專利名稱：：低壓低漏電流鋁電解電容器用電極箔的化成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種電容器用電極箔的制造方法，尤其是特別涉及一種低壓鋁電解電容器用電極箔的制造方法。
背景技術(shù)：
：低壓鋁電解電容器用電極箔的制造，需在鋁箔表面形成一層致密的氧化膜，作為電容器的工作介質(zhì)。其方法常采用化成處理方法，所謂化成處理是用化學(xué)或電化學(xué)(electrochemical)方法處理金屬表面，得到金屬化合物的覆層(coating)，其目的有改進(jìn)耐蝕性，涂裝附著性，金屬著色及化學(xué)研磨等作用。現(xiàn)有技術(shù)中鋁電解電容器用電極箔的化成方法，是將電解腐蝕處理后的鋁箔，在純水中進(jìn)行水合處理后，在含有硼酸、有機(jī)酸或鹽的溶液(任意一種或多種混合的溶液)中，施加定電壓進(jìn)行化成，在鋁箔的表面形成陽極氧化膜。之后，為修復(fù)氧化膜中的缺陷，通常采用熱處理等方法進(jìn)行去極化處理，再在含有硼酸、有機(jī)酸或鹽的溶液(任意一種或多種混合的溶液)中，施加定電壓進(jìn)行再化成，使鋁箔表面形成所需要的陽極氧化膜。名稱為"降低鋁電解電容器用電極箔漏電流的化成方法"(中國專利申請200610039700.0)涉及一種降低鋁電解電容器用電極箔漏電流的化成方法，將電解腐蝕處理后的鋁箔在95%及以上的純水中進(jìn)行水合處理，特征是在水合后，在濃度0.05%0.5%的五硼酸銨和110%的硼酸的609(TC水溶液中進(jìn)行二次化成，然后進(jìn)行采用熱處理方法進(jìn)行去極化處理，去極化處理后鋁箔再在0.05%0.2%的五硼酸銨和110%的硼酸水溶液中進(jìn)行化成液浸漬。此發(fā)明工藝可使所生產(chǎn)的電極箔漏電流可降低2030%。但是現(xiàn)有的電極箔的化成方法仍然存在的電極箔漏電流較高等缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種低壓鋁電解電容器用電極箔的化成方法，能克服現(xiàn)有的電極箔化成方法存在的電極箔漏電流較高的缺點(diǎn)，本發(fā)明的電極箔化成方法可以進(jìn)一步降低電極箔漏電流，生產(chǎn)出低漏電流的低壓鋁電解電容器用電極箔。本發(fā)明的技術(shù)解決方案為一種低壓低漏電流鋁電解電容器用電極箔的化成方法，包括以下步驟1)將腐蝕箔置于溫度為60~90°C，質(zhì)量濃度為己二酸銨0.3%~6%和硼酸1~3%的水溶液中，進(jìn)行一級(jí)化成；2)在溫度為609(TC，質(zhì)量濃度為己二酸銨0.1%~3%和硼酸1~3%的水溶液中，進(jìn)行二級(jí)化成；3)將二級(jí)化成后的鋁箔置于溫度為50~80°C，質(zhì)量濃度為0.2%~2%的磷酸二氫銨水溶液中浸漬60120秒；4)浸漬后的鋁箔在熱處理爐中進(jìn)行去極化處理；5)在溫度為6090。C，質(zhì)量濃度為己二酸銨0.1%~3%和硼酸1~3%的水溶液中，進(jìn)行后化成。本發(fā)明的工藝過程可以簡單描述為以下過程一級(jí)化成一二級(jí)化成一磷酸鹽浸漬一高溫處理一后化成。經(jīng)過上述步驟，可以在鋁箔的表面形成所需的陽極氧化膜，有效降低電容器用電極箔的漏電流。所述的腐蝕箔是指鋁電解電容器用的高純度鋁箔，經(jīng)電解腐蝕處理后的鋁箔。其純度通常為99.99%(wt%)。所述的一級(jí)化成，在3050mA/cr^電流密度，施加電壓1065V下進(jìn)行。所述的二級(jí)化成，在3050mA/cr^電流密度，施加電壓15110V下進(jìn)行。