專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨著電子部件的高性能化、高功能化，已經(jīng)提出了具有各種形態(tài)的半導(dǎo)體裝置。在這類半導(dǎo)體裝置中，為了將半導(dǎo)體元件和用于搭載半導(dǎo)體元件支持基材(被粘物)粘接固定，優(yōu)選使用能夠圖形化的具有感光性的薄膜狀感光性粘接劑，以實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力性、低溫粘接性、耐濕可靠性和耐焊接回流性等以及半導(dǎo)體裝置的功能、形態(tài)和簡化組裝工序。感光性是指被光照射的部分發(fā)生化學(xué)變化而對(duì)堿水溶液、有機(jī)溶劑變?yōu)椴蝗芑蚩扇艿墓δ?。使用該具有感光性的薄膜狀感光性粘接劑時(shí)，能夠隔著光掩模進(jìn)行曝光、通過顯影液處理而形成圖形、經(jīng)由該圖形將半導(dǎo)體元件和半導(dǎo)體元件搭載用支持基材熱壓接，從而能夠獲得形成有高精細(xì)的粘接劑圖形的半導(dǎo)體裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)1)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 國際公開第2007/004569號(hào)小冊(cè)子

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題然而，使用專利文獻(xiàn)1等中所述的薄膜狀感光性粘接劑制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，存在發(fā)生熱壓接不良等、獲得的半導(dǎo)體裝置的耐熱性可能降低的問題。因此，本發(fā)明人等進(jìn)行了深入研究，結(jié)果獲知，基于下述機(jī)理可能發(fā)生熱壓接不
良οS卩，上述薄膜狀感光性粘接劑設(shè)計(jì)為對(duì)堿性水溶液、有機(jī)溶劑可溶，因此吸濕率或吸水率較高，在保管中或半導(dǎo)體裝置的組裝工序中容易吸濕。該吸濕的水分在半導(dǎo)體元件和半導(dǎo)體元件搭載用支持基材的熱壓接中，氣化、膨脹導(dǎo)致引起發(fā)泡，由于這個(gè)原因而發(fā)生熱壓接不良等。此外，還獲知粘接劑中的由于上述發(fā)泡而產(chǎn)生的空隙可能引起半導(dǎo)體裝置的耐熱性降低。鑒于上述情形，本發(fā)明目的在于提供耐熱性優(yōu)異的半導(dǎo)體裝置、以及能夠制造這樣的半導(dǎo)體裝置且不易發(fā)生熱壓接不良等不良情況的半導(dǎo)體裝置的制造方法。解決問題的手段本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其為半導(dǎo)體元件和被粘物經(jīng)由圖形化的薄膜狀感光性粘接劑被熱壓接而成的半導(dǎo)體裝置，圖形化的薄膜狀感光性粘接劑在即將熱壓接前的水分量為1.0重量％以下。所述半導(dǎo)體裝置的耐熱性是優(yōu)異的。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置能夠獲得這樣的效果的理由尚不清楚，但本發(fā)明人等考慮理
4由如下。S卩，為了由半導(dǎo)體裝置制造電子部件，通常需要經(jīng)歷將粘接劑固化的固化工序和焊錫回流工序，這些工序中必須進(jìn)行高溫處理。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，通過使水分量為規(guī)定值以下，從而能夠防止由于水分暴露于高溫下發(fā)生氣化、膨脹等而引起的粘接劑層的剝離，因而耐熱性是優(yōu)異的。上述被粘物優(yōu)選為半導(dǎo)體元件或保護(hù)玻璃。上述薄膜狀感光性粘接劑優(yōu)選至少含有(A)熱塑性樹脂和(B)熱固性樹脂，優(yōu)選進(jìn)一步含有(C)輻射聚合性化合物和(D)光引發(fā)劑。上述(A)熱塑性樹脂優(yōu)選為堿溶性樹脂。從顯影性和耐熱性特別優(yōu)異的觀點(diǎn)出發(fā)，該堿溶性樹脂優(yōu)選為分子中具有羧基和/或羥基的聚酰亞胺樹脂。從能夠在高溫下具有優(yōu)異的粘接力的觀點(diǎn)出發(fā)，上述(B)熱固性樹脂優(yōu)選為環(huán)氧樹脂。上述圖形化的薄膜狀感光性粘接劑優(yōu)選經(jīng)由下述工序形成在被粘物(優(yōu)選為半導(dǎo)體晶片)上形成由薄膜狀感光性粘接劑構(gòu)成的粘接劑層的粘接劑層形成工序；對(duì)該粘接劑層以規(guī)定的圖形進(jìn)行曝光的曝光工序；通過堿性水溶液對(duì)曝光后的粘接劑層進(jìn)行顯影的顯影工序；和對(duì)顯影后的粘接劑層的水分量進(jìn)行調(diào)整的水分量調(diào)整工序。