專利名稱：薄膜晶體管和其制造方法以及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的方面涉及薄膜晶體管、制造該薄膜晶體管的方法及具有該薄膜
晶體管的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。
背景技術(shù)：
通常，由于多晶硅層具有快的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，并且可以被應(yīng)用于高速操 作電路和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路，因此多晶硅層被廣泛用作 薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。使用多晶硅層的薄膜晶體管被用作有源矩陣液晶顯 示(AMLCD)裝置的開關(guān)裝置和有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)顯 示裝置的開關(guān)裝置和驅(qū)動(dòng)裝置。
在諸如AMLCD裝置或AMOLED顯示裝置之類的有源矩陣平板顯示裝 置中使用的多晶硅(poly-Si)薄膜晶體管通常是浮體poly-Si薄膜晶體管 (TFT )，在這種薄膜晶體管中半導(dǎo)體層以島狀被浮置。隨著浮體poly-Si TFT 變得越來越小，漏極電流的飽和區(qū)被減少，并且漏4及電流也凈皮減小。
一般而言，半導(dǎo)體層由襯底整個(gè)表面上的多晶硅層形成，并且光刻膠圖 案被形成在多晶硅層上。之后，使用光刻膠圖案作為掩膜來蝕刻多晶硅層， 而由于蝕刻工藝中所使用的蝕刻劑或等離子體，半導(dǎo)體層的邊緣區(qū)域會(huì)被損 傷。進(jìn)一步地，由于邊緣區(qū)域中殘留的光刻膠，半導(dǎo)體層的特性會(huì)變得不一 致或被劣化。因此，具有半導(dǎo)體層的TFT在諸如閾值電壓或s因子(s-factor) 之類的特性方面發(fā)生變化，并且在顯示TFT特性的I-V曲線中會(huì)有駝峰。此 類問題是由用作溝道區(qū)的被損傷的邊緣區(qū)域引起的。
為了解決這些問題，提出了半導(dǎo)體層與柵電極連接的柵體接觸 (gate-body contact) TFT。在柵體接觸TFT結(jié)構(gòu)中，低柵極電壓下的亞闊值斜率值被改善，并且在低的柵極電壓下可以獲得高的漏極電流。因此，可 以在低的柵極電壓下保證開/關(guān)特性，并且可以低功耗來驅(qū)動(dòng)平板顯示裝置。 傳統(tǒng)技術(shù)中，為了實(shí)現(xiàn)柵體接觸薄膜晶體管，在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體層中形成 用于與柵電極相接觸的單獨(dú)延伸的體接觸區(qū)。然而，單獨(dú)延伸的體接觸區(qū)增 加了半導(dǎo)體層的面積，而這種情況是不希望出現(xiàn)的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面提供一種4冊(cè)體接觸TFT、制造該4冊(cè)體接觸TFT的方法及 具有該柵體接觸TFT的OLED顯示裝置，其中通過實(shí)現(xiàn)不具有傳統(tǒng)半導(dǎo)體 層區(qū)域中單獨(dú)延伸的體接觸區(qū)的柵體接觸結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的柵體接觸TFT在 裝置中占據(jù)小于傳統(tǒng)柵體接觸TFT結(jié)構(gòu)的面積，其中傳統(tǒng)的半導(dǎo)體層區(qū)域 不具有使用半導(dǎo)體層的邊緣區(qū)域作為體接觸區(qū)的體接觸區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的方面，提供一種TFT、制造該TFT的方法及具有該TFT的 OLED顯示裝置，其中該TFT包括基板；布置在所述基板上并具有溝道區(qū)、 源區(qū)、漏區(qū)和體接觸區(qū)的半導(dǎo)體層；布置在所述半導(dǎo)體層上以暴露所述體接觸 區(qū)的柵絕緣層；布置在所述柵絕緣層上并與被所述柵絕緣層暴露的所述體接觸 區(qū)接觸的硅層；布置在所述硅層上的柵電極；布置在所述柵電極上的層間絕緣 層；以及布置在所述層間絕緣層上并與所述源區(qū)和漏區(qū)電連接的源電極和漏電 極，其中所述體接觸區(qū)被形成在所述半導(dǎo)體層的邊緣區(qū)域中。
本發(fā)明的其它方面和/或優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中被部分記載，并且部分 將從以下描述中顯而易見，或可以通過實(shí)施本發(fā)明而獲知。


