專利名稱：具有冗余電極的led裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及LED裝置及其制造方法，尤其是涉及具有冗余電極的LED裝置及其制造方法。
背景技術：
LED (Light Emitting Diode)是用于光輻射半導體組件的發(fā)光二極管，發(fā)射紅、 綠、藍、黃等不同顏色的光，通常被用在各種電子產品及儀器等的電子指示燈。LED具有pn 結結面結構。Pn結結面結構加正向電流，使其η區(qū)域的電子因電場加速而流向ρ區(qū)域。流向P區(qū)域的電子與受體能級或價電子帶狀態(tài)的空穴再結合，根據(jù)芯片材料，并按電位差能源放射光，這種現(xiàn)象為注入式電致發(fā)光。LED芯片的代表性材料為砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵 (GaAsP)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵鋁(GaAlAs)、碳化硅(SiC)等。圖1是現(xiàn)有技術的LED芯片結構的俯視圖，圖2是現(xiàn)有技術的LED芯片結構的橫截面結構示意圖，圖3是現(xiàn)有技術的LED裝置連接結構示意圖。如圖1至圖3所示，現(xiàn)有技術的紅色LED芯片包括基板101、活性區(qū)域103、第一鍍層105、第二鍍層107、疊層(未圖示)、 第一電極109、和第二電極111，因紅色LED芯片的基板101為導電性，第一電極109與第一導體117通過引線119接合，且第二電極111通過導電膠的Ag導電膠O^ste) 113直接與第二導體115連接。上述只有一個電極具有引線接合結構，稱為1結合結構。具有1結合結構的現(xiàn)有技術的LED裝置，因各種原因，由Ag導電膠113連接的第二電極111與第二導體117之間的接合容易發(fā)生分離。例如LED裝置安裝至基板時，由于沖擊使Ag導電膠113 掉落，或者由于焊接導致溫度的急劇變化，使Ag導電膠113掉落。第二電極111與第二導體117之間的接合的分離，造成以往技術的LED裝置致命的弱點。現(xiàn)有技術的紅色LED芯片依其磷化鎵(GaP) /磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP) /砷化鎵(GaAs)、鋁砷化鎵(AWaAs)/砷化鎵(GaAs)、InGaAIP/砷化鎵(GaAs)的順序發(fā)展。其中InGaAIP/砷化鎵(GaAs)芯片，由于具備高亮度及優(yōu)秀信賴性，從而被廣泛應用。圖4是現(xiàn)有技術的LED芯片中，InGaAIP/砷化鎵(GaAs)芯片結構的結構示意圖，圖5是InGaAIP/ 砷化鎵(GaAs)芯片發(fā)光狀態(tài)的示意圖。InGaAIP/砷化鎵(GaAs)芯片包括砷化鎵(GaAs)基板201 JnGaAIP材質的活性區(qū)域203、第一鍍層205、及第二鍍層207。如圖4所示，InGaAIP/ 砷化鎵(GaAs)芯片的砷化鎵(GaAs)基板201對于作用層產生的光為不透明材料，吸收由 InGaAIP材質的活性區(qū)域203產生的光線，如圖5所示，導致光的放射效率非常低。為了增強光的放射效率，去除光吸收基板的砷化鎵(GaAs)基板，采用如磷化鎵 (GaP)基板具有透光功能的基板來接合的方法。圖6是圖示現(xiàn)有技術的重置基板的LED芯片結構的圖面，圖7是現(xiàn)有技術的重置基板的LED芯片發(fā)光狀態(tài)的示意圖。如圖4所示的 InGaAIP/砷化鎵(GaAs)芯片，去除砷化鎵(GaAs)基板后，如磷化鎵(GaP)基板具有透光功能的基板301與第一鍍層205、hGaAIP材質的活性區(qū)域203及第二鍍層207接合。如圖6 所示，重置基板的LED芯片，如磷化鎵(GaP)基板具有透光功能的基板301透射由InGaAIP 材質的活性區(qū)域203產生的光線，如圖7所示，導致光的放射效率非常高。
如圖6及圖7所示，現(xiàn)有技術的重置基板的LED芯片，因接合力不足，如磷化鎵 (GaP)基板具有透光功能的基板301與第二鍍層207之間的接合容易產生分離。此外，現(xiàn)有技術的重置基板的LED芯片透光基板301仍為導電性基板，如圖1至圖3所示，具有1結合結構。另外，現(xiàn)有技術的重置基板的LED芯片，因各種原因，由Ag導電膠連接的第二電極與第二導體之間的接合容易發(fā)生分離。如上所述，透光基板301與第二鍍層207之間接合的分離及第二電極與第二導體之間結合的分離，造成現(xiàn)有技術的重置基板的LED裝置致命的 M ^
