專利名稱：有機發(fā)光裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術：
個人計算機和電視機的輕質且薄型的近期趨勢還需要輕質且薄型的顯示裝置，滿足這種需要的平板顯示器正在取代傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT)。平板顯示器包括比如液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、有機發(fā)光裝置(OLED)和等離子體顯示面板(PDP)的顯示器。由于有機發(fā)光裝置的功耗低、響應時間短、視角寬且對比度高，因此，在平板顯示器中，有機發(fā)光裝置是最有前途的。有機發(fā)光裝置是自發(fā)射型顯示裝置，包括兩個電極和置于這兩個電極之間的有機發(fā)光層。兩個電極中的一個將空穴注入到發(fā)光層中，兩個電極中的另一個將電子注入到發(fā)光層中。注入的電子和空穴復合形成激子，激子當釋放能量時發(fā)光。有機發(fā)光裝置基于利用的驅動方法可分為兩種類型無源矩陣型有機發(fā) 光裝置和有源矩陣型有機發(fā)光裝置。無源矩陣型有機發(fā)光裝置包括多條陽極線；多條陰極線，與陽極線交 叉；多個像素，每個像素包括發(fā)光層，選擇陽極線中的一條和陰極線中的一 條使得位于所選擇的信號線的交叉處的像素發(fā)光。相反，有源矩陣型有機發(fā) 光裝置包括多個像素、陽極、陰極和發(fā)光層，其中，每個像素包括開關晶體 管、驅動晶體管和存儲電容器。驅動晶體管從開關晶體管接收數據電壓，并 驅動其大小取決于數據電壓的電流，來自驅動晶體管的電流進入發(fā)光層中， 從而導致強度取決于電流的發(fā)光。薄膜晶體管(比如開關晶體管和驅動晶體管)包含多晶硅或非晶硅。非晶硅可以在低溫下沉積，由此可沉積在由熔點低的玻璃制成的基底上。 然而，非晶硅具有低電荷遷移率，使得具有非晶硅溝道的薄膜晶體管可具有 有限的性能。相反，多晶硅可具有高電荷遷移率，使得具有多晶硅溝道的薄膜晶體管可具有高性能。然而，沉積多晶硅是困難的，且包含多晶硅的薄膜 晶體管會具有大的漏電流。當多晶硅的表面由于蝕刻工藝等而受損時，漏電 流會增大。以上在背景技術部分中公開的信息只是為了增強對本發(fā)明背景的理解， 因此上述信息可包含沒有形成對于本領域的普通技術人員來說在該國已公知 的現有技術的信息。發(fā)明內容根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置包括基底；第一歐姆接觸和第二歐 姆接觸，形成在基底上；驅動半導體，形成在基底及第一歐姆接觸和第二歐 姆接觸上，并包含多晶硅；驅動輸入電極，電連接到第一歐姆接觸；驅動輸 出電極，電連接到第二歐姆接觸；第一柵極絕緣層，形成在驅動半導體、驅動輸入電極和驅動輸出電極上；驅動控制電極，形成在第一柵極絕緣層上， 并與驅動半導體疊置。有機發(fā)光裝置還可包括第三歐姆接觸和第四歐姆接觸，形成在基底上； 開關半導體，形成在第三歐姆接觸和第四歐姆接觸上；開關輸入電極，電連 接到第三歐姆接觸；開關輸出電極，電連接到第四歐姆接觸；開關控制電極， 形成在第一柵極絕緣層上，并與開關半導體疊置。開關輸出電極可電連接到 驅動控制電極。有機發(fā)光裝置還可包括開關控制電極，形成在第一柵極絕緣層上；第 二柵極絕緣層，形成在開關控制電極上；開關半導體，形成在第二柵極絕緣 層上并與開關控制電極疊置；第三歐姆接觸和第四歐姆接觸，形成在開關半 導體上；開關輸入電極，形成在第三歐姆接觸上；開關輸出電極，形成在第 四歐姆接觸上。開關輸出電極可電連接到驅動控制電極。有機發(fā)光裝置還可包括開關控制電極，形成在基底上；開關半導體，形成在第一柵極絕緣層上并與開關控制電極疊置；第三歐姆接觸和第四歐姆接觸，形成在開關半導體上；開關輸入電極，形成在第三歐姆接觸上；開關輸出電極，形成在第四歐姆接觸上。開關輸出電極可電連接到驅動控制電極。開關半導體可包含非晶硅或多晶硅。 第一歐姆接觸和第二歐姆接觸可包含多晶硅。第一歐姆接觸和第二歐姆接觸可與驅動輸入電極和驅動輸出電極具有基本上相同的平面形狀。有機發(fā)光裝置還可包括鈍化層，形成在驅動輸出電極和驅動輸入電極上；第一電極，形成在鈍化層上并連接到驅動輸出電極；發(fā)光構件，形成在 第一電極上；第二電極，形成在發(fā)光構件上。有機發(fā)光裝置還可包括形成在基底上的絕緣層。根據本發(fā)明實施例的一種有機發(fā)光裝置的制造方法包括在基底上形成 第一歐姆接觸和第二歐姆接觸；在基底上形成包含多晶硅的半導體圖案；將 半導體圖案晶化，以形成驅動半導體；在歐姆接觸和驅動半導體上形成驅動 輸入電極和驅動輸出電極；在驅動輸入電極和驅動輸出電極上形成第一柵極 絕緣層；在第一柵極絕緣層上形成控制電極。可通過固相晶化來執(zhí)行所述晶化步驟?？赏ㄟ^利用相同的掩模來執(zhí)行形成第一歐姆接觸和第二歐姆接觸的步驟 以及形成驅動輸入電極和驅動輸出電極的步驟。有機發(fā)光裝置的制造方法還可包括在基底上形成第三歐姆接觸和第四 歐姆接觸；在第三歐姆接觸和第四歐姆接觸上形成開關半導體；形成與第三 歐姆接觸電連接的開關輸入電極；形成與第四歐姆接觸和驅動控制電極電連 接的開關輸出電極；在第一柵極絕緣層上形成與開關半導體疊置的開關控制 電極。有機發(fā)光裝置的制造方法還可包括在第一柵極絕緣層上形成開關控制 電極；在開關控制電極上形成第二柵極絕緣層；在第二柵極絕緣層上形成與 開關控制電極疊置的開關半導體；在開關半導體上形成第三歐姆接觸和第四 歐姆接觸；在第三歐姆接觸上形成開關輸入電極；在第四歐姆接觸上形成與 驅動控制電極電連接的開關輸出電極。有機發(fā)光裝置的制造方法還可包括在基底上形成開關控制電極；在第 一柵極絕緣層上形成與開關控制電極疊置的開關半導體；在開關半導體上形 成第三歐姆接觸和第四歐姆接觸；在第三歐姆接觸上形成開關輸入電極；在 第四歐姆接觸上形成與驅動控制電極電連接的開關輸出電極。開關半導體可包含非晶硅或多晶硅。


圖1是根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置的等效電路圖；圖2是根據本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光裝置的布局圖； 圖3是沿著線III-in截取的圖2所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖4是沿著線IV-IV截取的圖2所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖5、圖8、圖11、圖14和圖17是根據本發(fā)明實施例的圖2至圖4所示 的有機發(fā)光裝置的制造方法的中間步驟中有機發(fā)光裝置的布局圖； 