專利名稱：：薄膜晶體管、其制造方法及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明方面涉及薄膜晶體管(TFT)、制造該TFT的方法以及包括該TFT的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。
背景技術(shù)：
：通常，由于多晶硅(poly-Si)層具有高場(chǎng)效應(yīng)遷移率，并且可以被應(yīng)用于高速操作電路或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路，因此多晶硅層被廣泛用作薄膜晶體管(TFT)的半導(dǎo)體層。使用多晶硅層的TFT典型地被用作有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)的有源裝置，或者被用作有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(AMOLED)的開關(guān)裝置或驅(qū)動(dòng)裝置。可以使用固相結(jié)晶(SPC)方法、準(zhǔn)分子激光退火(ELA)方法、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)方法或者金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)方法執(zhí)行非晶硅(a-Si)半導(dǎo)體層的結(jié)晶。特別地，SPC方法包括在低于700。C的溫度下對(duì)非晶硅層退火幾個(gè)小時(shí)到幾十個(gè)小時(shí)，用在顯示裝置的TFT中的玻璃基板在700。C的溫度下會(huì)變形。ELA方法包括通過(guò)利用準(zhǔn)分子激光照射非晶體層來(lái)在短時(shí)間內(nèi)將非晶硅層加熱到高的溫度。MIC方法包括將諸如鎳(Ni)、鈀(Pd)、金(Au)或者鋁(Al)之類的金屬放入以便接觸非晶硅層，或者將金屬注入非晶硅層以便將非晶硅層相變成多晶硅層。而且，MILC方法包括在橫向擴(kuò)散通過(guò)金屬與硅之間的反應(yīng)獲得的硅化物的同時(shí)順次誘導(dǎo)非晶硅層的結(jié)曰曰o然而，因?yàn)镾PC方法涉及在高溫下長(zhǎng)時(shí)間地對(duì)基板退火，所以基板會(huì)容易被損壞。而且，ELA方法需要昂貴的激光設(shè)備并且可能損壞已結(jié)晶的表面，因而會(huì)降低半導(dǎo)體層與柵絕緣層之間的界面的品質(zhì)。因?yàn)橄鄬?duì)于SPC方法，使用金屬結(jié)晶非晶硅層的方法允許非晶硅層在較短的時(shí)間內(nèi)在較低的溫度下結(jié)晶，所以已展開對(duì)使用金屬結(jié)晶非晶硅層的方法的大量研究。使用金屬結(jié)晶非晶硅層的典型方法包括MIC方法、MILC方法和超晶粒硅(SGS)結(jié)晶方法。然而，在這些方法中，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬導(dǎo)致的污染可能會(huì)使TFT的裝置特性降級(jí)。因此，在使用結(jié)晶誘導(dǎo)金屬對(duì)非晶硅層結(jié)晶之后，要執(zhí)行吸除(getting)方法以便去除殘留的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬。為了執(zhí)行吸除方法，在半導(dǎo)體層中形成吸除部位。通常，吸除部位的形成涉及利用接觸孔將吸除材料注入半導(dǎo)體層區(qū)域中，其中該接觸孔用于將半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)與源極和漏極連接。然而，當(dāng)溝道區(qū)與接觸孔之間的距離增大時(shí)，僅僅使用接觸孔吸除部位的吸除方法不是很有效。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明方面提供一種包括由多晶硅(poly-Si)層形成的半導(dǎo)體層的薄膜晶體管(TFT)，該多晶硅層使用結(jié)晶誘導(dǎo)金屬結(jié)晶。該結(jié)晶誘導(dǎo)金屬能夠^v所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)中被有效地吸除，從而改善TFT的諸如泄漏電流特性之類的電特性。還提供制造該TFT的方法和具有該TFT的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的一方面，TFT包括基板；布置在所述基板上的包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層；布置在所述半導(dǎo)體層上的柵絕緣層；布置在所述柵絕緣層上的柵極；布置在所述柵極上的層間絕緣層；以及布置在所述層間半導(dǎo)體層由使用結(jié)晶誘導(dǎo)金屬被結(jié)晶的多晶硅(poly-Si)層形成。所述半導(dǎo)體層包括布置在所述半導(dǎo)體層的相對(duì)邊緣上的第一吸除部位和與所述第一吸除部位分隔開的第二吸除部位。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種制造TFT的方法包括提供基板；通過(guò)圖案化使用結(jié)晶誘導(dǎo)金屬結(jié)晶的多晶硅層在所述基板上形成包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成柵極；在所述柵極上形成層間絕緣層；通過(guò)圖案化所述層間絕緣層和所迷柵絕緣層形成第一孔和第二孔；在所述半導(dǎo)體層被所述第一孔和所述第二孔暴露的區(qū)域中形成吸除部位；使用所述吸除部位吸除所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)中殘留的所述結(jié)晶誘導(dǎo)金屬；以及形成通過(guò)所述第一孔被分別電連接至所述半導(dǎo)體層的所述源區(qū)和所述漏區(qū)的源極和漏極。所述第一孔暴露所述半導(dǎo)體層的區(qū)域，并且所述第二孔與所述第一孔分隔開。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，OLED顯示裝置包括基板；布置在所述基板上的包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層布置在所述半導(dǎo)體層上的柵絕緣層；布置在所述柵絕緣層上的柵極；布置在所述柵極上的層間絕緣層；布置和漏極；電連接至所述源、漏極之一的第一電極；布置在所述第一電極上并且包括發(fā)射層(EML)的有機(jī)層；以及布置在所述有機(jī)層上的第二電極。