實用新型內容
為了解決上述現(xiàn)有技術所存在的問題，本發(fā)明提供一種具有冗余電極的LED裝置及其制造方法，通過在LED芯片上設置冗余電極，使得即使使用導電膠連接電極和導體而造成電極和導體之間的接合發(fā)生分離，該LED裝置仍穩(wěn)定運轉。本發(fā)明解決上述技術問題的技術方案如下具有冗余電極的LED裝置，包括LED 導電性基板；在所述導電性基板上方形成的第一鍍層；在所述第一鍍層上方形成的活性區(qū)域；在所述活性區(qū)域上方形成的第二鍍層；在所述第二鍍層上方一側形成的第一電極；在所述第二鍍層和所述第一電極之間形成的疊層；在所述導電性基板下方形成的第二電極； 在所述導電性基板或所述第一鍍層中的任一局部露出區(qū)域上形成的冗余電極；通過導電膠與所述第二電極連接的第二導體，所述第二導體還通過第二引線與所述冗余電極接合；通過所述第一引線與所述第一電極接合的第一導體。進一步的，所述導電性基板的材質為硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵 (GaAs)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(MP)中的任意一種材質。進一步的，所述導電性基板為重置基板。進一步的，所述導電性基板的材質為磷化鎵(GaP)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、 氧化鋅(aio)中的任意一種材質。進一步的，在所述導電性基板、和/或所述第一鍍層、和/或所述活性區(qū)域、和/或所述第二鍍層中的至少一個側面上形成復數(shù)個凹凸。進一步的，所述第一電極和/或所述冗余電極為金屬材質。進一步的，所述導電膠為金屬膠劑，優(yōu)選為Ag導電膠。采用上述技術方案的有益效果是本發(fā)明提供一種具有冗余電極的LED裝置，通過在LED芯片上設置冗余電極，使得即使使用導電膠連接電極和導體而造成電極和導體之間的接合發(fā)生分離，該LED裝置仍穩(wěn)定運轉。本發(fā)明解決上述技術問題的另一技術方案如下具有冗余電極的LED裝置的制造方法，包括步驟A、選擇LED用導電性基板；步驟B、在所述導電性基板上方形成第一鍍層；步驟C、在所述第一鍍層上方形成活性區(qū)域；步驟D、在所述活性區(qū)域上方形成第二鍍層；步驟E、在所述第二鍍層上方形成疊層；步驟F、在所述第一鍍層或所述導電性基板的任一局部形成露出區(qū)域；
步驟G、在所述疊層上方形成第一電極，且在所述露出區(qū)域上形成冗余電極；步驟H、在所述導電性基板下方形成第二電極；步驟I、通過導電膠將所述第二電極與所述第二導體連接；步驟J、通過第一引線將所述第一電極與所述第一導體接合，通過第二引線將所述冗余電極與所述第二導體接合。進一步的，所述導電性基板的材質為硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵 (GaAs)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)及磷化銦(InP)中的任意一種材質。進一步的，所述步驟F中，通過干式蝕刻法或濕式蝕刻法形成所述露出區(qū)域。進一步的，所述步驟F還包括以下內容通過干式蝕刻法或濕式蝕刻法，在所述導電性基板、和/或所述第一鍍層、和/或所述活性區(qū)域、和/或所述第二鍍層中的至少一個側面上形成復數(shù)個凹凸。進一步的，所述第一電極和/或所述冗余電極為金屬材質。進一步的，所述導電膠為金屬膠劑，優(yōu)選為Ag導電膠。采用上述技術方案的有益效果是本發(fā)明提供一種具有冗余電極的LED裝置的制造方法，通過在LED芯片上設置冗余電極，使得即使基板和鍍層之間的接合發(fā)生分離，或者由于導電膠連接電極和導體而導致電極和導體之間的接合發(fā)生分離，該LED裝置仍能穩(wěn)定運轉。