此外，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法具有如下工序通過曝光和顯影對(duì)半導(dǎo)體元件的電路面上設(shè)置的薄膜狀感光性粘接劑實(shí)施圖形化的圖形化工序；對(duì)圖形化的所述感光性粘接劑的水分量進(jìn)行調(diào)整的水分量調(diào)整工序；在圖形化的所述感光性粘接劑上熱壓接被粘物以進(jìn)行直接粘接的熱壓接工序，在水分量調(diào)整工序中進(jìn)行水分量調(diào)整處理，使得在PET基材上成圖的薄膜狀感光性粘接劑在成圖后的水分量為1. 0重量％以下。 并提供通過該制造方法制造的半導(dǎo)體裝置。上述被粘物優(yōu)選為半導(dǎo)體元件或保護(hù)玻璃。上述水分量調(diào)整處理優(yōu)選為加熱處理。加熱處理可在例如80 200°C的條件下進(jìn)行5秒 30分鐘。上述薄膜狀感光性粘接劑優(yōu)選至少含有(A)熱塑性樹脂和(B)熱固性樹脂，優(yōu)選進(jìn)一步含有(C)輻射聚合性化合物和(D)光引發(fā)劑。上述(A)熱塑性樹脂優(yōu)選為堿溶性樹脂。從顯影性和耐熱性特別優(yōu)異的觀點(diǎn)出發(fā)，該堿溶性樹脂優(yōu)選為分子中具有羧基和/或羥基的聚酰亞胺樹脂。從能夠在高溫下具有優(yōu)異的粘接力的觀點(diǎn)出發(fā)，上述(B)熱固性樹脂優(yōu)選為環(huán)氧樹脂。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供耐熱性優(yōu)異的半導(dǎo)體裝置、以及能夠制造這樣的半導(dǎo)體裝置且不易發(fā)生熱壓接不良等不良情況的半導(dǎo)體裝置的制造方法。


圖1是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。圖2是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。圖3是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖。
圖4是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖。圖5是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖。圖6是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖。圖7是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖。圖8是表示具有粘接劑層的半導(dǎo)體晶片的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。圖9是表示粘接劑圖形的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖。圖10是沿著圖9的VI-VI線的剖面圖。圖11是表示粘接劑圖形的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖。圖12是沿著圖11的VIII-VIII線的剖面圖。圖13是表示保護(hù)玻璃(cover glass)介由粘接劑圖形被粘接到半導(dǎo)體晶片上的狀態(tài)的俯視圖。圖14沿著圖13的X-X線的剖面圖。
圖15表示保護(hù)玻璃經(jīng)由粘接劑圖形被粘接到半導(dǎo)體晶片上的狀態(tài)的俯視圖
圖16是沿著圖15的XII-XII線的剖面圖。
圖17是表示半導(dǎo)體裝置的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖18是表示半導(dǎo)體裝置的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖19是表示C⑶相機(jī)模塊(Camera Module)的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖20是表示CCD相機(jī)模塊的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖21是表示半導(dǎo)體裝置的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖22是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的--個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖23是