專利名稱：頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光顯示元件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示元件是一種可將電能轉(zhuǎn)換成光能且具有高轉(zhuǎn)換效率的半導(dǎo)體元件，常見的用途為指示燈、顯示面板以及光學(xué)讀寫頭的發(fā)光元件等等。由于有機(jī)發(fā)光顯示元件具備一些特性，如無視角、工藝簡易、低成本、高應(yīng)答速度、使用溫度范圍廣泛與全彩化等，符合多媒體時代顯示器特性的要求，近年來已成為研究的熱潮。
現(xiàn)今一種主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件已在積極的發(fā)展中，其是于形成有薄膜晶體管陣列的一基板上形成一有機(jī)發(fā)光層以及一陰極層，而構(gòu)成一主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件。因此主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件利用薄膜晶體管以驅(qū)動發(fā)光顯示元件。
通常主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件為底部發(fā)光型(Bottom Emission)。由于其陽極層為透明材質(zhì)，而其陰極層為非透明金屬材質(zhì)，因此有機(jī)發(fā)光層所產(chǎn)生的光線會向元件底部放光。而在此種元件中，通常其薄膜晶體管的柵極可以阻隔外界光線由基板背面射入其通道層，以避免光電漏電(Photoelectric Current Leakage)的情形發(fā)生。但是為了防止其有機(jī)發(fā)光層所產(chǎn)生的光線會射入薄膜晶體管的通道層，主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的陽極層必須對應(yīng)薄膜晶體管配置，換言之，陽極層不能覆蓋在薄膜晶體管的上方。因此每一像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光面積將受到限制。
然而，即使所定義的陽極層并未覆蓋在薄膜晶體管的上方，但有機(jī)發(fā)光層所產(chǎn)生的光線仍可能因散射作用而到達(dá)通道層中，導(dǎo)致光電漏電的情形。
而上述各種原因造成元件光電漏電時，將會使元件操作電流產(chǎn)生飄移，同時會影響元件灰階表現(xiàn)，并降低對比。而且，當(dāng)因光電效應(yīng)而產(chǎn)生光電漏電時，隨著元件使用時間的增長，元件操作的電流會逐漸提升，如此一來，除了會使功率消耗增加之外，對于元件的壽命也會造成不良影響。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的就是提供一種頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件及其制造方法，以解決公知主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件會有光電漏電流的情形。
本發(fā)明的再一目的是提供一種頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件及其制造方法，以改善元件的電流均勻度，進(jìn)而提高其壽命。
本發(fā)明提出一種頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其包括一薄膜晶體管陣列、一保護(hù)層、一遮蔽層、一陽極層、一有機(jī)發(fā)光層以及一透明陰極層。其中，薄膜晶體管陣列配置于一基板上，其中薄膜晶體管陣列包括多個薄膜晶體管、多條掃描配線以及多條數(shù)據(jù)配線。保護(hù)層配置在基板上，覆蓋住薄膜晶體管陣列。在本發(fā)明中，保護(hù)層可以是具有平坦表面的光阻層或是具有平坦表面的介電材料，亦可以是氮化硅層或氧化硅層。而遮蔽層配置在基板上，覆蓋住保護(hù)層，其中遮蔽層與薄膜晶體管電性連接。在本發(fā)明中，遮蔽層的材質(zhì)可以是反射型導(dǎo)電材質(zhì)，其包括鋁(Al)、鉻(Cr)或鉬(Mo)，遮蔽層的材質(zhì)亦可以是吸收型導(dǎo)電材質(zhì)，其包括氧化鋅(ZnOx)、硫化鋅(ZnS)、鍺(Ge)、碲化鎘(CdTe)、硒化鎘(CdSe)、硫化銻(Sb2S3)、氮化鍺(GeN)、氧化鐠錳(PrMnO3)或鉻與氧化鉻的混合物(Cr+CrOx)。陽極層系配置在遮蔽層的表面上，其中陽極層的圖案與遮蔽層的圖案相同。而有機(jī)發(fā)光層配置在陽極層上，透明陰極層則是配置在有機(jī)發(fā)光層上。