所述的后化成，可以在3050mA/cm2電流密度，施加電壓21143V下進(jìn)行處理。去極化處理的目的在于修復(fù)陽極氧化膜中的缺陷，本發(fā)明采用熱處理方法，處理的溫度可以為450550°C。如在具體實(shí)施例中，是在530'C的熱處理爐中進(jìn)行3分鐘去極化處理。本發(fā)明通過對(duì)兩次化成工藝參數(shù)的優(yōu)化，以及將二次化成的鋁箔在磷酸二氫銨溶液中浸漬后，再進(jìn)行去極化和后化成處理，可更好的修復(fù)陽極氧化膜中的缺陷，形成鋁箔表面的陽極氧化膜。根據(jù)本發(fā)明的低壓低漏電流鋁電解電容器用電極箔的化成方法，可以進(jìn)一步降低低壓鋁電解電容器用電極箔漏電流，生產(chǎn)出低漏電流的低壓鋁電解電容器用電極箔。相比于現(xiàn)有技術(shù)，通過本發(fā)明生產(chǎn)的低壓鋁電解電容器用電極箔漏電流可降低2035%。而且本發(fā)明方法簡單實(shí)用，在現(xiàn)有工藝及設(shè)備的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)后易于實(shí)施，生產(chǎn)出低漏電流的低壓鋁電解電容器用電極箔，提高產(chǎn)品的質(zhì)量。下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明的范圍并不以具體實(shí)施方式為限，而是由權(quán)利要求的范圍加以限定。具體實(shí)施例方式實(shí)施例1實(shí)施例1根據(jù)本發(fā)明的方法進(jìn)行低壓鋁電解電容器用電極箔的化成，包括以下步驟(1)首先將純度為99.99%(wt%)的腐蝕箔置于溫度為80°C、濃度為2.5%(wt%)的己二酸銨和1%(wt%)的硼酸的水溶液中，50mA/cir^電流密度下，施加電壓50V進(jìn)行一級(jí)化成；和(2)在溫度為80°C，濃度為1.5%(wt%)的己二酸銨和1.2%(wt%)的硼酸水溶液中，50mA/cm2電流密度下，施加65V電壓進(jìn)行二級(jí)化成；(3)此后，將鋁箔置于液溫55'C的0.9。/。(wt%)的磷酸二氫銨溶液中浸漬70秒；(4)為修復(fù)陽極氧化膜中的缺陷，將浸漬后的鋁箔先在530。C的熱處理爐中進(jìn)行3分鐘去極化處理；(5)此后，將去極化處理后的鋁箔置于溫度為8(TC，濃度為1.5%(wt%)的己二酸銨和1.2%(wt%)的硼酸的水溶液中，50mA/cm2電流密度下，施加65V電壓進(jìn)行后化成處理，在鋁箔的表面形成所需的陽極氧化膜。實(shí)施例2一種低壓低漏電流鋁電解電容器用電極箔的化成方法，包括以下步驟(1)首先將純度為99.99%的腐蝕箔置于溫度為80'C、濃度為5%的己二酸銨和1.5%的硼酸的水溶液中，50mA/cm2電流密度下，施加電壓50V進(jìn)行一級(jí)化成，和(2)在溫度為80。C，濃度為2.0%的己二酸銨和1.5%的硼酸的水溶液中，50mA/cm2電流密度下，施加65V電壓進(jìn)行二級(jí)化成，(3)此后，將鋁箔置于液溫65'C的1.5%的磷酸二氫銨溶液中浸漬60秒；(4)將浸漬后的鋁箔在530'C的熱處理爐中進(jìn)行3分鐘去極化處理；(5)此后，將去極化處理后的鋁箔置于溫度為80°C，濃度為2.0%的己二酸銨和1.5%的硼酸的水溶液中，50mA/ci^電流密度下，施加65V電壓進(jìn)行后化成處理，在鋁箔的表面形成所需的陽極氧化膜。對(duì)比例首先將純度為99.99%的腐蝕箔置于濃度為3%的己二酸銨和2%的硼酸80。