專利名稱：晶片級芯片尺寸封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域，尤其涉及晶片級芯片尺寸封裝(Wafer Level chip Scale Package, WLCSP)方法。
背景技術(shù)：
近年來，由于芯片的微電路制作朝向高集成度發(fā)展，因此，其芯片封裝 也需向高功率、高密度、輕薄與微小化的方向發(fā)展。芯片封裝就是芯片制造 完成后，以塑膠或陶磁等材料，將芯片包在其中，以達(dá)保護芯片，使芯片不 受外界水汽及機械性損害。芯片封裝主要的功能分別有電能傳送(Power Distribution)、信號傳送(Signal Distribution)、熱的散失(Heat Dissipation)與保 護支持(Protection and Support)。
由于現(xiàn)今電子產(chǎn)品的要求是輕薄短小及高集成度，因此會使得集成電路 制作微細(xì)化，造成芯片內(nèi)包含的邏輯線路增加，而進(jìn)一步使得芯片 1/0(input/output)腳數(shù)增加，而為配合這些需求，產(chǎn)生了許多不同的封裝方式， 例如，球4冊陣列封裝(Ball grid array, BGA)、芯片尺寸封裝(Chip Scale Package, CSP)、多芯片才莫塊封裝(Multi Chip Module package, MCM package)、倒裝式封 裝(Flip Chip Package)、巻帶式封裝(Tape Carrier Package, TCP)及晶片級封裝 (Wafer Level Package, WLP)等。
不論以何種形式的封裝方法，大部分的封裝方法都是將晶片分離成獨立 的芯片后再完成封裝的程序。而晶片級封裝是半導(dǎo)體封裝方法中的一個趨勢， 晶片級封裝以整片晶片為封裝對象，因而封裝與測試均需在尚未切割晶片的 前完成，是一種高度整合的封裝技術(shù)，如此可省下填膠、組裝、黏晶與打線 等制作，因此可大量降低人工成本與縮短制造時間?，F(xiàn)有技術(shù)晶片級芯片尺寸封裝的方法請參考申請?zhí)枮?1136689所述的技 術(shù)方案。首先請參照圖l,在晶片20上具有至少一個芯片200。
如圖2所示，芯片200上配置有焊盤218以及用以保護芯片200表面并 將焊盤218暴露的保護層219;焊盤218通過第一介電層202中以及第二介電 層204中的重配置線路220層將芯片200上的焊盤218與第二介電層204上 的凸塊下金屬層222電性連接，以利于后續(xù)植焊料凸塊的進(jìn)行。
接著請參照圖3， 將第一焊料凸塊206配置于凸塊下金屬層222上，接著 進(jìn)行回流工藝，以使得第一焊料凸塊206與凸塊下金屬層222接合。而在將第 一焊料凸塊206配置于球底凸塊下金屬層222之前，例如可先涂布助焊劑或其 它具有幫助焊接功能的焊料材料于凸塊下金屬層222上，使得第 一焊料凸塊 206與球底凸塊下金屬層222之間的接合更為穩(wěn)定。
如圖4所示，接著形成應(yīng)力緩沖層208于芯片200上以將第 一焊料凸塊206 包覆；將應(yīng)力緩沖層208以及其中的第一焊料凸塊206—并研磨，例如研磨至 第一焊球研磨前高度的1/4~1/2之間時即停止；研磨后第一焊料凸塊206會具有 暴露平面部分以及與凸塊下金屬層222連接的連接部分。其中，第一焊料凸塊 206的暴露平面部分206a會暴露于外，而第一焊料凸塊206的連接部分則仍被 包覆于應(yīng)力緩沖層208中。