本發(fā)明提出一種頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，此方法首先在一基板上形成一薄膜晶體管陣列，其中此薄膜晶體管陣列包括多個薄膜晶體管、多條掃描配線以及多條數(shù)據(jù)配線。接著，在基板上方形成一保護(hù)層，覆蓋住薄膜晶體管陣列，其中保護(hù)層例如是以一旋轉(zhuǎn)涂布法所形成的平坦化光阻層或是平坦化介電材料，保護(hù)層亦可以是以化學(xué)氣相沉積法所形成的氮化硅層或氧化硅層。之后，在保護(hù)層上形成一遮蔽層，其中遮蔽層與薄膜晶體管電性連接。在本發(fā)明中，遮蔽層的材質(zhì)可以是反射型導(dǎo)電材質(zhì)，其包括鋁、鉻或鉬，遮蔽層的材質(zhì)也可以是吸收型導(dǎo)電材質(zhì)，其包括氧化鋅、硫化鋅、鍺、碲化鎘、硒化鎘、硫化銻、氮化鍺、氧化鐠錳或鉻與氧化鉻的混合物。隨后，在遮蔽層的表面上形成一陽極層，其中陽極層與遮蔽層是以相同一光罩所定義出的。之后再于陽極層上形成一有機(jī)發(fā)光層，并且在有機(jī)發(fā)光層上形成一透明陰極層，以構(gòu)成一頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件。
由于本發(fā)明的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件于陽極層的底下設(shè)計有一遮蔽層，因此可以防止有機(jī)發(fā)光層所產(chǎn)生的光線射入薄膜晶體管的通道層中，而造成光電漏電的情形。
也由于此遮蔽層的設(shè)計，因此陽極層可以隨著遮蔽層的延伸，而覆蓋至薄膜晶體管的上方，借以提高每一像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光面積。
而且，因金屬遮蔽層的導(dǎo)電性較陽極層佳，因此通過遮蔽層來傳導(dǎo)電流，可以使電流均勻度提升，而提高顯示均勻度，進(jìn)而提高元件的壽命。


圖1A是依照本發(fā)明一較佳實施例的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的俯視圖；圖1B是依照本發(fā)明一較佳實施例的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的剖面示意圖，其為圖1A由I-I’的剖面示意圖；圖2A是是依照本發(fā)明另一較佳實施例的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的俯視圖；以及圖2B是依照本發(fā)明另一較佳實施例的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的剖面示意圖，其為圖2A由II-II’的剖面示意圖。
100基板102金屬配線104柵極106下電極108a/108b、110a/110b源極/漏極109、111通道層113歐姆接觸層112、114、118接觸窗120柵介電層122、132保護(hù)層123遮蔽層124陽極層126有機(jī)發(fā)光層128陰極層130開關(guān)元件140驅(qū)動元件SL掃描配線DL數(shù)據(jù)配線具體實施方式
圖1A所示，其為依照本發(fā)明一較佳實施例的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的俯視示意圖；圖1B為圖1A由I-I’的剖面示意圖。本發(fā)明的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光元件是由多個呈陣列排列的像素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，在以下說明與圖標(biāo)中，是以其中一像素結(jié)構(gòu)為例以詳細(xì)說明之。