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的--個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖24是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的--個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖25是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的--個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖26是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的--個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)說明用于實(shí)施發(fā)明的最佳方式。但本發(fā)明不受下述記載的任何限制。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，其為半導(dǎo)體元件和被粘物經(jīng)由圖形化的薄膜狀感光性粘接劑被熱壓接而成的半導(dǎo)體裝置，圖形化的薄膜狀感光性粘接劑在即將熱壓接前的水分量為1.0重量％以下。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法特征在于，該方法具有如下工序通過曝光和顯影對(duì)半導(dǎo)體元件的電路面上設(shè)置的薄膜狀感光性粘接劑實(shí)施圖形化的圖形化工序；對(duì)圖形化的所述感光性粘接劑的水分量進(jìn)行調(diào)整的水分量調(diào)整工序；在圖形化的所述感光性粘接劑上熱壓接被粘物以進(jìn)行直接粘接的熱壓接工序，在水分量調(diào)整工序中進(jìn)行水分量調(diào)整處理，使得在PET基材上成圖的薄膜狀感光性粘接劑在成圖后的水分量為1. 0重量％以下。上述水分調(diào)整處理更優(yōu)選為如下的處理在PET基材上成圖的薄膜狀感光性粘接劑在成圖后的水分量為0. 7重量％以下；進(jìn)一步優(yōu)選為如下的處理在PET基材上成圖的薄膜狀感光性粘接劑在成圖后的水分量為0. 5重量％以下。
不進(jìn)行上述水分量調(diào)整處理的情況下，在半導(dǎo)體元件和被粘物進(jìn)行熱壓接時(shí)，薄膜狀感光性粘接劑中殘存的水分由于水分氣化、膨脹而引起發(fā)泡，由此導(dǎo)致被壓接的半導(dǎo)體元件或保護(hù)玻璃的剝離等，為半導(dǎo)體裝置的制造帶來障礙。此外，在固化工序、焊錫回流工序中，殘存的水分暴露于高溫時(shí)氣化、膨脹而引起粘接劑和被粘物的剝離。此外，上述發(fā)泡而使粘接劑中產(chǎn)生空隙，導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的耐熱性降低的可能性很1 。此外，圖形化的薄膜狀感光性粘接劑的水分量可使用例如平沼產(chǎn)業(yè)制水分測定裝置“AQV2100CT”進(jìn)行測定。本發(fā)明中的水分量定義如下。在形成于PET基材上的厚度50 μ m的薄膜狀感光性粘接劑上進(jìn)一步貼合作為保護(hù)薄膜的透明的PET薄膜，將由此獲得的粘接片切成150mmX150mm的大小。在切成的粘接片上設(shè)置掩模，使用高精度平行曝光機(jī)(ORC MANUFACTURING CO.，LTD.制)在曝光量 lOOOmJ/cm2的條件下曝光(照射紫外線)，在80°C下加熱30秒。然后，剝離單側(cè)的PET薄膜，使用YAKO Co. ,Ltd.制噴霧顯影機(jī)進(jìn)行顯影(顯影液四甲基氫氧化銨(TMAH) 2. 38%， 27°C;噴霧壓力0. 18MPa ；水洗純水，23°C且噴霧壓力為0. 02MPa)。如上所述，在PET基材上形成感光性粘接劑圖形，然后，用純水對(duì)薄膜上附著的TMAH洗滌6分鐘。然后，在室溫下放置30分鐘，剝離PET基材，用平沼產(chǎn)業(yè)制水分測定裝置“AQV2100CT”測定圖形化的薄膜狀感光性粘接劑的水分量。本發(fā)明中的水分量是指此時(shí)的水分量。此外，本發(fā)明中的水分量調(diào)整處理是指進(jìn)行水分量調(diào)整使得此時(shí)的水分量為1. 0 重量％以下。該水分量調(diào)整處理的條件可根據(jù)薄膜的種類而適當(dāng)調(diào)整。例如，薄膜狀感光性粘接劑中含有氟原子的情況下，吸收的水分量少，并且與吸收的水分的親和性也低，因此這種情況下的水分量調(diào)整處理可以是用于脫除水分等旋轉(zhuǎn)干燥等。此外，其它情況下，優(yōu)選根據(jù)其薄膜的種類而適當(dāng)調(diào)整條件。