圖6是沿著線VI-VI截取的圖5所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖7是沿著線VII-VII截取的圖5所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖9是沿著線IX-IX截取的圖8所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖IO是沿著線X-X截取的圖8所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖12是沿著線XII-XII截取的圖11所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖13是沿著線XIII-XIII截取的圖11所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖15是沿著線XV-XV截取的圖14所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖16是沿著線XVI-XVI截取的圖14所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖；圖18是沿著線xvm-xvin截取的圖n所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖；圖19是沿著線XIX-XIX截取的圖17所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖20是根據本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光裝置的布局圖； 圖21是沿著線XXI-XXI截取的圖20所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖22是沿著線XXII-XXII截取的圖20所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖23、圖26、圖29、圖32、圖35、圖38和圖41是根據本發(fā)明實施例的圖20至圖22所示的有機發(fā)光裝置的制造方法的中間步驟中的有機發(fā)光裝置的視圖；圖24是沿著線XXIV-XXIV截取的圖23所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖25是沿著線XXV-XXV截取的圖23所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖27是沿著線xxvn-xxvn截取的圖26所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖；圖28是沿著線XXVni-XXVIII截取的圖26所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖；圖30是沿著線XXX-XXX截取的圖29所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖31是沿著線XXXI-XXXI截取的圖29所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖33是沿著線xxxni-xxxm截取的圖32所示的有^L發(fā)光裝置的剖浮見圖34是沿著線XXXIV-XXXIV截取的圖32所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； '圖36是沿著線XXXVI-XXXVI截取的圖35所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖；圖37是沿著線XXXVII-XXXVII截取的圖35所示的有機發(fā)光裝置的剖 視圖；圖39是沿著線XXXIX-XXXIX截取的圖38所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖；圖40是沿著線XL-XL截取的圖38所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖42是沿著線XLII-XLII截取的圖41所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖43是沿著線XLIII-XLIII截取的圖41所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖44是根據本發(fā)明第三實施例的有機發(fā)光裝置的布局圖； 圖45是沿著線XLV-XLV'-XLV"-XLV"'截取的圖44 ;示的有機發(fā)光裝置 的剖^L圖；圖46是根據本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的制造方法的中間步驟 中的有機發(fā)光裝置的布局圖；圖47是沿著線XLVII-XLVn'-XLVn"-XLVn"'截取的圖46所示的有機發(fā) 光裝置的剖視圖；圖48是圖46所示的制造方法的下一步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖； 圖49是沿著線XLIX-XLIX'-XLIX"-XLIX'"截取的圖48所示的有機發(fā)光 裝置的剖^L圖；圖50是圖48所示的制造方法的下一步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖； 圖51是沿著線LI-Lr-LI"-Lr"截取的圖50所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖； 圖52是圖50所示的制造方法的下一步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖；圖53是沿著線Lin-Lnr-Lin"-Lnr截取的圖52所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖；圖54是圖52所示的制造方法的下一步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖； 圖55是沿著線LV-LV'-LV"-LV'"截取的圖54所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖；圖56是圖54所示的制造方法的下一步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖； 圖57是沿著線LVn-LVir-LVn"-LVir截取的圖56所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。
具體實施方式