請參照圖1A與圖1B，首先在基板100上形成掃描配線SL、金屬配線102、柵極104以及儲存電容器的下電極106，以構(gòu)成第一金屬層(M1)。
接著，在基板100上形成柵介電層120，覆蓋第一金屬層，柵介電層120的材質(zhì)例如是氮化硅或氧化硅。隨后，在柵介電層120中形成開口112、114，開口112、114分別暴露出柵極104以及金屬配線102。之后，在柵介電層120上形成通道層109、111，其中通道層109形成在部分掃描配線SL(預(yù)定作為柵極之用)的上方，通道層111形成在柵極104之上方。
之后，在通道層109、111上形成一源極/漏極108a/108b、110a/110b，并且在柵介電層120上形成與源極108a電性連接的數(shù)據(jù)配線DL，以構(gòu)成第二金屬層(M2)。其中，漏極108b通過開口112而與柵極104電性連接，而源極110a通過開口114而與金屬配線102電性連接。另外，漏極108b形成在下電極106的上方，因此漏極108b同時又作為儲存電容器的上電極，而上電極108b與下電極106之間的柵介電層120則作為一電容介電層。
在本實施例中，在源極/漏極108a/108b、110a/110b與通道層109、111之間更包括形成有一歐姆接觸層113，用以改善源極/漏極108a/108b、110a/110b與通道層109、111之間的電性接觸。因此，作為柵極用的部分掃描配線SL之處、源極/漏極108a/108b、通道層109以及歐姆接觸層113構(gòu)成一薄膜晶體管130，其作為一開關(guān)元件之用。而柵極102、源極/漏極110a/110b通道層111以及歐姆接觸層113構(gòu)成另一薄膜晶體管140，其作為一驅(qū)動元件之用。
之后，在基板100上定義出一保護(hù)層122，覆蓋住上述所形成的結(jié)構(gòu)，而暴露出薄膜晶體管140的漏極110b。其中保護(hù)層122例如是以化學(xué)氣相沉積法所形成的氮化硅層、氧化硅層或其它適用的介電層。
之后，于保護(hù)層122上定義出一遮蔽層123，其中遮蔽層123與暴露出的漏極110b電性連接，且遮蔽層123更延伸至薄膜晶體管130、140的上方，甚至可以延伸至掃描配線SL與數(shù)據(jù)配線DL的上方，只要每一像素結(jié)構(gòu)中的遮蔽層123彼此沒有連接在一起即可。在本實施例中，遮蔽層123的材質(zhì)可以是一反射型導(dǎo)電材質(zhì)(可以將光線反射的材質(zhì))，其包括鋁、鉻或鉬。遮蔽層123的材質(zhì)亦可以是吸收型導(dǎo)電材質(zhì)(可以吸收光的材質(zhì))，其包括氧化鋅、硫化鋅、鍺、碲化鎘、硒化鎘、硫化銻、氮化鍺、氧化鐠錳或鉻與氧化鉻的混合物。
在形成遮蔽層123之后，于遮蔽層123的表面上形成一陽極層124，其中定義陽極層124時所使用的光罩圖案與定義遮蔽層123所使用的光罩圖案相同，換言之，陽極層124的圖案與遮蔽層123的圖案相同。因此，于形成陽極層124之前的遮蔽層123定義步驟不需再額外再使用另一道光罩。在本實施例中，陽極層124的材質(zhì)例如是氧化銦錫或是氧化銦鋅。
然后，于陽極層124上形成一有機(jī)發(fā)光層126，再于有機(jī)發(fā)光層126上形成一透明陰極層128。其中，透明陰極層128的材質(zhì)例如是鎂和鋁的合金(鎂∶鋁＝10∶1)或氟化鋰。為了提高透明陰極層128的導(dǎo)電性，可以搭配氧化銦錫或氧化銦鋅于透明陰極層128中。
當(dāng)元件于操作時，陽極層124與透明陰極層128所產(chǎn)生的電子與電洞于有機(jī)發(fā)光層126結(jié)合之后，便會使有機(jī)發(fā)光層126產(chǎn)生放光機(jī)制。由于透明陰極層128為透光材質(zhì)，因此所產(chǎn)生的光線會從元件頂部的方向射出。而因遮蔽層123會將光線反射或吸收，因此光線不會從元件底部的方向射出。