本發(fā)明解決上述技術問題的第三技術方案如下具有冗余電極的LED裝置的制造方法，包括步驟A、選擇LED用第一基板；步驟B、在所述第一基板上方形成第一鍍層；步驟C、在所述第一鍍層上方形成活性區(qū)域；步驟D、在所述活性區(qū)域上方形成第二鍍層；步驟E、去除所述第一基板；步驟F、在所述第一鍍層下方接合LED用導電性的第二基板；步驟G、使所述第一鍍層或所述第二基板任一局部形成露出區(qū)域；步驟H、在所述第二鍍層上方形成第一電極，且在所述第一鍍層或所述第二基板的任一露出區(qū)域上形成冗余電極；步驟I、在所述第二基板下方形成第二電極；步驟J、通過導電膠將所述第二電極與所述第二導體接合；步驟K、通過第一引線將所述第一電極與所述第一導體接合，通過第二引線將所述冗余電極與所述第二導體接合。進一步的，所述的第一基板為光吸收基板。進一步的，所述第一基板的材質為砷化鎵(GaAs)。進一步的，所述第二基板為透光基板。進一步的，所述第二基板的材質為磷化鎵(GaP)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)及氧化鋅(ZnO)中的任意一種材質。進一步的，所述步驟G中，通過由干式蝕刻法或濕式蝕刻法形成所述露出區(qū)域。進一步的，所述步驟G還包括以下內容通過于式蝕刻法或濕式蝕刻法，在所述導電性基板、和/或所述第一鍍層、和/或所述活性區(qū)域、和/或所述第二鍍層中的至少一個側面上形成復數(shù)個凹凸。進一步的，所述第一電極和/或所述冗余電極為金屬材質。進一步的，所述導電膠為金屬膠劑，優(yōu)選為Ag導電膠。采用上述技術方案的有益效果是本發(fā)明提供一種具有冗余電極的LED裝置的制造方法，在LED芯片上增加冗余電極時，使該芯片側面具有凹凸面，無需增加額外工程，也能增強發(fā)光效率。本發(fā)明的有益效果是提供具有冗余電極的LED裝置及其制造方法，增加冗余電極，其價格低廉，同時可保證高信賴性。


圖1是現(xiàn)有技術的LED芯片結構的俯視圖；圖2是現(xiàn)有技術的LED芯片結構的橫截面結構示意圖；圖3是現(xiàn)有技術的LED裝置連接結構的結構示意圖；圖4是現(xiàn)有技術的LED芯片中，InGaAIP/砷化鎵(GaAs)芯片結構的結構示意圖；圖5是InGaAIP/砷化鎵(GaAs)芯片發(fā)光狀態(tài)的示意圖；圖6是現(xiàn)有技術的重置基板的LED芯片結構的結構示意圖；圖7是現(xiàn)有技術的重置基板的LED芯片發(fā)光狀態(tài)的示意圖；圖8是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED芯片結構的橫截面結構示意圖；圖9是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED芯片結構的俯視圖；圖10是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED裝置結合結構的結構圖；圖11是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED裝置的制造方法流程圖；圖12是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED裝置的制造方法流程圖一；圖13是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED裝置的制造方法流程圖二 ；圖14是本發(fā)明優(yōu)選實施例的說明冗余電極的形成位置的附圖一，圖15是本發(fā)明優(yōu)選實施例的說明冗余電極的形成位置的附圖二 ；圖16是本發(fā)明優(yōu)選實施例的說明冗余電極的形成位置的附圖三；圖17是本發(fā)明優(yōu)選實施例的說明冗余電極的形成位置的附圖四。
具體實施例方式圖10是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED裝置結合結構的結構示意圖。—種具有冗余電極LED芯片，其包括導電性基板401、活性區(qū)域403、第一鍍層 (圖中未圖示)、第二鍍層407、第一電極409、第二電極411和冗余電極450，第二鍍層407 還可以包括疊層(圖中未圖示)，通過該疊層實現(xiàn)第二鍍層407與第一電極409的歐姆接觸。導電性基板401的材質可以為硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵 (GaAs)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)中的任意一個，其具有導電性。導電性基板401下方形成第二電極411，在第一鍍層上通過蝕刻法形成的露出區(qū)域上設置有冗余電極450，且該冗余電極450與第二電極411以基板401作為同一載體，該冗余電極450是第二電極411的附加電極。
