專利名稱：主動(dòng)元件陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示陣列及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種主動(dòng) 元件陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步，顯示器的技術(shù)也不斷地發(fā)展且其需求與日俱增。早期
由于陰極射線管(Cathode Ray Tube, CRT)具有優(yōu)異的顯示品質(zhì)與技術(shù)成熟 性，因此長年獨(dú)占顯示器市場。然而，近來由于綠色環(huán)保概念的興起，基于 陰極射線管的能源消耗較大與產(chǎn)生輻射量較大的特性，加上其產(chǎn)品扁平化空 間有限，故陰極射線管無法滿足市場對于輕、薄、短、小、美以及低消耗功 率的市場趨勢。因此，輕薄的平面顯示器(Flat Panel Display, FPD)逐漸取 代傳統(tǒng)厚重的陰極映像管顯示器，其中尤以具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、 低消耗功率、低輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示器為市場的主流。
近年來，為了提升使用者與平面顯示器之間顯示介面的操作便利性，或 者基于提升平面顯示器顯示品質(zhì)的考量，光感測器的設(shè)置被整合于平面顯示 器中。詳細(xì)來說，光感測器可作為光學(xué)式觸控面板(optical touch panel)的輸 入裝置，當(dāng)使用者以手指或是其他物品碰觸光學(xué)式觸控面板時(shí)，整合于液晶 顯示面板上的光感測器可以感應(yīng)光線的變化并輸出對應(yīng)的信號(hào)以執(zhí)行各種功 能。在另一種應(yīng)用中，光感測器整合于平面顯示器內(nèi)作為環(huán)境光線(ambient light)感測器，其主要是在平面顯示器中內(nèi)建光感測器，藉以檢測環(huán)境光線的 強(qiáng)弱。
目前常見的環(huán)境光線感測技術(shù)是通過低溫多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon; LTPS)工藝形成p-i-n(正摻雜/未摻雜/負(fù)摻雜)光感測器于顯示面 板的玻璃基板上。然而，因?yàn)楣に囅拗?，此通過LTPS技術(shù)所制作的p-i-n光 感測器會(huì)因?yàn)槎嗑Ч璞∧ず穸炔蛔?，而?dǎo)致量子效應(yīng)(Quantum Effect,即光電 轉(zhuǎn)換效率)不佳。此外，背光源所發(fā)出的光線會(huì)通過玻璃基板直接照射p-i-n光 感測器，而影響p-i-n光感測器的感光特性，使得感光信號(hào)的信噪比(Signalto Noise Ratio; SNR)降低，造成測量結(jié)果失真。
換句話說，目前作為光感測器中主動(dòng)層的光感測材料面臨下述問題即
使未施加電壓于光感測材料兩側(cè)的電極上，只要光感測材料受到光線的照射， 光感測器會(huì)產(chǎn)生光電流衰減的問題，進(jìn)而影響光感測器的信賴性表現(xiàn)。因此， 通常在制作具有光感測器的主動(dòng)元件陣列基板時(shí)，光感測材料的圖案化工藝 與鄰接其的遮光電極層的圖案化工藝是利用不同的光掩膜工藝來進(jìn)行制作， 以使得光感測材料的尺寸小于鄰近的遮光電極層的尺寸。如此一來，由于光 感測材料的圖案化工藝與主動(dòng)元件陣列基板的工藝無法相容，對于具有光感 測器的主動(dòng)元件陣列基板的工藝而言，必須多出一道光掩膜工藝來定義光感 測材料的圖案，因而無法有效縮減工藝達(dá)到節(jié)省的制作成本的目的，而導(dǎo)致 產(chǎn)品競爭力下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明關(guān)于一種整合了光感測器的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其光 感測器的制作并不會(huì)額外增加光掩膜工藝。
本發(fā)明關(guān)于一種整合了光感測器的主動(dòng)元件陣列基板，其可以使用較低 制作成本制作具有感測效果較為精準(zhǔn)的主動(dòng)元件陣列基板。
本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其包括下列步驟。首先， 于一基板上形成第一圖案化半導(dǎo)體層、柵絕緣層、第一圖案化導(dǎo)體層以及第 一介電層，其中柵絕緣層覆蓋第一圖案化半導(dǎo)體層，而第一圖案化導(dǎo)體層配 置于柵絕緣層上，且第一介電層配置于柵絕緣層上以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層。于第一介電層與柵絕緣層中形成多個(gè)將第一圖案化半導(dǎo)體層暴露的第一接觸 窗。于第一介電層上同時(shí)形成第二圖案化導(dǎo)體層以及位于第二圖案化導(dǎo)體層 上的第二圖案化半導(dǎo)體層，其中第二圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)接觸導(dǎo)體以及一 底電極，而第二圖案化半導(dǎo)體層包括一位于底電極上的主動(dòng)層。于第一介電 層上形成第二介電層。于第二介電層中形成多個(gè)第二接觸窗，其中部分第二 接觸窗將主動(dòng)層暴露。于第二介電層上形成第三圖案化導(dǎo)體層，其中部分第 三圖案化導(dǎo)體層通過部分第二接觸窗與主動(dòng)層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一圖案化半導(dǎo)體層的形成方法例如包
括下列步驟。首先，于基板上形成多個(gè)島狀圖案(islandpattems)。接著，于島 狀圖案中形成多個(gè)第一型摻雜區(qū)以及多個(gè)第二型摻雜區(qū)。其中，第一型摻雜 區(qū)例如為P型摻雜區(qū)，而第二型摻雜區(qū)例如為N型摻雜區(qū)。更進(jìn)一步而言，P 型摻雜區(qū)包括P型重?fù)诫s區(qū)(P-type heavily doping regions),而N型摻雜區(qū)則 包括N型重?fù)诫s區(qū)(N-type heavily doping regions)以及N型輕摻雜區(qū)(N-type lightly doping regions)。此外，部分第一型摻雜區(qū)與第二型摻雜區(qū)之間還可以 具有一接觸界面，且部分第一接觸窗例如暴露出所述接觸界面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二圖案化導(dǎo)體層以及第二圖案化半導(dǎo) 體層的形成方法例如包括下列步驟。首先，于第一介電層上依序形成一第二 導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層。接著，圖案化第二導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層，以 于第一介電層上形成底電極與主動(dòng)層，并于至少部分的第一接觸窗中形成接 觸導(dǎo)體。此時(shí)，部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第一接觸窗以及第二接觸窗直接 與第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，主動(dòng)元件陣列基板的制造方法更包括下列步驟。 首先，在形成第一接觸窗的同時(shí)，于第一介電層中形成多個(gè)將第一圖案化導(dǎo) 體層暴露的第三接觸窗，其中部分第二接觸窗位于第一接觸窗與第三接觸窗 上方。此時(shí)，部分第三圖案化導(dǎo)體層例如是通過第三接觸窗以及第二接觸窗 直接與第一圖案化導(dǎo)體層電連接。此外，第二圖案化導(dǎo)體層以及第二圖案化半導(dǎo)體層的形成方法例如包括下列步驟。首先，于第一介電層上依序形成一 第二導(dǎo)體層以及一第二半導(dǎo)體層。接著，圖案化第二導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體 層，以于第一介電層上形成底電極與主動(dòng)層，并于第一接觸窗以及部分的第 三接觸窗中形成接觸導(dǎo)體。此時(shí)，部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第一圖案化導(dǎo) 體層以及第二圖案化導(dǎo)體層間接與第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二圖案化半導(dǎo)體層更包括多個(gè)位于接 觸導(dǎo)體上的擬半導(dǎo)體層，其中擬半導(dǎo)體層的尺寸例如小于或等于接觸導(dǎo)體的 尺寸。進(jìn)一步而言，第二圖案化導(dǎo)體層以及第二圖案化半導(dǎo)體層的形成方法 可列舉下列步驟。首先，于第一介電層上依序形成一第二導(dǎo)體層、 一第二半 導(dǎo)體層以及一圖案化光刻膠層。之后，以圖案化光刻膠層為掩膜，圖案化第 二導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層，以形成底電極、主動(dòng)層、接觸導(dǎo)體以及擬半導(dǎo) 體層。接著，對主動(dòng)層與擬半導(dǎo)體層進(jìn)行側(cè)向刻蝕，以使擬半導(dǎo)體層的尺寸 小于接觸導(dǎo)體的尺寸，并使主動(dòng)層的尺寸小于底電極的尺寸。且上述的第三 圖案化導(dǎo)體層通過部分第二接觸窗以及第二圖案化導(dǎo)體層與第一圖案化半導(dǎo) 體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第三接觸窗 以及第二接觸窗直接與第一圖案化導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二圖案化導(dǎo)體層以及第二圖案化半導(dǎo) 體層的形成方法包括下列步驟。首先，于第一介電層上依序形成第二導(dǎo)體層、 第二半導(dǎo)體層以及圖案化光刻膠層，其中圖案化光刻膠層例如覆蓋于第二半 導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，而圖案化光刻膠層具有第一區(qū)塊以及一第二區(qū)塊，而 第一區(qū)塊的厚度大于第二區(qū)塊的厚度，且第一區(qū)塊對應(yīng)于主動(dòng)層上方。之后， 以圖案化光刻膠層為掩膜，圖案化第二導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層，以形成底 電極、主動(dòng)層以及接觸導(dǎo)體。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述于第二介電層中形成第二接觸窗的方法例 如是先于第二介電層上形成圖案化光刻膠層，其中圖案化光刻膠層覆蓋于第二半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，而圖案化光刻膠層具有一第一區(qū)塊以及一第二區(qū) 塊，而第一區(qū)塊的厚度大于第二區(qū)塊的厚度，且第二區(qū)塊對應(yīng)于主動(dòng)層上方。 接著，再以圖案化光刻膠層為掩膜，圖案化第二介電層，以形成第二接觸窗。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述于第二介電層中形成第二接觸窗的方法例 如是先將第二介電層形成圖案化光刻膠層，其中圖案化光刻膠層覆蓋于第二 半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，而圖案化光刻膠層具有一第一區(qū)塊以及一第二區(qū)塊， 而第一區(qū)塊的厚度大于第二區(qū)塊的厚度，且第二區(qū)塊對應(yīng)于主動(dòng)層上方。接 著，使圖案化第二介電層形成第二接觸窗。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第三圖案化導(dǎo)體層通過部分第二接觸窗 以及第二圖案化導(dǎo)體層與第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第三接觸窗 以及第二接觸窗直接與第一圖案化導(dǎo)體層電連接。或是上述的部分第三圖案 化導(dǎo)體層通過第三接觸窗以及第二接觸窗內(nèi)的第二圖形化導(dǎo)體層間接與第一 圖案化導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板的制造方法更包括在形 成第一圖案化半導(dǎo)體層的同時(shí)，于基板上形成第一遮光層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，更包括在 形成第一圖案化導(dǎo)體層的同時(shí)，于柵絕緣層上形成第二遮光層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，更包括在 形成上述的部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第一接觸窗以及第二接觸窗直接與第 一圖案化半導(dǎo)體層電連接時(shí)，第一接觸窗周圍由第二介電層環(huán)繞。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，更包括在 形成上述的部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第三接觸窗以及第二接觸窗直接與第 一圖案化導(dǎo)體層電連接時(shí)，第三接觸窗周圍由第二介電層環(huán)繞。
本發(fā)明另提出一種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其包括下列步驟。首 先，于一基板上形成第一圖案化半導(dǎo)體層以及柵絕緣層，其中柵絕緣層覆蓋
13第一圖案化半導(dǎo)體層。之后，于柵絕緣層上同時(shí)形成第一圖案化導(dǎo)體層以及 位于第一圖案化導(dǎo)體層上的第二圖案化半導(dǎo)體層，其中第一圖案化導(dǎo)體層包 括多個(gè)柵極以及一底電極，而第二圖案化半導(dǎo)體層包括一位于底電極上的主 動(dòng)層。接著，于柵絕緣層上形成第一介電層，以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層。之 后，于第一介電層與柵絕緣層中形成多個(gè)將第一圖案化半導(dǎo)體層暴露的第一 接觸窗。繼之，于第一介電層上形成第二圖案化導(dǎo)體層，其中第二圖案化導(dǎo) 體層包括多個(gè)位于第一接觸窗內(nèi)的接觸導(dǎo)體。之后，于第一介電層上形成第 二介電層。接著，于第二介電層中形成多個(gè)第二接觸窗，其中部分第二接觸 窗位于主動(dòng)層上方，并于第一介電層中形成第三接觸窗。之后，于第二介電 層上形成第三圖案化導(dǎo)體層，其中部分第三圖案化導(dǎo)體層通過部分第二接觸 窗以及第三接觸窗與主動(dòng)層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括下列