由于本發(fā)明于陽極層124的底下形成有遮蔽層123，因此可以防止有機(jī)發(fā)光層126所產(chǎn)生的光線射入薄膜晶體管130、140的通道層109、111中，而造成光電漏電的情形。特別是，因遮蔽層123的遮蔽效應(yīng)，陽極層124與遮蔽層123的覆蓋區(qū)域可以擴(kuò)及至薄膜晶體管130、140的上方，借以增加每一像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光面積。另外，由于陽極層124的材質(zhì)通常是使用氧化銦錫或是氧化銦鋅，其導(dǎo)電性一般較金屬材質(zhì)低，因此于陽極層124底下所形成的金屬遮蔽層123還可以提供較佳的導(dǎo)電性，通過金屬遮蔽層123與漏極110b的電性連接關(guān)系來傳遞電流，以提升電流的均勻性(顯示均勻性)，而改善元件的特性并提高元件的壽命。
本發(fā)明另一種頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的實施例如圖2A與圖2B所示，其中圖2B為圖2A中由II-II’的剖面示意圖。
請參照圖2A與圖2B，此實施例與上述實施例唯一不相同之處在于形成的保護(hù)層132的方式不相同。在本實施例中，保護(hù)層132是以旋轉(zhuǎn)涂布法所形成的，因此此保護(hù)層132厚度較厚，且具有一平坦的表面。在此，保護(hù)層132的材質(zhì)可以是光阻材質(zhì)或是介電材質(zhì)。在形成保護(hù)層132之后，為了使后續(xù)所形成的遮蔽層能與漏極110b電性連接，因此會先于保護(hù)層132中形成開口118，暴露出漏極110b。之后，再于保護(hù)層132上定義出遮蔽層123，其中遮蔽層123的材質(zhì)會同時填入開口118中，而形成一金屬插塞結(jié)構(gòu)。通過此金屬插塞結(jié)構(gòu)便能使遮蔽層123能與漏極110b電性連接。遮蔽層123的材質(zhì)與先前所述的實施例相同。
接著，再依序形成陽極層124、有機(jī)發(fā)光層126以及透明陰極層128。其形成的方式與材料皆與先前所述的實施例相同。
本發(fā)明的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件是由多個呈陣列排列的像素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，其中每一像素結(jié)構(gòu)包括一掃描配線SL、一數(shù)據(jù)配線DL、一開關(guān)元件130、一驅(qū)動元件140、一配線102、一保護(hù)層122(或132)、一遮蔽層123、一陽極層124、一有機(jī)發(fā)光層126以及一透明陰極層128。
其中，掃描配線SL配置在基板100上。數(shù)據(jù)配線DL配置在基板100上，且數(shù)據(jù)配線DL的延伸方向與掃描配線SL的延伸方向不同。
另外，開關(guān)元件130配置在基板100上，其中開關(guān)元件130與掃描配線SL以及數(shù)據(jù)配線DL電性連接。在本實施例中，開關(guān)元件130為一薄膜晶體管，其包括柵極、通道層109以及源極/漏極108a/108b，柵極為掃描配線SL的一部分，而源極108a與數(shù)據(jù)配線SL連接。
驅(qū)動元件140配置在基板100上，并對應(yīng)開關(guān)元件130配置，其中驅(qū)動元件140與開關(guān)元件130電性連接。在本實施例中，驅(qū)動元件140為一薄膜晶體管，其包括柵極104、通道層111以及源極/漏極110a/110b，柵極104與開關(guān)元件130的漏極108b通過接觸窗112而彼此電性連接。
此外，配線102配置在基板100上，其中配線102的延伸方向與掃描配線SL相同，且配線102與驅(qū)動元件140的源極110a之間通過接觸窗114而彼此電性連接。
在一較佳實施例中，保護(hù)層122配置在基板100上(如圖1B所示)，覆蓋住掃描配線SL、數(shù)據(jù)配線DL、開關(guān)元件130、驅(qū)動元件140以及配線102。在此，保護(hù)層122為一氮化硅層或一氧化硅層，且保護(hù)層122暴露出驅(qū)動元件140的漏極110b。
在另一較佳實施例中，保護(hù)層132配置在基板100上(如圖2B所示)，覆蓋住掃描配線SL、數(shù)據(jù)配線DL、開關(guān)元件130、驅(qū)動元件140以及配線102。在此，保護(hù)層132為一平坦化的光阻層或是一平坦化的介電材料層。