本發(fā)明的這些和/或其它方面及優(yōu)點(diǎn)將從以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述 中變得明顯并且更易于理解，在附圖中
圖1A至4B為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造TFT的方法的平面 圖和截面圖，其中圖1A、 2A、 3A和4A為平面圖，而圖1B、 2B、 3B和4B為截面圖；并且
圖5為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的具有TFT的OLED顯示裝置的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的方面，本發(fā)明的示例被示于附圖中，在附圖中 相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。為了解釋本發(fā)明的方面，下面參考附 圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行描述。
圖1A為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造TFT的方法的平面圖，圖 1B為沿圖1A的線I-I截取的截面圖。參見圖1A和1B,基板100被提供。 基板100由玻璃或塑料形成。這里，緩沖層101被形成在基板100上。緩沖 層101用于防止基板100中產(chǎn)生的水汽或雜質(zhì)的擴(kuò)散，或通過控制晶體化期 間的傳熱速率使得向多晶硅層的晶體化更加容易，其中多晶硅層將在下列處 理中形成。緩沖層101可以是單層或由多層組成。
隨后，在緩沖層101上形成非晶硅層(未示出)。這里，非晶硅層可以 通過化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)形成。此外可以在沉積 期間對(duì)非晶硅層進(jìn)行脫氫以減少非晶硅層中氫的濃度。
之后，非晶硅層被晶體化為多晶硅層并被圖案化，從而形成半導(dǎo)體層 102。根據(jù)本發(fā)明的方面，使用金屬催化劑的晶體化方法被用于將非晶硅層 晶體化為多晶硅層。這種將非晶硅層晶體化為多晶硅層的方法可以包括金屬 誘導(dǎo)晶體化(MIC)、金屬誘導(dǎo)橫向晶體化(MILC)或超晶粒硅(SGS, Super grained silicon )。注入磷(P)的硅層可以凈皮形成，以從半導(dǎo)體層102 的與將要形成溝道區(qū)的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分中去除殘留的金屬催化劑。
MIC是一種通過接觸諸如鎳、4巴或鋁之類的金屬催化劑或通過在非晶硅 層中注入金屬催化劑，來誘導(dǎo)非晶硅層向多晶硅層進(jìn)行相變的方法。MILC 是一種通過金屬催化劑與硅的反應(yīng)中所產(chǎn)生的硅化物的橫向擴(kuò)散，來誘導(dǎo)非 晶硅層連續(xù)晶體化為多晶硅層的方法。進(jìn)一步地，SGS是一種通過形成氧化硅、氮化硅或氧化硅和氮化硅的組 合物的蓋層以控制金屬催化劑向非晶硅層中的擴(kuò)散或滲透，來將非晶硅層晶 體化為具有較大尺寸晶粒的多晶硅層的方法。金屬催化劑層被形成在蓋層上 并被退火。經(jīng)過退火，金屬催化劑穿過蓋層，并擴(kuò)散到非晶硅層的表面上， 以誘導(dǎo)非晶硅層晶體化為多晶硅層。也就是說，金屬催化劑層中的金屬催化 劑與非晶硅層的硅結(jié)合在一起，從而形成用作種子的金屬硅化物，即晶核，
以誘導(dǎo)非晶硅層的晶體化。
相應(yīng)地，對(duì)金屬硅化物的量進(jìn)行控制，以控制得到的多晶硅層的晶粒尺 寸。此外，由于晶粒尺寸依賴于對(duì)晶體化做出貢獻(xiàn)的金屬催化劑層，因此可 以通過控制蓋層的阻止擴(kuò)散的能力來控制多晶硅層的晶粒尺寸。金屬催化劑
可以是乂人Ni、 Pd、 Ti、 Ag、 Au、 Al、 Sn、 Sb、 Cu、 Co、 Mo、 Tc、 Ru、 Rh、 Cd和Pt所組成的組中選擇的一種，而優(yōu)選可以是Ni。多晶硅層中金屬催化 劑的濃度是大約5x 1012原子/平方厘米。退火處理在400至130(TC范圍的溫 度下執(zhí)行，并且可以通過爐內(nèi)處理、快速熱退火(RTA)處理、UV處理和 激光處理中的至少一種來執(zhí)行。