步驟。首先，于基板上形成多個(gè)島狀圖案(islandpatterns)。接著，于島狀圖案 中形成多個(gè)第一型摻雜區(qū)以及多個(gè)第二型摻雜區(qū)。其中，第一型摻雜區(qū)為P 型摻雜區(qū)，而第二型摻雜區(qū)為N型慘雜區(qū)。更進(jìn)一步而言，P型摻雜區(qū)包括 P型重?fù)诫s區(qū)(P-type heavily doping regions),而N型摻雜區(qū)包括N型重?fù)诫s 區(qū)(N-type heavily doping regions)以及N型輕矛參雜區(qū)(N畫type lightly doping regions)。此外，部分第一型摻雜區(qū)與第二型摻雜區(qū)之間還可以具有一接觸界 面，且部分第一接觸窗例如暴露出所述接觸界面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一圖案化導(dǎo)體層以及第二圖案化半導(dǎo)體 層的形成方法例如是先于柵絕緣層上依序形成一第一導(dǎo)體層以及一第二半導(dǎo) 體層。接著再圖案化第一導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層，以于柵絕緣層上形成底 電極與主動(dòng)層。此時(shí)，部分第三圖案化導(dǎo)體層例如是通過第一接觸窗以及第 二接觸窗直接與第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板的制造方法更包括在形 成第一接觸窗的同時(shí)，于第一介電層中形成多個(gè)將第一圖案化導(dǎo)體層暴露或第二圖案化半導(dǎo)體暴露的第三接觸窗，其中部分第二接觸窗位于第一接觸窗 與第三接觸窗上方。此時(shí)，部分第三圖案化導(dǎo)體層例如是通過第三接觸窗以 及第二接觸窗直接與第一圖案化導(dǎo)體層電連接，而部分第三圖案化導(dǎo)體層例 如是通過第三接觸窗以及位于第二接觸窗內(nèi)的第二圖案化導(dǎo)體層而與第一圖 案化導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第三圖案化導(dǎo)體層通過部分第二接觸窗以 及第二圖案化導(dǎo)體層與第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一圖案化導(dǎo)體層以及第二圖案化半導(dǎo)體 層的形成方法包括下列步驟。首先，于柵絕緣層上依序形成第一導(dǎo)體層、第 二半導(dǎo)體層以及圖案化光刻膠層，其中光刻膠層覆蓋于第二半導(dǎo)體層的部分 區(qū)域上，而光刻膠層具有一第一區(qū)以及一第二區(qū)塊，而第一區(qū)塊的厚度大于 第二區(qū)塊的厚度，且第一區(qū)塊對應(yīng)于主動(dòng)層上方。接著，以圖案化光刻膠層 為掩膜，圖案化第一導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層，以形成底電極、主動(dòng)層、柵 極以及擬半導(dǎo)體層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第二圖案化半導(dǎo)體層更包括多個(gè)位于柵極 上的擬半導(dǎo)體層，其中擬半導(dǎo)體層的尺寸例如是小于或等于接觸導(dǎo)體的尺寸。 另外，第一圖案化導(dǎo)體層以及第二圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括下列步驟。 首先，于柵絕緣層上依序形成第一導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及圖案化光刻膠 層。接著，以圖案化光刻膠層為掩膜，圖案化第一導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層， 以形成底電極、主動(dòng)層、柵極以及擬半導(dǎo)體層。之后，對主動(dòng)層與擬半導(dǎo)體 層進(jìn)行側(cè)向刻蝕，以使擬半導(dǎo)體層的尺寸小于柵極的尺寸，并使主動(dòng)層的尺 寸小于底電極的尺寸。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板的制造方法更包括在形 成第一圖案化半導(dǎo)體層的同時(shí)，于基板上形成第一遮光層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，更包括在 形成上述的部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第一接觸窗以及第二接觸窗直接與第一圖案化半導(dǎo)體層電連接時(shí)，第三接觸窗周圍由第二介電層環(huán)繞。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，更包括在 形成上述的部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第三接觸窗以及第二接觸窗直接與第 一圖案化導(dǎo)體層電連接時(shí)，第三接觸窗周圍由第二介電層環(huán)繞。
本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件陣列基板，此主動(dòng)元件陣列基板包括基板、第 一圖案化半導(dǎo)體層、柵絕緣層、第一圖案化導(dǎo)體層、第一介電層、第二圖案 化導(dǎo)體層、第二圖案化半導(dǎo)體層、第二介電層以及第三圖案化導(dǎo)體層。其中， 第一圖案化半導(dǎo)體層配置于基板上，柵絕緣層配置于基板上以覆蓋第一圖案 化半導(dǎo)體層，第一圖案化導(dǎo)體層配置于柵絕緣層上，第一介電層配置于柵絕 緣層上以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層，其中第一介電層與柵絕緣層具有多個(gè)將第 一圖案化半導(dǎo)體層暴露的第-一接觸窗，第二圖案化導(dǎo)體層配置于第一介電層 上，其中第二圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)接觸導(dǎo)體以及一底電極，第二圖案化半 導(dǎo)體層配置于第二圖案化導(dǎo)體層上，其中第二圖案化半導(dǎo)體層包括一位于底 電極上的主動(dòng)層，第二介電層配置于第一介電層上，其中第二介電層具有多 個(gè)第二接觸窗以將主動(dòng)層暴露，而第三圖案化導(dǎo)體層，配置于第二介電層上， 其中部分第三圖案化導(dǎo)體層通過部分第二接觸窗與主動(dòng)層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板更包括配置于基板上的 第一遮光層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板更包括配置于第一介電 層上的第二遮光層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一圖案化半導(dǎo)體層包括多個(gè)島狀圖案， 而部分島狀圖案具有多個(gè)第一型摻雜區(qū)，且部分島狀圖案具有多個(gè)第二型摻 雜區(qū)。其中，第一型摻雜區(qū)為P型摻雜區(qū)，而第二型摻雜區(qū)為N型摻雜區(qū)。
進(jìn)一步而言，P型摻雜區(qū)包括P型重慘雜區(qū)(P-type heavily doping regions), 而N型摻雜區(qū)包括N型重?fù)诫s區(qū)(N-type heavily doping regions)以及N型輕摻 雜區(qū)(N-type lightly doping regions)。此外，部分第一型摻雜區(qū)與第二型摻雜區(qū)
16之間還可以具有一接觸界面，且部分第一接觸窗例如暴露出所述接觸界面。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述接觸導(dǎo)體位于至少部分的第一接觸窗中。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第一接觸窗以及第 二接觸窗直接與第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。并且部分第三圖案化導(dǎo)體層通 過第三接觸窗以及第二接觸窗直接與第一圖案化導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述接觸導(dǎo)體位于第一接觸窗以及部分的第三 接觸窗中。其中，部分第三圖案化導(dǎo)體層例如是通過第三接觸窗以及第二接 觸窗直接與第一圖案化導(dǎo)體層電連接，或部分第三圖案化導(dǎo)體層例如是通過 第三接觸窗以及第二接觸窗內(nèi)第二圖形化導(dǎo)體層間接與第一圖案化導(dǎo)體層電 連接。并且，部分第三圖案化導(dǎo)體層例如是通過第一圖案化導(dǎo)體層以及第二 圖案化導(dǎo)體層間接與第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述接觸導(dǎo)體位于第一接觸窗以及部分的第三 接觸窗中。其中，部分第三圖案化導(dǎo)體層例如是通過第三接觸窗以及第二接 觸窗直接與第一圖案化導(dǎo)體層電連接，或部分第三圖案化導(dǎo)體層例如是通過 第三接觸窗以及第二接觸窗內(nèi)第二圖形化導(dǎo)體層間接與第一圖案化導(dǎo)體層電 連接。并且部分第三圖案化導(dǎo)體層通過部分第二接觸窗以及第二圖案化導(dǎo)體 層與第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第二圖案化半導(dǎo)體層更包括多個(gè)位于接觸 導(dǎo)體上的擬半導(dǎo)體層。其中，擬半導(dǎo)體層的尺寸例如是小于或等于接觸導(dǎo)體 的尺寸。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板，更包括在形成上述的 部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第一接觸窗以及第二接觸窗直接與第一圖案化半 導(dǎo)體層電連接時(shí)，第三接觸窗周圍由第二介電層環(huán)繞。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板，更包括在形成上述的 部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第三接觸窗以及第二接觸窗直接與第一圖案化導(dǎo) 體層電連接時(shí)，第三接觸窗周圍由第二介電層環(huán)繞。本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件陣列基板，此主動(dòng)元件陣列基板包括基板、第 一圖案化半導(dǎo)體層、柵絕緣層、第一圖案化導(dǎo)體層、第二圖案化半導(dǎo)體層、 第一介電層、第二圖案化導(dǎo)體層、第二介電層以及第三圖案化導(dǎo)體層。第一 圖案化半導(dǎo)體層配置于基板上。柵絕緣層配置于基板上，其中柵絕緣層覆蓋 第一圖案化半導(dǎo)體層。第一圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)柵極以及一底電極。第二 圖案化半導(dǎo)體層配置于第一圖案化導(dǎo)體層上，其中第二圖案化半導(dǎo)體層包括 一位于底電極上的主動(dòng)層。第一介電層配置于柵絕緣層上，以覆蓋第一圖案 化導(dǎo)體層，其中第一介電層與柵絕緣層具有多個(gè)將第一圖案化半導(dǎo)體層暴露 的第一接觸窗以及一第三接觸窗。第二圖案化導(dǎo)體層配置于第一介電層上， 其中第二圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)位于第一接觸窗內(nèi)的接觸導(dǎo)體。第二介電層 配置于第一介電層上，其中第二介電層具有多個(gè)第二接觸窗，且部分第二接 觸窗位于主動(dòng)層上方。第三圖案化導(dǎo)體層配置于第二介電層上，其中部分第 三圖案化導(dǎo)體層通過部分第二接觸窗以及第三接觸窗與主動(dòng)層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一圖案化半導(dǎo)體層包括多個(gè)島狀圖案， 而部分島狀圖案具有多個(gè)第一型摻雜區(qū)，且部分島狀圖案具有多個(gè)第二型摻 雜區(qū)。其中，第一型摻雜區(qū)為P型摻雜區(qū)，而第二型摻雜區(qū)為N型摻雜區(qū)。
進(jìn)一步而言，P型摻雜區(qū)包括P型重?fù)诫s區(qū)(P-type heavily d叩ing regions), 而N型摻雜區(qū)包括N型重?fù)诫s區(qū)(N-type heavily doping regions)以及N型輕摻 雜區(qū)(N-type lightly doping regions)。此外，部分第一型摻雜區(qū)與第二型摻雜區(qū) 之間還可以具有一接觸界面，且部分第一接觸窗例如暴露出所述接觸界面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第一接觸窗以 及第二接觸窗直接與第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一介電層具有多個(gè)將第一圖案化導(dǎo)體層 暴露的第三接觸窗，且部分第二接觸窗位于第三接觸窗上方。此時(shí)，部分第 三圖案化導(dǎo)體層可以是通過第三接觸窗以及第二接觸窗直接與第一圖案化導(dǎo) 體層電連接。當(dāng)然，部分第三圖案化導(dǎo)體層也可以是通過第三接觸窗以及位于第二接觸窗內(nèi)的第二圖案化導(dǎo)體層而與第一圖案化導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第三圖案化導(dǎo)體層通過部分第二接觸窗以
及第二圖案化導(dǎo)體層與主動(dòng)層電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第二圖案化半導(dǎo)體層更包括多個(gè)位于柵極
上的擬半導(dǎo)體層。其中，擬半導(dǎo)體層的尺寸例如是小于或等于接觸導(dǎo)體的尺寸。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板更包括一配置于基板上 的第一遮光層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板，更包括在形成上述的 部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第一接觸窗以及第二接觸窗直接與第一圖案化半 導(dǎo)體層電連接時(shí)，第三接觸窗周圍由第二介電層環(huán)繞。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)元件陣列基板，更包括在形成上述的 部分第三圖案化導(dǎo)體層通過第三接觸窗以及第二接觸窗直接與第一圖案化導(dǎo) 體層電連接時(shí)，第三接觸窗周圍由第二介電層環(huán)繞。
基于上述，由于本發(fā)明的主動(dòng)陣列基板的制作方法是將光感測器的主動(dòng) 層與底電極一并制作，主動(dòng)層與底電極可以與第二圖案化導(dǎo)體層或是第一圖 案化導(dǎo)體層使用同一道光掩膜工藝進(jìn)行制作，且與主動(dòng)元件陣列基板的工藝 相容性高，不會(huì)額外增加光掩膜制作費(fèi)用，可以節(jié)省制作成本。并且在部分 實(shí)施例中，在不額外增加光掩膜數(shù)的情況下，底電極的尺寸可以大于主動(dòng)層 的尺寸，可在相同的光掩膜工藝下，提升光感測器的感測效能。