以下參照附圖來更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性 實施例。 ，如本領域的技術人員將認識到的，可以在完全不脫離本發(fā)明的精神或范 圍的情況下以各種不同的方式來修改所描述的實施例。在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在整 個說明書中，相同的標號表示相同的元件。應該理解的是，當元件比如層、 膜、區(qū)域或基底被稱作在另一元件上時，該元件可以直接在另一元件上，或 者也可存在中間元件。相反，當元件被稱作直接在另一元件上時，不存在中 間元件。首先，將參照圖1來詳細描述根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置。 圖1是根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置的等效電路圖。參照圖1,根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置包括多條信號線121、 171 和172;多個像素PX,連接到多條信號線121、 171和172并基本上布置成矩陣。信號線包括多條柵極線121,傳輸柵極信號(或掃描信號)；多條數據 線171,傳輸數據信號；多條驅動電壓線172,傳輸驅動電壓。柵極線121基 本上沿著行方向延伸并且基本上彼此平行，而數據線171和驅動電壓線172 基本上沿著列方向延伸并且基本上彼此平行。每個像素PX包括開關晶體管Qs、驅動晶體管Qd、存儲電容器Cst和有 機發(fā)光二極管LD。開關晶體管Qs具有控制端，連接到柵極線121中的一條；輸入端，連 接到數據線171中的一條；輸出端，連接到驅動晶體管Qd。響應于施加到柵 極線121的柵極信號，開關晶體管Qs將施加到數據線171的數據信號傳輸到 驅動晶體管Qd。驅動晶體管Qd具有控制端，連接到開關晶體管Qs;輸入端，連接到 驅動電壓線172;輸出端，連接到有機發(fā)光器件LD。驅動晶體管Qd驅動輸出電流IU)，輸出電流lLD的大小取決于驅動晶體管Qd的控制端和輸出端之間的電壓。電容器Cst連接在驅動晶體管Qd的控制端和輸入端之間。電容器Cst存儲施加到驅動晶體管Qd的控制端的數據信號，并在開關晶體管Qs截止之后 保持該數據信號。有機發(fā)光器件LD具有陽極，連接到驅動晶體管Qd的輸出端；陰極， 連接到共電壓Vss。有機發(fā)光器件LD發(fā)射其強度取決于驅動晶體管Qd的輸 出電流Iu)的光，從而顯示圖像。 ，開關晶體管Qs和驅動晶體管Qd是n溝道場效應晶體管(FET)。然而， 開關晶體管Qs和驅動晶體管Qd中的至少一個可以是p溝道FET。此外，可 以更改晶體管Qs和Qd、電容器Cst及有機發(fā)光器件LD之間的連接。參照圖2至圖4,將詳細描述根據本發(fā)明實施例的圖1所示的有機發(fā)光 裝置的詳細結構。圖2是根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置的布局圖，圖3是沿著線III-ni 截取的圖2所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖，圖4是沿著線IV-IV截取的圖2 所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。在由透明玻璃或塑料制成的絕緣基底IIO上形成由氧化硅(SiOx)或氮 化硅(SiNx)制成的絕緣層111。絕緣層111可具有雙層^結構。在絕緣層111上形成多對開關歐姆接觸163a和165a以及多對驅動歐姆 接觸163b和165b。開關歐姆接觸163a和165a以及驅動歐姆4妄觸163b和165b 是島形的并分別彼此分離。每對開關歐姆接觸163a和165a被彼此相對地設 置，每對驅動歐姆接觸163b和165b被4皮此相對地:沒置。優(yōu)選地，歐姆接觸163a、 165a、 163b和165b由重摻雜有n型雜質(比 如磷)的n+氫化a-Si制成，或由同樣重摻雜有n型雜質(比如磷)的多晶硅 制成，或者歐姆接觸163a、 165a、 163b和165b可以由硅化物制成。在開關歐姆接觸163a和165a上形成多個開關半導體154a,在驅動歐姆 接觸163b和165b上形成多個驅動半導體154b。每個開關半導體154a將開關 歐姆接觸163a和165a^皮此連接，每個驅動半導體154b將驅動歐姆接觸163b 和165b^皮此連沖妻。開關半導體154a和驅動半導體154b可以由多晶硅制成。同時，具有大 約10"m的晶粒尺寸的多晶硅可以被稱作"微晶硅"。在基底110、開關半導體154a、驅動半導體154b及歐姆接觸163a、 165a、 163b和165b上形成多個數據導體，其中，多個數據導體包括多條數據線171、 多條驅動電壓線172、多個開關輸出電極175a和多個驅動輸出電極175b。數據線171傳輸數據信號并基本上沿縱向方向延伸。每條數據線171包括多個開關輸入電極173a,向著開關半導體154a延伸；端部(未示出)， 具有大的面積以與另一層或外部驅動電路接觸。數據線171可延伸成與產生 數據信號的數據驅動電路(未示出)直接連接，其中，數據驅動電路可以集 成在基底110上。每個開關輸入電極173a與開關半導體154a和暴露的開關歐姆接觸163a直接接觸。驅動電壓線172傳輸驅動電壓并基本上沿著縱向方向延伸。每條驅動電 壓線172包括向著驅動半導體154b延伸的多個驅動輸入電極173b。驅動輸入電極173b與驅動半導體154b和暴露的驅動歐姆接觸163b直接接觸。開關輸出電極175a和驅動輸出電極175b彼此分離，并與數據線171和 驅動電壓線172分離。開關輸出電極175a與開關半導體154a和開關歐姆接觸165a直接接觸， 驅動輸出電極175b與驅動半導體154b和驅動歐姆4妻觸165b直接接觸。每對 開關輸入電極173a和開關輸出電極175a被設置成關于^關半導體154a彼此 相對，每對驅動輸入電極173b和驅動輸出電極175b被設置成關于驅動半導 體154b〗皮此相對。數據導體171、 172、 175a和175b可以由難熔金屬比如Mo、 Cr、 Ta、 Ti 或它們的合金制成。數據導體171、 172、 175a和175b可以具有包括難熔金 屬膜(未示出)和低電阻率導電膜(未示出)的多層結構。數據導體171、 172、 175a和175b具有傾斜的邊緣輪廓，數據導體171、 172、 175a和175b的傾斜角的范圍從大約30度至大約80度。歐姆接觸163a、 165a、 163b和165b以及數據導體171、 172、 175a和175b 具有彼此不同的平面形狀，然而，可通過利用一個掩模來形成歐姆接觸163a、 165a、 163b和165b以及凄t據導體171、 172、 175a和175b,乂人而歐姆接觸163a、 165a、 163b和165b以及數據導體171、 172、 175a和175b會具有基本相同的 平面形狀。在數據導體171、 172、 175a和175b上及開關半導體154a和驅動半導體 154b上形成由氮化硅SiNx或氧化硅SiOx制成的柵極絕緣層140。在柵極絕緣層上形成包括多條柵極線121和多個驅動控制電極124b的多個柵極導體，其中，柵極線121包括開關控制電極124a。用于傳輸柵極信號的柵極線121基本上沿著橫向方向延伸并與數據線 171交叉。