隨后，通過對(duì)多晶硅層進(jìn)行圖案化來形成半導(dǎo)體層102。這里，由于半 導(dǎo)體層102是通過使用金屬催化劑的晶體化方法由多晶硅層形成，因此金屬 催化劑會(huì)殘留在半導(dǎo)體層102中。半導(dǎo)體層102包括源區(qū)、漏區(qū)、溝道區(qū)和 與半導(dǎo)體層102的邊緣區(qū)域?qū)?yīng)的體接觸區(qū)。半導(dǎo)體層102可以包括一個(gè)或 多個(gè)位于半導(dǎo)體層102邊緣的體接觸區(qū)102b，如圖2A所示，體接觸區(qū)102b 可以被布置在半導(dǎo)體層102的相對(duì)的邊緣區(qū)域102e處。
柵絕緣層104被形成在基板100上，并且柵絕緣層104被形成為覆蓋半 導(dǎo)體層102。柵絕緣層104可由氧化硅、氮化硅或氧化硅和氮化石圭的組合物 形成。
圖2A為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造TFT的方法的平面圖，圖 2B為沿圖2A的線II-II截取的截面圖。參見圖2A和2B，光刻膠(未示出) 被形成在形成有柵絕緣層104和半導(dǎo)體層102的基板100上，然后，光刻膠被曝光以形成光刻膠圖案105。光刻膠圖案105中的部分被去除以暴露柵絕
緣層104中將要被去除的部分，即暴露部分104R。暴露部分104R覆蓋半導(dǎo) 體層102的邊鄉(xiāng)彖區(qū)域102e的一部分。4冊(cè)絕^彖層104的暴露部分104R通過蝕 刻被去除，以暴露半導(dǎo)體層102的邊緣區(qū)域102e的 一部分，即體接觸區(qū)102b。 然后，光刻膠圖案105被去除，從而形成具有半導(dǎo)體層102的被暴露體接觸 區(qū)102b的結(jié)構(gòu)。
這里，半導(dǎo)體層102的邊緣區(qū)域102e中被暴露的體接觸區(qū)102b是從半 導(dǎo)體層102的邊緣以寬度方向上的預(yù)定距離"a"分隔出的區(qū)域。被暴露以 形成體接觸區(qū)102b的部分可以是單個(gè)或多個(gè)，可以從半導(dǎo)體層102的相對(duì) 的邊緣向里延伸，也可以從半導(dǎo)體層102的相對(duì)的邊緣在寬度方向上向里延 伸。在圖2A中，寬度方向平行于線II-II,而長度方向垂直于線II-II。
邊緣區(qū)域102e的預(yù)定寬度a可以大于O但不大于0.1 jam。在此寬度范 圍內(nèi)，柵體接觸TFT結(jié)構(gòu)可以在不減少傳統(tǒng)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)的面積且不 單獨(dú)形成延伸的體接觸區(qū)的情況下形成。進(jìn)一步地，邊緣區(qū)域102e中的體 接觸區(qū)102b將具有預(yù)定的長度a',且鄰近溝道區(qū)102c。因此，在圖2A中， 體接觸區(qū)102b具有axa'的面積。此外，體接觸區(qū)102b可以具有與半導(dǎo)體層 102的溝道區(qū)102c相同的長度。
圖3A為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造TFT的方法的平面圖，圖 3B為沿圖3A的線m-III截取的截面圖。參見圖3A和3B,硅層106被形成 在暴露的體接觸區(qū)102b上，并與體接觸區(qū)102b直接接觸。硅層106還被形 成用于覆蓋半導(dǎo)體層102的形成有柵絕緣層104的溝道區(qū)102c。這里，硅層 106被形成為具有IOOA或更大的厚度，以防止將要形成的柵電極的柵金屬 與半導(dǎo)體層102之間的直接連接，并且在考慮到柵互連電阻和蝕刻特性時(shí)， 硅層106被形成為具有500A或更小的厚度。
之后，硅層106被摻雜。注入硅層106的雜質(zhì)與注入半導(dǎo)體層102中的 源區(qū)102s和漏區(qū)102d的雜質(zhì)具有相反的電導(dǎo)，即注入硅層106的雜質(zhì)與半 導(dǎo)體層102的溝道區(qū)102c具有同樣的電導(dǎo)。相應(yīng)地，硅層106與在PNP型或NPN型中與源區(qū)102s和漏區(qū)102d—起形成的體接觸區(qū)102b直接接觸。 因此，硅層106防止電流從源區(qū)102s和漏區(qū)102d流經(jīng)體接觸區(qū)102b。雜質(zhì) 可以是p型或n型。p型雜質(zhì)可以是從硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)和銦 (In)所組成的組中選擇的一種，而n型雜質(zhì)可以是從磷(P)、銻(Sb) 和砷(As)所組成的組中選4奪的一種。
然后，柵電極108被形成在硅層106上。通過在珪層106上形成柵電極 的金屬層(未示出)，例如由Al或Al-Nd合金形成的單層，或由鉻(Cr) 或鉬(Mo)合金上的鋁合金形成的多層，并使用光刻技術(shù)蝕刻?hào)烹姌O的金 屬層，來將柵電極108形成在與半導(dǎo)體層102對(duì)應(yīng)的預(yù)定部分中。這里，柵 電極108被形成在與半導(dǎo)體層102的溝道區(qū)102c和體接觸區(qū)102b對(duì)應(yīng)的區(qū) 域處，從而定義半導(dǎo)體層102中的溝道區(qū)102c、源區(qū)102s和漏區(qū)102d。