此外，作為水分量調(diào)整處理而進(jìn)行加熱處理的情況下， 優(yōu)選在80 200°C下進(jìn)行5秒 30分鐘，更優(yōu)選在100°C 200°C下進(jìn)行30秒 20分鐘， 特別優(yōu)選在120°C 200°C下進(jìn)行1分鐘 10分鐘。作為水分量調(diào)整處理進(jìn)行加熱處理的情況下，如果低于80°C且不到5秒，則存在形成于PET基材上的成圖的薄膜狀感光性粘接劑的水分量達(dá)到1.0重量％以上的傾向，此外，如果加熱條件超過200°C且超過30分鐘，則圖形化的薄膜狀感光性粘接劑發(fā)生熱固化， 存在有熱壓接時(shí)的熱流動(dòng)性受損的傾向。進(jìn)行上述加熱處理的情況下，例如，可將形成于被粘物上的圖形化的薄膜狀感光性粘接劑置于聚氟化乙烯系纖維片等上，連同聚氟化乙烯系纖維片一起放置在熱板上，以規(guī)定的溫度和時(shí)間進(jìn)行加熱。進(jìn)行上述水分量調(diào)整處理的情況下，能夠減少因熱壓接時(shí)、熱固化時(shí)、焊錫回流時(shí)產(chǎn)生的空隙等所導(dǎo)致的粘接不良，能制造具有耐熱性的半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體元件和被粘物的熱壓接可通過例如在20 250°C的加熱溫度、0. 01 20kgf的載荷下壓接0. 1 300秒鐘來進(jìn)行。上述圖形化的薄膜狀感光性粘接劑優(yōu)選經(jīng)由下述工序形成在被粘物上形成由薄膜狀感光性粘接劑構(gòu)成的粘接劑層的粘接劑層形成工序；對(duì)該粘接劑層以規(guī)定的圖形進(jìn)行曝光的曝光工序；通過堿性水溶液對(duì)曝光后的粘接劑層進(jìn)行顯影的顯影工序。
粘接劑層形成工序中，可通過例如優(yōu)選在20 150°C的溫度下在加壓下用輥將薄膜狀感光性粘接劑用組合物(清漆)層疊到硅晶片等被粘物上，從而形成粘接劑層。曝光工序中，例如可將形成有規(guī)定的圖形的光掩模設(shè)置在上述粘接劑層上，用高精度平行曝光機(jī)(ORC MANUFACTURING CO.，LTD.制)在曝光量100 1000mJ/cm2的條件下照射紫外線(曝光)。此外，上述粘接劑圖形也可以是使用直接描繪曝光技術(shù)對(duì)上述粘接劑層直接描繪圖形并曝光而形成的。該曝光工序之后可根據(jù)需要在40°C 120°C下加熱5 秒 30秒。顯影工序中，例如，可使用四甲基氫氧化銨(TMAH) 1.0 5.0%、優(yōu)選2. 38%溶液進(jìn)行噴霧顯影而使粘接劑層形成為圖形狀。這里，薄膜狀感光性粘接劑為正型的情況下，曝光部被除去；薄膜狀感光性粘接劑為負(fù)型的情況下曝光部殘留。上述圖形的線寬優(yōu)選在0. Olmm 20mm的范圍內(nèi)。此外，上述圖形的形狀沒有特別限制，可列舉出例如框狀、線狀、貫通孔等形狀，其中為框狀時(shí)能獲得穩(wěn)定的圖形化的粘接劑，從這點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選為框狀。上述薄膜狀感光性粘接劑優(yōu)選至少含有(A)熱塑性樹脂和(B)熱固性樹脂；優(yōu)選進(jìn)一步含有(C)輻射聚合性化合物和(D)光引發(fā)劑。(A)熱塑性樹脂只要對(duì)堿顯影液可溶則沒有特別限制，可列舉出選自例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、聚氨酯酰亞胺樹脂、聚氨酯酰胺酰亞胺樹脂、硅氧烷聚酰亞胺樹脂、聚酯酰亞胺樹脂或它們的共聚物，以及苯氧樹脂、聚砜樹脂、聚醚砜樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚酯樹脂、聚醚酮樹脂、(甲基)丙烯酸共聚物等組成的組中的至少一種以上樹脂等，其中，從能夠兼顧顯影性和耐熱性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選為聚酰亞胺樹脂，更優(yōu)選為側(cè)鏈或末端具有羧基和/或羥基等堿溶性基團(tuán)的聚酰亞胺樹脂。聚酰亞胺樹脂例如可通過用公知的方法使四羧酸二酐和二胺發(fā)生縮合反應(yīng)來獲得。即，在有機(jī)溶劑中，將四羧酸二酐和二胺調(diào)整為等摩爾、或者根據(jù)需要將組成比調(diào)整為相對(duì)于總計(jì)1. Omol的四羧酸二酐使二胺的總計(jì)優(yōu)選為0. 5 2. Omol、更優(yōu)選為0. 8 1. Omol的范圍(各成分的添加順序是任意的)，在反應(yīng)溫度80°C以下、優(yōu)選在0 60°C下進(jìn)行加成反應(yīng)。隨著反應(yīng)進(jìn)行，反應(yīng)液的粘度緩緩上升，生成作為聚酰亞胺樹脂前體的聚酰胺酸。