該冗余電極450位于第一鍍層上，也可位于導電性基板401的一側。由于本發(fā)明的具有冗余電極的LED芯片的導電性基板401其具有導電性，第二電極411通過具有導電功能的導電膠413來直接與第二導體417連接，該導電膠413優(yōu)選為 Ag導電膠。第一電極409在第二鍍層407的上方一側形成。第一電極409與第一導體415通過第一引線419接合。為了使本發(fā)明的具有冗余電極450的LED芯片穩(wěn)定運轉，第二導體417以杯子形狀為較佳。。由于冗余電極450形成在第一鍍層活基板401通過蝕刻法形成的局部露出區(qū)域上，因此，使得即使由于導電膠413連接第二電極411與第二導體417而造成第二電極411 于第二導體417之間的接合發(fā)生分離、或基板401與第一鍍層之間的接合發(fā)生分離，本發(fā)明具有冗余電極的LED裝置仍能穩(wěn)定運轉。冗余電極450與第二導體417通過第二引線421接合連接。以下結合附圖，對本發(fā)明的實施例作進一步具體的說明。圖8是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED芯片結構的橫截面結構示意圖； 圖9是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED芯片結構的俯視圖；圖10是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED裝置結合結構的示意圖。如圖14至圖17所示，為了說明冗余電極的形成位置，本發(fā)明的優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED芯片，其包括基板401、活性區(qū)域403、第一鍍層405、第二鍍層407、第一電極409、第二電極411和冗余電極450。第二鍍層407還可以包括疊層(未圖示)，通過該疊層實現(xiàn)第二鍍層407與第一電極409的歐姆接觸。基板401的材質為硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、氧化鋅 (ZnO)、磷化鎵(GaP)及磷化銦QnP)中任意一個，其具有導電性?；?01為重置基板，重置基板的意思是把一個基板替換為另一個基板，比如將砷化鎵(GaAs)基板更換至磷化銦αηΡ)基板。導電性基板401下方形成第二電極411，在第一鍍層上通過蝕刻法形成露出區(qū)域上設置冗余電極450，且該冗余電極450與第二電極 411以基板401為同一載體，該冗余電極450是第二電極411的附加電極。由于本發(fā)明的具有冗余電極的LED裝置的基板401具有導電性，第二電極411通過具有導電功能的導電膠413來直接與第二導體417連接，該導電膠413優(yōu)選為Ag導電膠。 為了使本發(fā)明的具有冗余電極450的LED芯片穩(wěn)定運轉，第二導體417以杯子形狀為較佳。第一電極409在第二鍍層407的上方一側形成。第一電極409可以具有多種形狀， 這已由本發(fā)明所屬技術領域的業(yè)內人士所公知。第一電極409與第一導體415通過第一引線419接合連接。由于冗余電極450形成在第一鍍層活基板401通過蝕刻法形成的局部露出區(qū)域上，因此，使得即使由于導電膠413連接第二電極411與第二導體417而造成第二電極411 于第二導體417之間的接合發(fā)生分離、或基板401與第一鍍層之間的接合發(fā)生分離，本發(fā)明具有冗余電極的LED裝置仍能穩(wěn)定運轉。本發(fā)明的其他優(yōu)選實施例中，通過利用第一鍍層或基板401的局部露出方法，使在基板401、第一鍍層405、活性區(qū)域403、或第二鍍層407中，至少一個的任一側面為具有復數(shù)個凹凸的凹凸面。通過利用形成冗余電極450時的蝕刻工程，使本發(fā)明的具有冗余電極的LED芯片的側面具有凹凸面，無需增加額外工程，也能增強發(fā)光效率。冗余電極450可以具有多種形狀，這已由本發(fā)明所屬技術領域的業(yè)內人士所公知。