每條^f冊極線121還包括端部(未示出)，端部具有大的面積，用于 與另一層或外部驅動電路接觸，開關控制電極124a從柵極線121向上突出。 柵極線121可延伸成與產生柵極信號的柵極驅動電路(未示出)直接連接， 其中，柵極驅動電路可以集成在基底IIO上。驅動控制電極124b與柵極線121分離。每個驅動控制電極124b包括存 儲電極127,驅動控制電極124b向下延伸，向右轉，然后向上延伸。存儲電 極127與驅動電壓線172疊置。優(yōu)選地，柵極導體121和124b由含Al金屬(比如Al和Al合金)、含 Ag金屬(比i口 Ag禾口 Ag合金)、含Cu金屬(比長口 Cu禾口 Cu合金)、含Mo 合金(比如Mo和Mo合金)、Cr、 Ta、 Ti等制成。然而，柵極導體121和124b 可具有多層結構，所述多層結構包含物理特性不同的兩層膜。兩層膜中的一 個可以由減小信號延遲或電壓降的低電阻率金屬制成，所述低電阻率金屬包 括含A1金屬、含Ag金屬和含Cu金屬。另一層膜可以具有良好的物理、化 學特性并且具有良好的與其它材料(比如氧化銦錫(ITO )—或氧化銦鋅(IZO )) 的電接觸特性的材料(比如含Mo金屬、Cr、 Ta或Ti)制成。兩層膜的組合 的良好的示例是下Cr膜和上Al (合金)膜以及下Al (合金)膜和上Mo (合 金)膜。然而，柵極導體121和124b可以由各種金屬或導體制成。柵極導體121和124b的側面相對于基底110的表面傾斜，且其傾斜角的 范圍是大約30°-80°。在柵極導體121和124b上形成鈍化層180。鈍化層180可以由無4幾或有機絕緣體制成并可具有平坦的頂表面。無機 絕緣體的示例包含氮化硅和氧化硅。有機絕緣體可具有感光性和小于大約4.0 的介電常數。鈍化層180可包括無機絕緣體的下膜和有機絕緣體的上膜。鈍化層180具有暴露驅動控制電極124b的多個接觸禮184，鈍化層180 和柵極絕緣層140具有分別暴露開關輸出電極175a和驅動輸出電極175b的 多個接觸孔185a和185b。在鈍化層180上形成多個像素電極191和多個連接構件85 。像素電極191 和連接構件85可由透明導體比如ITO或IZO制成，或者由不透明導體比如 Al、 Ag或它們的合金制成。像素電極191通過接觸孔185b物理地并電地連4妄到驅動輸出電極175b， 連接構件85通過接觸孔184和185a分別連接到驅動控制電極124b和開關輸 出電才及175a。在像素電極191上形成分隔件361。分隔件361像提岸一樣環(huán)繞像素電 機191以限定開口 365，并可由有機絕緣體或無機絕緣體制成。分隔件361 可由含黑色顏料的感光材料制成，使得黑色的分隔件361可以用作阻光構件， 并且分隔件361的形成步驟可以被簡化。多個發(fā)光構件370形成在像素電極191上，并被限制在由分隔件361限 定的開口 365中。優(yōu)選地，每個發(fā)光構件370由唯一地發(fā)射一種原色光(比 如紅光、綠光和藍光)的有機材料制成。有機發(fā)光裝置通過將由發(fā)光構件370 發(fā)射的單色的原色光在空間上相加來形成圖像。每個發(fā)光構件370可具有多層結構，其中，多層結構包括發(fā)射層(未 示出)，用于發(fā)光；輔助層(未示出)，用于提高發(fā)射層的發(fā)光效率。輔助層 可包括電子傳輸層(未示出)和空穴傳輸層(未示出)，用于改進電子和空 穴的平衡；電子注入層(未示出)和空穴注入層(未示出)，用于改進電子和 空穴的注入。在發(fā)光構件370和分隔件361上形成共電極270。共電極270被提供有 共電壓Vss,并可由導電材料比如ITO、 IZO等制成。在上述的有機發(fā)光裝置中，連接到柵極線121的開關控制電極124a、連 接到數據線171的開關輸入電極173a、開關輸出電極175a和開關半導體154a 一起形成開關薄膜晶體管Qs,其中，開關薄膜晶體管Qs具有在設置在開關 輸入電極173a和開關輸出電極175a之間的開關半導體154a中形成的溝道。類似地，連接到開關輸出電極175a的驅動控制電極124b、連接到驅動電 壓線172的驅動輸入電極173b、連接到像素電極191的驅動輸出電極175b 與驅動半導體154b—起形成驅動薄膜晶體管Qd,其中，驅動薄膜晶體管Qd 具有在設置在驅動輸入電極173b和驅動輸出電極175b之間的驅動半導體 154b中形成的溝道。像素電極191、發(fā)光構件370和共電極270形成有機發(fā)光二極管LD，有 機發(fā)光二極管LD以像素電極191作為陽極且以共電極270作為陰極，或者 以共電極270作為陽極且以像素電極191作為陰極。存儲電極127和驅動電 壓線172的疊置部分形成存儲電容器Cst。有機發(fā)光裝置向著基底110的頂部或底部發(fā)光，以顯示圖像。不透明的像素電極191和透明的共電極270的組合應用于向著基底110的頂部發(fā)光的 頂部發(fā)射型有機發(fā)光裝置，透明的像素電極191和不透明的共電極270的組 合應用于向著基底110的底部發(fā)光的底部發(fā)射型有機發(fā)光裝置。現在，參照圖5至圖19以及圖2至圖4來描述圖2至圖4中示出的有機 發(fā)光裝置的制造方法。圖5、圖8、圖11、圖14和圖17是根據本發(fā)明實施例的圖2至圖4所示 的有機發(fā)光裝置的制造方法的中間步驟中有機發(fā)光裝置的布局圖。圖6是沿 著線VI-VI截取的圖5所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖7是沿著線VII-VII 截取的圖5所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖9是沿著線IX-IX截取的圖8 所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖10是沿著線X-X截取的圖8所示的有機 發(fā)光裝置的剖視圖。圖12是沿著線XII-XII截取的圖ll所示的有機發(fā)光裝置 的剖視圖。圖13是沿著線xni-xni截取的圖11所示的有機發(fā)光裝置的剖視 圖。圖15是沿著線XV-XV截取的圖14所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖 16是沿著線XVI-XVI截取的圖14所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖18是沿 著線xvin-xvm截取的圖17所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖19是沿著 線XIX-XIX截取的圖17所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。如圖5至圖7所示，在基底110上沉積絕緣體比如氮化硅以形成絕緣層 111。絕緣層111可具有大約5000A的厚度。然后，通過化學氣相沉積(CVD)等在絕緣層111上沉積摻雜有雜質的 第一非晶硅層，隨后，將沉積的第一非晶硅層圖案化，以形成多個開關歐姆接觸163a、 165a和驅動歐姆接觸163b和165b。