定位突起物，所述定位突起物在核心的圓周方向上配置在線軸的外周面上，而彼此相鄰的定位突起物之間則形成固定部， 用來固定該繞線。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖IA為依照本發(fā)明第一實(shí)施例的一種非接觸式供電系統(tǒng)的獲取單元的部分切割的剖面圖。圖IB為通過圖IA所示的獲取單元的核心的磁通量的示意圖。圖IC為通過傳統(tǒng)獲取單元的核心的磁通量的示意圖。圖2A和圖2B為其它用于非接觸式供電系統(tǒng)中獲取單元的核心的平面圖。圖3A為非接觸式供電系統(tǒng)的整體配置的透視圖，圖;3B和圖3C為使用在非接觸式供電系統(tǒng)中的饋線的剖面圖。
圖4為依照本發(fā)明第二實(shí)施例的一種非接觸式供電系統(tǒng)的主要部分的剖面圖。圖5為圖4所示非接觸式供電系統(tǒng)的變化例的主要部分的剖面圖。圖6為圖4所示非接觸式供電系統(tǒng)的另一變化例的主要部分的剖面圖。圖7為依照本發(fā)明第三實(shí)施例的一種非接觸式供電系統(tǒng)的主要部分的剖面圖。圖8為圖7所示非接觸式供電系統(tǒng)的變化例的主要部分的剖面圖。圖9為圖7所示非接觸式供電系統(tǒng)的另一變化例的主要部分的剖面圖。圖IOA為依照本發(fā)明第四實(shí)施例的一種非接觸式供電系統(tǒng)的獲取單元的部分切割的剖面圖。圖IOB為圖IOA所示獲取單元的線軸的主要部分的剖面圖，圖IOC為圖IOA 所示獲取單元的線軸的透視圖。圖11為圖IOB所示線軸的變化例的主要部分的剖面圖。圖12為依照本發(fā)明第五實(shí)施例的一種非接觸式供電系統(tǒng)的獲取單元的主要部分的剖面圖。圖13A和圖13B為圖12所示的非接觸式供電系統(tǒng)的獲取單元的主要部分的透視圖，圖13C為傳統(tǒng)獲取單元的主要部分的透視圖。
具體實(shí)施例方式以下，將參考附圖對本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)敘述。(第一實(shí)施例)請參照圖3A，本實(shí)施例的非接觸式供電系統(tǒng)包括安裝成回路形狀的饋線100、用來通過饋線100供應(yīng)高頻電流的高頻供電器110、以及被感應(yīng)地耦接至饋線100的獲取單元 1。獲取單元1供應(yīng)電力給負(fù)載111，該負(fù)載例如是換流器(inverter)或馬達(dá)。如圖;3B所示，饋線100包括通過彎折金屬板而一體形成的導(dǎo)體、以及由方管形的合成樹脂模制產(chǎn)品所形成的絕緣體104，絕緣體104覆蓋該導(dǎo)體。該導(dǎo)體包括圓柱形內(nèi)管部101、配置在內(nèi)管部101外的圓柱形外管部102、以及將內(nèi)管部101和外管部102以同軸關(guān)系彼此互連的連接部103。在典型的圓柱形饋線中，當(dāng)有高頻電流流過時，會產(chǎn)生阻抗或高頻阻抗，這可歸因于表面效應(yīng)和鄰近效應(yīng)、以及導(dǎo)體的材料(例如金屬板)所具有的電阻率。然而，當(dāng)使用如圖3B所示的雙管型導(dǎo)體作為饋線100時，與圓柱形饋線相比，可以減少高頻阻抗以及電力損耗。但是，饋線并不必需限于以上結(jié)構(gòu)。甚至，饋線可以用許多不同的方法來形成，例如金屬的擠出成型、將具有連接部的內(nèi)管部壓到外管部中的工藝過程、或是其它類似的方法。而圖3C則為饋線的變化例。饋線100’包括導(dǎo)體和絕緣體104’，此絕緣體104’是具有方管形狀的合成樹脂產(chǎn)品，而導(dǎo)體則被絕緣體104’所覆蓋。導(dǎo)體包括圓柱形內(nèi)管部101，、配置在內(nèi)管部101，外部的圓柱形外管部102，、以及四個連接部103，，以將內(nèi)管部101，和外管部102，以同心關(guān)系互相連接。獲取單元1包括核心2、繞組3、線軸4、磁屏蔽體5和電力接收電路單元6。電力接收電路單元6包括電容，其與繞組3配合而形成一共振電路；以及定電壓電路，其將此共振電路所輸出的共振電壓轉(zhuǎn)換為恒定電壓，諸如此類。如圖IA所示，核心2具有彎曲狀或圓柱狀表面形狀的內(nèi)周面和外周面，以及與軸向(或是垂直于紙面的方向)相交的大致上C形的橫切面。核心2具有互相面對的相對端部20，在所述相對端部20之間可以形成開口 2a。相對端部20在軸向所獲得的橫切面，會