接著請參照圖5，進(jìn)行第二植焊料凸塊步驟，將第二焊料凸塊210配置于 第一焊料凸塊206的暴露平面部分上，并進(jìn)行回流工藝，以使得第二焊料凸塊 210與第一焊料凸塊206的暴露平面部分連接；而在將第二焊^F凸塊210配置于 第一焊料凸塊206的暴露平面部分上之前，例如可涂布助焊劑或其它具有幫助 焊接功能的焊料材料于平面部分上，使得第 一焊料凸塊206與第二焊料凸塊 210之間的接合更為穩(wěn)定。
最后進(jìn)行單體化切割步驟，以將晶片20上的各個芯片IOO單體化。以上專利所述的晶片級芯片封裝，由于直接在第 一焊料凸塊上制作第二 焊料凸塊，因此，由第二焊料凸塊的體積不能很好的控制，進(jìn)而導(dǎo)致封裝元 件的可靠性差，增加后續(xù)檢測的需求與重新組裝的困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種晶片級芯片尺寸封裝方法，更好的控制焊 料凸塊的體積，提高封裝元件的可靠性，易于檢測與重新組裝。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種晶片級芯片尺寸封裝方法，包括下列
步驟提供具有至少一個芯片的晶片，其中芯片上配置有焊盤，焊盤上包含 第一焊料凸塊；在基板上形成襯底層；在襯底層上形成與第一焊料凸塊一一 對應(yīng)的第二焊料層；對齊第一焊料凸塊和第二焊料層，并回流第二焊料層， 形成與第一焊料凸塊固定的第二焊料凸塊；移除基板，留下與第一焊料凸塊 固定的第二焊料凸塊；將晶片切割為至少一個芯片，完成晶片級芯片尺寸封裝。
第二焊料層的熔融溫度小于第一焊料凸塊；所述第一焊料凸塊的熔融溫 度與第二焊料層的熔融溫度的差值為5'C 11(TC。
形成第一焊料凸塊的工藝為電鍍工藝。
第一焊料凸塊為鉛的質(zhì)量高于95%的高鉛鉛錫合金、無鉛焊料合金或共 晶鉛錫合金。
形成第二焊料層的工藝為印刷板工藝。
第二焊料層為共晶鉛錫合金或無鉛焊料合金。
回流第二焊料層的溫度為210°C~270°C。
所述襯底層的材料是絕緣性的介電質(zhì)材料或是與焊料之間無吸附作用力 的耐熱性的金屬材料。
在形成第一焊料凸塊后，對晶片進(jìn)行研磨，晶片研磨后的厚度為 200,~700,。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點1、本發(fā)明將芯片上的第一焊料 凸塊與基板上的第二焊料層對齊并回流，形成與第一焊料凸塊固定的第二焊 料凸塊；移除基板，留下與第一焊料凸塊固定的第二焊料凸塊。由于第二焊 料凸塊不是直接在第一焊料凸塊形成，而是在基4反上形成第二焊料層后與第 一焊料凸塊對齊并回流后形成的，因此第二焊料凸塊體積便于控制，易于后 續(xù)檢測與重新組裝，保證了器件的性能和可靠性。
2、本發(fā)明由于第二焊料層的熔融溫度小于第一焊料凸塊的熔融溫度，因 此，回流過程中以及回流之后，第一焊料凸塊的物理狀態(tài)不會發(fā)生變化，比 起現(xiàn)有技術(shù)中的焊料凸塊，在相同面積的集成電路上，還提高了焊料凸塊的 密度。


圖1至圖5是現(xiàn)有技術(shù)晶片級芯片尺寸封裝過程示意圖； 圖6是本發(fā)明晶片級芯片尺寸封裝具體實施方式
流程圖； 圖7至圖13本發(fā)明晶片級芯片尺寸封裝第一實施例示意圖； 圖14至圖19本發(fā)明晶片級芯片尺寸封裝第二實施例示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明將芯片上的第 一焊料凸塊與基板上的第二焊料層對齊并回流，形