第一非晶硅層可具有大約 300A-500A的厚度。如圖8至圖10所示，通過化學氣相沉積(CVD)在開關歐姆接觸163a、 165a和驅動歐姆接觸163b和165b上沉積第二非晶硅層，然后，將沉積的第 二非晶硅層圖案化，以形成多個開關半導體154a和驅動半導體154b。此后，開關半導體154a和驅動半導體154b經歷熱處理，從而被晶化。 可以通過固相晶化(SPC)、準分子激光退火(ELA)、金屬誘導橫向晶化 (MILC)等來執(zhí)行晶化的步驟，優(yōu)選地可使用SPC來執(zhí)行晶化的步驟。這 里，歐姆接觸163a、 165a、 163b和165b可以同時,皮晶化。同時，具有大約 l(T6m的晶粒尺寸的多晶硅可被稱作"微晶硅"。接著，如圖11至圖13所示，金屬層沉積在基底110上，并被圖案化，以形成包括開關輸入電極173a的多條數據線171、包括驅動輸入電極173b 的多條驅動電壓線172、多個開關輸出電極175a和多個驅動輸出電極175b。 根據本發(fā)明的實施例，歐姆接觸163a、 165a、 163b和165b以及數據導 體171、 172、 175a和175b利用單獨的掩模來形成，然而，歐姆接觸163a、 165a、 163b和165b以及數據導體171、 172、 175a和175b可以利用一個掩模 來形成。當利用單獨的掩模時，僅在開關輸入電極173a和驅動輸入電極173b以 及開關輸出電極175a和驅動輸出電極175b的下面形成歐姆接觸163a、 163b、 165a和165b。然而，如果只利用了一個掩模，則可在數據線171和驅動電壓 線172的下面形成歐姆接觸。參照圖14至圖16,在數據導體171、 172、 175a和175b上形成柵極絕緣 層140。然后，通過賊射等在柵極絕緣層140上沉積金屬層，沉積的金屬層被圖 案化，以形成包括多條柵極線121和多個驅動控制電極124b的多個柵極導體 121和124b,其中，柵極線121包括開關控制電極124a,驅動控制電極124b 包括存儲電極127。如圖17至圖19所示，鈍化層180沉積在柵極導體121和124b上，并被 圖案化以形成多個接觸孔184、 185a和185b。隨后，透明的導電層比如ITO沉積在鈍化層180上，并被圖案化以形成 多個像素電極191和多個連接構件85。接著，如圖2至圖4所示，涂覆有機絕緣層或無機絕緣層，然后將有機 絕緣層或無機絕緣層曝光并顯影，以在像素電極191上形成具有多個開口 365 的分隔件361。在開口 365中形成多個發(fā)光構件370。可通過溶液工藝比如噴墨印刷或 蒸發(fā)來形成發(fā)光構件370。此后，在分隔件361和發(fā)光構件370上形成共電極270。 如上所述，與公知的有機發(fā)光裝置的包括設置在數據導體和溝道的本征 半導體之間的歐姆接觸的薄膜晶體管不同，根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝 置的薄膜晶體管的形成步驟包括在絕緣層上形成歐姆接觸；在歐姆接觸和 絕緣層的部分上形成作為薄膜晶體管的溝道的本征半導體；在沒有被半導體覆蓋的歐姆接觸上形成數據導體，使得薄膜晶體管的本征半導體不會由于用 于形成歐姆接觸的蝕刻工藝而受損。現在，將參照圖20至圖22來描述根據本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光裝置。圖20是根據本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光裝置的布局圖。圖21是沿著 線XXI-XXI截取的圖20所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖22是沿著線xxn-xxn截取的圖20所示的有機發(fā)光裝置的剖^L圖。如圖20至圖22所示，根據本實施例的有機發(fā)光裝置的層狀結構與圖2 至圖4所示的層狀結構基本相同。在絕緣基底IIO上形成絕緣層111,并在絕緣層111上形成多對驅動歐姆 接觸163b和165b。每對驅動歐姆4妻觸163b和165b ^U皮此相對地設置。在驅動歐姆接觸163b和165b上形成多個驅動半導體154b。每個驅動半 導體154b將驅動歐姆接觸163b和165b ^皮此連接。驅動半導體154b可以由多晶硅制成。在基底110、驅動半導體154b及驅動歐姆接觸163b和165b上形成包括 多個驅動輸入電極173b的多條驅動電壓線172和多個驅動輸出電極175b。驅動輸入電極173b與驅動半導體154b和暴露的驅動歐姆接觸163b直接 接觸。每個驅動輸入電極173b和每個驅動輸出電極175b與驅動半導體154b 及暴露的歐姆接觸163b和165b直接接觸。在驅動電壓線172、驅動輸出電極175b和驅動半導抓154b上形成由氮 化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的第一柵極絕緣層140a。在第一柵極絕緣層140a上形成包括多條柵極線121和多個驅動控制電極 124b的多個柵極導體，其中，柵極線121包括開關控制電極124a,驅動控制 電極124b包括存儲電極127。存儲電極127與驅動電壓線172疊置。在柵極導體121和124b上形成由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成 的第二柵極絕緣層140b。在第二柵極絕緣層上形成由非晶硅或多晶硅制成的多個開關半導體 154a。開關半導體154a位于開關控制電極124a上。在開關半導體154a上形成多個開關歐姆接觸163a和165a。在歐姆接觸 163a和165a及第二柵極絕緣層140b上形成多條數據線171和多個開關輸出電才及175a。開關輸出電極175a與數據線171分離，并^^皮設置成與開關輸入電極173a 關于開關控制電極124a相對。在數據線171、開關輸出電極175a和第二柵極絕緣層140b上形成鈍化層180。鈍化層180和第二柵極絕緣層140b具有多個暴露驅動控制電極124b的 接觸孔184，鈍化層180具有多個暴露開關輸出電極175a的接觸孔185a，鈍 化層180及第一柵極絕緣層140a和第二柵極絕緣層140b具有多個暴露驅動 輸出電極175b的接觸孔185b。在鈍化層180上形成多個像素電極191和多個連接構件85。像素電極191 通過接觸孔185b物理地且電地連接到驅動輸出電極175b,連接構件85通過 接觸孔184和185a連接到驅動控制電極124b和開關輸出電極175a。在像素電極191上形成限定多個開口 365的分隔件361,并在開口 365 中形成多個有機發(fā)光構件370。在有機發(fā)光構件370上形成共電極270。現在，參照圖23至圖43以及圖20至圖22來描述圖20至圖22所示的 有機發(fā)光裝置的制造方法。圖23、圖26、圖29、圖32、圖35、圖38和圖41是根據本發(fā)明實施例 的圖20至圖22所示的有機發(fā)光裝置的制造方法的中間步驟中的有機發(fā)光裝 置的視圖。