6比核心2的其余部分(以下稱為本體部)21要大。線軸4由方管形的合成樹脂模制產(chǎn)品所形成并且被彎曲成弧形形狀。在線軸4的圓周相對端提供有多個外部凸緣40。在與開口加直徑上相對的點(diǎn)處，可以將核心2的本體部21對分成兩個本體片段。類似地，線軸4可被對分成兩個線軸片段。圖IA所示的核心2可以通過將這些本體片段插入線軸片段內(nèi)，并且將兩個本體片段的端部接合在一起而組裝起來。通過將具有絕緣涂層的繞線纏繞在線軸4上而成為一單層，就可以形成繞組3。相對端部20與本體部21之間的階梯差(st印difference)被設(shè)定為大于繞線的直徑，使得繞組3不會超過核心2的相對端部20而朝外移動。這就可以使從繞組3的端部處的核心 2的相對端部20所漏出的磁通量減少。磁屏蔽體5可以由具有高導(dǎo)磁率的磁性金屬材料來制造，以具有大致上為圓柱形的形狀，并且可被配合到核心2和繞組3的外部。磁屏蔽體5具有軸向延伸的溝槽fe，其與核心2的開口加相通。饋線100穿過開口加而被插入且布置于核心2的內(nèi)部。若是高頻電流流經(jīng)該饋線100，則高頻磁場(或是磁通量)會以同心圓的圖案而形成在饋線100周圍。磁通量的大部分會沿圓周方向流過核心2。假設(shè)核心2’(請參照圖1C)的內(nèi)周面和外周面如傳統(tǒng)技術(shù)中那樣利用互相連接的平表面所形成，也就是說若核心2’大致上具有“C”形的橫切面時， 則磁通量會部分地在平面對平面的邊界部分(或是角落部)中從核心2’漏失，如圖IC所示。在本實(shí)施例中，核心2具有彎曲或圓柱形的內(nèi)周面和外周面和與軸向相交的大致上“C”形的橫切面。因此，如圖IB所示，磁通量很難從開口加之外的部分漏失。也由于此特征，與圖IC所示的現(xiàn)有技術(shù)的核心2’相比，本實(shí)施例可以提升從饋線100傳輸電力至獲取單元1的效能，并且增加供應(yīng)的電力的量。雖然核心2的內(nèi)周面和外周面在本實(shí)施例都可以形成彎曲形狀，但是也可以如圖2A所示，只有外周面形成彎曲形狀，或是如圖2B所示， 只有內(nèi)周面形成彎曲形狀。無論在核心2上使用這兩種形狀中的哪一種，與現(xiàn)有具有多個平表面互相結(jié)合的核心2’相比，都可以在內(nèi)周面或外周面減少從核心2的除了開口加以外的部分的磁通量的漏失。然而，顯而易見的，本實(shí)施例的核心2傳送電力的效能要高于圖 2A和圖2B此二者。若是進(jìn)入和離開高頻供電器110的兩條饋線100中的一條被布置在核心2內(nèi)部， 而另一條被布置在獲取單元1附近，則繞所述另一條饋線100而產(chǎn)生的磁通量就會抵消通過核心2的磁通量。這就可能使電力傳送至獲取單元1時的效能下降。在本實(shí)施例中，核心2和繞組3會被磁屏蔽體5所覆蓋且受到磁屏蔽。而由于此特征，就可以使通過核心2 的磁通量不會被外部磁場(或通量)所消除。這就可以降低電力的損耗。在本實(shí)施例中，開口加形成在獲取單元1的核心2中，以致于饋線100可以容易地插入至獲取單元1中以及從獲取單元1移除。在開口加的部分(或間隙)中，磁路的磁阻會大幅地增加。有鑒于此，互相面對的相對端部20(其間形成有開口 2a)所形成的軸向橫切面，要比本體部21的橫切面還大。這就保證在核心2的相對端部20中的磁阻，會變?yōu)楸缺倔w部21中的磁阻還小，因此降低磁通量通過該開口加而從核心2漏失的量。若繞組是通過繞線纏繞成多層所形成，則繞組的高頻阻抗會由于鄰近效應(yīng)而增加，因此會降低電力傳送效率。在本實(shí)施例中，由于繞組3是借由將繞線在核心2上纏繞成單層所形成。因此，與將繞線纏繞成多層的情形比較，本實(shí)施例可以有助于降低高頻阻抗， 并且進(jìn)而提升電力傳送效率。(第二實(shí)施例)本實(shí)施例的非接觸式供電系統(tǒng)，與第一實(shí)施例的非接觸式供電系統(tǒng)共享基本架構(gòu)。因此，構(gòu)件部分共通于第一實(shí)施例，并且借由相同的附圖標(biāo)記來表示，在此不多作贅述。