所述半導(dǎo)體層由使用結(jié)晶誘導(dǎo)金屬被結(jié)晶的多晶硅層形成。所述半導(dǎo)體層包括布置在所述半導(dǎo)體層的相對(duì)邊緣上的第一吸除部位和與所述第一吸除部位分隔開的第二吸除部位。本發(fā)明的另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)將在下面的說(shuō)明書中部分地提出，部分地，從本說(shuō)明書中將是顯而易見的，或者通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明而獲知。從以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的這些和/或其它方面及優(yōu)點(diǎn)將變得明顯并更加容易理解，其中圖1A至圖1D是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的結(jié)晶過(guò)程的截面圖2A、圖2B、圖2D和圖2E是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造薄膜晶體管(TFT)的過(guò)程的截面圖2C是與圖2B的截面圖對(duì)應(yīng)的平面圖3A至圖3D是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的制造雙柵TFT的過(guò)程的平面圖；圖4A至圖4D是示出與圖3A至圖3D對(duì)應(yīng)的制造雙柵TFT的過(guò)程的截面圖；以及圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的截面圖。具體實(shí)施例方式現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其示例被示出在附圖中，其中相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。以下參考附圖描述這些示例性實(shí)施例，以闡釋本發(fā)明的方面。正如在此處提及的，當(dāng)提到第一元件被布置或者形成于第二元件之"上，，或者與第二元件"相鄰，，時(shí)，第一元件可以直接接觸第二元件，也可以通過(guò)位于它們之間的一個(gè)或者多個(gè)其它元件與第二元件分隔開。相反，當(dāng)提到元件被"直接，，布置或者形成于另一元件"上"時(shí)，則不存在中間元件。正如在此處使用的，詞語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)的任意和全部組合。圖1A至圖1D是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的結(jié)晶過(guò)程的截面圖。參照?qǐng)D1A，緩沖層110被形成在諸如玻璃基板或塑料基板之類的基板100技術(shù)形成。緩沖層110可以由諸如氧化硅層或者氮化硅層之類的一個(gè)或多個(gè)絕緣層形成。緩沖層110可以防止在結(jié)晶過(guò)程期間在基板100中產(chǎn)生的水分或雜質(zhì)擴(kuò)散，或者可以控制在結(jié)晶過(guò)程期間的熱量傳輸，從而有利于非晶硅(a-Si)層的結(jié)晶。此后，非晶硅層120被形成在緩沖層110上。非晶硅層120可以使用CVD或者PVD技術(shù)形成。另外，可以在非晶硅層120形成期間或之后執(zhí)行脫氫過(guò)程，從而降低非晶硅層120中的氫的濃度。然后，非晶硅層120被結(jié)晶成多晶硅層。可以通過(guò)諸如金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)方法、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)方法或者超晶粒硅(SGS)結(jié)晶方法之類的使用結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的結(jié)晶方法，將非晶硅層120結(jié)晶成多晶硅層在SGS結(jié)晶方法中，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬以低濃度擴(kuò)散到非晶硅層中，因而結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的晶粒大小的范圍從幾fim到幾百pm。例如，SGS結(jié)晶方法可以包括在非晶硅層上形成蓋層，用于控制結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的擴(kuò)散；在蓋層上形成結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層；以及對(duì)結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層退火以將結(jié)晶誘導(dǎo)金屬擴(kuò)散到非晶硅層中，從而將非晶硅層結(jié)晶成多晶硅層?？商娲?，可以通過(guò)以低濃度形成結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層而不形成蓋層，來(lái)降低結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的濃度。根據(jù)使用蓋層的SGS結(jié)晶方法，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的濃度比在MIC或者M(jìn)ILC方法中被更有效地控制。因此，現(xiàn)將描述SGS結(jié)晶方法。圖1B是示出在非晶硅層上形成蓋層和結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層的過(guò)程的截面圖。參照?qǐng)D1B,蓋層130被形成在非晶硅層120上。蓋層130可以是結(jié)晶誘導(dǎo)金屬在隨后的退火過(guò)程期間可擴(kuò)散到其中的氮化硅層，或者可以是氮化硅層和氧化硅層的雙層?？梢允褂肅VD技術(shù)或者PVD技術(shù)形成蓋層130。蓋層130可以被形成為約lA到約2000A的厚度。當(dāng)蓋層130被形成為小于約lA的厚度時(shí)，蓋層130可能不會(huì)適當(dāng)?shù)乜刂茢U(kuò)散到非晶硅層120中的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的量。當(dāng)蓋層130被形成為大于約2000A的厚度時(shí)，只有少量的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬擴(kuò)散到非晶硅層120中，從而可能導(dǎo)致非晶硅層120的不完全結(jié)晶。