具體來說，通過使用柵電極108作為掩膜，向半導(dǎo)體層102的作為源區(qū) 102s和漏區(qū)102d的區(qū)域中注入與注入到硅層106中的雜質(zhì)具有相反導(dǎo)電類 型的雜質(zhì)，來形成源區(qū)102s和漏區(qū)102d。另外，可以通過形成暴露作為源 區(qū)和漏區(qū)的區(qū)域的光刻膠圖案，然后將雜質(zhì)注入到暴露的區(qū)域中來形成源區(qū) 102s和漏區(qū)102d。
因此，通過借助于摻有雜質(zhì)的硅層106在柵電^L 108與體接觸區(qū)102b 之間產(chǎn)生接觸，實(shí)現(xiàn)了柵體接觸TFT。根據(jù)本發(fā)明的方面，柵絕緣層104被 形成在溝道區(qū)102c上以暴露半導(dǎo)體層102的邊緣區(qū)域102e的體接觸區(qū) 102b,因此半導(dǎo)體層102的體接觸區(qū)102b與摻雜的硅層106相接觸。結(jié)果， 形成在與溝道區(qū)102c對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的柵絕緣層104的寬度"6"小于溝道區(qū) 102c和體接觸區(qū)102b的寬度的總和。與以上所述的類似，相對(duì)于半導(dǎo)體層 102的長度方向是與連接半導(dǎo)體層102的源區(qū)102s與漏區(qū)102d的線平行的 方向，而相對(duì)于半導(dǎo)體層102的寬度方向是與連接源區(qū)102s與漏區(qū)102d的 線垂直的方向。這里，長度是與半導(dǎo)體層中源區(qū)和漏區(qū)之間的線平行的距離， 而寬度是與源區(qū)和漏區(qū)之間的線垂直的距離。
根據(jù)本發(fā)明的方面，形成摻有與源區(qū)102s和漏區(qū)102d具有相反導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的硅層106，以電連接邊緣區(qū)域102e中與溝道區(qū)102c相鄰的區(qū)域， 從而使電流不能流到邊緣區(qū)域102e,并且邊緣區(qū)域102e不能被用作溝道區(qū)。 此外，根據(jù)本發(fā)明的方面，邊緣區(qū)域102e中的部分凈皮用作與柵電極108接 觸的體接觸區(qū)102b,從而可以在不延伸單獨(dú)的體接觸區(qū)并且相對(duì)于傳統(tǒng)的 柵體接觸TFT不增加?xùn)朋w接觸TFT尺寸的情況下形成柵體接觸TFT。
圖4A為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造TFT的方法的平面圖，圖 4B為沿圖4A的線IV-IV截取的截面圖。參見圖4A和4B,層間絕血彖層110 被形成在基板100的整個(gè)表面上。層間絕緣層IIO可以由氮化硅、氧化硅或 氮化硅和氧化硅的組合物形成。
然后，層間絕緣層110和柵絕緣層104被蝕刻，以便形成源區(qū)102s和 漏區(qū)102d中每一個(gè)的接觸孔113。接觸孔113暴露半導(dǎo)體層102的源區(qū)102s 和漏區(qū)102d。之后形成通過接觸孔113與源區(qū)102s和漏區(qū)102d連接的源電 極112a和漏電極112b。源電極112a和漏電極112b可以由從鉬(Mo )、鉻 (Cr)、鴒(W)、鋁-釹(Al-Nd)、鈥(Ti)、鉬-鎢(MoW)和鋁(Al) 所組成的組中選的 一 種形成。
在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中，將描述使用摻有雜質(zhì)的硅層106來吸 除半導(dǎo)體層102中的晶體化誘導(dǎo)金屬的處理。形成半導(dǎo)體層的多晶硅層由使 用晶體化誘導(dǎo)金屬的MIC、 MILC或SGS來晶體化，并且殘留在半導(dǎo)體層 102中的晶體化誘導(dǎo)金屬被吸除。
吸除處理用于通過對(duì)注入到上述示例性實(shí)施例的石圭層106中的n型或p 型雜質(zhì)進(jìn)行退火，來將殘留在半導(dǎo)體層102中的，具體是殘留在作為溝道區(qū) 102c的區(qū)域中的，晶體化誘導(dǎo)金屬吸除到邊緣區(qū)域102e。
由于在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中硅層106與作為半導(dǎo)體層102的邊緣區(qū) 域102e的體接觸區(qū)102b和溝道區(qū)102c相接觸，因此在利用被摻雜硅層106 進(jìn)行的吸除處理中，殘留在溝道區(qū)102c中的晶體化誘導(dǎo)金屬移動(dòng)較短的距 離到達(dá)邊緣區(qū)域102e，從而大大提高了吸除效率。