在本實(shí)施例中，如圖4所示，在進(jìn)入和離開高頻供電器110的兩條饋線100中，其中一條(進(jìn)入饋線)被安置在核心的內(nèi)部，并且另一條(引出饋線)則安置在獲取單元1 的附近。在此狀況下，在配置于核心2的外部的引出饋線100周圍所產(chǎn)生的磁通量，會與在配置于核心2內(nèi)部的進(jìn)入饋線100周圍所產(chǎn)生的磁通量以相反方向而流動，并且可能會抵消通過核心2的磁通量。然而，在本實(shí)施例中，核心2和繞組3都被覆蓋著磁屏蔽體5。這就可以避免在引出饋線100周圍所產(chǎn)生的磁通量流過核心2。因此，本實(shí)施例就可以避免獲取單元1的電力傳送效率的降低。使用于本實(shí)施例中的核心2具有開口 2a，通過該開口加可以插入饋線100。因此， 通過核心2的磁通量會部分地通過該開口加而漏失。而漏失的磁通量會因此造成渦電流而流過導(dǎo)電軌200，并且造成電力的損耗。如此就可能會降低獲取單元1的電力傳送效率。若磁屏蔽體5的孔口 fe被圖5所示的屏蔽蓋50來可打開地閉合，這就可以屏蔽否則會通過開口加的磁通量，并且可以降低由漏磁通量所產(chǎn)生的渦電流導(dǎo)致的電力損耗。 磁屏蔽蓋50是由與磁屏蔽體5相同的材料所制成并且形成一種帶板形狀。磁屏蔽蓋50可移除地配合于磁屏蔽體5的溝槽fe。而如圖6所示，磁屏蔽體5’可以取代磁屏蔽體5來覆蓋核心2和繞組3，磁屏蔽體5’可移除地連接至核心2的相對端部20，以將核心2的開口加關(guān)閉。在這樣情況下，同樣也可以降低由渦電流所引起的電力的損耗。(第三實(shí)施例)本實(shí)施例的非接觸式供電系統(tǒng)，與第二實(shí)施例的非接觸式供電系統(tǒng)共享基本架構(gòu)。因此，構(gòu)件部分共通于第二實(shí)施例，并且借由相同的附圖標(biāo)記來表示，在此不多作贅述。如結(jié)合第二實(shí)施例所闡述的，需要憂心的是，通過核心2的磁通量，可能會受到在配置于核心2外部的引出饋線100周圍所產(chǎn)生的磁通量影響而降低。在本實(shí)施例中，如圖7所示，由具有高導(dǎo)磁率的磁性材料所制造的磁屏蔽體7，配置在位于核心2外部的引出饋線100和核心2的開口加之間。磁屏蔽體7形成為具有大致L形的橫切面且在其縱向相對端處被固定在導(dǎo)電軌200上，使得引出饋線100可以被容納在磁屏蔽體7和導(dǎo)電軌200之間。因?yàn)橛删哂懈邔?dǎo)磁率的磁性材料制造的磁屏蔽體7被布置在引出饋線100和開口 2a之間，因此就可以免除獲取單元1的核心2和繞組3受到引出饋線100周圍所產(chǎn)生的磁通量的影響。甚至，配置在核心2的開口加和導(dǎo)電軌200之間的磁屏蔽體7還可以使從開口加所漏失且連接至導(dǎo)電軌200的磁通量下降。這就可以降低由漏磁通量所產(chǎn)生的渦電流導(dǎo)致的電力損耗?？蛇x地，磁屏蔽體7也可以具有如圖8所示的平板形狀。如圖9所示，若是使用第二實(shí)施例中的磁屏蔽體5來覆蓋核心2和繞組3，則可以更進(jìn)一步解除獲取單元1的核心2和繞組3受到引出饋線100周圍所產(chǎn)生的磁通量的影響。 另外，若是本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與圖5或圖6中的結(jié)構(gòu)(其中圖5和圖6中核心2的開口加利
8用磁屏蔽蓋50或磁屏蔽體5’來關(guān)閉)相結(jié)合，則就可以更進(jìn)一步降低由從開口加漏失的磁通量所產(chǎn)生的渦電流導(dǎo)致的電力損耗。(第四實(shí)施例)本實(shí)施例的非接觸式供電系統(tǒng)，與第一實(shí)施例的非接觸式供電系統(tǒng)共享基本架構(gòu)。因此，構(gòu)件部分共通于第一實(shí)施例，并且借由相同的附圖標(biāo)記來表示，在此不多作贅述。請參照圖IOA和圖10B，定位突出物41沿核心2的軸向延伸，并且徑向向外突出， 且定位突出物41沿著核心2的周圍方向并排布置在線軸4的外周面上。這些定位突出物 41被分成多個突出物組，而每一突出物組都包括兩個突出物41來限定固定部42，以用來固定繞組3中的繞線30。