圖1繪示依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板。
圖2A 圖2G依序繪示本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的工藝。
圖2A， 圖2G，分別為對應(yīng)圖2A 圖2 G的像素區(qū)的AA，剖面線、感測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。
圖2H繪示本發(fā)明的第一實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板的示意圖。 圖3繪示依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板。 圖4A 圖4G依序繪示本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的工藝。
圖4A' 圖4G，分別為對應(yīng)圖4A 圖4G的像素區(qū)的AA，剖面線、感 測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。
圖4H繪示本發(fā)明的第二實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板的示意圖。
圖5繪示依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板。
圖6A 圖6G依序繪示本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的工藝。
圖6A， 圖6G，分別為對應(yīng)圖6A 圖6G的像素區(qū)的AA，剖面線、感 測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。
圖6H繪示本發(fā)明的第三實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板的示意圖。 圖7A 圖7D為一種形成第二圖案化導(dǎo)體層以及第二圖案化半導(dǎo)體層的制 作流程示意圖。
圖8繪示依據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板。
圖9A 圖9G依序繪示本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的工藝。
圖9A' 圖9G，分別為對應(yīng)圖9A 圖9G的像素區(qū)的AA，剖面線、感 測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。
圖9H繪示本發(fā)明的第四實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板的示意圖。 圖10A 圖IOD為一種形成不同深度的第二接觸窗的制作流程示意圖。 圖11繪示依據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板。 圖12A 圖12G依序繪示本發(fā)明的第五實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的 工藝。
20圖12A， 圖12G，分別為對應(yīng)圖12A 圖12G的像素區(qū)的AA，剖面線、 感測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。
圖12H繪示本發(fā)明的第五實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板的示意圖。 圖13A 圖13D為一種形成第二圖案化導(dǎo)體層以及第二圖案化半導(dǎo)體層的 制作流程示意圖。
圖14繪示依據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板。 圖15A 圖15G依序繪示本發(fā)明的第六實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的 工藝。
圖15A， 圖15G，分別為對應(yīng)圖15A 圖15G的像素區(qū)的AA'剖面線、 感測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。
圖15H繪示本發(fā)明的第六實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板的示意圖。 附圖標(biāo)號(hào)
200、 300、 400、 500、 600、 700:主動(dòng)元件陣列基板
200A、 700A:像素區(qū)
200B、 700B:感測區(qū)
200C、 700C:焊墊區(qū)
210、 710:基板
220、 720:第一圖案化半導(dǎo)體層
220a:第一型摻雜區(qū)
220b:第二型摻雜區(qū)
222、 242、 722、 746:儲(chǔ)存電極
224s:源極摻雜區(qū)
224d:汲極摻雜區(qū)
224c:通道區(qū)
224e:源極淺摻雜區(qū)
224f:汲極淺摻雜區(qū)226:第一遮光層
230、730:柵絕緣層
240、740:第一圖案化導(dǎo)體層
244、746:柵極
246:第二遮光層
248、748:第一焊墊層
249:橋接電極250、760:第一介電層
260、770:第二圖案化導(dǎo)體層
262、772:接觸導(dǎo)體
264、742:底電極
270、750:第二圖案化半導(dǎo)體層
272、752:主動(dòng)層
274、754:擬半導(dǎo)體層
280、780:第二介電層
290、790:第三圖案化導(dǎo)體層
292:像素電極294、794:頂電極
298、798:第二焊墊層
410、510、610:圖案化光刻膠層
410A、 410A， 、 510A:第一區(qū)塊 410B、 510B:第二區(qū)塊
HI:第一接觸窗 H2:第二接觸窗 H3:第三接觸窗
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較 佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。 第一實(shí)施例
圖1繪示依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板，其中為使 圖式表達(dá)較為簡明，數(shù)量可能為多個(gè)的元件在圖1中可能僅繪示一個(gè)來表示。 并且，為了方便說明，可將主動(dòng)元件陣列基板劃分為如圖1中的像素區(qū)200A、
感測區(qū)200B以及焊墊區(qū)200C。像素區(qū)200A內(nèi)具有用以控制顯示狀態(tài)的主動(dòng) 元件，并且在本實(shí)施例中，像素區(qū)200A內(nèi)的主動(dòng)元件可以結(jié)合一儲(chǔ)存電容， 以提供較佳的顯示效果。
請參考圖l，主動(dòng)元件陣列基板200包括基板210、第一圖案化半導(dǎo)體層 220、柵絕緣層230、第一圖案化導(dǎo)體層240、第一介電層250、第二圖案化導(dǎo) 體層260、第二圖案化半導(dǎo)體層270、第二介電層280以及第三圖案化導(dǎo)體層 290。如圖1所示，第一圖案化半導(dǎo)體層220配置于基板210上，且第一圖案 化半導(dǎo)體層220例如是由多個(gè)島狀圖案S所構(gòu)成，其中第一圖案化半導(dǎo)體層 220的材質(zhì)可為多晶硅(polysilicon)，或是其他半導(dǎo)體材料。基板210和第一圖 案化半導(dǎo)體層220之間可選擇性形成緩沖介電層。
在本實(shí)施例中，于像素區(qū)200A內(nèi)的部分島狀圖案S例如具有多個(gè)第一型 摻雜區(qū)220a，而作為儲(chǔ)存電容的儲(chǔ)存電極222，其中第一型摻雜區(qū)220a例如 是P型摻雜區(qū)。另外一部份的島狀圖案S例如具有多個(gè)第二型摻雜區(qū)220b， 舉例而言第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b的組成不同，第二型摻雜 區(qū)220b具有作為主動(dòng)元件的源極摻雜區(qū)224s與汲極摻雜區(qū)224d，其中第二 型摻雜區(qū)220b例如為N型摻雜區(qū)，且位于源極慘雜區(qū)224s與汲極摻雜區(qū)224d 之間的第一圖案化半導(dǎo)體層220構(gòu)成通道區(qū)224c。此外，在主動(dòng)元件的島狀 圖案S中，可選擇性地制作摻雜種類相同但摻雜濃度不同的源極淺摻雜區(qū)224e與汲極淺摻雜區(qū)224f，舉例而言，源極摻雜區(qū)224s與汲極慘雜區(qū)224d例如 是N型重?fù)诫s區(qū)，而源極淺摻雜區(qū)224e與汲極淺摻雜區(qū)224f例如是N型輕 摻雜區(qū)。當(dāng)然，源極摻雜區(qū)224s與汲極摻雜區(qū)224d可依電性需求，彼此互換 其命名，第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b的摻質(zhì)種類亦可互換，源 極淺摻雜區(qū)224e與汲極淺摻雜區(qū)224f亦同，本發(fā)明并不以此為限。此外，為 了避免非預(yù)期光線照射光感測器而影響光感測器的感測靈敏度，可以于主動(dòng) 元件陣列基板200的感測區(qū)200B內(nèi)選擇性地以第一圖案化半導(dǎo)體層220形成 配置于基板210上的第一遮光層226，其中第一遮光層226的材質(zhì)可以是本征 半導(dǎo)體(intrinsic semiconductor)、 P型摻雜半導(dǎo)體或是N型摻雜半導(dǎo)體，其中 半導(dǎo)體包括非晶硅、多晶硅或是單晶硅層。
請參考圖1，柵絕緣層230配置于基板210上以覆蓋第一圖案化半導(dǎo)體層 220，柵絕緣層230由介電材料所構(gòu)成。第一圖案化導(dǎo)體層240配置于柵絕緣 層230上，且在本實(shí)施例中，第一圖案化導(dǎo)體層240可劃分為構(gòu)成主動(dòng)元件 的柵極244、構(gòu)成儲(chǔ)存電容的儲(chǔ)存電極242以及位于焊墊區(qū)200C的第一焊墊 層248，其中儲(chǔ)存電極222、柵極244以及第一焊墊層248同樣為導(dǎo)電材質(zhì)， 柵極244位于通道區(qū)224c上方的柵絕緣層230上，而儲(chǔ)存電極222位于儲(chǔ)存 電極222上方的柵絕緣層230上。此外，為了避免非預(yù)期光線影響光感測器 的運(yùn)作，還可以于感測區(qū)200B中的柵絕緣層230上設(shè)置第二遮光層246，舉 例而言，第二遮光層246可與儲(chǔ)存電極222、柵極244以及第一焊墊層248同 時(shí)形成。
請繼續(xù)參考圖1，第一介電層250配置于柵絕緣層230上以覆蓋第一圖案 化導(dǎo)體層240，在像素區(qū)200A中，第一介電層250與柵絕緣層230具有多個(gè) 將第一圖案化半導(dǎo)體層220暴露的第一接觸窗H1，并且在本實(shí)施例中，第一 介電層250還可以在焊墊區(qū)200C中形成多個(gè)第三接觸窗H3，以暴露出第一 圖案化導(dǎo)體層240的第一焊墊層248。第二圖案化導(dǎo)體層260配置于第一介電 層250上，其中第二圖案化導(dǎo)體層260包括多個(gè)接觸導(dǎo)體262以及一位于感測區(qū)200B中的底電極264，而接觸導(dǎo)體262位于至少部分的第一接觸窗HI 以穿過第一介電層250與柵絕緣層230而耦接到所對應(yīng)的部分第一圖案化半 導(dǎo)體層220，如圖1中最左邊的第一接觸窗H1所示，在本實(shí)施例中，接觸導(dǎo) 體262例如是直接與源極摻雜區(qū)224s連接。
請?jiān)賲⒖紙D1 ，第二圖案化半導(dǎo)體層270配置于第二圖案化導(dǎo)體層260上， 其中第二圖案化半導(dǎo)體層270包括一位于底電極264上的主動(dòng)層272，用以依 據(jù)外界光線而產(chǎn)生對應(yīng)的光電流。主動(dòng)層272例如是非晶硅層、多晶硅層、 單晶硅層或富硅的介電層。第二介電層280配置于第一介電層250上，其中 第二介電層280具有多個(gè)第二接觸窗H2以將主動(dòng)層272暴露，而第三圖案化 導(dǎo)體層290配置于第二介電層280上，其中部分第三圖案化導(dǎo)體層2卯通過 部分第二接觸窗H2與主動(dòng)層272電連接，第三圖案化導(dǎo)體層290的材質(zhì)可使 用具有高穿透率且低阻抗材料，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。詳 言之，部分第三圖案化導(dǎo)體層290穿過第二介電層280與主動(dòng)層272接觸而 作為光感測器的頂電極294。如圖1所示，本實(shí)施例的感測區(qū)200B所形成的 光感測器包括位于第一介電層250上的底電極264、位于底電極264上的主動(dòng) 層272，以及穿過第二介電層280而與主動(dòng)層272接觸的頂電極294。
值得一提的是，頂電極294或底電極264可電連接信號(hào)讀出電路，用以 讀出主動(dòng)層272所感測到的光強(qiáng)度。在本實(shí)施例中，底電極264與作為源極 的接觸導(dǎo)體262例如是由相同的導(dǎo)體層圖案化而成，而頂電極294與像素電 極292例如同樣是由第三導(dǎo)體層圖案化而成。此外，主動(dòng)層272例如是非晶 硅層、多晶硅層、單晶硅層或富硅的介電層，而富硅介電層在制作上采用相 關(guān)化學(xué)汽相沉積工藝形成，利用工藝參數(shù)控制，譬如為氣體比例，達(dá)到過量 的硅含量，使硅含量超過正當(dāng)化學(xué)比例(化學(xué)當(dāng)量)，而形成富硅介電層。實(shí)際 適用的材質(zhì)例如為氫化富硅的氧化硅層(Hydrogen-Silicon rich oxide， H-SRO)、 氫化富硅的氮化硅層(Hydrogen-Silicon rich nitride, H-SRN)、富硅的氧化層 (Silicon rich oxide, SRO)以及富硅的氮化層(Silicon rich nitride, SRN)。然而，本
25發(fā)明的主動(dòng)層272并不限于上述材質(zhì)，亦可選用其他富硅化合物替代。
此外，在本實(shí)施例中，可選擇性地于底電極264下方的基板210設(shè)置第 一遮光層226，或于底電極264下方的柵絕緣層230上設(shè)置第二遮光層246， 通過第一遮光層226或第二遮光層246來遮蔽非預(yù)期光線的影響，用以提高 光感測器的感測靈敏度。在本實(shí)施例中，第一遮光層226與主動(dòng)元件的第一 型摻雜區(qū)220a以及儲(chǔ)存電容的儲(chǔ)存電極222例如是由相同的第一半導(dǎo)體層圖 案化而成，也就是所謂的第一圖案化半導(dǎo)體層220，而第二遮光層246與主動(dòng) 元件的柵極244以及儲(chǔ)存電容的儲(chǔ)存電極222例如同樣是由第一導(dǎo)體層圖案 化而成。第二遮光層246對準(zhǔn)(alignwith)于第一遮光層226，其中第一遮光層 226的面積大于等于第二遮光層246的面積，且第二遮光層246的面積大于等 于底電極264的面積。