此外，為抑制粘接劑各種特性的降低，上述四羧酸二酐優(yōu)選通過醋酸酐進(jìn)行了重結(jié)晶純化處理。此外，關(guān)于上述縮合反應(yīng)中的四羧酸二酐和二胺的組成比，當(dāng)相對(duì)于總計(jì)1. Omol 的四羧酸二酐，二胺的總計(jì)超過2. Omol時(shí)，存在獲得的聚酰亞胺樹脂中具有胺末端的聚酰亞胺寡聚物的量變多的傾向，另一方面，二胺的總計(jì)小于0. 5mol時(shí)，存在具有酸末端的聚酰亞胺寡聚物的量變多的傾向，這兩種情況下均存在聚酰亞胺樹脂的重均分子量變低、粘接劑的包括耐熱性在內(nèi)的各種特性降低的傾向。此外，優(yōu)選確定適當(dāng)?shù)乃聂人岫投返募恿辖M成比，以使獲得的聚酰亞胺樹脂的重均分子量為10000 300000。聚酰亞胺樹脂可通過使上述反應(yīng)產(chǎn)物(聚酰胺酸)脫水閉環(huán)而獲得。脫水閉環(huán)可通過加熱處理的熱閉環(huán)法、使用脫水劑的化學(xué)閉環(huán)法等進(jìn)行。用作聚酰亞胺樹脂原料的四羧酸二酐沒有特別限制，可列舉出例如均苯四酸二酐、3，3’，4，4’-聯(lián)苯四羧酸二酐、2，2’，3，3’-聯(lián)苯四羧酸二酐、2，2-雙(3，4_ 二羧基苯基)丙烷二酐、2，2_雙(2，3_ 二羧基苯基)丙烷二酐、1，1_雙(2，3_ 二羧基苯基)乙烷二酐、1， 1-雙(3，4_ 二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2，3_ 二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3，4_ 二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3，4_ 二羧基苯基)砜二酐、3，4，9，10-茈四羧酸二酐、雙(3，4_ 二羧基苯基)醚二酐、苯-1，2，3，4_四羧酸二酐、3，4，3’，4’_ 二苯甲酮四羧酸二酐、2，3，2’，3’-二苯甲酮四羧酸二酐、3，3，3’，4’ - 二苯甲酮四羧酸二酐、1，2，5，6-萘四羧酸二酐、1，4，5，8-萘四羧酸二酐、2，3，6，7-萘四羧酸二酐、1，2，4，5-萘四羧酸二酐、2，6-二氯萘-1，4，5，8_四羧酸二酐、2，7_ 二氯萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、2，3，6，7-四氯萘_1，4，5，8_四羧酸二酐、 菲-1，8，9，10-四羧酸二酐、吡嗪-2，3，5，6-四羧酸二酐、噻吩-2，3，5，6-四羧酸二酐、2，3， 3’，4’-聯(lián)苯四羧酸二酐、3，4，3’，4’-聯(lián)苯四羧酸二酐、2，3，2’，3’-聯(lián)苯四羧酸二酐、雙(3， 4-二羧基苯基)二甲基硅烷二酐、雙(3，4-二羧基苯基)甲基苯基硅烷二酐、雙(3，4-二羧基苯基)二苯基硅烷二酐、1，4_雙(3，4_ 二羧基苯基二甲基甲硅烷基)苯二酐、1，3_雙(3， 4- 二羧基苯基)-1，1，3，3-四甲基二環(huán)己烷二酐、對(duì)亞苯基雙(偏苯三酸酯酐)、亞乙基四羧酸二酐、1，2，3，4- 丁烷四羧酸二酐、十氫萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、4，8_ 二甲基_1，2，3， 5，6，7-六氫萘-1，2，5，6-四羧酸二酐、環(huán)戊烷-1，2，3，4-四羧酸二酐、吡咯烷-2，3，4，5-四羧酸二酐、1，2，3，4_環(huán)丁烷四羧酸二酐、雙(外向-二環(huán)[2，2，1]庚烷-2，3-二羧酸二酐、 二環(huán)-[2，2，2]_辛-7-烯-2，3，5，6-四羧酸二酐、2，2_雙(3，4_ 二羧基苯基)丙烷二酐、 2，2_雙W-(3，4-二羧基苯基)苯基]丙烷二酐、2，2_雙(3，4_ 二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2，2_雙W-(3，4-二羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4，4’ -雙(3，4_ 二羧基苯氧基) 二苯基硫醚二酐、1，4_雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三酸酐)、1，3_雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三酸酐)、5-(2，5- 二氧四氫呋喃基)-3-甲基-3-環(huán)己烯-1，2- 二羧酸二酐、四氫呋喃-2，3，4，5-四羧酸二酐、及下述通式(I)表示的四羧酸二酐等。[化學(xué)式1]