這些突出物組分別彼此鄰接且以等間隔排列，使得繞線30的鄰接的股之間的間隙“ a”可以維持一致。線軸4的角落部，S卩，內(nèi)周面和外周面以及側(cè)面之間所圍住的邊界部會被圓化(請參照圖10C)。繞組3是通過具有絕緣涂層的繞線30在線軸4上纏繞成為單層所形成。而相對端部20和主體部分21之間的階梯差被設(shè)定為大于繞線30的直徑，以致于繞組3不會超過核心2的相對端部20而向外移動。在本實(shí)施例的管狀核心2中，其內(nèi)周面和外周面都是彎曲的表面，并且其與軸向相交的橫切面大致上是C形，而當(dāng)繞線30密集地纏繞在內(nèi)周面上時，在外周面上的繞線30 的每股間就會產(chǎn)生間隙。在現(xiàn)有技術(shù)中，每一間隙的尺寸會存在差異。這會導(dǎo)致繞組的高頻阻抗變得不穩(wěn)定，并且收益率會不佳。在本實(shí)施例中，定位突出物41布置在線軸4的外周面上，并且每突出物組中的兩個定位突出物41之間的空間可以用作固定部42，以在其中固定繞線30。因此，在線軸4的外周面上的繞線30的每股的位置，由固定部42的位置來決定。由于此技術(shù)特征，在線軸4的外周面上的繞線30每股間的間隙尺寸就可以變得一致， 這有助于該繞組3的高頻阻抗的穩(wěn)定。在本實(shí)施例中，與繞線30的各股接觸的線軸4的角落部被圓化。因此，就可以避免繞線30損壞，以及被線軸4的這些部分所切斷。在此方面，若是繞線30的相鄰的每股之間的間隙變得更大，就可以降低繞組3的鄰近效應(yīng)和高頻阻抗的影響。如圖11所示，沿著線軸4的圓周方向并排布置的固定部42 可借由交替排列第一固定部4 和第二固定部42b來形成，其中第二固定部42b的深度小于第一固定部42a的深度。使用這樣的配置，就可以增加繞線30的相鄰每股之間的距離 “b”(b > a)。如此一來，就可以降低繞組3的鄰近效應(yīng)和高頻阻抗的影響。(第五實(shí)施例)本實(shí)施例的非接觸式供電系統(tǒng)，與第一實(shí)施例的非接觸式供電系統(tǒng)共享基本架構(gòu)。因此，構(gòu)件部分共通于第一實(shí)施例，并且借由相同的附圖標(biāo)記來表示，在此不多作贅述。請參照圖12和圖13，本實(shí)施例的非接觸式供電系統(tǒng)包括外殼500，其由具有絕緣特性的合成樹脂模制產(chǎn)品來制成。外殼500包括用來容納核心2和繞組3的第一外殼部 501，以及用來容納共振電路60而不包括繞組3的第二外殼部502。第一外殼部501形成為具有大致上為C形的橫切面，以符合核心2的形狀。第二外殼部502則形成為具有矩形箱形，其中一個表面開放。共振電路60包括矩形基板61，配置在第二外殼部502的內(nèi)底表面的附近，并且與該內(nèi)底表面平行，多個子基板62每個都安裝有一個或多個電容C(在所示示例中為兩個)， 而在基板61和子基板62中則配置多個連接器63。在基板61的表面上還形成一導(dǎo)電圖案 (未示出)。繞組3的終端(未示出)從第一外殼部501被推入至第二外殼部502中且電連接于導(dǎo)電圖案。子基板62的大小遠(yuǎn)小于基板61的大小。形成每一連接器63的一對終端接腳6 從每一子基板62的一個端表面突出(請見圖13A)。在每一子基板62的前表面上分別安裝兩個電容C。用來將電容C的終端及終端接腳6 互相連接的導(dǎo)電圖案(未示出)形成在每一子基板62的后表面上。在基板61的表面上安裝有多個外罩63a，而終端接腳6 則以可移除的方式分別插在這些外罩63a中，并且這些外罩63a還通過該導(dǎo)電圖案而電連接至繞組3。換句話說， 連接器63包括外罩63a和終端接腳63b。繞組3和電容C通過連接器63而彼此電連接，由此提供共振電路60。由于此種連接器63為公知技術(shù)，因此就省略對其結(jié)構(gòu)的詳細(xì)敘述和圖