此后，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬被沉積在蓋層130上，從而形成結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層140。結(jié)晶-漆導(dǎo)金屬可以包括由Ni、Pd、Ag、Au、Al、Sn、Sb、Cu、Tr以及Cd組成的組中選出的一種。如果結(jié)晶誘導(dǎo)金屬是Ni，那么結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層140可以以約IO"到10"原子/cn^的表面密度形成在蓋層130上。當(dāng)結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層140以低于約10"原子/cr^的表面密度形成時(shí)，僅可以形成小數(shù)目的種子(seed),從而阻礙非晶硅層120結(jié)晶成多晶硅層。當(dāng)結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層140以高于約1015原子/01112的表面密度形成時(shí)，擴(kuò)散到非晶硅層120的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的量可能增加，從而可減小多晶硅層的晶粒大小。而且，殘留的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的量可能增加，可能會(huì)使由圖案化多晶硅層而形成的半導(dǎo)體層的特性降級(jí)。圖1C是示出將基板100退火以將結(jié)晶誘導(dǎo)金屬通過(guò)蓋層130擴(kuò)散到非晶硅層120中的過(guò)程的截面圖。參照?qǐng)D1C，基板IOO,緩沖層IIO、非晶硅層120、蓋層130和結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層140，被退火(參見150)，以便結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層140的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的部分可以擴(kuò)散到非晶硅層120的表面中。特別地，在退火過(guò)程150期間，只有少量的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬140b擴(kuò)散到非晶硅層120的表面中，而大量的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬140a既沒(méi)到達(dá)非晶硅層120,也沒(méi)穿過(guò)蓋層130。因此，擴(kuò)散到非晶硅層120的表面中的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的量可能依賴于蓋層130的擴(kuò)散阻擋特性，該特性與蓋層130的厚度和/或密度密切相關(guān)。換句話說(shuō)，隨著蓋層130的厚度和/或密度增加，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的擴(kuò)散量減少，并且晶粒大小增大。相反，隨著蓋層130的厚度和/或密度減小，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的擴(kuò)散量增加，并且晶粒大小減小。在這種情況下，退火過(guò)程150可以在約200。C到約900。C的溫度下執(zhí)行幾秒到幾小時(shí)。當(dāng)退火過(guò)程150在上述時(shí)間和溫度條件下執(zhí)行時(shí)，可以防止由于過(guò)熱而導(dǎo)致基^反100變形，并且可以達(dá)到期望的制造成本和產(chǎn)量?？梢允褂脿t內(nèi)方法、快速熱退火(RTA)方法、紫外線(UV)方法以及激光方法中的任意一種來(lái)執(zhí)行退火過(guò)程150。圖1D是示出使用擴(kuò)散的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬140b將非晶硅層120結(jié)晶成多晶硅層160的過(guò)程的截面圖。參照?qǐng)D1D，穿過(guò)蓋層130并且擴(kuò)散到非晶硅層120的表面中的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬140b使得非晶硅層120結(jié)晶成多晶硅層160。也就是說(shuō)，擴(kuò)散的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬140b與非晶硅層120的硅結(jié)合而形成金屬硅化物。因此，金屬硅化物形成結(jié)晶核(即種子)，從而將非晶硅層120結(jié)晶成多晶硅層160。圖1D示出在具有蓋層130和結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層140的結(jié)構(gòu)上執(zhí)行的退火過(guò)程。然而，在結(jié)晶誘導(dǎo)金屬擴(kuò)散到非晶硅層120的表面中之后，在執(zhí)行退火過(guò)程之前，可以去除蓋層130和結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層140。圖2A、圖2B、圖2D和圖2E是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造薄膜晶體管(TFT)的過(guò)程的截面圖，并且圖2C是與圖2B的截面圖對(duì)應(yīng)的平面圖。參照?qǐng)D2A，蓋層130和結(jié)晶誘導(dǎo)金屬層140被去除，多晶硅層(參見圖1D中的160)被圖案化，從而在緩沖層110上形成半導(dǎo)體層210?？商娲?，多晶硅層160可以在隨后的過(guò)程期間被圖案化。此后，柵絕緣層220被形成在半導(dǎo)體層210和緩沖層IIO上。柵絕緣層220可以是氧化硅層、氮化硅層或者是氧化硅層和氮化硅層的多層。柵極的金屬層(未示出)被形成在柵絕緣層220上。該金屬層可以是由鋁(Al)或者諸如鋁-釹(Al-Nd)合金之類的鋁合金形成的單層，也可以包括通過(guò)在鉻(Cr)層或者鉬(Mo)合金層上堆疊鋁合金層而形成的多層。金屬層可以使用光刻技術(shù)和蝕刻方法被蝕刻，從而形成4冊(cè)極230。此后，預(yù)定量的導(dǎo)電離子240可以使用柵極230作為掩碼而被注入半導(dǎo)體層210中，從而形成源區(qū)211和漏區(qū)213以及在源區(qū)211和漏區(qū)213之間布置的溝道區(qū)212。