冗余電極450與第二導體 417通過第二引線接合421連接。圖11是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED裝置的制造方法流程圖。如圖11所示，為了制造本發(fā)明的具有冗余電極的LED裝置，其包括以下步驟步驟501，提供合適的基板，基板可以為硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)及磷化銦(MP)中任何一個且具有導電性；步驟503，在基板上方形成第一鍍層；步驟505，在第一鍍層上方形成產光的活性區(qū)域；步驟507，在活性區(qū)域的上方形成第二鍍層；步驟509，露出第一鍍層的局部或基板的局部，第一鍍層的局部或基板的局部露出區(qū)域通過干式蝕刻法(特別是RIE)或濕式蝕刻法來實現(xiàn)，本發(fā)明的其他優(yōu)選實施例中，在通過干式蝕刻法(特別是RIE)或濕式蝕刻法在第一鍍層的局部或基板的局部形成露出區(qū)域的蝕刻露出工程過程中，還可以通過上述蝕刻露出工程使基板、第一鍍層、活性區(qū)域、及第二鍍層中，至少在一個的側面具有復數(shù)個凹凸的凹凸面，通過利用第一鍍層或基板的局部蝕刻露出工程，無需增加額外工程，也能使其側面成為凹凸面，從而增強本發(fā)明的LED裝置的發(fā)光效率；步驟511，在第二鍍層上方形成第一電極，且在第一鍍層或基板的露出區(qū)域形成冗余電極，冗余電極可以在第一鍍層上方的一側(如圖14所示)、在第一鍍層上蝕刻一定深度的一側(如圖15所示)、在基板的上方一側(如圖16所示)、以及在基板上蝕刻一定深度的一側(如圖17所示)形成，即使由于導電膠導致第二電極與第二導體之間的接合發(fā)生分離，或基板與第一鍍層之間的接合發(fā)生分離，因冗余電極能得到由第二引線連接的第二導體提供的電力，本發(fā)明的具有冗余電極的LED芯片或裝置仍能穩(wěn)定運轉，第一電極或冗余電極可以具有多種形狀，另外，第一電極或冗余電極是金屬材質為較佳；步驟513，在基板下方形成用于歐姆接觸的第二電極，第二電極是金屬材質為較佳；步驟515，第二電極與第二導體由金屬膠劑連接，優(yōu)選金屬膠劑的Ag導電膠，使位于基板下方的第二電極與第二導體連接；步驟517，第一電極與第一導體由引線接合，且冗余電極與第二導體由引線接合。圖12及圖13是本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有冗余電極的LED裝置的制造方法流程圖。如圖12及圖13所示，為了制造本發(fā)明的具有冗余電極的LED裝置，其包括以下步驟步驟601，提供第一基板，第一基板為光吸收基板，如砷化鎵(GaAs)基板，且具有導電性；步驟603，在第一基板上方形成第一鍍層；步驟605，在第一鍍層上方形成產光的活性區(qū)域；步驟607，在活性區(qū)域的上方形成第二鍍層；步驟609，去除吸收由活性區(qū)域產生的光而降低光放射效率的第一基板；步驟611，以第二基板代替第一基板在第一鍍層下方接合，也就是將第一基板更換為第二基板，第二基板為如磷化鎵(GaP)基板、SiC基板、氮化鎵(GaN)基板、氧化鋅(SiO) 基板的透光基板較佳，將第一基板光吸收基板更換為第二基板透光基板，使基板不再吸收由活性區(qū)域產生的光，從而有效提高了光放射效率；步驟613，露出第一鍍層或第二基板的局部，第一鍍層的局部或基板的局部露出區(qū)域是由干式蝕刻法(特別是RIE)或濕式蝕刻法來完成，本發(fā)明的其他優(yōu)選實施例中，在通過干式蝕刻法(特別是RIE)或濕式蝕刻法在第一鍍層的局部或基板的局部形成露出區(qū)域的蝕刻露出工程過程中，還可以通過上述蝕刻露出工程使第二基板、第一鍍層、活性區(qū)域、 及第二鍍層中，至少在一個的側面具有復數(shù)個凹凸的凹凸面，同時，通過利用蝕刻法形成第一鍍層或第二基板的局部露出區(qū)域，無需增加額外工程，也能使其側面成為凹凸面，從而增強本發(fā)明的LED裝置的發(fā)光效率；步驟615，在第二鍍層上方形成第一電極，且在第一鍍層或第二基板的露出區(qū)域上形成冗余電極，該冗余電極在第一鍍層上方的一側(如圖14所示)、在第一鍍層上蝕刻一定深度的一側(如圖15所示)、在第二基板的上方一側(如圖16所示)、以及在第二基板上蝕刻一定深度的一側(如圖17所示)形成，即使導電膠造成第二電極與第二導體之間的接合分離、或第二基板與第一鍍層之間的接合分離，由于冗余電極能得到由第二引線連接的第二導體提供的電力，因此本發(fā)明的具有冗余電極的LED芯片或裝置仍能穩(wěn)定運轉，第一電極或冗余電極可以具有多種形狀，另外，第一電極或冗余電極是金屬材質為較佳；步驟617，在第二基板下方形成用于歐姆接觸的第二電極，第二電極是金屬材質為較佳；步驟619，第二電極與第二導體通過金屬膠連接，優(yōu)選金屬膠為Ag導電膠，使位于基板下方的第二電極與第二導體連接；步驟621，第一電極與第一導體由引線接合，且冗余電極與第二導體由引線接合。