成與第一焊料凸塊固定的第二焊料凸塊；移除基板，留下與第一焊料凸塊固 定的第二焊料凸塊。由于第二焊料凸塊不是直接在第一焊料凸塊形成，而是 在基板上形成第二焊料層后與第一焊料凸塊對齊并回流后形成的，因此第二 焊料凸塊體積便于控制，易于后續(xù)檢測與重新組裝，保證了器件的性能和可 靠性。另外，本發(fā)明由于第二焊料層的熔融溫度小于第一焊料凸塊的熔融溫 度，因此，回流過程中以及回流之后，第一焊料凸塊的物理狀態(tài)不會發(fā)生變 化，比起現(xiàn)有技術(shù)中的焊料凸塊，在相同面積的集成電路上，還提高了焊料凸塊的密度。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。
圖6是本發(fā)明晶片級芯片尺寸封裝具體實施方式
流程圖。如圖6所示， 執(zhí)行步驟S201提供具有至少一個芯片的晶片，其中芯片上配置有焊盤，焊盤 上包含第一焊料凸塊；執(zhí)行步驟S202在基板上形成襯底層；執(zhí)行步驟S203 在襯底層上形成與第一焊料凸塊一一對應(yīng)的第二焊料層；執(zhí)行步驟S204對齊 第一焊料凸塊和第二焊料層，并回流第二焊料層，形成與第一焊料凸塊固定 的第二焊料凸塊；執(zhí)行步驟S205移除基板，留下與第一焊料凸塊固定的第二 焊料凸塊；執(zhí)行步驟S206將晶片切割為至少一個芯片，完成晶片級芯片尺寸 封裝。
圖7至圖13本發(fā)明晶片級芯片尺寸封裝第一實施例示意圖。如圖7所示， 在晶片IO上包含至少一個芯片100。
如圖8所示，在芯片IOO上配置有焊盤102以及用以保護芯片100表面 并將焊盤102暴露的保護層101,形成所述的保護層101以及焊盤102為現(xiàn)有 公知技術(shù)；在保護層101以及焊盤102上通過濺射或者蒸發(fā)工藝形成凸塊下 金屬層103，凸塊下金屬層103的作用是在后續(xù)回流工藝中保護焊盤102，凸 塊下金屬層103可以是鈦、鈦-鴒合金、銅、鎳等，本實施例是采用濺射的 方法形成金屬鈦和金屬銅層作為凸塊下金屬層103。濺射或者蒸發(fā)形成凸塊下 金屬層103的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的現(xiàn)有技術(shù)，不做具體描迷。
如圖9所示，在芯片IOO上旋涂光刻膠層104，在形成光刻膠層104過程 中，應(yīng)該保證使涂覆的光刻膠層的厚度達(dá)到電鍍鉛錫合金焊料工藝需要的厚 度。 一般來說，光刻膠層104厚度在30nm至130pm之間。然后，根據(jù)設(shè)計 好的光刻膠圖案，進(jìn)行曝光和顯影工藝，形成與焊盤102位置對應(yīng)的光刻膠 開口，即為后續(xù)需要形成焊料凸塊的位置。
接著，在凸塊下金屬層103上的光刻膠開口處形成第一焊料層105,所述的第一焊料層105可以為鉛的質(zhì)量高于95%的高鉛鉛錫合金、無鉛焊料合金
或共晶鉛錫合金。
本實施例中，形成第一焊料層105的工藝可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的 各種工藝如電鍍、等離子體沉積等。本發(fā)明優(yōu)選采用電鍍法形成第一焊料層 105。
如圖10所示，去除光刻膠層104以及焊盤102之外的凸塊下金屬層103; 回流第一焊料層105形成第一焊料凸塊106;接著用化學(xué)機械拋光法研磨晶片 的基底面，減薄晶片厚度，作用為達(dá)到晶片級芯片尺寸封裝的規(guī)格。