請繼續(xù)參考圖1，部分第二接觸窗H2對應(yīng)于第一接觸窗H1，以使得第 三圖案化導(dǎo)體層290中的像素電極292會(huì)通過第一接觸窗Hl以及第二接觸窗 H2直接與主動(dòng)元件以及儲(chǔ)存電極222電連接，換言之，像素電極292穿過第 二介電層280、第一介電層250以及柵絕緣層230而向下電性耦接到第一圖案 化半導(dǎo)體層220，在本實(shí)施例中，像素電極292例如是直接耦接到第一圖案化 半導(dǎo)體層220的汲極摻雜區(qū)224d，并且像素電極292亦直接穿過第二介電層 280、第一介電層250以及柵絕緣層230而耦接到儲(chǔ)存電極222。如圖1所示， 儲(chǔ)存電極222經(jīng)由像素電極292電連接至汲極摻雜區(qū)224d，換言之，位于柵 絕緣層230下方的儲(chǔ)存電極222與像素電極292實(shí)質(zhì)上等電位，因此在本實(shí) 施例中，儲(chǔ)存電極222、柵絕緣層230、儲(chǔ)存電極242、第一介電層250、第 二介電層280以及像素電極292會(huì)共同構(gòu)成一多層結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容 (multi-layered storage capacitor),實(shí)際面板可視需求設(shè)計(jì)為單一層或多層儲(chǔ)存 電容。
此外，在本實(shí)施例的焊墊區(qū)200C中，部分第二接觸窗H2對應(yīng)于第三接 觸窗H3以暴露出第一圖案化導(dǎo)體層240的第一焊墊層248，第二焊墊層298通過第三接觸窗H3以及第二接觸窗H2直接與第一圖案化導(dǎo)體層240的第一 焊墊層248電連接，換言之，第二焊墊層298穿過第二介電層280以及第一 介電層250而向下電性耦接到第一焊墊層248。在本實(shí)施例中，焊墊主要是由 第一圖案化導(dǎo)體層240以及第三圖案化導(dǎo)體層290所共同組成。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，下文更搭配圖2A 圖2G來說明本實(shí)施 例的主動(dòng)元件陣列基板200的制造方法。
請參考圖2A 圖2G，其依序繪示本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣 列基板的工藝，其中圖2A 圖2G中分別繪示主動(dòng)元件陣列基板200的像素區(qū) 200A、感測區(qū)200B以及焊墊區(qū)200C在各步驟時(shí)的上視圖。圖2A' ~圖2G' 分別為對應(yīng)圖2A 圖2G的像素區(qū)的AA，剖面線、感測區(qū)的BB'剖面線以 及悍墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。
首先，如圖2A與圖2A，所示，提供基板210，并且在基板210上形成 第一圖案化半導(dǎo)體層220?；?10例如是玻璃基板210或是塑膠基板210， 其上至少劃分一像素區(qū)200A、 一感測區(qū)200B以及一焊墊區(qū)200C，相關(guān)配置 如上文所述。第一圖案化半導(dǎo)體層220例如是多晶硅層(第一半導(dǎo)體層)，可由 非晶硅材料層經(jīng)準(zhǔn)分子激光退火工藝而形成，且多晶硅層在圖案化后形成多 個(gè)位于像素區(qū)200A內(nèi)的島狀圖案S，部分島狀圖案S構(gòu)成作為主動(dòng)元件的半 導(dǎo)體區(qū)塊224，而部分島狀圖案S構(gòu)成儲(chǔ)存電容的儲(chǔ)存電極222。并且形成一 柵絕緣層230于基板210上，使其覆蓋半導(dǎo)體區(qū)塊224與儲(chǔ)存電極222，其中 柵絕緣層230由介電材料所構(gòu)成。此外，為了使得光感測器的感測效能更為 優(yōu)異，還可以在感測區(qū)200B中的基板210上利用第一圖案化半導(dǎo)體層220形 成第一遮光層226。
接著，如圖2B與圖2B'所示，對所述儲(chǔ)存電容的儲(chǔ)存電極222進(jìn)行第 一型摻雜而構(gòu)成第一型摻雜區(qū)220a，其中第一型摻雜例如是P型(P+)離子摻 雜，使得儲(chǔ)存電極222具有P型摻質(zhì)(dopants)。更詳細(xì)而言，在基板210上形 成一暴露出儲(chǔ)存電極222的圖案化掩膜(未繪示)，并且對所述圖案化掩膜所暴露的多晶硅層進(jìn)行第一型慘雜，例如是P型(P+)離子摻雜，通過P+離子摻雜可使儲(chǔ)存電極222具有良好的導(dǎo)電性。
接著，如圖2C與圖2C，所示，在柵絕緣層230上形成一第一導(dǎo)體層(未繪示)，并對第一導(dǎo)體層(未繪示)進(jìn)行圖案化，而形成主要由柵極244、儲(chǔ)存電極242以及第一焊墊層248所構(gòu)成的第一圖案化導(dǎo)體層。之后，對半導(dǎo)體區(qū)塊224的不同區(qū)域進(jìn)行不同摻質(zhì)濃度的第二型摻雜，例如是N型(N+)離子摻雜以及N型(N-)淺離子摻雜。詳細(xì)來說，半導(dǎo)體區(qū)塊224的不同區(qū)域經(jīng)由不同濃度的第二型摻雜后，由半導(dǎo)體區(qū)塊224的兩端往中央可依序劃分為N型重?fù)诫s區(qū)、N型輕摻雜區(qū)以及本征區(qū)，其中在半導(dǎo)體區(qū)塊224兩端的N型重?fù)诫s區(qū)分別形成源極摻雜區(qū)224s以及汲極摻雜區(qū)224d，在N型重?fù)诫s區(qū)之間的本征區(qū)形成通道區(qū)224c，而在源極摻雜區(qū)224s與通道區(qū)224c之間的N型輕摻雜區(qū)形成源極淺摻雜區(qū)224e，且在汲極摻雜區(qū)224d與通道區(qū)224c之間的N型輕摻雜區(qū)形成汲極淺摻雜區(qū)224f。此外，為了進(jìn)一步提升光感測器的感測效能，可以選擇性地在感測區(qū)200B中的第一遮光層226上方的柵絕緣層230上利用第一圖案化導(dǎo)體層240形成第二遮光層246，且在本實(shí)施例中，第二遮光層246與第一遮光層226重迭，第二遮光層246的面積可小于等于第一遮光層226的面積，且第二遮光層246的面積大于等于底電極264 (圖2E 圖2E，)的面積。
接著，如圖2D與圖2D'所示，在柵絕緣層230上形成一第一介電層250，以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層240。并且，于第一介電層250與柵絕緣層230中形成多個(gè)第一接觸窗H1，以分別暴露出第一圖案化半導(dǎo)體層220中的源極摻雜區(qū)224s、汲極摻雜區(qū)224d，以及儲(chǔ)存電極222。值得一提的是，在本實(shí)施例中，在形成第一接觸窗H1的同時(shí)，更于第一介電層250中形成多個(gè)將第一圖案化導(dǎo)體層240的第一焊墊層248暴露的第三接觸窗H3。更詳細(xì)而言，第一介電層250例如是利用離子化學(xué)汽相沉積法或其他合適的薄膜沉積技術(shù)所形成，而其之材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其組合等介電材料。然后，如圖2E與圖2E，所示，于第一介電層250上依序形成一第二導(dǎo)體層(未繪示)以及第二半導(dǎo)體層(未繪示)。接著，圖案化第二導(dǎo)體層(未繪示)以及第二半導(dǎo)體層(未繪示)，以于感測區(qū)200B的第一介電層250上形成底電極264與主動(dòng)層272，并于像素區(qū)200A的至少部分的第一接觸窗Hl中形成接觸導(dǎo)體262，其中接觸導(dǎo)體262穿過第一接觸窗Hl而直接與源極摻雜區(qū)224s接觸。更詳細(xì)而言，第二圖案化導(dǎo)體層260的材質(zhì)例如為鋁(A1)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、釹(Nd)、上述的氮化物如氮化鉬(MoN)、氮化鈦(TiN)、其迭層、上述的合金或是其他導(dǎo)電材料，而第二圖案化半導(dǎo)體層270的材質(zhì)可依光感測器的感光靈敏度、信賴度等需求而調(diào)整材質(zhì)，如非晶硅層、多晶硅層、單晶硅層或富硅的介電層等，而富硅介電層在制作上例如是采用離子化學(xué)汽相沉積工藝或其他合適的薄膜沉積技術(shù)所形成，利用工藝參數(shù)控制，譬如是氣體比例，達(dá)到膜內(nèi)過量的硅含量，使硅含量超過正當(dāng)化學(xué)比例(化學(xué)當(dāng)量)，而形成富硅介電層。實(shí)際適用的材質(zhì)可列舉氫化富硅的氧化硅層、氫化富硅的氮化硅層、富硅的氧化層以及富硅的氮化層。值得注意的是，不同于已知，本發(fā)明的光感測器中作為光感測材料主動(dòng)層272與主動(dòng)元件中的接觸導(dǎo)體262為同時(shí)形成的，可以減少一道光掩膜工藝，并降低工藝的復(fù)雜度，所以第二圖案化導(dǎo)體260上皆有第二圖案化半導(dǎo)體層270。
然后，如圖2F與圖2F，所示，于第一介電層250上形成第二介電層280以覆蓋接觸導(dǎo)體262，第二介電層280例如可選用類似氧化硅、氮化硅等無基材料層或是有機(jī)材料層，其中有機(jī)材料層可兼作為平坦層。并且，于第二介電層280中形成多個(gè)第二接觸窗H2，其中部分第二接觸窗H2暴露出感測區(qū)200B中的主動(dòng)層272，并且在本實(shí)施例中，位于像素區(qū)200A中的部分第二接觸窗H2對應(yīng)于第一接觸窗Hl，而分別暴露出主動(dòng)元件的汲極摻雜區(qū)224d以及儲(chǔ)存電容的儲(chǔ)存電極222。同時(shí)，位于焊墊區(qū)200C中的部分第二接觸窗H2對應(yīng)于第三接觸窗H3，而暴露出焊墊的第一焊墊層248。
之后，如圖2G與圖2G，所示，于第二介電層280上形成第三導(dǎo)體層，并對第三導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，以形成由像素電極292、頂電極294以及第二焊墊層298所構(gòu)成的第三圖案化導(dǎo)體層290，其中部分第三圖案化導(dǎo)體層290通過部分第二接觸窗H2與主動(dòng)層272電連接。第三導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或是其他透明導(dǎo)電材質(zhì)。像素電極292通過第一接觸窗Hl以及第二接觸窗H2而直接與第一圖案化半導(dǎo)體層220的汲極摻雜區(qū)224d電連接，且像素電極292亦通過位于儲(chǔ)存電極222上方的第一接觸窗Hl以及第二接觸窗H2直接與儲(chǔ)存電極222電連接，而頂電極294通過位于感測區(qū)200B中的第二接觸窗H2堆迭于主動(dòng)層272上，而與主動(dòng)層272接觸。如此，由底電極264、主動(dòng)層272以及頂電極294便可形成光感測器，用以感測環(huán)境的光線變化。其中，由于光感測器的頂電極294為透明導(dǎo)電層，因此外界光線可直接通過頂電極294照射主動(dòng)層272。在制作上，有助于大幅增加光感測器的感光面積，并提升其光感測效能。此外，由于底電極264的材質(zhì)通常為不透光的金屬，因此可有效阻擋背光源直接照射主動(dòng)層272,以避免產(chǎn)生信噪而影響到光感測器的感光效能。
此外，儲(chǔ)存電極222、柵絕緣層230以及儲(chǔ)存電極242之間所構(gòu)成的儲(chǔ)存電容，可與儲(chǔ)存電極242、第一介電層250、第二介電層280以及像素電極292之間所構(gòu)成的儲(chǔ)存電容相互迭加而提升像素電極292的電壓保持率。
圖2H繪示本發(fā)明的第一實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板示意圖，請參照圖2H，主動(dòng)元件陣列基板中的部分第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b相接觸或連接，而在第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b之間具有一接觸界面。部分第一接觸窗Hl暴露出接觸界面。換言之，在同一第一接觸窗Hl中同時(shí)暴露出第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b，使得每一像素電極292僅需通過位于儲(chǔ)存電極222上方的一個(gè)第一接觸窗Hl以及一個(gè)第二接觸窗H2而直接與儲(chǔ)存電極222電連接。圖2H的另一種主動(dòng)元件陣列基板的其余元件以及工藝與圖1的主動(dòng)元件陣列基板200相同，在此不贅述。
上述實(shí)施例是采用七道光掩膜工藝來制作具有光感測器的主動(dòng)元件陣列基板200的光掩膜工藝為例來進(jìn)行說明，因此本發(fā)明可以將光感測材料整合于原有的主動(dòng)元件陣列基板200工藝內(nèi)，并不會(huì)額外增加光掩膜工藝，達(dá)到節(jié)省成本以及提高工藝良率的效果。然而，在不脫離本發(fā)明的范圍內(nèi)，前述的光掩膜工藝數(shù)量以及主動(dòng)元件的摻雜型態(tài)可視實(shí)際狀況加以變更。第二實(shí)施例
圖3繪示依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板。請參照圖3 ，
本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板300與第一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板200類似，惟相較于第一實(shí)施例，在本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板300中，位于像素區(qū)200A的像素電極292例如是通過第一圖案化導(dǎo)體層240以及第二圖案化導(dǎo)體層260間接與第一圖案化半導(dǎo)體層220電連接。
詳細(xì)而言，相較于第一實(shí)施例，主動(dòng)元件陣列基板300的第一圖案化導(dǎo)體層240更包括位于像素區(qū)200A的橋接電極249。同時(shí)，主動(dòng)元件陣列基板300的接觸導(dǎo)體262填入第一接觸窗Hl而分別與源極慘雜區(qū)224s、汲極摻雜區(qū)224d以及儲(chǔ)存電極222接觸，并且本實(shí)施例的接觸導(dǎo)體262更填入暴露出橋接電極249的第三接觸窗H3。如此，作為像素電極292的部分第三圖案化導(dǎo)體層290是穿過第二接觸窗H2以及第三接觸窗H3而直接與第一圖案化導(dǎo)體層240的橋接電極249電連接，而橋接電極249再經(jīng)由接觸導(dǎo)體262而分別電性耦接至汲極摻雜區(qū)224d以及儲(chǔ)存電極222。
因此在本實(shí)施例中，主動(dòng)元件的汲極慘雜區(qū)224d中的資料電壓，是經(jīng)由第二圖案化導(dǎo)體層260的接觸導(dǎo)體262以及第一圖案化導(dǎo)體層240的橋接電極249的傳遞路徑而傳遞至用以顯示的像素電極292，且在本實(shí)施例中，儲(chǔ)存電極222、柵絕緣層230、儲(chǔ)存電極242、第一介電層250、接觸導(dǎo)體262、橋接電極249、第二介電層280以及像素電極292會(huì)共同構(gòu)成一多層結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容，實(shí)際面板設(shè)計(jì)可視需求設(shè)計(jì)為單一層或多層儲(chǔ)存電容。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，下文更搭配圖示來說明本發(fā)明第二實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板300的制造方法。