7J\ ο若是高頻電流流經(jīng)過通過開口加而插入在核心2中的饋線100時，則會繞饋線 100同心地產(chǎn)生高頻磁場(或通量)。磁通量的大部分會沿著圓周方向而流經(jīng)核心2。當(dāng)磁通量隨著高頻電流改變時，感應(yīng)電動勢就會產(chǎn)生在繞組3內(nèi)。所產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢因此會被包括有繞組3和電容C的共振電路60的共振作用所放大。而共振電路60所輸出的共振電壓會被一種定電壓電路轉(zhuǎn)換為恒定電壓，并且接著供應(yīng)給負(fù)載111。若電容C如圖13C所示直接地安裝在基板61上，則為了調(diào)整在共振電路60內(nèi)的電容C的電容值，就需要先將基板61從第二外殼部502取出、然后從電容C的終端處移除焊料、接著將電容C從基板61上分離，并且再將電容C的終端焊接到基板61上。而且，若是使用者一次調(diào)整電容值失敗，則就需要重復(fù)進(jìn)行調(diào)整的步驟。這使得調(diào)整的工作相當(dāng)麻煩。如圖13A和圖1 所示，在本實(shí)施例中，承載有電容C的子基板62可以利用連接器63而接合到基板61上或從基板61分離。這使得調(diào)整電容C的電容值的工作變得更加容易。由此可知，與圖13C所示現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，本實(shí)施例可以使調(diào)整該共振電路60 的步驟簡化。本實(shí)施例的連接器63 (包括外罩63a和終端接腳63b)被設(shè)計成將基板61和子基板62互相連接，使該子基板62可以與基板61保持垂直。這就提供了降低基板61的大小的優(yōu)點(diǎn)。雖然本發(fā)明已就所述實(shí)施例進(jìn)行了圖示和描述，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，在不脫離由本發(fā)明后附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種改變和修改。
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權(quán)利要求
1.一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括 饋線，有高頻電流流過；以及獲取單元，其感應(yīng)地耦接至該饋線，該非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元中感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載，其中該獲取單元包括圓周地圍繞該饋線的管狀核心；以及由纏繞在核心上的繞線形成的繞組，其中該核心具有內(nèi)表面、外表面和開口，該開口在饋線的軸向上延伸，使得至少該饋線在徑向上通過該開口，而該核心的內(nèi)表面和外表面中的至少一個表面形成為彎曲的表面形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的非接觸式供電系統(tǒng)，其特征在于，該核心的內(nèi)表面和外表面都形成彎曲的表面形狀，且該核心具有與軸向相交的大致C形的橫切面。
3.如權(quán)利要求1或2所述的非接觸式供電系統(tǒng)，其特征在于，該核心具有彼此面對的相對端部，其間留有開口，且該核心的所述相對端部沿軸向所獲得的橫切面比該核心其余部分要大。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的非接觸式供電系統(tǒng)，其特征在于，該繞組由該繞線在該核心上纏繞成單層所形成。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的非接觸式供電系統(tǒng)，其特征在于，該獲取單元還包括磁屏蔽體，用來覆蓋該核心的外表面
6.一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括 饋線，有高頻電流流過；以及獲取單元，其被感應(yīng)地耦接至該饋線，該非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元內(nèi)感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載，其中該獲取單元包括圓周地圍繞該饋線的管狀核心；以及由繞線在該核心上纏繞成單層而形成的繞組。