圖24是沿著線XXIV-XXIV截取的圖23所示的有機發(fā)光裝置的 剖視圖。圖25是沿著線XXV-XXV截取的圖23所示的有機發(fā)光裝置的剖視 圖。圖27是沿著線XXVII-XXVII截取的圖26所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。 圖28是沿著線XXVin-XXVIII截取的圖26所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。 圖30是沿著線XXX-XXX截取的圖29所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖31 是沿著線XXXI-XXXI截取的圖29所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖33是 沿著線XXXm-XXXIII截取的圖32所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖34是 沿著線XXXIV-XXXIV截取的圖32所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖36是 沿著線XXXVI-XXXVI截取的圖35所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖37是沿著線xxxvn-xxxvn截取的圖35所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖39是沿著線XXXIX-XXXIX截取的圖38所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖40 是沿著線XL-XL截取的圖38所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖42是沿著線 XLII-XLII截取的圖41所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖43是沿著線XLIII-XLIII截取的圖41所示的有機發(fā)光裝置的剖^L圖。如圖23至圖25所示，通過沉積絕緣體比如氧化硅，在基底110上形成 絕緣層111。絕緣層111可具有大約5000A的厚度。 1然后，通過化學氣相沉積(CVD)等在絕緣層111上沉積摻雜有雜質的 第一非晶硅層，隨后，沉積的第一非晶硅層被圖案化，以形成多個驅動歐姆 接觸163b和165b。第一非晶硅層可具有大約300A至500A的厚度。如圖26至圖28所示，通過化學氣相沉積(CVD)在驅動歐姆接觸163b 和165b上沉積第二非晶硅層，接著，沉積的第二非晶硅層被圖案化以形成多 個驅動半導體154b。此后，驅動半導體154b經歷熱處理，從而被晶化。同時，具有大約l(T6m 的晶粒尺寸的多晶硅可被稱作"微晶硅"。如以上參照圖8至圖10所描述的，可以通過SPC、 ELA、 MILC等來執(zhí) 行晶化。這里，可以同時將驅動歐姆"t妾觸163b和165b晶化。接著，如圖29至圖31所示，金屬層形成在基底110上，并被圖案化， 以形成包括驅動輸入電極173b的多條驅動電壓線172以及多個驅動輸出電極 175b。參照圖32至圖34,在基底110上形成由氧化硅或氮化硅制成的第一柵極 絕緣層140a，然后，通過'戚射等在第一柵極絕緣層140a上沉積金屬層，沉積 的金屬層被圖案化，以在第一柵極絕緣層140a上形成包括多條柵極線121和 多個驅動控制電極124b的多個柵極導體121和124b,其中，柵極線121包 括開關控制電極124a,驅動控制電極124b包括存儲電極'127。如圖35至圖37所示，在柵極導體121和124b上形成由氮化硅或氧化硅 制成的第二柵極絕緣層140b 。此后，本征非晶硅層和非本征非晶硅層沉積在第二柵極絕緣層140a上， 并被圖案化，以形成多個開關半導體154a和多個歐姆接觸圖案164。接著，如圖38至圖40所示，金屬層沉積在歐姆接觸圖案164上，并被 圖案化，以形成多條數據線171和多個開關輸出電極175a。此后，去除歐姆接觸圖案164中沒有被數據線171和開關輸出電極175a 覆蓋的暴露部分，以完成多個開關歐姆接觸163a和165a并暴露開關半導體 154a的部分。隨后，如圖41至圖43所示，沉積鈍化層180，并直鈍化層180與第一柵極絕緣層140a和第二柵極絕緣層140b—起被圖案化，以形成多個接觸孔。 然后，透明的導電層比如ITO沉積在鈍化層180上，并被圖案化，以形成多個像素電極191和多個連接構件85。接著，如圖20至圖22所示，涂覆有機絕緣層或無機絕緣層，并且有機絕緣層或無機絕緣層被曝光和顯影，以在像素電極191上形成具有多個開口365的分隔件361。在開口 365中形成多個發(fā)光構件370,并在分隔件361和發(fā)光構件370 上形成共電4及270。如上所述，與公知的有機發(fā)光裝置的包括設置在數據導體和溝道的本征 半導體之間的歐姆接觸的薄膜晶體管不同，根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝 置的薄膜晶體管(具體來說，驅動薄膜晶體管)包括在形成本征半導體之前 形成的歐姆接觸，使得薄膜晶體管的本征半導體不會由于用于形成歐姆接觸 的蝕刻工藝而受損。 '現在，將參照圖44至圖45來描述根據本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置。圖44是根據本發(fā)明第三實施例的有機發(fā)光裝置的布局圖。圖45是沿著 線XLV-XLV'-XLV"-XLV"'截取的圖44所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。如圖44至圖45所示，根據本實施例的有機發(fā)光裝置的層狀結構與圖2 至圖4和圖20至圖22所示的層狀結構基本相同。在絕緣基底110上形成絕緣層111。在絕緣層111上形成多對驅動歐姆接 觸163b和165b。在驅動歐姆接觸163b和165b上形成多個驅動半導體154b。 每個驅動半導體154b將驅動歐姆接觸163b和165b纟皮此連接。驅動半導體154b可以由多晶硅制成。在絕緣層111、驅動半導體154b和歐姆接觸163b、 165b上形成多個驅動 輸出電極175b、多個驅動輸入電極173b和包括多個驅動控制電極124a的多 條柵極線121。驅動輸入電極173b和驅動輸出電極175b是島形的，并與柵極線121分 離。每個驅動輸入電極173b和每個驅動輸出電極175b關于每個驅動半導體 154b彼此相對地設置。優(yōu)選地，柵極線121、驅動輸入電極173b和驅動輸出電極175b由含Al 金屬(比如Al和Al合金)、含Ag金屬(比如Ag和Ag合金)、含Cu金屬(比如Cu和Cu合金)、含Mo金屬(比如Mo和Mo合金)、Cr、 Ta、 Ti等 制成。然而，柵極線121、驅動輸入電極173b和驅動輸出電極175b可具有 包括物理特性不同的兩層膜的多層結構。