31請參考圖4A 圖4G，其依序繪示本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的工藝，而圖4A， 圖4G，分別為對應(yīng)圖4A 圖4G的像素區(qū)的AA'剖面線、感測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。為了簡化說明，本實(shí)施例不再對所述這些與圖2A 2G以及圖2A' 2G'所示
的制作流程類似的部份加以說明。
如圖4C與圖4C'所示，與第一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板200相較，本實(shí)施例更于第一導(dǎo)體層的圖案化步驟中，同時(shí)形成上述橋接電極249。接著，如圖4D與圖4D，所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例在第一介電層250的圖案化工藝中，更于橋接電極249上方形成暴露出橋接電極249的第三接觸窗H3。之后，如圖4E與圖4E，所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例在同時(shí)形成第二圖案化導(dǎo)體層260以及第二圖案化半導(dǎo)體層270的工藝中，更于第一接觸窗H1中填入接觸導(dǎo)體262而分別與源極摻雜區(qū)224s、汲極摻雜區(qū)224d與儲(chǔ)存電極222接觸，接觸導(dǎo)體262并穿過暴露出橋接電極249的第三接觸窗H3而與橋接電極249接觸。此外，在此一步驟中，并同時(shí)形成接觸導(dǎo)體262用以電連接橋接電極249、儲(chǔ)存電極222以及汲極摻雜區(qū)224d。
之后，如圖4F與圖4F'所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例在第二介電層280的圖案化工藝中，更于第二介電層280中開設(shè)對應(yīng)于部分第三接觸窗H3的第二接觸窗H2，以暴露出部分橋接電極249。接著，如圖4G與圖4G'所示，本實(shí)施例在形成第三圖案化導(dǎo)體層290的步驟中，作為像素電極292的部分第三圖案化導(dǎo)體層290是通過第三接觸窗H3以及第二接觸窗H2而直接與第一圖案化導(dǎo)體層240的橋接電極249電連接，而像素電極292的部分第三圖案化導(dǎo)體層290是經(jīng)由第一圖案化導(dǎo)體層240的橋接電極249以及第二圖案化導(dǎo)體層260的接觸導(dǎo)體262而間接與汲極摻雜區(qū)224d以及儲(chǔ)存電極222電連接。
圖4H繪示本發(fā)明的第二實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板示意圖，請參照圖4H，主動(dòng)元件陣列基板中的部分第一型摻雜區(qū)220a與第二型慘雜區(qū)220b相接觸，而在第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b之間具有一接觸界面。部分第一接觸窗H1暴露出接觸界面。換言之，在同一第一接觸窗H1中同時(shí)暴露出第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b，使得與像素電極292電連接的接觸導(dǎo)體262僅需通過位于一個(gè)第一接觸窗Hl而直接與第一型摻雜區(qū)220a與第二型慘雜區(qū)220b連接。圖4H的另一種主動(dòng)元件陣列基板的其余元件以及工藝與圖3的主動(dòng)元件陣列基板300相同，在此不贅述。
承接上述第二實(shí)施例，是利用七道光掩膜工藝來進(jìn)行來制作具有光感測器的主動(dòng)元件陣列基板300，因此本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板300同樣可以達(dá)到縮短制作時(shí)效，降低制造成本的功效。
第三實(shí)施例
圖5繪示依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板。請參照圖5，本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板400與前述實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板200、300類似，惟相較于前述實(shí)施例200、 300，在本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板400中，位于像素區(qū)200A作為像素電極292的第三圖案化導(dǎo)體層290通過部分所述這些第二接觸窗H2以及所述第二圖案化導(dǎo)體層260與第一圖案化半導(dǎo)體層220電連接。并且，本實(shí)施例的第二圖案化半導(dǎo)體層270更包括多個(gè)位于接觸導(dǎo)體262上的擬半導(dǎo)體層274，其中部分?jǐn)M半導(dǎo)體層274的尺寸例如是實(shí)質(zhì)上等于接觸導(dǎo)體262的尺寸，而部分?jǐn)M半導(dǎo)體層274的尺寸例如是實(shí)質(zhì)上小于接觸導(dǎo)體262的尺寸，換句話說，部分?jǐn)M半導(dǎo)體層274的可遮蔽接觸導(dǎo)體262的，而部分?jǐn)M半導(dǎo)體層274不遮蔽接觸導(dǎo)體262，如圖5所示，在與第三圖案化導(dǎo)體連接的接觸導(dǎo)體262中，位于其上方的擬半導(dǎo)體層274的尺寸小于所述處接觸導(dǎo)體262的尺寸。
詳細(xì)而言，相較于前述實(shí)施例，本實(shí)施例的接觸導(dǎo)體262上方具有擬半導(dǎo)體層274。同時(shí)，通過縮小部分接觸導(dǎo)體262上方的擬半導(dǎo)體層274的尺寸，可以讓第二介電層280中的第二接觸窗H2直接避開擬半導(dǎo)體層274而暴露出部分的接觸導(dǎo)體262。如此，如圖5所示，作為像素電極292的部分第三圖案化導(dǎo)體層290可以穿過暴露出接觸導(dǎo)體262的第二接觸窗H2而直接與接觸導(dǎo) 體262接觸，因而像素電極292通過第二接觸窗H2以及接觸導(dǎo)體262而與第 一圖案化半導(dǎo)體層220連接，其中與像素電極292電連接的第一圖案化半導(dǎo) 體層220例如是主動(dòng)元件的汲極摻雜區(qū)224d以及儲(chǔ)存電容的儲(chǔ)存電極222。
因此在本實(shí)施例中，主動(dòng)元件的汲極摻雜區(qū)224d中的資料電壓，是通過 第二圖案化導(dǎo)體層260的接觸導(dǎo)體262以及第二接觸窗H2的傳遞路徑而傳遞 至顯示用的像素電極292上，在本實(shí)施例中，儲(chǔ)存電極222、柵絕緣層230、 儲(chǔ)存電極242、第一介電層250、第二介電層280以及像素電極292會(huì)共同構(gòu) 成一多層結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容，實(shí)際面板設(shè)計(jì)可視需求設(shè)計(jì)為單一層或多層儲(chǔ)存 電容。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，下文更搭配圖示來說明本發(fā)明第三實(shí) 施例的主動(dòng)元件陣列基板400的制造方法。
請參考圖6A 圖6G，其依序繪示本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣 列基板的工藝，而圖6A， 圖6G，分別為對應(yīng)圖6A 圖6G的像素區(qū)的AA， 剖面線、感測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。為 了簡化說明，本實(shí)施例不再對所述這些與圖2A 圖2G以及圖2A' 圖2G' 所示的制作流程類似的部份加以說明。
如圖6E與圖6E'所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例在同時(shí)形成第二 圖案化導(dǎo)體層260以及第二圖案化半導(dǎo)體層270的工藝中，更于第一接觸窗 Hl中填入接觸導(dǎo)體262而分別與源極摻雜區(qū)224s、汲極摻雜區(qū)224d與儲(chǔ)存 電極222接觸，而位于接觸導(dǎo)體262層上方的第二圖案化半導(dǎo)體層270分別 形成擬半導(dǎo)體層274。同時(shí)，在此一步驟中，利用同一道光掩膜工藝而使得與 汲極摻雜區(qū)224d連接的接觸導(dǎo)體262的尺寸大于位于其上方的擬半導(dǎo)體層 274的尺寸，其中同一道光掩膜工藝?yán)缡且话胝{(diào)式光掩膜工藝或一灰調(diào)式光 掩膜工藝，詳細(xì)的工藝步驟將于下文搭配圖7A 圖7D詳述于后。
之后，如圖6F與圖6F'所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例的第二介電
34層280中的部分第二接觸窗H2是對應(yīng)地形成于已填入第一接觸窗HI的接觸 導(dǎo)體262的上方，并且由于此接觸導(dǎo)體262的部分區(qū)域未被上方的擬半導(dǎo)體 層274所遮蔽，因此此第二接觸窗H2暴露出連接汲極摻雜區(qū)224d以及儲(chǔ)存 電極222的接觸導(dǎo)體262。接著，如圖6G與圖6G'所示，本實(shí)施例在形成 第三圖案化導(dǎo)體層290的步驟中，作為像素電極292的部分第三圖案化導(dǎo)體 層290是穿過第二接觸窗H2而直接與接觸導(dǎo)體262連接，并且像素電極292 通過此接觸導(dǎo)體262而分別與汲極摻雜區(qū)224d以及與儲(chǔ)存電極222電連接。
上述形成接觸導(dǎo)體262以及擬半導(dǎo)體層274的方法例如可以使用半調(diào)式 光掩膜工藝來進(jìn)行制作。圖7A 圖7D為一種形成第二圖案化導(dǎo)體層以及第二 圖案化半導(dǎo)體層的制作流程示意圖。如圖7A所示，于第一介電層250上依序 形成第二導(dǎo)體層260'、第二半導(dǎo)體層270'以及圖案化光刻膠層410，其中 圖案化光刻膠層410例如覆蓋于第二半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，而圖案化光刻 膠層410具有第一區(qū)塊410A以及一第二區(qū)塊410B，而第一區(qū)塊410A的厚度 大于第二區(qū)塊410B的厚度。詳言之，位于與源極摻雜區(qū)224s連接的接觸導(dǎo) 體262上方的圖案化光刻膠層410為具有較大厚度的第一區(qū)塊410A，而位于 與汲極摻雜區(qū)224d以及儲(chǔ)存電極222連接的接觸導(dǎo)體262上方的圖案化光刻 膠層410可分為第一區(qū)塊410A以及位于第一區(qū)塊410A兩側(cè)的第二區(qū)塊 410B，且第一區(qū)塊410A的厚度大于第二區(qū)塊410B的厚度。之后，如圖7B 所示，以圖案化光刻膠層410為掩膜對第二導(dǎo)體層260'與第二半導(dǎo)體層 270'進(jìn)行一刻蝕工藝，以形成底電極264、主動(dòng)層272以及接觸導(dǎo)體262以 及擬半導(dǎo)體層274。
接著，如圖7C所示，減少圖案化光刻膠層410的厚度，直到第二區(qū)塊 410B被完全移除，而減少圖案化光刻膠層410厚度的方法例如是采用灰化的 方式。并且，在第二區(qū)塊410B被完全移除之后，以剩余的第一區(qū)塊410A， 為掩膜對被暴露出來的部分?jǐn)M半導(dǎo)體層274進(jìn)行一刻蝕工藝。之后，如圖7D 所示，在進(jìn)行一光刻膠移除工藝層以移除剩余的第一區(qū)塊410A'，即形成如圖6E所示的結(jié)構(gòu)部分接觸導(dǎo)體262的尺寸大于其上方的擬半導(dǎo)體的尺寸。
圖6H繪示本發(fā)明的第三實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板示意圖，請參 照圖6H，主動(dòng)元件陣列基板中的部分第一型摻雜區(qū)220a與第二型慘雜區(qū)220b 相接觸，而在第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b之間具有一接觸界面。 部分第一接觸窗H1暴露出接觸界面。換言之，在同一第一接觸窗H1中同時(shí) 暴露出第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b，使得與像素電極292電連接 的接觸導(dǎo)體262僅需通過位于一個(gè)第一接觸窗Hl而直接與第一型摻雜區(qū)220a 與第二型摻雜區(qū)220b連接。
承接上述第三實(shí)施例，同樣可以利用七道光掩膜工藝來進(jìn)行來制作具有 光感測器的主動(dòng)元件陣列基板400，因此本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板400可 以縮短制作時(shí)效，降低制造成本。
第四實(shí)施例
圖8繪示依據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板。請參照圖8， 本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板與第三實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板400類似， 位于像素區(qū)200A作為像素電極292的第三圖案化導(dǎo)體層290是通過部分第二 接觸窗H2以及第二圖案化導(dǎo)體層260與第一圖案化半導(dǎo)體層220電連接，惟 相較于第三實(shí)施例，在本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板500中，像素電極292 除了穿越第二介電層280的第二接觸窗H2之外，亦穿越所述處的擬半導(dǎo)體層 274而向下耦接第二圖案化導(dǎo)體層260的接觸導(dǎo)體262，而與汲極摻雜區(qū)224d 以及儲(chǔ)存電極222電連接。并且，本實(shí)施例的擬半導(dǎo)體層274的尺寸例如是 實(shí)質(zhì)上等于接觸導(dǎo)體262的尺寸，如圖8所示，換言之，擬半導(dǎo)體層274的 邊緣實(shí)質(zhì)上切齊于接觸導(dǎo)體262的邊緣。
詳細(xì)而言，相較于第三實(shí)施例，本實(shí)施例的擬半導(dǎo)體層274是直接堆迭 于接觸導(dǎo)體262上，而通過適當(dāng)?shù)膱D案化工藝，于后詳述，可以讓第二介電 層280中的第二接觸窗H2直接穿越擬半導(dǎo)體層274而暴露出部分的接觸導(dǎo)體 262。如此，如圖8所示，作為像素電極292的部分第三圖案化導(dǎo)體層290可以經(jīng)由第二接觸窗H2穿過第二介電層280以及擬半導(dǎo)體層274而直接與接觸 導(dǎo)體262接觸，因而像素電極292通過第二接觸窗H2以及接觸導(dǎo)體262而與 第一圖案化半導(dǎo)體層220連接，其中與像素電極292電連接的第一圖案化半 導(dǎo)體層220例如是主動(dòng)元件的汲極摻雜區(qū)224d以及儲(chǔ)存電容的儲(chǔ)存電極222。