退火處理在450至900。C范圍的溫度下執(zhí)行30秒到10小時(shí)。當(dāng)溫度低于450。C時(shí)，殘留在半導(dǎo)體層102中的晶體化誘導(dǎo)金屬很難被充分去除，而 當(dāng)溫度高于卯0。C時(shí)，基板IOO可能由于高溫而變形。同時(shí)當(dāng)退火時(shí)間小于 30秒時(shí)，殘留在半導(dǎo)體層102中的晶體化誘導(dǎo)金屬很難被充分去除，而當(dāng) 退火時(shí)間大于10小時(shí)時(shí)，基4反100可能由于長的退火時(shí)間而變形，從而佳_ 得生產(chǎn)成本增加且TFT的成品率降低。
圖5為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的具有TFT的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED ) 顯示裝置的截面圖。參見圖5,絕緣層114被形成在具有圖4中的薄膜晶體 管的基板100的整個(gè)表面上，其中該薄膜晶體管平行于源-漏方向，即長度 方向，被橫切。絕緣層114可以由從氧化硅、氮化硅和玻璃上硅酸鹽(silicate on glass)所組成的組中選擇的無機(jī)材料形成，或由從聚酰亞胺、苯并環(huán)丁 烯系列樹脂(benzocyclobutene series resin)和丙烯酸酯所組成的組中選擇的 有機(jī)材料形成?？商鎿Q地，絕緣層114可以由無機(jī)層和有才幾層的組合物形成。
絕緣層114被蝕刻，因此形成通孔115以暴露源電極112a或漏電極112b 之一。通過通孔115與源電極112a和漏電極112b之一相連的第一電極116 被形成。第一電極116可以是陽極或陰極。當(dāng)?shù)谝浑姌O116是陽極時(shí)，第一 電極116可以是氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫鋅(ITZO) 之一形成的透明導(dǎo)電層。當(dāng)?shù)谝浑姌O116是陰極時(shí)，第一電極116可以由 Mg、 Ca、 Al、 Ag、 Ba或它們的合金形成。
隨后，具有開口以暴露第一電極116的表面的一部分的像素定義層118 被形成在第一電極116上。具有發(fā)光層的有機(jī)層120被形成在第一電極116 的暴露部分上。有機(jī)層120可以進(jìn)一步包括空穴注入層、空穴傳輸層、空穴 阻擋層、電子阻擋層、電子注入層和電子傳輸層，但并不局限于此。然后， 第二電極122被形成在有機(jī)層120上。這樣就完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施 例的OLED顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的方面，薄膜晶體管、制造該薄膜晶體管的方法及具有該薄 膜晶體管的OLED顯示裝置被提供。通過實(shí)現(xiàn)不具有傳統(tǒng)半導(dǎo)體層區(qū)域中那 樣的單獨(dú)延伸的體接觸區(qū)的柵體接觸結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的柵體接觸TFT在裝置中占據(jù)小于傳統(tǒng)柵體接觸TFT結(jié)構(gòu)的面積，其中傳統(tǒng)的半導(dǎo)體層區(qū)域不具
有使用半導(dǎo)體層的邊緣區(qū)域作為體接觸區(qū)的體接觸區(qū)。
盡管示出并描述了本發(fā)明的 一 些示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解，在不背離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可對(duì)這些實(shí)施例做出改變， 本發(fā)明的范圍在權(quán)利要求書及其等同物中限定。