導(dǎo)電離子可以是p型離子或n型離子。p型離子可以是從由硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)和銦(In)組成的組中選出的一種離子。n型離子可以是從包括磷(P)、砷(As)和銻(Sb)組成的組中選出的一種離子?？商娲兀梢栽谛纬蓶艠O230之前形成光刻膠圖案，并且可以使用光刻膠圖案作為掩模將導(dǎo)電離子240注入半導(dǎo)體層210中。參照?qǐng)D2B和圖2C,層間絕緣層250被形成在柵極230的整個(gè)表面上。層間絕緣層250可以是氮化硅層、氧化硅層或者是氧化硅層和氮化硅層的多層。隨后，層間絕緣層250和柵絕緣層220的區(qū)域可以;陂蝕刻，從而形成第一孔261和第二孔262。第一孔261暴露源區(qū)211和漏區(qū)213的區(qū)域。第二孔262與第一孔261分隔開。例如，第二孔262可以形成在第一孔261之間。第一孔261是將源區(qū)211和漏區(qū)213與隨后形成的源極和漏極電連接的接觸孔。因此，第一孔261被形成在半導(dǎo)體層210的邊緣，也就是說(shuō)，在源區(qū)211和漏區(qū)213的邊緣。第二孔262能夠提高吸除效率。此后，用于從溝道區(qū)212吸除殘留的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的吸除部位271和272使用第一孔261和第二孔262被形成在半導(dǎo)體層210的被第一孔261和第二孔262暴露的區(qū)域中。第一吸除部位271使用第一孔261形成，而第二吸除部位272使用第二孔262形成。因?yàn)樵跍系绤^(qū)212中殘留的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬被吸除到第一吸除部位271和第二吸除部位272，所以第一吸除部位271和第二吸除部位272中結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的濃度高于溝道區(qū)212中結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的濃度。第二吸除部位272可以布置在漏區(qū)213中。當(dāng)?shù)诙课?72被形成在源區(qū)211中時(shí)，即使源區(qū)211與溝道區(qū)212之間的界面到第二吸除部位272的距離增加，泄漏電流也不會(huì)顯著變化。然而，當(dāng)?shù)诙课?72被形成在漏區(qū)231中時(shí)，隨著從漏區(qū)213與溝道區(qū)212之間的界面到吸除部位272的距離增加，泄漏電流逐漸增加。因此，因?yàn)樾孤╇娏魇艿讲贾迷诼﹨^(qū)213中的吸除部位的影響大于受到布置在源區(qū)211中的吸除部位的影響，所以第二吸除部位272可以布置在漏區(qū)213中。第二吸除部位272可以布置在離溝道區(qū)212與漏區(qū)213之間的界面約0.5pm到10nm的距離內(nèi)。當(dāng)?shù)诙课?72被布置在離溝道區(qū)212與漏區(qū)213之間的界面大于約0.5pm時(shí)，可以防止在形成第二孔262期間損壞柵極230。當(dāng)?shù)诙课?72#1布置在離溝道區(qū)212與漏區(qū)213之間的界面小于約l(Him時(shí)，能進(jìn)一步提高吸除效率。為了提高吸除效率，可以形成至少兩個(gè)第二吸除部位272。可以使用以下方法形成第一吸除部位271和第二吸除部位272:使用第一孔261和第二孔262將用于吸除的雜質(zhì)注入半導(dǎo)體層210中的方法；使用等離子體形成晶格損壞區(qū)域的方法；或者形成包括除結(jié)晶誘導(dǎo)金屬之外的金屬材料的金屬層的方法。由于形成金屬層材料的方法呈現(xiàn)出高吸除效率，因此現(xiàn)對(duì)其進(jìn)行描述。參照?qǐng)D2D，金屬層280凈皮形成在具有第一孔261和第二孔262的層間絕緣層250上。金屬層280可能是金屬層、金屬硅化物層或者是金屬層和金屬硅化物層的多層。金屬層和金屬硅化物層可以使用相比于半導(dǎo)體層210中的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬具有較低擴(kuò)散系數(shù)的金屬或該金屬的合金而形成。金屬層280或者其組分的擴(kuò)散系數(shù)可以是半導(dǎo)體層210中的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的擴(kuò)散系數(shù)的1/100或者更小。當(dāng)金屬層280的擴(kuò)散系數(shù)小于結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的擴(kuò)散系數(shù)的約1/100時(shí)，可以防止金屬或者金屬硅化物進(jìn)入與金屬層280接觸的吸除部位271和272，并且可以防止金屬或者金屬硅化物擴(kuò)散到半導(dǎo)體層210的其它區(qū)域。鎳(Ni)廣泛用作半導(dǎo)體層中的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬。由于鎳在半導(dǎo)體層中具有約l(T5cm2/s或者更小的擴(kuò)散系數(shù)，因此當(dāng)鎳用于半導(dǎo)體層210中時(shí)，金屬層280可以由具有比鎳的擴(kuò)散系數(shù)的約1/100小的擴(kuò)散系數(shù)的金屬或者金屬硅化物形成。例如，金屬層280或者其組分可以具有0到l(T7cm2/s之間的擴(kuò)散系數(shù)。金屬層280可以包括從Sc、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Pt、Y、Ta、La、Ce、Pr、Nd、Dy、Ho、TiN、TaN、其合金以及其金屬硅化物組成的組中選出的一種。而且，金屬層280可以被形成為約30A到約2000A的厚度。當(dāng)金屬層280被形成為小于約30A的厚度時(shí)，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬可能不會(huì)有效地被吸除到吸除部位271和272。當(dāng)金屬層280被形成為大于約2000A的厚度時(shí)，基板100可能會(huì)由于金屬層280的熱膨脹而變形。此后，熱氧化阻擋層290可以被形成在金屬層280上。熱氧化阻擋層2卯可以防止金屬層280氧化和/或金屬層280在隨后的退火過(guò)程期間與諸如氮?dú)庵惖臍怏w發(fā)生反應(yīng)，從而抑制金屬層280的表面的變化。熱氧化阻擋層290可以是氧化硅層或者氮化硅層。