因此在本實(shí)施例中，主動(dòng)元件的汲極摻雜區(qū)224d中的資料電壓，是通過 第二圖案化導(dǎo)體層260的接觸導(dǎo)體262并穿越第二圖案化半導(dǎo)體層270、第二 接觸窗H2的傳遞路徑而傳遞至顯示用的像素電極292上，在本實(shí)施例中，儲(chǔ) 存電極222、柵絕緣層230、儲(chǔ)存電極242、第一介電層250、第二介電層280 以及像素電極292會(huì)共同構(gòu)成一多層結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容，實(shí)際面板設(shè)計(jì)可視需 求設(shè)計(jì)為單一層或多層儲(chǔ)存電容。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，下文更搭配圖示來說明本發(fā)明第四實(shí) 施例的主動(dòng)元件陣列基板500的制造方法。
請參考圖9A 圖9G，其依序繪示本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣 列基板的工藝，而圖9A， 圖9G，分別為對應(yīng)圖9A 圖9G的像素區(qū)的AA， 剖面線、感測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。為 了簡化說明，本實(shí)施例不再對所述這些與圖6A 圖6G以及圖6A， 圖 6G'所示的制作流程類似的部份加以說明。
如圖9E與圖9E，所示，相較于第三實(shí)施例，本實(shí)施例在同時(shí)形成第二 圖案化導(dǎo)體層260以及第二圖案化半導(dǎo)體層270的工藝中，是利用同一道光 掩膜工藝而使得與接觸導(dǎo)體262的尺寸實(shí)質(zhì)上等于擬半導(dǎo)體層274的尺寸， 并且接觸導(dǎo)體262分別填入源極摻雜區(qū)224s、汲極摻雜區(qū)224d以及儲(chǔ)存電極 222，而汲極摻雜區(qū)224d與儲(chǔ)存電極222經(jīng)由一接觸導(dǎo)體262而電連接。
特別的是，如圖9F與圖9F'所示，相較于第三實(shí)施例，本實(shí)施例在圖案 化第二介電層280以形成第二接觸窗H2的步驟中，利用同一道光掩膜工藝而 使得部分第二接觸窗H2下方的擬半導(dǎo)體層274 —并移除，以暴露出與汲極摻 雜區(qū)224d連接的接觸導(dǎo)體262，并同時(shí)保留位于感測區(qū)200B中被第二接觸窗H2所暴露的主動(dòng)層272，其中同一道光掩膜工藝?yán)缡且话胝{(diào)式光掩膜工 藝或一灰調(diào)式光掩膜工藝，詳細(xì)的工藝步驟將于下文搭配圖10A 圖IOD詳 述于后。
接著，如圖9G與圖9G，所示，本實(shí)施例在形成第三圖案化導(dǎo)體層290 的步驟中，作為像素電極292的部分第三圖案化導(dǎo)體層290是穿過第二介電 層280的第二接觸窗H2以及擬半導(dǎo)體層274而直接與接觸導(dǎo)體262連接，并 且像素電極292通過此接觸導(dǎo)體262而分別與汲極摻雜區(qū)224d以及與儲(chǔ)存電 極222電連接。
上述于第二介電層280中形成第二接觸窗H2的方法例如可以使用半調(diào)式 光掩膜工藝來進(jìn)行制作。圖10A 圖IOD為一種形成不同深度的第二接觸窗的 制作流程示意圖。如圖10A所示，先于第二介電層280上形成圖案化光刻膠 層510，其中圖案化光刻膠層510覆蓋于第二介電層280的部分區(qū)域上，而圖 案化光刻膠層510具有一第一區(qū)塊510A以及一第二區(qū)塊510B，而第一區(qū)塊 510A的厚度大于第二區(qū)塊510B的厚度，且第二區(qū)塊510B對應(yīng)于主動(dòng)層272 上方。之后，如圖10B所示，再以圖案化光刻膠層510為掩膜，對圖案化第 二介電層280進(jìn)行一移除步驟，以形成分別暴露出擬半導(dǎo)體層274以及第三 接觸窗H3的第二接觸窗H2。值得一提的是，由于在主動(dòng)層272上方具有厚 度較小的第二區(qū)塊510B，因此在移除步驟完成后，主動(dòng)層272上方會(huì)保留一 定厚度的第二介電層280。
接著，如圖IOC所示，以圖案化光刻膠層510為掩膜對被第二介電層280 所暴露出來的擬半導(dǎo)體層274進(jìn)行一刻蝕工藝，以使得所述處的第二接觸窗 H2穿越擬半導(dǎo)體層274而暴露出下方的接觸導(dǎo)體262。接著，移除剩余的圖 案化光刻膠層510后，如圖10D所示，減少第二介電層280的厚度，直到主 動(dòng)層272上方的第二介電層280完全被移除而暴露出主動(dòng)層272，其中減少第 二介電層280厚度的方法例如是采用灰化的方式，即形成如圖9F'所示的結(jié) 構(gòu)。當(dāng)然，在另一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙殡妼?80所使用的材質(zhì)屬于感光性的
有機(jī)樹脂材料時(shí)，第二介電層280也可以直接通過調(diào)變微影工藝中照射于第 二接觸窗H2上的曝光能量來控制第二接觸窗H2的深度，本發(fā)明并不限定于 此。
此外，圖9H繪示本發(fā)明的第四實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板示意 圖，請參照圖9H，主動(dòng)元件陣列基板中的部分第一型摻雜區(qū)220a與第二型 摻雜區(qū)220b相接觸，而在第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b之間具有 一接觸界面。部分第一接觸窗H1暴露出接觸界面。換言之，在同一第一接觸 窗H1中同時(shí)暴露出第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b，使得與像素電 極292電連接的接觸導(dǎo)體262僅需通過位于一個(gè)第一接觸窗Hl而直接與第一 型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b連接。
第五實(shí)施例
圖11繪示依據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板。請參照圖 11，本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板600與第三實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板400 類似，位于像素區(qū)200A作為像素電極292的第三圖案化導(dǎo)體層290是通過部 分第二接觸窗H2以及第二圖案化導(dǎo)體層260與第一圖案化半導(dǎo)體層220電連 接，惟相較于第三實(shí)施例，在本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板600中，本實(shí)施 例的部分?jǐn)M半導(dǎo)體層274的尺寸例如是實(shí)質(zhì)上皆小于部份接觸導(dǎo)體262的尺 寸，如圖ll所示。
詳細(xì)而言，相較于第三實(shí)施例，本實(shí)施例的第二圖案化導(dǎo)體層260以及 第二圖案化半導(dǎo)體層270的尺寸不同，并且是通過同一道光掩膜工藝來進(jìn)行 制作的。如此，不但可以縮減光掩膜數(shù)，并且由于位于感測區(qū)200B中的底電 極264的尺寸大于主動(dòng)層272的尺寸，因此底電極264可以更有效遮蔽來自 背光源的光線，避免主動(dòng)層272因非預(yù)期光線干擾而產(chǎn)生光電流，降低光感 測器產(chǎn)生信噪的現(xiàn)象。
因此在本實(shí)施例中，光感測器中的底電極264尺寸大于主動(dòng)層272尺寸，用以進(jìn)一步提升光感測器的感測效能。主動(dòng)元件的汲極摻雜區(qū)224d中的資料
電壓，是通過第二圖案化導(dǎo)體層260的接觸導(dǎo)體262并穿越第二圖案化半導(dǎo) 體層270、第二接觸窗H2的傳遞路徑而傳遞至顯示用的像素電極292上，在 本實(shí)施例中，儲(chǔ)存電極222、柵絕緣層230、儲(chǔ)存電極242、第一介電層250、 第二介電層280以及像素電極292會(huì)共同構(gòu)成一多層結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容，實(shí)際 面板設(shè)計(jì)可視需求設(shè)計(jì)為單一層或多層儲(chǔ)存電容。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，下文更搭配圖示來說明本發(fā)明第五實(shí) 施例的主動(dòng)元件陣列基板600的制造方法。
請參考圖12A 12G，其依序繪示本發(fā)明的第五實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣 列基板的工藝，而圖12A， 圖12G，分別為對應(yīng)圖12A 圖12G的像素區(qū)的 AA'剖面線、感測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面圖。 為了簡化說明，本實(shí)施例不再對所述這些與圖6A 圖6G以及圖6A， 圖 6G'所示的制作流程類似的部份加以說明。
如圖12E與圖12E，所示，相較于第三實(shí)施例，本實(shí)施例在同時(shí)形成第 二圖案化導(dǎo)體層260以及第二圖案化半導(dǎo)體層270的工藝中，是利用同一道 光掩膜工藝而使得部份擬半導(dǎo)體層274的尺寸實(shí)質(zhì)上小于部分接觸導(dǎo)體262 的尺寸，而接觸導(dǎo)體262與第三實(shí)施例類似，是分別填入源極摻雜區(qū)224s、 汲極摻雜區(qū)224d以及儲(chǔ)存電極222，而汲極摻雜區(qū)224d與儲(chǔ)存電極222經(jīng)由 一接觸導(dǎo)體262而電連接。在此一步驟中，利用同一道光掩膜工藝而使得位 于像素區(qū)200A中的擬半導(dǎo)體層274的尺寸小于接觸導(dǎo)體262層的尺寸，并使 得位于感測區(qū)200B中的主動(dòng)層272的尺寸小于底電極264的尺寸，其中同一 道光掩膜工藝?yán)缡鞘褂玫认蛐钥涛g工藝，詳細(xì)的工藝步驟將于下文搭配圖 13A 圖13D詳述于后。
之后，如圖12F與圖12F'所示，第二接觸窗H2的涵蓋范圍小于主動(dòng)層 272。接著，如圖12G與圖12G，所示，本實(shí)施例在形成第三圖案化導(dǎo)體層 290的步驟中，作為像素電極292的部分第三圖案化導(dǎo)體層290是穿過第二接觸窗H2而直接與接觸導(dǎo)體262連接，并且像素電極292通過此接觸導(dǎo)體262 而分別與汲極摻雜區(qū)224d以及與儲(chǔ)存電極222電連接。并且，在感測區(qū)200B 中，底電極264的尺寸大于主動(dòng)層272的尺寸。
形成上述尺寸小于接觸導(dǎo)體262尺寸的擬半導(dǎo)體層274以及形成上述尺 寸小于底電極264尺寸的主動(dòng)層272的方法例如可以使用等向性刻蝕來進(jìn)行 制作。圖13A 圖13D為一種形成第二圖案化導(dǎo)體層以及第二圖案化半導(dǎo)體層 的制作流程示意圖。如圖13A所示，于第一介電層250上依序形成一第二導(dǎo) 體層260'、 一第二半導(dǎo)體層270'以及一圖案化光刻膠層610，其中圖案化 光刻膠層610例如覆蓋于預(yù)定形成底電極264以及接觸導(dǎo)體262的區(qū)域上。 之后，如圖13B所示，以圖案化光刻膠層610為掩膜來圖案化第二導(dǎo)體層260' 以及第二半導(dǎo)體層270'，其中圖案化第二導(dǎo)體層260'以及第二半導(dǎo)體層 270'的方法例如是進(jìn)行一進(jìn)行一刻蝕工藝，以形成底電極264、主動(dòng)層272 以及接觸導(dǎo)體262以及擬半導(dǎo)體層274。
接著，如圖13C所示對主動(dòng)層272與擬半導(dǎo)體層274進(jìn)行側(cè)向刻蝕，以 使擬半導(dǎo)體層274的尺寸小于接觸導(dǎo)體262的尺寸，并使主動(dòng)層272的尺寸 小于底電極264的尺寸，換句話說，使第二圖形化半導(dǎo)體層270的尺寸小于 第二圖形化導(dǎo)體層260，而側(cè)向刻蝕工藝可列舉濕式刻蝕工藝，利用一對于第 二半導(dǎo)體材質(zhì)具有較高選擇比的刻蝕液來進(jìn)行側(cè)向刻蝕，當(dāng)然側(cè)向刻蝕工藝 并不僅限于濕式刻蝕工藝，也可以在干式刻蝕的工藝中利用較高濃度的反應(yīng) 氣體而不施加偏壓的情況下達(dá)到側(cè)向刻蝕第二半導(dǎo)體層270'的效果，本發(fā)明 并不限定側(cè)向刻蝕的種類。
之后，如圖13D所示，在進(jìn)行一光刻膠移除工藝層以移除剩余的圖案化 光刻膠層610，即形成如圖12E所示的結(jié)構(gòu)接觸導(dǎo)體262的尺寸大于其上方 的擬半導(dǎo)體的尺寸，且底電極264的尺寸大于主動(dòng)層272的尺寸。
此外，圖12H繪示本發(fā)明的第五實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板示意 圖，請參照圖12H，主動(dòng)元件陣列基板中的部分第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b相接觸，而在第一型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b之間具有 一接觸界面。部分第一接觸窗H1暴露出接觸界面。換言之，在同一第一接觸 窗H1中同時(shí)暴露出第一型摻雜區(qū)220a與第二型慘雜區(qū)220b，使得與像素電 極292電連接的接觸導(dǎo)體262僅需通過位于一個(gè)第一接觸窗HI而直接與第一 型摻雜區(qū)220a與第二型摻雜區(qū)220b連接。
承接上述第五實(shí)施例，同樣可以利用七道光掩膜工藝來進(jìn)行來制作具有 光感測器的主動(dòng)元件陣列基板600，因此本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板600可 以縮短制作時(shí)效，降低制造成本。同時(shí)，由于位于感測區(qū)200B中的底電極 264的尺寸大于主動(dòng)層272的尺寸，因此底電極264可以更有效遮蔽來自背光 源的光線，避免主動(dòng)層272因非預(yù)期光線干擾而產(chǎn)生光電流，降低光感測器 產(chǎn)生信噪的現(xiàn)象。
第六實(shí)施例