在才冊極線121、驅動輸入電極173b、驅動輸出電極175b和絕緣層111上 形成柵極絕緣層140。在柵極絕緣層140上形成由氫化非晶硅制成的多個開關半導體154a。開 關半導體154a是島形的，并與開關控制電極124a疊置。在開關半導體154a和柵極絕緣層140上形成多條數據線171、多條驅動 電壓線172和多個電才及構件176。數據線171傳輸數據信號，并基本上沿著縱向方向延伸以與柵極線121 交叉。每條數據線171包括多個開關輸入電極173a,向著開關控制電極124a 延伸；端部179，具有大的面積，用于與另一層或外部驅動電路接觸。數據 線171可延伸成與產生數據信號的數據驅動電路(未示出)直接連接，數據 驅動電路可集成在基底110上。驅動電壓線172傳輸驅動電壓，并基本上沿著縱向方向延伸以與柵極線 121交叉，并基本上與數據線171平行。每條驅動電壓線172包括凸起177。電極構件176是島形的，并與數據線171和驅動電壓線172分離。每個 電極構件176包括部分175a (下文中被稱作"開關輸出電極")，面對開關 輸入電極173a;部分124b (下文中被稱作"驅動控制電極")，與驅動半導體 154b疊置。開關輸入電極173a和開關輸出電極175a關于開關半導體154a 分別4皮此相對。數據線171、驅動電壓線172和電極構件176可包含與柵極線121的材 料相同的材料。分別在開關半導體154a和開關輸入電極173a之間及開關半導體154a和 開關輸出電極175a之間形成多對開關歐姆接觸163a和165a。在數據線171、 驅動電壓線172和電^f及構件176上形成#/[匕層180。鈍化層180具有多個接觸孔185a和182，其中，接觸孔185a和182分別 暴露驅動電壓線172的凸起177和數據線171的端部179,鈍化層180和柵 極絕緣層140具有多個接觸孔181、 184和185b,其中，接觸孔181、 184和 185b分別暴露柵極線121的端部129、驅動輸入電極173b和驅動輸出電極 175b。在鈍化層180上形成多個像素電極191、多個連接構件85和多個接觸輔 助件81、 82。像素電極191通過接觸孔185b連接到驅動輸出電極175b。連接構件85通過接觸孔185a和184分別連接到驅動電壓線172的凸起 177和驅動輸入電極173b。連接構件85與驅動控制電極124b的部分疊置， 以形成存儲電容器Cst。接觸輔助件81和82通過接觸孔181和182分別連接到一冊極線121的端 部129和數據線171的端部179。接觸輔助件81和82保護端部129和179， 并增強端部129和179與外部裝置的粘著。現在參照圖46至圖57及圖44和圖45來描述圖44和圖45所示的有機 發(fā)光裝置的制造方法。圖46是根據本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的制造方法的中間步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖。圖47是沿著線XLvn-xLvn'-xLvn"-xLvir截取的圖46所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖48是圖46所示的制造方法的 下 一 步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖。圖49是沿著線 XLIX-XLIX'-XLIX"-XLIX"'截取的圖48所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖50 是圖48所示的制造方法的下一步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖。圖51是沿 著線LI-Lr-LI"-Lr'截取的圖50所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖52是圖50 所示的制造方法的下一步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖。圖53是沿著線Lin-Liir-Lnr-Lnr截取的圖52所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖54是圖52所示的制造方法的下一步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖。圖55是沿著線 LV-LV'-LV"-LV'"截取的圖54所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。圖56是圖54所 示的制造方法的下一步驟中的有機發(fā)光裝置的布局圖。圖57是沿著線Lvn-Lvn'-Lvn"-Lvn'"截取的圖56所示的有機發(fā)光裝置的剖視圖。如圖46和圖47所示，通過沉積絕緣體比如氧化硅，在基底110上形成 絕緣層111。絕緣層111可具有大約5000A的厚度。然后，通過化學氣相沉積(CVD)等在絕緣層111上沉積摻雜有雜質的 第一非晶硅層，隨后，沉積的第一非晶硅層被圖案化，以形成多個驅動歐姆 接觸163b和165b。第一非晶硅層可具有大約300A至500A的厚度。如圖48和圖49所示，通過化學氣相沉積(CVD)在驅動歐姆接觸163b 和165b上沉積第二非晶硅層，然后，沉積的第二非晶硅層被圖案化，以形成多個驅動半導體154b。此后，驅動半導體154b經歷熱處理，從而被晶化。同時，具有大約l(T6m 的晶粒尺寸的多晶硅可被稱作"微晶硅"。如以上參照圖8至圖IO所描述的，可通過SPC、 ELA、 MILC等來執(zhí)行 晶化步驟。這里，可以將驅動歐姆接觸163b和165b同時晶化。接著，如圖50和圖51所示，金屬層形成在基底110上，并被圖案化以 形成多個驅動輸出電極175b、多個驅動輸入電極173b和包括多個開關控制 電極124a的多條柵極線121。如圖52和圖53所示，在基底110上形成柵極絕緣層140。此后，本征非晶硅層和非本征非晶硅層沉積在柵極絕緣層140上，并被 圖案化以形成多個開關半導體154a和多個歐姆接觸圖案164。接下來，如圖54和圖55所示，金屬層沉積在歐姆接觸圖案164上，并 被圖案化以形成包括開關輸入電極175a的多條數據線171、包括凸起177的 多條驅動電壓線172和多個電極構件176。此后，去除歐姆接觸圖案164中沒有被數據線171、，驅動電壓線172和 電極構件176覆蓋的暴露部分，以完成多個開關歐姆接觸163a和165a并暴 露開關半導體154a的部分。接著，如圖56和圖57所示，沉積鈍化層180，并且將鈍化層180和柵 極絕緣層140—起圖案化，以形成多個接觸孔184、 185a和185b。隨后，導電層沉積在鈍化層180上，并被圖案化以形成多個像素電極191 和多個連接構件85。如圖44和圖45所示，在像素電極191上形成分隔件361,其中，分隔 件361由絕緣體制成并具有多個開口 365。在開口 365中形成多個發(fā)光構件370，并在分隔件361和發(fā)光構件370 上形成共電4及270。