而遮蔽層123配置在基板100上，覆蓋住保護(hù)層122(或保護(hù)層132)。在一較佳實施例中，遮蔽層123與驅(qū)動元件的漏極110b電性連接的方式，是遮蔽層123與被保護(hù)層122暴露出的漏極110b直接電性接觸(如圖1B所示)。在另一較加實施例中，遮蔽層123與驅(qū)動元件的漏極110b電性連接的方式，是于保護(hù)層132中配置一金屬插塞118，通過金屬插塞118而使遮蔽層123與漏極110b電性連接(如圖2B所示)。特別是，遮蔽層123延伸至開關(guān)元件130與驅(qū)動元件140的上方，而將開關(guān)元件130與驅(qū)動元件140遮蓋住。遮蔽層123的材質(zhì)可以是反射型導(dǎo)電材質(zhì)或是吸收型導(dǎo)電材質(zhì)。
陽極層124配置在遮蔽層123的表面上，其中陽極層124的圖案與遮蔽層123的圖案相同。換言之，陽極層124也是延伸至開關(guān)元件130與驅(qū)動元件140的上方，因此本發(fā)明的設(shè)計較公知顯示元件有更大的發(fā)光面積。而有機(jī)發(fā)光層126配置在陽極層124上，透明陰極層128則是配置在有機(jī)發(fā)光層126上。
由于本發(fā)明的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件于陽極層的底下設(shè)計有一遮蔽層，因此可以防止有機(jī)發(fā)光層所產(chǎn)生的光線射入薄膜晶體管的通道層中，而造成光電漏電的情形。
也由于此遮蔽層的設(shè)計，因此陽極層可以隨著遮蔽層延伸而覆蓋至薄膜晶體管的上方，借以提高每一像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光面積。
而且，因金屬遮蔽層的導(dǎo)電性較陽極層佳，因此通過遮蔽層來傳導(dǎo)電流，可以使電流均勻度提升，而提高顯示均勻度，進(jìn)而提高元件的壽命。
權(quán)利要求
1.一種頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，其包括一薄膜晶體管陣列，配置于一基板上，其中該薄膜晶體管陣列包括多個薄膜晶體管、多條掃描配線以及多條數(shù)據(jù)配線；一保護(hù)層，配置在該基板上，覆蓋住該薄膜晶體管陣列；一遮蔽層，配置在該基板上，覆蓋住該保護(hù)層，其中該遮蔽層與該些薄膜晶體管電性連接；一陽極層，配置在該遮蔽層的表面上；一有機(jī)發(fā)光層，配置在該陽極層上；以及一透明陰極層，配置在該有機(jī)發(fā)光層上。
2.如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，該遮蔽層的圖案與該陽極層的圖案相同。
3.如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，該遮蔽層的材質(zhì)為一反射型導(dǎo)電材質(zhì)。
4.如權(quán)利要求3所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，該反射型導(dǎo)電材質(zhì)包括鋁、鉻或鉬。
5.如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，該遮蔽層的材質(zhì)為一吸收型導(dǎo)電材質(zhì)。
6.如權(quán)利要求5所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，該吸收型導(dǎo)電材質(zhì)包括氧化鋅、硫化鋅、鍺、碲化鎘、硒化鎘、硫化銻、氮化鍺、氧化鐠錳或鉻與氧化鉻的混合物。
7.如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，該透明陰極層的材質(zhì)包括鎂∶鋁＝10∶1的鎂和鋁的合金或氟化鋰。
8.如權(quán)利要求7所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，該透明導(dǎo)電層中包括氧化銦錫或氧化銦鋅，以增加其導(dǎo)電性。
9.如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，該保護(hù)層為一具有平坦表面的光阻層或是一具有平坦表面的介電材料層。
10.如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，該保護(hù)層為一氮化硅層或一氧化硅層。