當(dāng)在惰性氣體中執(zhí)行退火過(guò)程時(shí)，可以省略熱氧化阻擋層290。執(zhí)行退火過(guò)程，以從特別是半導(dǎo)體層210的溝道區(qū)212中去除(吸除)半導(dǎo)體層210中殘留的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬。因此，金屬層280的金屬可以擴(kuò)散到半導(dǎo)體層210中和/或與半導(dǎo)體層210的硅結(jié)合形成金屬硅化物?？商娲兀饘賹?80的金屬硅化物可以擴(kuò)散到半導(dǎo)體層210中。結(jié)果，金屬和/或金屬硅化物在吸除部位271和272被擴(kuò)散到半導(dǎo)體層210的表面中達(dá)預(yù)定深度。金屬和/或金屬硅化物可以擴(kuò)散到半導(dǎo)體層210的表面中達(dá)約2A到400A的深度，盡管該區(qū)域的深度可以依退火溫度和退火時(shí)間而變化。當(dāng)結(jié)晶誘導(dǎo)金屬由于退火過(guò)程而從半導(dǎo)體層210的溝道區(qū)212擴(kuò)散到吸除部位271和272中時(shí)，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬沉淀在吸除部位271和272中，并被捕獲。這是因?yàn)榻Y(jié)晶誘導(dǎo)金屬在包含金屬和/或金屬硅化物的吸除部位271和272中比在半導(dǎo)體層210中從熱力學(xué)上來(lái)說(shuō)更穩(wěn)定?；谏鲜鲈?，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬能夠從溝道區(qū)212中被去除。退火過(guò)程可以在約50(TC到993。C的溫度下執(zhí)行10秒到10小時(shí)。當(dāng)退火過(guò)程在低于500。C的溫度下執(zhí)行時(shí)，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬不會(huì)在半導(dǎo)體層210中擴(kuò)散，并且不會(huì)移動(dòng)到吸除部位271和272。另外，退火過(guò)程可以在低于約993。C的溫度下執(zhí)行，因?yàn)殒?半導(dǎo)體層210中的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬)的熔點(diǎn)是993。C。當(dāng)退火過(guò)程執(zhí)行小于IO秒時(shí)，可能難以從溝道區(qū)212中充分去除結(jié)晶誘導(dǎo)金屬。當(dāng)退火過(guò)程執(zhí)行長(zhǎng)于10小時(shí)時(shí)，基板100可能會(huì)變形，也會(huì)導(dǎo)致制造成本和產(chǎn)量方面的問(wèn)題。當(dāng)退火過(guò)程在相對(duì)高的溫度下執(zhí)行時(shí)，就可能在相對(duì)短的時(shí)間內(nèi)去除結(jié)晶誘導(dǎo)金屬。參照?qǐng)D2E,熱氧化阻擋層290和金屬層280被去除。然后，形成源極292和漏極293。源極292和漏極293通過(guò)第一孔261連接至源區(qū)211和漏區(qū)213。源才及292和漏極293可以由從由鉬(Mo)、4各(Cr)、鵠(W)、鉬-鴒(MoW)、鋁(Al)、鋁-釹(Al-Nd)、鈦(Ti)、氮化鈥(TiN)、銅(Cu)、鉬合金、鋁合金以及銅合金組成的組中選出的一種而形成。導(dǎo)電圖案291可以選擇性地形成在第二孔262中。導(dǎo)電圖案291可以是減阻部。導(dǎo)電圖案291可以通過(guò)圖案化金屬層280而形成。在源極292和漏極293以及導(dǎo)電圖案291形成之后，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的TFT完成。表1示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的具有第二吸除部位(示例1)的TFT與不具有第二吸除部位(比較例1)的傳統(tǒng)的TFT的泄漏電流的比較。在這16兩個(gè)TFT中，半導(dǎo)體層的溝道區(qū)具有約25fxm的寬度和約20nm的長(zhǎng)度。另外，溝道區(qū)的界面到第一吸除部位的距離約為5(Him。在示例1中，溝道區(qū)的界面到第二吸除部位的距離是4pm。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>參照表1，與比較例1相比，示例1的泄漏電流明顯減小。表2示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的示例l-3與傳統(tǒng)的比較例1的泄漏電流的比較，其中示例l-3是具有不同數(shù)目的第二吸除部位的TFT，而傳統(tǒng)的比較例1是不具有第二吸除部位的TFT。在所有的TFT中，半導(dǎo)體層的溝道區(qū)具有約25nm的寬度和約20nm的長(zhǎng)度，并且溝道區(qū)的界面到第一吸除部位的距離約為50pm。在示例1-3中，溝道區(qū)的界面到第二吸除部位的3巨離是4fxm。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>參照表2，可以確定，與僅具有一個(gè)第二吸除部位的示例1相比，在包括至少兩個(gè)第二吸除部位的示例2和3中，泄漏電流減小。表3示出當(dāng)溝道區(qū)與漏區(qū)之間的界面到形成在漏區(qū)中的吸除部位的距離分別是4pm、l(Vm、30jxm和5(Him時(shí)，TFT的泄漏電流的比較。在所有的TFT中，溝道區(qū)具有約25^im的寬度和約2(Him的長(zhǎng)度，并且溝道區(qū)與源區(qū)之間的界面到形成在源區(qū)中的吸除部位的距離約為4pm。表4示出當(dāng)溝道區(qū)與源區(qū)之間的界面到形成在源區(qū)中的吸除部位的距離分別是4nm、l(Him、3(Him和50jxm時(shí)，TFT的泄漏電流的比較。在所有的TFT中，溝道區(qū)具有約25pm的寬度和約20^im的長(zhǎng)度，并且溝道區(qū)與漏區(qū)之間的界面到形成在漏區(qū)中的吸除部位的距離約為4pm。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>參照表3和表4,即使當(dāng)溝道區(qū)與源區(qū)之間的界面到形成在源區(qū)中的吸除部位的距離增大，泄漏電流也沒(méi)有顯著變化。另一方面，當(dāng)溝道區(qū)與漏區(qū)之間的界面到形成在漏區(qū)中的吸除部位的距離增大時(shí)，泄漏電流也增大。