如上所述，與公知的有機發(fā)光裝置的包括在數據導體和溝道的本征半導體之間設置的歐姆接觸的薄膜晶體管不同，根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝 置的薄膜具體管(具體來講，驅動薄膜晶體管)包括在形成本征半導體之前形成的歐姆接觸，使得薄膜晶體管的本征半導體不會由于用于形成歐姆接觸 的蝕刻工藝而受損。如上所述，根據本發(fā)明的實施例，歐姆接觸設置在薄膜晶體管的溝道的本征半導體的下面，并在形成本征半導體之前形成歐姆接觸。因此，驅動薄 膜晶體管的本征半導體不會由于形成歐姆接觸而受損，使得包括多晶硅溝道 的薄膜晶體管的故障(比如漏電流)會減少。此外，根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置包括含有溝道的驅動薄膜晶體 管，所述溝道沒有受損并包含電場效應遷移率高和穩(wěn)定性高的多晶硅，使得 流入有機發(fā)光裝置的電流增大，從而增強了有機發(fā)光裝置的亮度。另外，根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置包括含有非晶硅溝道的開關薄 膜晶體管，使得開關薄膜晶體管的大的漏電流會降低，以提高開關薄膜晶體 管的導通/截止特性。上述實施例包括一個開關晶體管和一個驅動晶體管，然而，根據上述實 施例的有機發(fā)光裝置可包括至少一個附加的薄膜晶體管和用于驅動所述附加 的薄膜晶體管的多條布線，使得可以防止有機發(fā)光二極管和驅動晶體管的劣 化，從而可以延長有機發(fā)光裝置的壽命。雖然已經結合當前被認為是實際的示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應 該理解，本發(fā)明不限于公開的實施例，而相反地，本發(fā)明意在覆蓋包含在權 利要求的精神和范圍內的各種更改和等效布置。
權利要求
1、一種有機發(fā)光裝置，包括基底；分隔開的第一歐姆接觸和第二歐姆接觸，形成在基底上；驅動半導體，包含多晶硅，形成在基底上，驅動半導體接觸第一歐姆接觸和第二歐姆接觸；驅動輸入電極，電連接到第一歐姆接觸；驅動輸出電極，電連接到第二歐姆接觸；第一柵極絕緣層，形成在驅動半導體、驅動輸入電極和驅動輸出電極上；驅動控制電極，形成在第一柵極絕緣層上，其中，驅動控制電極與驅動半導體疊置。
2、 如權利要求1所述的有機發(fā)光裝置，還包括 分隔開的第三歐姆接觸和第四歐姆接觸，形成在基底上； 開關半導體，形成在第三歐姆接觸和第四歐姆接觸上； 開關輸入電極，電連接到第三歐姆接觸； 開關輸出電極，電連接到第四歐姆接觸；開關控制電極，形成在第一柵極絕緣層上，其中，開關控制電極與開關 半導體疊置，開關輸出電極電連接到驅動控制電極。
3、 如權利要求1所述的有機發(fā)光裝置，還包括 開關控制電極，形成在第一柵極絕緣層上； 第二柵極絕緣層，形成在開關控制電極上；開關半導體，形成在第二柵極絕緣層上并與開關控制電極疊置； 第三歐姆接觸和第四歐姆接觸，形成在開關半導體上； 開關輸入電極，形成在第三歐姆接觸上； 開關輸出電極，形成在第四歐姆接觸上， 其中，開關輸出電極電連接到驅動控制電極。
4、 如權利要求1所述的有機發(fā)光裝置，還包括 開關控制電極，形成在基底上；開關半導體，形成在第一柵極絕緣層上并與開關控制電極疊置； 第三歐姆接觸和第四歐姆接觸，形成在開關半導體上；開關輸入電極，形成在第三歐姆接觸上；開關輸出電極，形成在第四歐姆接觸上， 其中，開關輸出電極電連接到驅動控制電極。
5、 如權利要求2所述的有機發(fā)光裝置，其中，開關半導體包含非晶硅或 多晶娃。
6、 如權利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中，第一歐姆接觸和第二歐姆 接觸包含多晶硅。
7、 如權利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中，第一歐姆接觸和第二歐姆 接觸與驅動輸入電^l和驅動輸出電極具有基本上相同的平面形狀。
8、 如權利要求1所述的有機發(fā)光裝置，還包括 鈍化層，形成在驅動輸出電極和驅動輸入電極上； 第一電極，形成在鈍化層上并連接到驅動輸出電極； 發(fā)光構件，形成在第一電極上；第二電極，形成在發(fā)光構件上。
9、 如權利要求1所述的有機發(fā)光裝置，還包括形戍在基底上的絕緣層。
10、 一種有機發(fā)光裝置的制造方法，包括 在基底上形成第一歐姆接觸和第二歐姆接觸； 在基底上形成半導體圖案； 將半導體圖案晶化，以形成驅動半導體；形成與第一歐姆接觸和驅動半導體接觸的驅動輸入電極和與第二歐姆接 觸和驅動半導體接觸的驅動輸出電極；在驅動輸入電極和驅動輸出電極上形成第 一柵極絕緣層； 在第一柵極絕緣層上形成控制電極。
11、 如權利要求IO所述的制造方法，其中，通過固相晶化來執(zhí)行將半導 體圖案晶化的步驟。 "
12、 如權利要求IO所述的制造方法，其中，通過利用相同的掩模來執(zhí)行 形成第 一歐姆接觸和第二歐姆接觸的步驟以及形成驅動輸入電極和驅動輸出 電極的步驟。
13、 如權利要求IO所述的制造方法，還包括 在基底上形成第三歐姆接觸和第四歐姆接觸； 在第三歐姆接觸和第四歐姆接觸上形成開關半導體；形成與第三歐姆接觸電連接的開關輸入電極；形成與第四歐姆接觸和驅動控制電極電連接的開關輸出電極；在第一柵極絕緣層上形成與開關半導體疊置的開關控制電極。
14、 如權利要求IO所述的制造方法，還包括 在第一柵極絕緣層上形成開關控制電極； 在開關控制電極上形成第二柵極絕緣層； 在第二柵極絕緣層上形成與開關控制電極疊置的開關半導體；在開關半導體上形成第三歐姆接觸和第四歐姆接觸； 在第三歐姆接觸上形成開關輸入電極；在第四歐姆接觸上形成與驅動控制電極電連接的開關輸出電極。
15、 如權利要求IO所述的制造方法，還包括 在基底上形成開關控制電極；在第一柵極絕緣層上形成與開關控制電極疊置的開關半導體；在開關半導體上形成第三歐姆接觸和第四歐姆接觸；在第三歐姆4^觸上形成開關輸入電極；在第四歐姆接觸上形成與驅動控制電極電連接的開關輸出電極。
16、 如權利要求13所述的制造方法，其中，開關半導體包含非晶硅或多晶硅。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光裝置及其制造方法，該有機發(fā)光裝置包括基底；第一歐姆接觸和第二歐姆接觸，形成在基底上；驅動半導體，形成在基底及第一歐姆接觸和第二歐姆接觸上，并包含多晶硅；驅動輸入電極，電連接到第一歐姆接觸；驅動輸出電極，電連接到第二歐姆接觸；第一柵極絕緣層，形成在驅動半導體、驅動輸入電極和驅動輸出電極上；驅動控制電極，形成在第一柵極絕緣層上，并與驅動半導體疊置。
文檔編號H01L27/32GK101221976SQ20081000203
公開日2008年7月16日 申請日期2008年1月9日 優(yōu)先權日2007年1月11日
發(fā)明者崔埈厚, 曹圭湜, 樸容煥, 鄭柄成 申請人:三星電子株式會社