回流第一焊料層105形成第一焊料凸塊106的厚度為20pm至120pm,具 體厚度例如2(^im、 40nm、 60pm、 8(Him、 100pm或120|im等。
回流第一焊料層105的溫度為330。C 370。C，具體為330。C、340。C、35(TC、 360。C或37(TC等。
研磨前的晶片厚度為650|Lim~800nm，具體厚度例如650^im、700fim、 750pm 或800pm等；研磨后的晶片厚度為20(Him 70(Vm,具體厚度例如200(im、 300jxm、 400pm、 500pm、 600pm或700pm等。
如圖ll所示，在基板120上形成襯底層122,所述襯底層122的作用為不與 后續(xù)的第二焊料層產(chǎn)生濕化反應(yīng)；用印刷板工藝在襯底層122上形成與晶片上 各芯片上的第一焊料凸塊——對應(yīng)的第二焊料層124,所述印刷板工藝諸如絲 網(wǎng)印刷和移畫印花法等。
本實施例中，形成襯底層122的方法為物理汽相沉積法、化學(xué)汽相方法或 涂覆法。所述襯底層122厚度為0.1^mi 2iLim，具體厚度為0.1iim、 0.5pm、 lpm、 1.5^im或2pm等；襯底層122的材料為絕緣性的介電質(zhì)材料或是與焊料之間無吸 附作用力的耐熱性金屬材料。第二焊料層124的材料為共晶鉛錫合金或無鉛焊料合金。所述第一焊料層 的熔融溫度與第二層焊料的熔融溫度的差值為5。C 110。C。
如圖12所示，將晶片上各芯片100上的第一焊料凸塊106與基板120上第二 焊料層124對齊后進(jìn)行對第二焊料層回流，使第一焊料凸塊106與基板120上第 二焊料層124固定接合，并且形成可靠性好的第二焊料凸塊124a。
回流基板120上第二焊料層124的溫度為210。C至270°C ，具體為21CTC 、 220°C、 230°C、 240°C、 250°C、 260。C或270。C等。
本實施例中，以第一焊料層105為含鉛量大于95%的高鉛鉛錫合金、第 二焊料層124為37wt%Pb、 63wt%Sn的共晶鉛錫合金為例，在210。C至270°C 的溫度范圍進(jìn)行鉛錫合金焊料回流，由于高鉛鉛錫合金的熔融溫度大于 300°C，比第二焊料層124的37wt%Pb、 63wt%Sn的共晶鉛錫合金的熔融溫度 高出50。C以上，因此，37wt%Pb、 63wt。/。Sn的共晶鉛錫合金在回流的過程中， 焊料凸塊106的高鉛鉛錫合金物理狀態(tài)不發(fā)生變化。
如圖13所示，由于物質(zhì)材料的差異，第二焊料層與襯底之間無濕化作用， 界面之間形成遠(yuǎn)大于90度并接近于180度的接觸角，且無附著力。在回流第 二焊料層結(jié)束時，即可移除帶襯底層的基板，留下與第一焊料凸塊106固定 的第二焊料凸塊124a于晶片上，形成芯片尺寸封裝元件。
最后將晶片切割為至少一個芯片100，完成晶片級芯片尺寸封裝。 圖14至圖19本發(fā)明晶片級芯片尺寸封裝第二實施例示意圖。如圖14所 示，在芯片300上配置有焊盤302以及用以保護芯片300表面并將焊盤302 暴露的保護層301;在保護層301以及焊盤302上通過濺射工藝形成凸塊下金 屬層303，凸塊下金屬層303的作用是在后續(xù)回流工藝中保護焊盤302，凸塊 下金屬層303可以是鈦、鈦-鴒合金、銅、鎳等。