因此，相對(duì)于形成在源區(qū)中的吸除部位，泄漏電流更易受形成在漏區(qū)中的吸除部位的影響，因此可以在漏區(qū)中形成附加的第二吸除部位。表5示出當(dāng)溝道區(qū)的界面到形成在源區(qū)和漏區(qū)中的各個(gè)吸除部位的距離分別是4pm、10pm、30pm和50pm時(shí)，TFT的泄漏電流的比較。在所有的TFT中，溝道區(qū)具有約25pm的寬度和約20^im的長(zhǎng)度。溝道區(qū)的界面到形成在源區(qū)和漏區(qū)中的各個(gè)吸除部位的距離<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>參照表5，當(dāng)溝道區(qū)的界面到每個(gè)吸除部位的距離大于l(Him時(shí)，產(chǎn)生至少l(T12A/nm的高泄漏電流。因此，可以在離溝道區(qū)的界面約10pm的距離內(nèi)形成附加的第二吸除部位。圖3A至圖3D是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的制造雙柵TFT的過(guò)程的平面圖，并且圖4A至圖4D是分別沿圖3A至圖3D的線1A-1A'的截面圖。除了下面提到的細(xì)節(jié)外，現(xiàn)將參照?qǐng)D2A至圖2E所示的方法描述制造雙柵TFT的過(guò)程。參照?qǐng)D3A和圖4A，使用如參照?qǐng)D1A和圖1D描述的SGS結(jié)晶方法獲得的多晶硅層(參見圖1D中的160)被圖案化，從而在具有緩沖層310的基板300上形成半導(dǎo)體層320。在這種情況下，半導(dǎo)體層320包括主體單元320a和320c,以及連接主體單元320a和320c的連接單元320b。主體單元320a和320c是其中形成源區(qū)、漏區(qū)和/或溝道區(qū)的側(cè)。也就是說(shuō)，半導(dǎo)體層320可以具有"匚，，形結(jié)構(gòu)。盡管圖3A示出具有"匚，，形結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層320,但是本發(fā)明并不限于此。例如，半導(dǎo)體層320可以具有"E"形結(jié)構(gòu)、"5"形結(jié)構(gòu)或者其組合。參照?qǐng)D3B和圖4B，柵絕緣層330被形成在半導(dǎo)體層320上。柵極340被形成在柵絕緣層330上。在這種情況下，柵極340可以與半導(dǎo)體層320的主體單元320a和320c相交。第一主體單元320a的與柵極340交迭的部分321可以稱為第一4冊(cè)，并且第二主體單元320c的與柵極340交迭的部分322可以稱為第二柵。結(jié)果，獲得雙柵結(jié)構(gòu)。當(dāng)半導(dǎo)體層320具有Z字形結(jié)構(gòu)而非"匚，，形結(jié)構(gòu)的多個(gè)主體單元時(shí)，主體單元的與柵極340交迭的部分可以稱為柵極。因此，可以制造多柵TFT。此后，可以使用柵極340作為掩模將預(yù)定量的導(dǎo)電離子注入半導(dǎo)體層320中。半導(dǎo)體層320的與柵極340交迭的部分321和322可以;故稱為溝道區(qū)。主體單元320a和320c的不與連接單元320b相連的外部區(qū)域可以凈皮稱為源區(qū)323和漏區(qū)324。隨后，層間絕緣層350凈皮形成在柵絕緣層330和柵極340的整個(gè)表面上。參照?qǐng)D3C和圖4C,層間絕緣層350和柵絕緣層330被蝕刻，從而形成第一孔361和第二孔362。第一孔361暴露半導(dǎo)體層320的源區(qū)323和漏區(qū)324的部分。第二孔362與第一孔361分隔開，并且部分暴露溝道區(qū)321與322之間的區(qū)域。第一孔361是用于將源區(qū)323和漏區(qū)324與隨后形成的源極和漏極電連接的接觸孔。第二孔362被形成以提高吸除效率。此后，用于從溝道區(qū)321和322中吸除殘留的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的第一吸除部位371和第二吸除部位372被形成在半導(dǎo)體層320的被第一孔361和第二孔362暴露的預(yù)定區(qū)域中。第一吸除部位371使用第一孔361而形成，而第二吸除部位372使用第二孔362而形成。第二吸除部位372可以被布置得離漏區(qū)324比離源區(qū)323更近。當(dāng)?shù)诙课?72被布置得接近源區(qū)323時(shí)，即使溝道區(qū)321和322的界面到第二吸除部位372的距離增加，泄漏電流也不顯著變化。然而，當(dāng)?shù)诙课?72被形成得接近于漏區(qū)324時(shí)，隨著溝道區(qū)321和322的界面到第二吸除部位372的距離增加，泄漏電流逐漸增加。因此，由于泄漏電流受布置得接近于漏區(qū)324的吸除部位的影響，第二吸除部位372可以被布置得離漏區(qū)324比離源區(qū)323更近。第二吸除部位372可以被布置得離溝道區(qū)321和322的界面約0.5pm到約lO(im。當(dāng)?shù)诙课?72離溝道區(qū)321和322的界面大于約0.5pm時(shí)，可以防止在形成第二孔362期間損壞柵極340。當(dāng)?shù)诙课?72被布置得離溝道區(qū)321和322的界面小于約10nm時(shí)，可以提高吸除效率。為了進(jìn)一步提高吸除效率，可以形成至少兩個(gè)第二吸除部位372?？梢証使用以下方法形成第一吸除部位371和第二吸除部位372:使用第一孔361和第二孔362將雜質(zhì)注入半導(dǎo)體層320中的方法；使用等離子體形成晶格損壞區(qū)域的方法；或者形成包含除結(jié)晶誘導(dǎo)金屬之外的金屬或者該金屬的硅化物的區(qū)域的方法。此后，可以執(zhí)行退火過(guò)程，以將結(jié)晶誘導(dǎo)金屬?gòu)臏系绤^(qū)321和322中吸除到第一吸除部位371和第二吸除部位372中。參照?qǐng)D3D和圖4D,源極381和漏極382通過(guò)第一孔361-陂連接至源區(qū)323和漏區(qū)324。在源極381和漏極382的形成期間，可以形成導(dǎo)電圖案383，該導(dǎo)電圖案383通過(guò)第二孔362被連接至半導(dǎo)體層320。導(dǎo)電圖案383可以^皮稱為減阻部。表6示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的具有一個(gè)第二吸除部位(示例4)的雙柵TFT與不具有第二吸除部位(比較例2)的傳統(tǒng)的雙柵TFT的泄漏電流的比較。在這兩個(gè)雙柵TFT中，半導(dǎo)體層的溝道區(qū)具有約7(im的寬度和約14nm的長(zhǎng)度。在示例4中，溝道區(qū)的界面到第二吸除部位的距離約為4jim。