11.如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，其特征是，該些薄膜晶體管包括多個驅(qū)動用的薄膜晶體管以及多個開關(guān)用的薄膜晶體管，該遮蔽層與該些驅(qū)動用的薄膜晶體管電性連接。
12.一種頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，該方法包括在一基板上形成一薄膜晶體管陣列，其中該薄膜晶體管陣列包括多個薄膜晶體管、多條掃描配線以及多條數(shù)據(jù)配線；在該基板上方形成一保護(hù)層，覆蓋住該薄膜晶體管陣列；在該保護(hù)層上形成一遮蔽層，其中該遮蔽層與該些薄膜晶體管電性連接；在該遮蔽層的表面上形成一陽極層；在該陽極層上形成一有機(jī)發(fā)光層；以及在該有機(jī)發(fā)光層上形成一透明陰極層。
13.如權(quán)利要求12所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，該遮蔽層與該陽極層以相同一光罩圖案所定義出的。
14.如權(quán)利要求12所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，該遮蔽層的材質(zhì)為一反射型導(dǎo)電材質(zhì)。
15.如權(quán)利要求14所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，該反射型導(dǎo)電材質(zhì)包括鋁、鉻或鉬。
16.如權(quán)利要求12所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，該遮蔽層的材質(zhì)為一吸收型導(dǎo)電材質(zhì)。
17.如權(quán)利要求16所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，該吸收型導(dǎo)電材質(zhì)包括氧化鋅、硫化鋅、鍺、碲化鎘、硒化鎘、硫化銻、氮化鍺、氧化鐠錳或鉻與氧化鉻的混合物。
18.如權(quán)利要求12所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，該透明陰極層的材質(zhì)包括鎂∶鋁＝10∶1的鎂和鋁的合金或氟化鋰。
19.如權(quán)利要求18所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，該透明導(dǎo)電層中更包括氧化銦錫或氧化銦鋅，以增加其導(dǎo)電性。
20.如權(quán)利要求12所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，該保護(hù)層以一旋轉(zhuǎn)涂布法所形成的具有平坦表面的一光阻層或是一介電材料層。
21.如權(quán)利要求12所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，該保護(hù)層以化學(xué)氣相沉積所形成的一氮化硅層或一氧化硅層。
22.如權(quán)利要求12所述的頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征是，所形成的該些薄膜晶體管包括多個驅(qū)動用的薄膜晶體管以及多個開關(guān)用的薄膜晶體管，該遮蔽層與該些驅(qū)動用的薄膜晶體管電性連接。
全文摘要
一種頂部發(fā)光型主動式有機(jī)發(fā)光顯示元件，此元件于陽極層的底下配置有一金屬遮蔽層，以避免有機(jī)發(fā)光層所產(chǎn)生的光線射入薄膜晶體管的通道層中，而導(dǎo)致光電漏電的情形。由于此金屬遮蔽層可以防止光線射入薄膜晶體管的通道層中，因此陽極層可以隨著金屬遮蔽層而延伸覆蓋在薄膜晶體管的上方，以增加像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光面積。另外，因金屬遮蔽層的導(dǎo)電性較陽極層佳，因此金屬遮蔽層還可以同時改善電流的均勻性，以提升元件的壽命。
文檔編號H05B33/10GK1523935SQ0310461
公開日2004年8月25日 申請日期2003年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月17日
發(fā)明者林巧茹 申請人:友達(dá)光電股份有限公司