C的水溶液中，50mA/cir^電流密度下，施加電壓50V進(jìn)行一級(jí)化成，和在2.0%的己二酸銨和2%的硼酸8(TC的水溶液中，50mA/cm2電流密度下，施加65V電壓進(jìn)行二級(jí)化成，此后，為修復(fù)陽極氧化膜中的缺陷，先在53(TC的熱處理爐中進(jìn)行3分鐘去極化處理。此后，將去極化處理后的鋁箔置于2.0%的己二酸銨和2%的硼酸80°<:的水溶液中，50mA/cm2電流密度下，施加65V電壓進(jìn)行后化成處理，在鋁箔的表面形成所需的陽極氧化膜。根據(jù)上述的實(shí)施例1和2以及對(duì)比例的方法進(jìn)行鋁電解電容器用電極箔的化成，制得的電極箔的漏電流如下表所示，可見本發(fā)明的方法能夠有效地降低電極箔漏電流，生產(chǎn)出低漏電流的低壓鋁電解電容器用電極箔-<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>權(quán)利要求1、一種低壓低漏電流鋁電解電容器用電極箔的化成方法，包括以下步驟1)將腐蝕箔置于溫度為60～90℃，質(zhì)量濃度為己二酸銨0.3％～6％和硼酸1～3％的水溶液中，進(jìn)行一級(jí)化成；2)在溫度為60～90℃，質(zhì)量濃度為己二酸銨0.1％～3％和硼酸1～3％的水溶液中，進(jìn)行二級(jí)化成；3)將二級(jí)化成后的鋁箔置于溫度為50～80℃，質(zhì)量濃度為0.2％～2％的磷酸二氫銨水溶液中浸漬60～120秒；4)浸漬后的鋁箔在熱處理爐中進(jìn)行去極化處理；5)在溫度為60～90℃，質(zhì)量濃度為己二酸銨0.1％～3％和硼酸1～3％的水溶液中，進(jìn)行后化成。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極箔的化成方法，其特征在于所述的一級(jí)化成，在3050mA/cm2電流密度，施加電壓1065V下進(jìn)行。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極箔的化成方法，其特征在于所述的二級(jí)化成，在3050mA/ciT^電流密度，施加電壓15110V下進(jìn)行。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極箔的化成方法，其特征在于所述的后化成，可以在3050mA/cm2電流密度，施加電壓21143V下進(jìn)行處理。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極箔的化成方法，其特征在于所述的去極化處理的溫度為450550°C。全文摘要本發(fā)明公開了一種低壓低漏電流鋁電解電容器用電極箔的化成方法，將腐蝕箔置于溫度為60～90℃的己二酸銨和硼酸水溶液中，進(jìn)行一級(jí)化成和二級(jí)化成；將二級(jí)化成后的鋁箔置于磷酸二氫銨溶液中浸漬處理后，再進(jìn)行去極化和后化成處理，形成鋁箔表面的陽極氧化膜。根據(jù)本發(fā)明的化成方法，可以進(jìn)一步降低低壓鋁電解電容器用電極箔的漏電流，電極箔漏電流可降低20～35％。而且本發(fā)明方法簡單實(shí)用，在現(xiàn)有工藝及設(shè)備的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)后易于實(shí)施，可生產(chǎn)出低漏電流的低壓鋁電解電容器用電極箔，提高產(chǎn)品的質(zhì)量。文檔編號(hào)H01G9/048GK101383228SQ20081015485公開日2009年3月11日申請日期2008年10月24日優(yōu)先權(quán)日2008年10月24日發(fā)明者嚴(yán)季新,張傳超,王建中申請人:南通海一電子有限公司