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管，包括基板；半導(dǎo)體層，被布置在所述基板上，該半導(dǎo)體層包括溝道區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)和形成在所述半導(dǎo)體層的第一邊緣處的第一體接觸區(qū)；柵絕緣層，被布置在所述半導(dǎo)體層上，以暴露所述第一體接觸區(qū)；硅層，被布置為使所述柵絕緣層位于所述硅層與所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)之間，并與所述第一體接觸區(qū)接觸；柵電極，被布置在所述硅層上；層間絕緣層，被布置在所述柵電極上；以及源電極和漏電極，被布置在所述層間絕緣層上并分別與所述源區(qū)和漏區(qū)電連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一體接觸區(qū)與所述溝道 區(qū)連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述硅層包括第一類型的雜質(zhì)， 并且所述源區(qū)和漏區(qū)包括第二類型的雜質(zhì)，所述第一類型的雜質(zhì)與所述第二類型的雜質(zhì)具有相反的電導(dǎo)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中形成在與所述半導(dǎo)體層的溝道 區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的所述柵絕緣層的寬度小于所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)和所述第一 體接觸區(qū)的寬度的總和。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述第一體接觸區(qū)的寬度大于 (H旦不大于0.1 )Lim。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其中所述第一類型的雜質(zhì)是n型雜 質(zhì)，并且所述半導(dǎo)體層用晶體化誘導(dǎo)金屬而被晶體化。
7、 沖艮據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述半導(dǎo)體層進(jìn)一步包括形成 在所述半導(dǎo)體層的第二邊緣中的第二體接觸區(qū)，所述半導(dǎo)體層的第二邊緣與所述半導(dǎo)體層的第一邊緣相對(duì)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其中所述第一體接觸區(qū)和所述第二 體接觸區(qū)與所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)具有相同的長度。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其中所述硅層覆蓋所述溝道區(qū)、所 述第 一體接觸區(qū)和所述第二體接觸區(qū)。
10、 一種制造薄膜晶體管的方法，包括 在基板上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成暴露所述半導(dǎo)體層的邊緣區(qū)域的一部分的柵絕緣層；在所述半導(dǎo)體層的邊緣區(qū)域和所述柵絕緣層上形成硅層； 向所述硅層中注入雜質(zhì)；在所述硅層上與所述半導(dǎo)體層對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成柵電極； 在所述柵電極上形成層間絕緣層；和在所述層間絕緣層上形成被電連接至所述半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)的源電極 和漏電極。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述半導(dǎo)體層中 被所述柵絕緣層暴露的邊緣區(qū)域包括與所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)連接的邊緣區(qū)域。
12、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述半導(dǎo)體層的 被暴露的邊緣區(qū)域的寬度大于0但不大于0.1 um。
13、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的制造薄膜晶體管的方法，其中向所述硅層中注 入雜質(zhì)進(jìn)一步包括注入具有與所述半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)中的雜質(zhì)的導(dǎo)電類型相反的導(dǎo)電類 型的雜質(zhì)。