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。產業(yè)上的使用可能性本發(fā)明所述具有冗余電極的LED裝置及其制造方法，除了在第二鍍層或疊層上方一側形成的第一電極和在導電性基板下方形成的第二電極，在所述基板及第一鍍層中，其中任何一個的部分露出區(qū)域形成冗余電極，提供了價格低廉并保證高信賴性的LED裝置。
權利要求
1.一種具有冗余電極的LED裝置，其特征在于，所述具有冗余電極的LED裝置包括導電性基板；在所述導電性基板上方形成的第一鍍層； 在所述第一鍍層上方形成的活性區(qū)域； 在所述活性區(qū)域上方形成的第二鍍層； 在所述第二鍍層上方一側形成的第一電極； 在所述導電性基板下方形成的第二電極；在所述導電性基板或所述第一鍍層中的任一局部露出區(qū)域上形成的冗余電極； 通過導電膠與所述第二電極連接的第二導體，所述第二導體還通過第二引線與所述冗余電極接合；通過所述第一引線與所述第一電極接合的第一導體。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種具有冗余電極的LED裝置，其特征在于所述導電性基板的材質為硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鋅、磷化鎵、磷化銦中的一種。
3.根據(jù)權利要求1所述的具有冗余電極的LED裝置，其特征在于所述導電性基板為重置基板。
4.根據(jù)權利要求3所述的具有冗余電極的LED裝置，其特征在于所述導電性基板的材質為磷化鎵、碳化硅、氮化鎵、氧化鋅中的一種。
5.根據(jù)權利要求1所述的具有冗余電極的LED裝置，其特征在于在所述導電性基板、和/或所述第一鍍層、和/或所述活性區(qū)域、和/或所述第二鍍層中的至少一個側面上形成復數(shù)個凹凸。
6.根據(jù)權利要求1所述的具有冗余電極的LED裝置，其特征在于所述第一電極、和/ 或所述冗余電極為金屬材質。
7.根據(jù)權利要求1所述的具有冗余電極的LED裝置，其特征在于所述導電膠為Ag 導電膠。
8.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的具有冗余電極的LED裝置，其特征在于所述具有冗余電極的LED裝置還包括在所述第二鍍層和所述第一電極之間形成的疊層。
9.具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于，所述具有冗余電極的LED裝置的制造方法包括步驟A、選擇LED用導電性基板； 步驟B、在所述導電性基板上方形成第一鍍層； 步驟C、在所述第一鍍層上方形成活性區(qū)域； 步驟D、在所述活性區(qū)域上方形成第二鍍層； 步驟E、在所述第二鍍層上方形成疊層；步驟F、在所述第一鍍層或所述導電性基板的任一局部形成露出區(qū)域； 步驟G、在所述疊層上方形成第一電極，且在所述露出區(qū)域上形成冗余電極； 步驟H、在所述導電性基板下方形成第二電極； 步驟I、通過導電膠將所述第二電極與所述第二導體連接；步驟J、通過第一引線將所述第一電極與所述第一導體接合，通過第二引線將所述冗余電極與所述第二導體接合。
10.根據(jù)權利要求9所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于，所述導電性基板的材質為硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鋅、磷化鎵、磷化銦中的一種。
11.根據(jù)權利要求9所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟F中，通過干式蝕刻法或濕式蝕刻法形成所述露出區(qū)域。