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體裝置，其為半導(dǎo)體元件和被粘物經(jīng)由圖形化的薄膜狀感光性粘接劑被熱壓接而成的半導(dǎo)體裝置，所述圖形化的薄膜狀感光性粘接劑在即將熱壓接前的水分量為1.0重量％以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述被粘物為半導(dǎo)體元件或保護(hù)玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述薄膜狀感光性粘接劑至少含有㈧熱塑性樹脂和⑶熱固性樹脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述薄膜狀感光性粘接劑還含有 (C)輻射聚合性化合物和(D)光引發(fā)劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述(A)熱塑性樹脂為堿溶性樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述堿溶性樹脂為分子中具有羧基和/或羥基的聚酰亞胺樹脂。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述(B)熱固性樹脂為環(huán)氧樹脂。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述圖形化的薄膜狀感光性粘接劑經(jīng)由下述工序形成在被粘物上形成由薄膜狀感光性粘接劑構(gòu)成的粘接劑層的粘接劑層形成工序；對(duì)該粘接劑層以規(guī)定的圖形進(jìn)行曝光的曝光工序；通過堿性水溶液對(duì)曝光后的粘接劑層進(jìn)行顯影的顯影工序；和對(duì)顯影后的粘接劑層的水分量進(jìn)行調(diào)整的水分量調(diào)整工序。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法具有如下工序通過曝光和顯影對(duì)半導(dǎo)體元件的電路面上設(shè)置的薄膜狀感光性粘接劑實(shí)施圖形化的圖形化工序；對(duì)圖形化的所述感光性粘接劑的水分量進(jìn)行調(diào)整的水分量調(diào)整工序；在圖形化的所述感光性粘接劑上熱壓接被粘物以進(jìn)行直接粘接的熱壓接工序，在所述水分量調(diào)整工序中進(jìn)行水分量調(diào)整處理，使得在PET基材上成圖的薄膜狀感光性粘接劑在成圖后的水分量為1. O重量％以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述被粘物為半導(dǎo)體元件或保護(hù)玻璃。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述水分量調(diào)整處理為加熱處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求9 11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜狀感光性粘接劑至少含有(A)熱塑性樹脂和(B)熱固性樹脂。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜狀感光性粘接劑還含有(C)輻射聚合性化合物和(D)光引發(fā)劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述(A)熱塑性樹脂為堿溶性樹脂。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述堿溶性樹脂為分子中具有羧基和/或羥基的聚酰亞胺樹脂。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述(B)熱固性樹脂為環(huán)氧樹脂。
17.一種半導(dǎo)體裝置，其通過權(quán)利要求9 16中任一項(xiàng)所述的制造方法來制造。
全文摘要
本發(fā)明目的在于提供一種耐熱性優(yōu)異的半導(dǎo)體裝置。提供一種半導(dǎo)體裝置，其為半導(dǎo)體元件和被粘物經(jīng)由圖形化的薄膜狀感光性粘接劑被熱壓接而成的半導(dǎo)體裝置，圖形化的薄膜狀感光性粘接劑在即將熱壓接前的水分量為1.0重量％以下。
文檔編號(hào)H01L21/52GK102160163SQ20098013709
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2009年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月22日
發(fā)明者加藤木茂樹, 增子崇, 川守崇司, 滿倉一行 申請(qǐng)人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社