接著，在芯片300上旋涂厚度在30pm至130pm之間的光刻膠層304;進(jìn)行曝光和顯影工藝，形成與焊盤302位置對應(yīng)的光刻膠開口，即為后續(xù)需要 形成焊料凸塊的位置。在光刻膠層304曝光和顯影形成光刻膠圖案的過程中， 應(yīng)該保證滿足后續(xù)焊料凸塊中心間距在lOOpm至500pm的要求。
然后，在凸塊下金屬層303上的光刻膠開口處形成第三焊料層305，所述 的第三焊料層305可以是高鉛鉛錫合金含鉛的質(zhì)量百分比含量大于95%的高 鉛鉛錫合金，如95wt%Pb和5wt%Sn或者97wt%Pb和3wto/0Sn，所述第三焊 料層305的厚度應(yīng)該小于等于光刻膠的厚度，較好的在20|Lmi至120|um，進(jìn)一 步優(yōu)選的在40pm至100|Lim，更加優(yōu)選的是在60pm至lOO(mi。
形成第三焊料層305的工藝可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的各種工藝如電 鍍、等離子體沉積等。本發(fā)明優(yōu)選采用電鍍法形成第三焊料層305，最為優(yōu)選 的工藝是先在凸塊下金屬層303上以較低的電流密度形成厚度為0.2pm至 4pm的高鉛鉛錫合金，所述的較低電流密度為0.1A/dii^至1A/dm2，然后再以 常規(guī)的工藝大電流密度進(jìn)行電鍍沉積高鉛鉛錫合金焊料，所述的較大電流密 度為3A/dn^至5A/dm2，電鍍至高鉛鉛錫合金焊料的厚度為至120pm 即可。
在本發(fā)明的一個具體實施方式
中，第三焊料層305為95wt%Pb和5wt%Sn 或者97wt%Pb和3wt。/。Sn,采用金屬鉛和金屬錫的可溶性鹽的混合溶液作為 電鍍?nèi)芤?，其中鉛離子濃度(Pb2+)為鉛離子濃度(Pb2+)為60g/L至90g/L, 錫離子(Sn2+)濃度為3g/L至5g/L，曱基磺酸作為絡(luò)合劑，濃度為200g/L至 300g/L，為了避免電鍍過程中產(chǎn)生氣泡，先采用0.1A/dm2至1A/dn^的電流密 度進(jìn)行電鍍，較好的是0.5A/dn^至1A7dm2，溫度為25。C至35。C之間，電鍍1 分鐘到5分鐘，之后，將電流密度調(diào)節(jié)為3A/dn^至5A/dm2,其余工藝條件不 變，電鍍至鉛錫合金焊料的厚度為20pm至120pm即可。
在電鍍第三焊料層305的過程中，首先以0.1A/dn^至1A/dm"的電流密度進(jìn)行電鍍，可以避免電鍍過程中產(chǎn)生析氫現(xiàn)象，從而避免在高鉛合金含量中
產(chǎn)生氣泡，當(dāng)以0.1A/dn^至1A/dm2的電流密度電鍍的焊料厚度完全覆蓋凸塊 下金屬層之后，改用3A/drr^至5A/dm2的常規(guī)電流密度進(jìn)行電鍍，可提高電 鍍制程所需時間，提高效率。
如圖15所示，在第三焊料層305上沉積第一焊料層306,所述第一焊料 層306的熔融溫度應(yīng)低于第三層焊料305的熔融溫度，保證在第一焊料層306 進(jìn)行回流的過程中不會使第三焊料305層的物理狀態(tài)發(fā)生變化，即保證第三 焊料層305不會成為熔融狀態(tài)。優(yōu)選的，第一焊^T+層306的熔融溫度與第三 焊料層305的熔融溫度的差值大于5(TC。在第三焊;阡層305為含鉛量大于95 %的高鉛鉛錫合金的狀況下，本發(fā)明優(yōu)選第一焊料層306為共晶鉛錫合金， 如37wt%Pb和63wt%Sn合金。