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>顯示裝置的截面圖。參照?qǐng)D5,絕緣層510被形成在具有根據(jù)參照?qǐng)D2A至2E所述的方法制造的TFT的基板100的整個(gè)表面上。絕緣層510可以是無(wú)機(jī)層、有機(jī)層或者是無(wú)機(jī)層和有機(jī)層的多層。無(wú)機(jī)層可以由從由氧化硅、氮化硅或玻璃上硅(SOG)組成的組中選出的一種而形成。有機(jī)層可以由從由聚酰亞胺、笨并環(huán)丁烯系列樹脂和丙烯酸脂組成的組中選出的一種而形成。絕緣層510可以被蝕刻，從而形成暴露源極292和漏極293的孔。第一電極520通過(guò)該孔被連接至源極292和漏極293之一。第一電極520可以是陽(yáng)極或者陰極。當(dāng)?shù)谝浑姌O520是陽(yáng)極時(shí)，它可由從由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫鋅(ITZO)組成的組中選出的透明導(dǎo)電材料形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O520是陰極時(shí)，它可由從由Mg、Ca、Al、Ag、Ba和其合金組成的組中選出的一種形成。隨后，像素限定層530被形成在第一電極520上。像素限定層530具有暴露第一電極520的表面的開口。具有發(fā)射層(EML)的有機(jī)層540被形成在第一電極520的被暴露的表面上。有機(jī)層540可以進(jìn)一步包括從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、空穴阻擋層(HBL)、電子阻擋層(EBL)、電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)的組成的組中選出的至少一個(gè)。之后，第二電極550被形成在有機(jī)層540上，從而完成根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的具有TFT的OLED顯示裝置的形成。根據(jù)本發(fā)明的方面，除了使用將半導(dǎo)體層的源極和漏極與源區(qū)和漏區(qū)相連的第一孔來(lái)形成第一吸除部位外，還形成與第一吸除部位分隔開的第二吸除部位。使用第一吸除部位和第二吸除部位從半導(dǎo)體層的溝道區(qū)中去除結(jié)晶誘導(dǎo)金屬。結(jié)果，可以減小溝道區(qū)到吸除部位的距離，從而改進(jìn)吸除效果。此外，可以縮短用于吸除的退火時(shí)間，從而使對(duì)基板的損壞最小化。本發(fā)明提供一種包括使用多晶硅層形成的半導(dǎo)體層的TFT、制造該TFT的方法以及具有該TFT的OLED顯示裝置，其中該多晶硅層使用結(jié)晶誘導(dǎo)金屬被結(jié)晶。在TFT中，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬能夠從半導(dǎo)體層的溝道區(qū)中有效地被吸除，從而改善泄漏電流特性。22盡管已示出并描述了本發(fā)明的幾個(gè)示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可對(duì)這些實(shí)施例做出改變，本發(fā)明的范圍在權(quán)利要求書及其等同物中限定。權(quán)利要求1、一種薄膜晶體管包括基板；布置在所述基板上的多晶硅半導(dǎo)體層，包括源區(qū)，漏區(qū)，溝道區(qū)，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬，布置在所述多晶硅半導(dǎo)體層的相對(duì)邊緣上的第一吸除部位，以及與所述第一吸除部位分隔開的第二吸除部位；布置在所述多晶硅半導(dǎo)體層上的柵絕緣層；布置在所述柵絕緣層上的柵極；布置在所述柵極上的層間絕緣層；以及布置在所述層間絕緣層上并且分別電連接至所述多晶硅半導(dǎo)體層的所述源區(qū)和所述漏區(qū)的源極和漏極。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第二吸除部位被布置在所述多晶硅半導(dǎo)體層的所述漏區(qū)中。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述第二吸除部位被布置在離所述溝道區(qū)與所述漏區(qū)之間的界面0.5到10pm內(nèi)。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述多晶硅半導(dǎo)體層包括至少兩個(gè)所述第二吸除部位。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述柵絕緣層和所述層間絕緣層具有暴露所述第一吸除部位的第一孔；和暴露所述第二吸除部位的第二孔。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中所述源極和所述漏極通過(guò)所述第一孔被分別連接至所述多晶硅半導(dǎo)體層的所述源區(qū)和所述漏區(qū)。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一吸除部位和所迷第二吸除部位各自包括晶格損壞區(qū)或者吸除雜質(zhì)。8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一吸除部位和所述第二吸除部位各自包括相比于所述被擴(kuò)散到所述多晶硅半導(dǎo)體層的表面中達(dá)預(yù)定深度的結(jié)晶誘導(dǎo)金屬，具有較低的擴(kuò)散系數(shù)的金屬材料。9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其中所述金屬材料的擴(kuò)散系數(shù)小于所述結(jié)晶誘導(dǎo)金屬的擴(kuò)散系數(shù)的1/100。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述金屬材料包括從由Sc、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Pt、Y、La、Ce、Pr、Nd、Dy、Ho、其合金以及其硅化物組成的組中選出的一種。11、根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述多晶硅半導(dǎo)體層包括多個(gè)所述源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；和布置在所述溝道區(qū)之間的多個(gè)所述第二吸除部位。