14、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的制造薄膜晶體管的方法，其中向所述硅層中注 入雜質(zhì)進(jìn)一步包括使用所述柵電極作為掩膜向所述硅層中注入雜質(zhì)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的制造薄膜晶體管的方法，進(jìn)一步包括 通過使用晶體化誘導(dǎo)金屬將非晶硅層晶體化為多晶硅層來形成所述半導(dǎo)體層；使用所述柵絕緣層作為掩膜，向所述半導(dǎo)體層的被暴露的邊緣區(qū)域中注入 n型雜質(zhì)；和將所述基板退火，并將殘留在所述半導(dǎo)體層中的晶體化誘導(dǎo)金屬吸除到所 述n型雜質(zhì)^^皮注入的區(qū)域。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述基板在450 到900。C的溫度下被退火30秒到10小時(shí)。
17、 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括 基板；半導(dǎo)體層，被布置在所述基板上，該半導(dǎo)體層包括溝道區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)和 形成在所述半導(dǎo)體層的第 一邊緣處的第 一體接觸區(qū)；柵絕緣層，被布置在所述半導(dǎo)體層上，以暴露所述第一體接觸區(qū)；硅層，被布置為使所述柵絕緣層位于所述硅層與所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)之 間，并與所述第一體接觸區(qū)接觸；柵電極，被布置在所述硅層上；層間絕緣層，被布置在所述柵電極上；源電極和漏電極，被布置在所述層間絕緣層上并分別與所述源區(qū)和漏區(qū)電 連接；第一電極，被電連接至所述源電極和漏電極之一； 有機(jī)層，被布置在所述第一電極上并包括發(fā)光層；以及 第二電極，布置在所述有機(jī)層上。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述第一體接 觸區(qū)與所述溝道區(qū)連接。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述硅層包括 具有第 一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，并且所述源區(qū)和漏區(qū)包括具有第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，所述第一導(dǎo)電類型與所述第二導(dǎo)電類型相反。
20、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中形成在與所述 溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的所述柵絕緣層的寬度小于所述溝道區(qū)和所述第一體接觸 區(qū)的寬度的總和。
21、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述第一體接 觸區(qū)的寬度大于0但不大于0.1 iam。
22、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述硅層包括 n型雜質(zhì)，并且所述半導(dǎo)體層用晶體化誘導(dǎo)金屬而被晶體化。
23、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，進(jìn)一步包括形成在所述半導(dǎo)體層的第二邊緣中的第二體接觸區(qū)，所述半導(dǎo)體層的第二 邊緣與所述半導(dǎo)體層的第一邊緣相對(duì)。
全文摘要
一種薄膜晶體管和其制造方法以及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。所述薄膜晶體管包括基板；布置在所述基板上并且具有溝道區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)和體接觸區(qū)的半導(dǎo)體層；布置在所述半導(dǎo)體層上以暴露所述體接觸區(qū)的柵絕緣層；布置在所述柵絕緣層上并與被所述柵絕緣層暴露的所述體接觸區(qū)接觸的硅層；布置在所述硅層上的柵電極；布置在所述柵電極上的層間絕緣層；以及布置在所述層間絕緣層上并與所述源區(qū)和漏區(qū)電連接的源電極和漏電極，其中所述體接觸區(qū)形成在所述半導(dǎo)體層的邊緣區(qū)域中。
文檔編號(hào)H01L29/06GK101556968SQ200910134258
公開日2009年10月14日 申請(qǐng)日期2009年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月11日
發(fā)明者徐晉旭, 樸炳建, 李東炫, 李吉遠(yuǎn), 梁泰勛 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社