12.根據(jù)權利要求11所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟F還包括以下內容通過干式蝕刻法或濕式蝕刻法，在所述導電性基板、和/或所述第一鍍層、和/或所述活性區(qū)域、和/或所述第二鍍層中的至少一個側面上形成復數(shù)個凹凸。
13.根據(jù)權利要求9所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于所述第一電極、和/或所述冗余電極為金屬材質。
14.根據(jù)權利要求9所述的具有冗余電極的LED裝置及其制造方法，其特征在于所述導電膠為Ag導電膠。
15.一種具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于，所述具有冗余電極的LED 裝置的制造方法包括步驟A、選擇LED用第一基板； 步驟B、在所述第一基板上方形成第一鍍層； 步驟C、在所述第一鍍層上方形成活性區(qū)域； 步驟D、在所述活性區(qū)域上方形成第二鍍層； 步驟E、去除所述第一基板；步驟F、在所述第一鍍層下方接合LED用導電性的第二基板； 步驟G、使所述第一鍍層或所述第二基板任一局部形成露出區(qū)域； 步驟H、在所述第二鍍層上方形成第一電極，且在所述第一鍍層或所述第二基板的任一露出區(qū)域上形成冗余電極；步驟I、在所述第二基板下方形成第二電極；步驟J、通過導電膠將所述第二電極與所述第二導體接合；步驟K、通過第一引線將所述第一電極與所述第一導體接合，通過第二引線將所述冗余電極與所述第二導體接合。
16.根據(jù)權利要求15所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于所述的第一基板為光吸收基板。
17.根據(jù)權利要求16所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于所述第一基板的材質為砷化鎵。
18.根據(jù)權利要求15所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于所述第二基板為透光基板。
19.根據(jù)權利要求18所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于所述第二基板的材質為磷化鎵、碳化硅、氮化鎵及氧化鋅中的一種。
20.根據(jù)權利要求15所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于所述步驟G中，通過干式蝕刻法或濕式蝕刻法形成所述露出區(qū)域。
21.根據(jù)權利要求20所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟G還包括以下內容通過干式蝕刻法或濕式蝕刻法，在所述導電性基板、和/或所述第一鍍層、和/或所述活性區(qū)域、和/或所述第二鍍層中的至少一個側面上形成復數(shù)個凹凸。
22.根據(jù)權利要求15所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于所述第一電極、和/或所述冗余電極為金屬材質。
23.根據(jù)權利要求15所述的具有冗余電極的LED裝置的制造方法，其特征在于所述導電膠為Ag導電膠。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有冗余電極的LED裝置及其制造方法。本發(fā)明具有冗余電極的LED裝置包括LED導電性基板；在所述導電性基板上方形成的第一鍍層；在所述第一鍍層上方形成的活性區(qū)域；在所述活性區(qū)域上方形成的第二鍍層；在所述第二鍍層上方一側形成的第一電極；在所述第二鍍層和所述第一電極之間形成的疊層；在所述導電性基板下方形成的第二電極；在所述導電性基板或所述第一鍍層中的任一局部露出區(qū)域上形成的冗余電極；通過導電膠與所述第二電極連接的第二導體，所述第二導體還通過第二引線與所述冗余電極接合；通過所述第一引線與所述第一電極接合的第一導體。
文檔編號H01L33/38GK102341923SQ200980136924
公開日2012年2月1日 申請日期2009年10月13日 優(yōu)先權日2008年10月13日
發(fā)明者崔云龍 申請人:崔云龍