12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管，其中所述多晶硅半導(dǎo)體層包括與所述柵極相交的主體單元，以及連接所述主體單元的相鄰的第一邊緣的至少一個(gè)連接單元；并且所述第一吸除部位被布置在所述主體單元的不通過(guò)所述連接單元連接的第二邊緣上。13、根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管，其中所述第二吸除部位被布置得離所述漏區(qū)比離所述源區(qū)近。14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中所述第二吸除部位各自被布置在離所述溝道區(qū)之一與所述漏區(qū)之一之間的界面0.5到10pm內(nèi)。15、根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第二吸除部位被布置在所述第一吸除部位之間。16、一種制造薄膜晶體管的方法，包括在基板上使用結(jié)晶誘導(dǎo)金屬將多晶硅層結(jié)晶；通過(guò)圖案化所述多晶硅層形成包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成柵極；在所述柵極上形成層間絕緣層；圖案化所述層間絕緣層和所述柵絕緣層，以形成暴露所述半導(dǎo)體層的區(qū)域的第一孔和第二孔；在所述半導(dǎo)體層的暴露區(qū)域中形成吸除部位；使用所述吸除部位，從所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)中吸除所述結(jié)晶誘導(dǎo)金屬；以及形成通過(guò)所述第一孔被分別電連接至所述半導(dǎo)體層的所述源區(qū)和所述漏區(qū)的源極和漏極。17、根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述第二孔被布置在所述半導(dǎo)體層的所述漏區(qū)上。18、根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述第二孔被形成在離所述溝道區(qū)與所述漏區(qū)之間的界面0.5到lOpm內(nèi)。19、根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述形成吸除部位包括將吸除雜質(zhì)注入所述半導(dǎo)體層的暴露區(qū)域中，或者使用等離子體以在所述半導(dǎo)體層的暴露區(qū)域中形成晶格損壞區(qū)域；并且所述吸除所述結(jié)晶誘導(dǎo)金屬包括執(zhí)行退火過(guò)程。20、根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述形成吸除部位包括在所述層間絕緣層上形成金屬層，所述金屬層相比于所述結(jié)晶誘導(dǎo)金屬具有較低的擴(kuò)散系數(shù)；并且所述吸除所述結(jié)晶誘導(dǎo)金屬包括執(zhí)行退火過(guò)程。21、根據(jù)權(quán)利要求20所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述金屬層包括由從由Sc、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Pt、Y、La、Ce、Pr、Nd、Dy、Ho、其合金以及其金屬硅化物組成的組中的選出的一種形成的一層或者多層。22、根據(jù)權(quán)利要求20所述的制造薄膜晶體管的方法，進(jìn)一步包括在所述金屬層上形成熱氧化阻擋層。23、根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述多晶硅層使用超晶粒硅結(jié)晶過(guò)程被結(jié)晶。24、根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述第二孔被布置在所述第一孔之間。25、一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括基板；布置在所述基板上的多晶硅半導(dǎo)體層，包括源區(qū)，漏區(qū)，溝道區(qū)，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬，布置在所述多晶硅半導(dǎo)體層的兩個(gè)邊緣上的第一吸除部位，和與所述第一吸除部位分隔開的第二吸除部位；布置在所述多晶硅半導(dǎo)體層上的柵絕緣層；布置在所述柵絕緣層上的柵極；布置在所述柵極上的層間絕緣層；布置在所述層間絕緣層上并且分別電連接至所述多晶硅半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)的源才及和漏才及；電連接至所述源、漏極之一的第一電極；布置在所述第一電極上并且包括發(fā)射層的有機(jī)層；以及布置在所述有機(jī)層上的第二電極。26、根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述第二吸除部位被布置在所述多晶硅半導(dǎo)體層的所述漏區(qū)中。27、根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述第二吸除部位被布置在離所述溝道區(qū)與所述漏區(qū)之間的界面0.5到10pm內(nèi)。28、根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述第二吸除部位被布置在所述第一吸除部位之間。全文摘要本發(fā)明公開一種薄膜晶體管(TFT)、其制造方法及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。所述TFT包括基板；布置在所述基板上的多晶硅(poly-Si)半導(dǎo)體層，包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，結(jié)晶誘導(dǎo)金屬，布置在所述半導(dǎo)體層的相對(duì)邊緣上的第一吸除部位，以及與所述第一吸除部位分隔開的第二吸除部位；布置在所述半導(dǎo)體層上的柵絕緣層；布置在所述柵絕緣層上的柵極；布置在所述柵極上的層間絕緣層；以及布置在所述層間絕緣層上并且電連接至所述半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)的源極和漏極。文檔編號(hào)H01L29/786GK101630693SQ20091015948公開日2010年1月20日申請(qǐng)日期2009年7月14日優(yōu)先權(quán)日2008年7月14日發(fā)明者徐晉旭,樸炳建,李吉遠(yuǎn),梁泰勛申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社