7.一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括 饋線，有高頻電流流過；以及獲取單元，其被感應(yīng)地耦接至該饋線，該非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元內(nèi)感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載，其中該獲取單元包括圓周地圍繞該饋線的管狀核心，該核心具有開口，該開口在該饋線的軸向上延伸，使得至少該饋線在徑向上通過該開口 ；繞組，由繞線纏繞在該核心上所形成；以及用于覆蓋核心和繞組的磁屏蔽體，其由具有高導(dǎo)磁率的材料所制成。
8.一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括 饋線，有高頻電流流過；以及獲取單元，其被感應(yīng)地耦接至該饋線，該非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元內(nèi)感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載，其中該獲取單元包括圓周地圍繞該饋線的管狀核心，該核心具有開口，該開口在該饋線的軸向上延伸，使得至少該饋線在徑向上通過該開口 ；繞組，由繞線纏繞在該核心上所形成，該饋線包括插入核心內(nèi)的進(jìn)入饋線和布置在該核心外部的引出饋線；以及磁屏蔽體，其由具有高導(dǎo)磁率的材料所制成，該磁屏蔽體布置在該引出饋線和該核心的開口之間。
9.如權(quán)利要求8所述的非接觸式供電系統(tǒng)，其特征在于，該獲取單元還包括第二磁屏蔽體，用于覆蓋該核心和該繞組，該第二磁屏蔽體由具有高導(dǎo)磁率的材料所制成。
10.一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括饋線，有高頻電流流過；以及獲取單元，其被感應(yīng)地耦接至該饋線，該非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元內(nèi)感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載，其中該獲取單元包括圓周地圍繞該饋線的管狀核心；配合成圍繞該核心的線軸；以及由纏繞在該線軸上的繞線形成的繞組，其中該核心具有彎曲的表面形狀的內(nèi)周面和外周面，且該核心被形成為具有與軸向相交的大致C形的橫切面，其中該線軸包括外周面和多個定位突起物，所述多個定位突起物在核心的圓周方向上布置在該線軸的外周面上，該繞線被固定在形成于彼此相鄰的所述定位突起物之間的固定部中。
11.如權(quán)利要求10所述的非接觸式供電系統(tǒng)，其特征在于，所述固定部沿該線軸的圓周方向并排布置，并包括多個第一固定部和多個第二固定部，其中所述第二固定部的深度小于所述第一固定部的深度，且所述第一固定部和所述第二固定部以交替方式布置。
12.如權(quán)利要求10或11所述的非接觸式供電系統(tǒng)，其特征在于，該線軸包括圓化的角落部，用來接觸該繞線。
全文摘要
一種非接觸式供電系統(tǒng)，包括有高頻電流流過的饋線，以及獲取單元，其被感應(yīng)地耦接至該饋線，該非接觸式供電系統(tǒng)被構(gòu)造成通過獲取單元內(nèi)感應(yīng)的電動勢來供應(yīng)電力給負(fù)載。其中，獲取單元包括圓周地圍繞該饋線的管狀核心，以及在核心上纏繞繞線而形成的繞組。該核心具有內(nèi)表面、外表面和開口，該開口在饋線的軸向上延伸，使得至少該饋線在徑向上通過該開口。而核心的內(nèi)表面和外表面的至少其中之一表面形成彎曲的表面形狀。
文檔編號H01F38/14GK102159423SQ200980137080
公開日2011年8月17日 申請日期2009年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月22日
發(fā)明者二畠康, 前田裕史, 原信次, 土岐政人, 堀宏展, 寺里浩一, 松信幸博, 遠(yuǎn)藤洋治 申請人:松下電工株式會社