圖14繪示依據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板，本實(shí)施例 的主動(dòng)元件陣列基板700與第三實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板700類似，而相 似構(gòu)件的材質(zhì)以及工藝考量可參照前述實(shí)施例，不再贅述。在本實(shí)施例中， 主動(dòng)元件陣列基板700可劃分為如圖14中的像素區(qū)700A、感測區(qū)700B以及 焊墊區(qū)700C，且主動(dòng)元件陣列基板700包括基板710、第一圖案化半導(dǎo)體層 720、柵絕緣層730、第一圖案化導(dǎo)體層740、第二圖案化半導(dǎo)體層750、第一 介電層760、第二圖案化導(dǎo)體層770、第二介電層780以及第三圖案化導(dǎo)體層 790。且相較于前述實(shí)施例，第二圖案化半導(dǎo)體層750是配置在第一圖案化導(dǎo) 體層740上，而光感測器中的底電極742以及主動(dòng)層752是分別以第一圖案 化導(dǎo)體層740以及第二圖案化半導(dǎo)體層750來制作的，并且第一圖案化導(dǎo)體 層740以及第二圖案化半導(dǎo)體層750是同時(shí)形成的。再者，在本實(shí)施例的主 動(dòng)元件陣列基板700中，擬半導(dǎo)體層754更例如形成于柵極746上。
詳言之，請參考圖14，主動(dòng)元件陣列基板700的第一圖案化導(dǎo)體層740 包括多個(gè)柵極746以及一底電極742，第二圖案化半導(dǎo)體層750配置于第一圖案化導(dǎo)體層740上，其中第二圖案化半導(dǎo)體層750包括一位于底電極742上 的主動(dòng)層752。第一介電層760配置于柵絕緣層730上，以覆蓋第一圖案化導(dǎo) 體層740，其中第一介電層760與柵絕緣層730具有多個(gè)將第一圖案化半導(dǎo)體 層720暴露的第一接觸窗HI以及一第三接觸窗H3。第二圖案化導(dǎo)體層770 配置于第一介電層760上，其中第二圖案化導(dǎo)體層770包括多個(gè)位于第一接 觸窗H1內(nèi)的接觸導(dǎo)體772。第二介電層780配置于第一介電層760上，其中 第二介電層780具有多個(gè)第二接觸窗H2，且部分第二接觸窗H2位于主動(dòng)層 752上方。第三圖案化導(dǎo)體層790配置于第二介電層780上，在感測區(qū)700B 中，部分第三圖案化導(dǎo)體層790通過部分第二接觸窗H2以及第三接觸窗H3 與主動(dòng)層752電連接。
如圖14所示，第一圖案化半導(dǎo)體層720配置于基板710上，并且為了避 免非預(yù)期光線影響光感測器的運(yùn)作，可以于感測區(qū)700B中的基板710上選擇 性地設(shè)置第一遮光層726。柵絕緣層730配置于基板710上，而柵絕緣層730 配置于基板710上以覆蓋第一圖案化半導(dǎo)體層720，柵絕緣層730由介電材料 所構(gòu)成。
值得一提的是，在本實(shí)施例中，請參考圖14，第一圖案化導(dǎo)體層740配 置于柵絕緣層730上，且在本實(shí)施例中，第一圖案化導(dǎo)體層740可劃分為構(gòu) 成主動(dòng)元件的多個(gè)柵極746、構(gòu)成儲(chǔ)存電容的儲(chǔ)存電極746、位于感測區(qū)700B 的底電極742以及位于焊墊區(qū)700C的第一焊墊層748，其中柵極746、儲(chǔ)存 電極722、底電極742以及第一焊墊層748為相同的導(dǎo)電材質(zhì)，柵極746位于 通道區(qū)724c上方的柵絕緣層730上，而儲(chǔ)存電極744位于儲(chǔ)存電極722上方 的柵絕緣層730上。
如圖14所示，第二圖案化半導(dǎo)體層750配置于第一圖案化導(dǎo)體層740上， 其中第二圖案化半導(dǎo)體層750包括一位于底電極742上的主動(dòng)層752。值得一 提的是，在本實(shí)施例中，第二圖案化半導(dǎo)體層750更包括多個(gè)位于柵極746 上的擬半導(dǎo)體層754，其中，擬半導(dǎo)體層754的尺寸可以小于或等于接觸導(dǎo)體772的尺寸，但不限于此。如圖14所示，第一介電層760配置于柵絕緣層730 上，以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層740，其中第一介電層760與柵絕緣層730具有 多個(gè)將第一圖案化半導(dǎo)體層720暴露的第一接觸窗Hl以及一第三接觸窗H3， 其中第三接觸窗H3暴露出主動(dòng)層752，并且在本實(shí)施例中，第一介電層760 更例如形成多個(gè)將第一圖案化導(dǎo)體層740暴露的第三接觸窗H3，如焊墊區(qū) 700C中的第三接觸窗H3暴露第一焊墊層748。
請?jiān)賲⒖紙D14，第二圖案化導(dǎo)體層770配置于第一介電層760上，其中 第二圖案化導(dǎo)體層770包括多個(gè)接觸導(dǎo)體772，而接觸導(dǎo)體772位于至少部分 的第一接觸窗Hl中，以穿過第一介電層760與柵絕緣層730而耦接到所對應(yīng) 的部分第一圖案化半導(dǎo)體層720，在本實(shí)施例中，接觸導(dǎo)體772例如是分別直 接與源極摻雜區(qū)724s、源極摻雜區(qū)724s以及儲(chǔ)存電極722連接。并且，在本 實(shí)施例中，接觸導(dǎo)體772更穿過第三接觸窗H3而與第一圖案化半導(dǎo)體層720 的第一焊墊層748連接。
請繼續(xù)參考圖14，第二介電層780配置于第一介電層760上，其中第二 介電層780具有多個(gè)第二接觸窗H2，且部分第二接觸窗H2位于主動(dòng)層752 上方。第三圖案化導(dǎo)體層790配置于第二介電層780上，其中部分第三圖案 化導(dǎo)體層790通過部分第二接觸窗H2以及第三接觸窗H3與主動(dòng)層752電連 接，因此在本實(shí)施例的感測區(qū)700B所形成的光感測器包括位于柵絕緣層730 上的底電極742、位于底電極742上的主動(dòng)層752，以及穿過第二介電層780、 第二介電層780而與主動(dòng)層752接觸的頂電極294。
此外，部分第二接觸窗H2對應(yīng)于第一接觸窗H1，以使得作為像素電極 792的部分第三圖案化導(dǎo)體層790通過第一接觸窗Hl以及第二接觸窗H2直 接與主動(dòng)元件以及儲(chǔ)存電極722電連接，換言之，像素電極792穿過第二介 電層780而與填于第一接觸窗Hl中的接觸導(dǎo)體772接觸，并通過此接觸導(dǎo)體 772向下電耦接到第一圖案化半導(dǎo)體層720，在本實(shí)施例中，像素電極792例 如是電連接到第一圖案化半導(dǎo)體層720的汲極摻雜區(qū)724d以及儲(chǔ)存電極722。
44如圖14所示，儲(chǔ)存電極722經(jīng)由接觸導(dǎo)體772電連接至汲極摻雜區(qū)224d，換 言之，位于柵絕緣層730下方的儲(chǔ)存電極722與像素電極792實(shí)質(zhì)上等電位， 因此在本實(shí)施例中，儲(chǔ)存電極722、柵絕緣層730、儲(chǔ)存電極744、擬半導(dǎo)體 層754、第一介電層760、第二介電層780以及像素電極792會(huì)共同構(gòu)成一多 層結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容，實(shí)際面板設(shè)計(jì)可視需求設(shè)計(jì)為單一層或多層儲(chǔ)存電容。
此外，在本實(shí)施例的焊墊區(qū)700C中，部分第二接觸窗H2對應(yīng)于第三接 觸窗H3以暴露出第一圖案化導(dǎo)體層740的第一焊墊層748，作為第二焊墊層 798的部分第三圖案化導(dǎo)體層790通過第三接觸窗H3以及第二接觸窗H2與 第一圖案化導(dǎo)體層740的第一焊墊層748電連接，更詳細(xì)來說，作為第二焊 墊層798的部分第三圖案化導(dǎo)體層790是穿過通過第二接觸窗H2與填于第三 接觸窗H3中的接觸導(dǎo)體772而與第一圖案化導(dǎo)體層740的第一焊墊層748電 連接。在本實(shí)施例中，焊墊主要是由第一圖案化導(dǎo)體層740的第一焊墊層748、 第二團(tuán)案化導(dǎo)體層770的接觸導(dǎo)體772以及第三圖案化導(dǎo)體層790的第二焊 墊層798所共同組成。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，下文更搭配圖示來說明本發(fā)明第六實(shí) 施例的主動(dòng)元件陣列基板700的制造方法。
請參考圖15A 圖15G，其依序繪示本發(fā)明的第六實(shí)施例的一種主動(dòng)元件 陣列基板的工藝，而圖15A， 圖15G，分別為對應(yīng)圖15A 圖15G的像素區(qū) 的AA'剖面線、感測區(qū)的BB'剖面線以及焊墊區(qū)的CC'剖面線的工藝剖面 圖。為了簡化說明，本實(shí)施例不再對所述這些與圖6A 圖6G以及圖6A， 圖6G'所示的制作流程類似的部份加以說明。其中圖15A 15B以及15A' 圖15B，的工藝與圖6A 圖6B以及圖6A， 圖6B，類似，于此不再敘述。
如圖15C與圖15C'所示，相較于第三實(shí)施例，本實(shí)施例在柵絕緣層730 形成之后，同時(shí)形成第一圖案化導(dǎo)體層740以及位于第一圖案化導(dǎo)體層740 上的第二圖案化半導(dǎo)體層750的方法例如是先于柵絕緣層730上依序形成一 第一導(dǎo)體層以及一第二半導(dǎo)體層。接著再同時(shí)圖案化第一導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層，以于柵絕緣層730上形成感測區(qū)700B中的底電極742與主動(dòng)層752， 并于像素區(qū)700A的第一圖案化半導(dǎo)體層720上方分別形成柵極746以及其上 的擬半導(dǎo)體層754、與儲(chǔ)存電極744以及其上的擬半導(dǎo)體層754，且在焊墊區(qū) 700C的柵絕緣層730上形成第一焊墊層748以及擬半導(dǎo)體層754。當(dāng)然，同 時(shí)形成第一圖案化導(dǎo)體層740以及第二圖案化半導(dǎo)體層750的方法亦可以利 用同一道半調(diào)式光掩膜工藝來制作，其制作方法可以參照前述圖7A 圖7D 的步驟進(jìn)行，在此不贅述。
之后，如圖15D與圖15D'所示，相較于第三實(shí)施例，本實(shí)施例在第一 介電層760中形成第一接觸窗Hl的同時(shí)，更于第一介電層760中形成多個(gè)將 第一圖案化導(dǎo)體層740暴露的第三接觸窗H3，以暴露出第一圖案化導(dǎo)體層740 中的第一焊墊層748。其中，在第一介電層760中同時(shí)形成第一接觸窗H1以 及第三接觸窗H3的方法可以參照前述圖10A 10D的步驟進(jìn)行，在此不贅述。
接著，如圖15E與圖15E，所示，于第一介電層760上形成第二圖案化 導(dǎo)體層770，其中第二圖案化導(dǎo)體層770包括多個(gè)位于第一接觸窗H1內(nèi)的接 觸導(dǎo)體772而直接分別與源極摻雜區(qū)724s、汲極摻雜區(qū)724d以及由第一圖案 化半導(dǎo)體層的儲(chǔ)存電極724接觸，在本實(shí)施例中，第二圖案化導(dǎo)體層770更 包括填入第三接觸窗H3而與第一圖案化導(dǎo)體層740的第一焊墊層748連接的 接觸導(dǎo)體772。
之后，如圖15F與圖15F'所示，于第一介電層760上形成第二介電層 780以覆蓋接觸導(dǎo)體772。接著，于第二介電層780中形成多個(gè)第二接觸窗 H2，其中部分第二接觸窗H2位于主動(dòng)層752上方，并于第一介電層760中 例如利用一刻蝕工藝來移除被第二接觸窗H2所暴露的第一介電層760，以于 第一介電層760中形成第三接觸窗H3而暴露出主動(dòng)層752。并且，部分第二 接觸窗H2對應(yīng)地開設(shè)于第一接觸窗Hl上，以及部分第二接觸窗H2對應(yīng)地 開設(shè)于位于第三接觸窗H3上方，而分別暴露出填于第一接觸窗H1中的接觸 導(dǎo)體772以及填于第三接觸窗H3中的接觸導(dǎo)體772。接著，如圖15G與圖15G'所示，于第二介電層780上形成第三圖案化 導(dǎo)體層7卯，其中于感測區(qū)700B中，部分第三圖案化導(dǎo)體層790作為頂電極 794而通過部分第二接觸窗H2以及第三接觸窗H3與主動(dòng)層752電連接。此 時(shí)，部分第三圖案化導(dǎo)體層790作為像素電極792而例如通過第一接觸窗Hl 以及填于第二接觸窗H2中的接觸導(dǎo)體772而與第一圖案化半導(dǎo)體層720中的 汲極摻雜區(qū)724d以及儲(chǔ)存電極742電連接。并且，部分第三圖案化導(dǎo)體層790 作為第二焊墊層798例如是通過第二接觸窗H2以及填于第三接觸窗H3中的 接觸導(dǎo)體772與第一圖案化導(dǎo)體層740的第一焊墊層748電連接。
此外，圖15H繪示本發(fā)明的第六實(shí)施例的另一種主動(dòng)元件陣列基板示意 圖，請參照圖15H，主動(dòng)元件陣列基板中的部分第一型摻雜區(qū)720a與第二型 摻雜區(qū)720b相接觸，而在第一型摻雜區(qū)720a與第二型摻雜區(qū)720b之間具有 一接觸界面。部分第一接觸窗H1暴露出所述接觸界面。換言之，在同一第一 接觸窗H1中同時(shí)暴露出第一型摻雜區(qū)720a與第二型摻雜區(qū)720b，使得與像 素電極792電連接的接觸導(dǎo)體772僅需通過位于一個(gè)第一接觸窗H1而直接并 同時(shí)與第一型摻雜區(qū)720a與第二型摻雜區(qū)720b連接。
承接上述第六實(shí)施例，同樣可以利用七道光掩膜工藝來進(jìn)行來制作具有 光感測器的主動(dòng)元件陣列基板700，因此本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板700可 以縮短制作時(shí)效，降低制造成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 具有本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng) 可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定為 準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括于一基板上形成一緩沖介電層、一第一圖案化半導(dǎo)體層、一柵絕緣層、一第一圖案化導(dǎo)體層以及一第一介電層，其中所述柵絕緣層覆蓋所述第一圖案化半導(dǎo)體層，而所述第一圖案化導(dǎo)體層配置于所述柵絕緣層上，且所述第一介電層配置于所述柵絕緣層上以覆蓋所述第一圖案化導(dǎo)體層；于所述第一介電層與所述柵絕緣層中形成多個(gè)將所述第一圖案化半導(dǎo)體層暴露的第一接觸窗；于所述第一介電層上同時(shí)形成一第二圖案化導(dǎo)體層以及一位于所述第二圖案化導(dǎo)體層上的第二圖案化半導(dǎo)體層，其中所述第二圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)接觸導(dǎo)體以及一底電極，而所述第二圖案化半導(dǎo)體層包括一位于所述底電極上的主動(dòng)層；于所述第一介電層上形成一第二介電層；于所述第二介電層中形成多個(gè)第二接觸窗，其中部分所述這些第二接觸窗將所述主動(dòng)層暴露；以及于所述第二介電層上形成一第三圖案化導(dǎo)體層，其中部分所述第三圖案化導(dǎo)體層通過部分所述這些第二接觸窗與所述主動(dòng)層電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所 述第一圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括于所述基板上形成多個(gè)島狀圖案；以及于所述這些島狀圖案中形成多個(gè)第一型摻雜區(qū)以及多個(gè)第二型摻雜區(qū)， 其中部分所述這些第一型摻雜區(qū)與所述這些第二型摻雜區(qū)之間具有一接觸界 面，且部分所述這些第一接觸窗暴露出所述接觸界面。
3. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所 述第二圖案化導(dǎo)體層以及所述第二圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括于所述第一介電層上依序形成一第二導(dǎo)體層以及一第二半導(dǎo)體層；以及 圖案化所述第二導(dǎo)體層以及所述第二半導(dǎo)體層，以于所述第一介電層上 形成所述底電極與所述主動(dòng)層，并于至少部分的第一接觸窗中形成所述這些 接觸導(dǎo)體，其中部分所述第三圖案化導(dǎo)體層通過所述這些第一接觸窗以及所 述這些第二接觸窗直接與所述第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。
4. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法更包括在形成所述這些第一接觸窗的同時(shí)，于所述第一介電層中形成多個(gè)將所 述第一圖案化導(dǎo)體層暴露的第三接觸窗，其中部分所述這些第二接觸窗位于 所述這些第一接觸窗與所述這些第三接觸窗上方。
5. 如權(quán)利要求4所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第二圖案化導(dǎo)體層以及所述第二圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括于所述第一介電層上依序形成一第二導(dǎo)體層以及一第二半導(dǎo)體層；以及 圖案化所述第二導(dǎo)體層以及所述第二半導(dǎo)體層，以于所述第一介電層上 形成所述底電極與所述主動(dòng)層，并于所述這些第一接觸窗以及部分的第三接 觸窗中形成所述這些接觸導(dǎo)體，其中部分所述第三圖案化導(dǎo)體層通過所述這 些第三接觸窗以及所述這些第二接觸窗直接與所述第一圖案化導(dǎo)體層電連 接，其中部分所述第三圖案化導(dǎo)體層通過所述第一圖案化導(dǎo)體層以及所述第 二圖案化導(dǎo)體層間接與所述第一圖案化半導(dǎo)體層電連接。
6. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所 述第二圖案化導(dǎo)體層以及所述第二圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括于所述第一介電層上依序形成一第二導(dǎo)體層、 一第二半導(dǎo)體層以及一圖 案化光刻膠層，其中所述圖案化光刻膠層覆蓋于所述第二半導(dǎo)體層的部分區(qū) 域上，而所述圖案化光刻膠層具有一第一區(qū)塊以及一第二區(qū)塊，而所述第一 區(qū)塊的厚度大于所述第二區(qū)塊的厚度，且第一區(qū)塊對應(yīng)于主動(dòng)層上方；以及以所述圖案化光刻膠層為掩膜，圖案化所述第二導(dǎo)體層以及所述第二半導(dǎo)體層，以形成所述底電極、所述主動(dòng)層以及所述這些接觸導(dǎo)體。
7. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所 述第二圖案化半導(dǎo)體層更包括多個(gè)位于所述這些接觸導(dǎo)體上的擬半導(dǎo)體層， 其中所述第二圖案化導(dǎo)體層以及所述第二圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括于所述第一介電層上依序形成一第二導(dǎo)體層、 一第二半導(dǎo)體層以及一圖 案化光刻膠層；以所述圖案化光刻膠層為掩膜，圖案化所述第二導(dǎo)體層以及所述第二半 導(dǎo)體層，以形成所述底電極、所述主動(dòng)層、所述這些接觸導(dǎo)體以及所述這些 擬半導(dǎo)體層；以及對所述主動(dòng)層與所述擬半導(dǎo)體層進(jìn)行側(cè)向刻蝕，以使所述這些擬半導(dǎo)體 層的尺寸小于所述這些接觸導(dǎo)體的尺寸，并使所述主動(dòng)層的尺寸小于所述這 些底電極的尺寸。
8. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，于所述第二介電層中形成所述這些第二接觸窗的方法包括于所述第二介電層上形成一圖案化光刻膠層，其中所述圖案化光刻膠層 覆蓋于所述第二半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，而所述圖案化光刻膠層具有一第一 區(qū)塊以及一第二區(qū)塊，而所述第一區(qū)塊的厚度大于所述第二區(qū)塊的厚度，且 所述第二區(qū)塊對應(yīng)于所述主動(dòng)層上方；以及以所述圖案化光刻膠層為掩膜，圖案化所述第二介電層，以形成所述這 些第二接觸窗。
9. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所 述第二介電層中形成所述這些第二接觸窗的方法包括所述第二介電層形成一圖案化光刻膠層，其中所述圖案化光刻膠層覆蓋 于所述第二半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，而所述圖案化光刻膠層具有一第一區(qū)塊 以及一第二區(qū)塊，而所述第一區(qū)塊的厚度大于所述第二區(qū)塊的厚度，且所述 第二區(qū)塊對應(yīng)于所述主動(dòng)層上方；以及圖案化所述第二介電層，以形成所述這些第二接觸窗。
10. —種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括 于一基板上形成一第一圖案化半導(dǎo)體層以及一柵絕緣層，其中所述柵絕緣層覆蓋所述第一圖案化半導(dǎo)體層；于所述柵絕緣層上同時(shí)形成一第一圖案化導(dǎo)體層以及一位于所述第一圖 案化導(dǎo)體層上的第二圖案化半導(dǎo)體層，其中所述第一圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè) 柵極以及一底電極，而所述第二圖案化半導(dǎo)體層包括一位于所述底電極上的 主動(dòng)層；于所述柵絕緣層上形成一第一介電層，以覆蓋所述第一圖案化導(dǎo)體層；于所述第一介電層與所述柵絕緣層中形成多個(gè)將所述第一圖案化半導(dǎo)體 層暴露的第一接觸窗；于所述第一介電層上形成一第二圖案化導(dǎo)體層，其中所述第二圖案化導(dǎo) 體層包括多個(gè)位于所述這些第一接觸窗內(nèi)的接觸導(dǎo)體；于所述第一介電層上形成一第二介電層；于所述第二介電層中形成多個(gè)第二接觸窗，其中部分所述這些第二接觸 窗位于所述主動(dòng)層上方；于所述第一介電層中形成一第三接觸窗；以及于所述第二介電層上形成一第三圖案化導(dǎo)體層，其中部分所述第三圖案 化導(dǎo)體層通過部分所述這些第二接觸窗以及所述第三接觸窗與所述主動(dòng)層電 連接。
11. 如權(quán)利要求10所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述第一圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括于所述基板上形成多個(gè)島狀圖案；以及于所述這些島狀圖案中形成多個(gè)第一型摻雜區(qū)以及多個(gè)第二型摻雜區(qū)。
12. 如權(quán)利要求11所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述第一圖案化導(dǎo)體層以及所述第二圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括于所述柵絕緣層上依序形成一第一導(dǎo)體層以及一第二半導(dǎo)體層；以及圖案化所述第一導(dǎo)體層以及所述第二半導(dǎo)體層，以于所述柵絕緣層上形 成所述底電極與所述主動(dòng)層，其中部分所述第三圖案化導(dǎo)體層通過所述這些 第一接觸窗以及所述這些第二接觸窗直接與所述第一圖案化半導(dǎo)體層電連 接。
13. 如權(quán)利要求11所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法更包括在形成所述這些第一接觸窗的同時(shí)，于所述第一介電層中形成多個(gè)將所 述第一圖案化導(dǎo)體層暴露的第三接觸窗，其中部分所述這些第二接觸窗位于 所述這些第一接觸窗與所述這些第三接觸窗上方。
14. 如權(quán)利要求11所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一圖案化導(dǎo)體層以及所述第二圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括于所述柵絕緣層上依序形成一第一導(dǎo)體層、 一第二半導(dǎo)體層以及一圖案化光刻膠層，其中所述光刻膠層覆蓋于所述第二半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，而所述光刻膠層具有一第一區(qū)以及一第二區(qū)塊，而所述第一區(qū)塊的厚度大于所述第二區(qū)塊的厚度，且第一區(qū)塊對應(yīng)于主動(dòng)層上方；以及以所述圖案化光刻膠層為掩膜，圖案化所述第一導(dǎo)體層以及所述第二半導(dǎo)體層，以形成所述底電極、所述主動(dòng)層、所述這些柵極以及所述這些擬半導(dǎo)體層。
15. 如權(quán)利要求11所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述第二圖案化半導(dǎo)體層更包括多個(gè)位于所述這些柵極上的擬半導(dǎo)體層，其中所述第一圖案化導(dǎo)體層以及所述第二圖案化半導(dǎo)體層的形成方法包括于所述柵絕緣層上依序形成一第一導(dǎo)體層、 一第二半導(dǎo)體層以及一圖案 化光刻膠層；以所述圖案化光刻膠層為掩膜，圖案化所述第一導(dǎo)體層以及所述第二半 導(dǎo)體層，以形成所述底電極、所述主動(dòng)層、所述這些柵極以及所述這些擬半導(dǎo)體層；以及對所述主動(dòng)層與所述擬半導(dǎo)體層進(jìn)行側(cè)向刻蝕，以使所述這些擬半導(dǎo)體 層的尺寸小于所述這些柵極的尺寸，并使所述主動(dòng)層的尺寸小于所述這些底 電極的尺寸。
16. —種主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，所述主動(dòng)元件陣列基板包括 一基板；一第一圖案化半導(dǎo)體層，配置于所述基板上；一柵絕緣層，配置于所述基板上以覆蓋所述第一圖案化半導(dǎo)體層； 一第一圖案化導(dǎo)體層，配置于所述柵絕緣層上；一第一介電層，配置于所述柵絕緣層上以覆蓋所述第一圖案化導(dǎo)體層， 其中所述第一介電層與所述柵絕緣層具有多個(gè)將所述第一圖案化半導(dǎo)體層暴 露的第一接觸窗；一第二圖案化導(dǎo)體層，配置于所述第一介電層上，其中所述第二圖案化 導(dǎo)體層包括多個(gè)接觸導(dǎo)體以及一底電極；一第二圖案化半導(dǎo)體層，配置于所述第二圖案化導(dǎo)體層上，其中所述第 二圖案化半導(dǎo)體層包括一位于所述底電極上的主動(dòng)層；一第二介電層，配置于所述第一介電層上，其中所述第二介電層具有多 個(gè)第二接觸窗以將所述主動(dòng)層暴露；以及一第三圖案化導(dǎo)體層，配置于所述第二介電層上，其中部分所述第三圖 案化導(dǎo)體層通過部分所述這些第二接觸窗與所述主動(dòng)層電連接。
17. 如權(quán)利要求16所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，所述第一圖 案化半導(dǎo)體層包括多個(gè)島狀圖案，而部分所述這些島狀圖案具有多個(gè)第一型 摻雜區(qū)，且部分所述這些島狀圖案具有多個(gè)第二型摻雜區(qū)。
18. 如權(quán)利要求16所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，所述第二圖 案化半導(dǎo)體層更包括多個(gè)位于所述這些接觸導(dǎo)體上的擬半導(dǎo)體層。
19. 一種主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，所述主動(dòng)元件陣列基板包括一基板；一第一圖案化半導(dǎo)體層，配置于所述基板上；一柵絕緣層，配置于所述基板上，其中所述柵絕緣層覆蓋所述第一圖案化半導(dǎo)體層；一第一圖案化導(dǎo)體層，其中所述第一圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)柵極以及一 底電極；一第二圖案化半導(dǎo)體層，配置于所述第一圖案化導(dǎo)體層上，其中所述第 二圖案化半導(dǎo)體層包括一位于所述底電極上的主動(dòng)層；一第一介電層，配置于所述柵絕緣層上，以覆蓋所述第一圖案化導(dǎo)體層， 其中所述第一介電層與所述柵絕緣層具有多個(gè)將所述第一圖案化半導(dǎo)體層暴 露的第一接觸窗以及一第三接觸窗；一第二圖案化導(dǎo)體層，配置于所述第一介電層上，其中所述第二圖案化 導(dǎo)體層包括多個(gè)位于所述這些第一接觸窗內(nèi)的接觸導(dǎo)體；一第二介電層，配置于所述第一介電層上，其中所述第二介電層具有多 個(gè)第二接觸窗，且部分所述這些第二接觸窗位于所述主動(dòng)層上方；以及一第三圖案化導(dǎo)體層，配置于所述第二介電層上，其中部分所述第三圖 案化導(dǎo)體層通過部分所述這些第二接觸窗以及所述第三接觸窗與所述主動(dòng)層 電連接。
20.如權(quán)利要求19所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，所述第一圖 案化半導(dǎo)體層包括多個(gè)島狀圖案，而部分所述這些島狀圖案具有多個(gè)第一型 摻雜區(qū)，且部分所述這些島狀圖案具有多個(gè)第二型摻雜區(qū)，其中部分所述這 些第一型慘雜區(qū)與所述這些第二型摻雜區(qū)之間具有一接觸界面，且部分所述 這些第一接觸窗暴露出所述接觸界面。
全文摘要
一種主動(dòng)元件陣列基板及其制造方法，其包括下列步驟。先于基板上形成依序堆迭的第一圖案化半導(dǎo)體層、柵絕緣層、第一圖案化導(dǎo)體層與第一介電層。于第一介電層與柵絕緣層中形成多個(gè)暴露第一圖案化半導(dǎo)體層的第一接觸窗。于第一介電層上同時(shí)形成第二圖案化導(dǎo)體層與一位于其上的第二圖案化半導(dǎo)體層，第二圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)接觸導(dǎo)體與底電極，第二圖案化半導(dǎo)體層包括一主動(dòng)層。于第一介電層上形成具有多個(gè)第二接觸窗的第二介電層，部分第二接觸窗將主動(dòng)層暴露。于第二介電層上形成一通過部分第二接觸窗與主動(dòng)層電連接的第三圖案化導(dǎo)體層。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101510530SQ20091013421
公開日2009年8月19日 申請日期2009年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月3日
發(fā)明者孫銘偉, 彭佳添, 李振岳, 陳昱丞 申請人:友達(dá)光電股份有限公司