本實施例中，沉積第一焊料層306的工藝較好的仍然選用電鍍工藝。在 本發(fā)明的 一個具體實施例中，采用金屬鉛和金屬錫的可溶性鹽的混合溶液作 為電鍍?nèi)芤?，其中鉛離子濃度(Pb2+)為15g/L至21g/L,錫離子(Sn2+)濃 度為30g/L至42g/L，曱基磺酸濃度為200g/L至300g/L,設(shè)定電流密度為 2A/dm2至6A/dm2，溫度為25 °C至35°C 。
參考附圖16所示，去除光刻膠層304以及焊盤302之外的凸塊下金屬層 303;回流第一焊料層306形成第一焊料凸塊307;接著用化學(xué)機械拋光法研 磨晶片基底面，減薄晶片厚度，達(dá)到晶片級芯片尺寸封裝的規(guī)格。
回流第一焊料層306的溫度為330。C 370。C，具體為330°C 、340°C 、350°C 、 360。C或370。C等。
研磨前的晶片厚度為650^im 800(im，具體厚度例如650jim、700pm、750pm 或800pm等；研磨后的晶片厚度為200|am至700^im，具體厚度例如200pm、 300|tim、 400pm、 500pm、 600|iim或700|im。由于第一焊料層306的熔融溫度小于第三焊4十層305的熔融溫度，具體 差值為5。C 50。C。因此，回流第一焊料層306的過程中第三焊料層305的物 理狀態(tài)不會發(fā)生變化，回流工藝完成后，第一焊料層306成為半球狀，而第 三焊料層305依然保持回流之前的柱狀。為了保證回流之后第一焊料層306 形成的半球狀的最大橫截面的直徑小于第三焊料層305的橫截面的直徑，應(yīng) 該保證回流后第一焊料層306的厚度在2jim至20)im。
由于本發(fā)明優(yōu)選電鍍工藝沉積第三焊料層305和第一焊料層306,可以保 證第三焊料層305和第一焊料層306的接觸界面具有較強的結(jié)合力?；亓鬟^ 程中，第三焊料層305和第一焊料層306的接觸界面的原子之間進(jìn)一步互相 遷移、滲透，具有更強的結(jié)合力；因此，本發(fā)明提供的第三焊料層305和第 一焊料凸塊307之間具有很強的結(jié)合力，使用過程中不會產(chǎn)生第一焊料凸塊 307與第三焊料層305之間分離的缺陷。
如圖17所示，在基板320上形成襯底層322，所述村底層322的作用為不與 后續(xù)的第二焊料層產(chǎn)生濕化反應(yīng)；用印刷板工藝在村底層322上形成與晶片上 各芯片上的第一焊料凸塊307—一對應(yīng)的第二焊料層324,所述印刷板工藝諸 如絲網(wǎng)印刷和移畫印花法等。
本實施例中，形成村底層322的方法為物理汽相沉積法、化學(xué)汽相方法或 涂覆法。所述襯底層322厚度為0.1pm 2^im，具體厚度為0.1pm、 0.5pm、 lpm、 1.5pm或2pm等；襯底層322的材料為絕緣性的介電質(zhì)材料或是與焊料之間無吸 附作用力的耐熱性金屬材料。
本實施例中，第二焊料層324的材料為共晶鉛錫合金或無鉛焊料合金。 所述第一焊料層的熔融溫度與第二焊料層的熔融溫度的差值為5。C 110。C。如圖18所示，將晶片上各芯片300上的第一焊料凸塊307與基板320上第二 焊料層324對齊后進(jìn)行回流第二焊料層324，使第一焊料凸塊307與基板320上 第二焊料層324固定接合，并且形成可靠性好的第二焊料凸塊324a。
回流基板320上第二焊料層324的溫度為210。C至27(TC ，具體為210°C 、 220°C、 230°C、 240°C、 25CTC、 260。C或270。C等。
本實施例中，由于第 一 焊料層的熔融溫度比第二焊料層的熔融溫度高 5°C~110°C,因此在回流過程中，第一焊料凸塊307的物理狀態(tài)不發(fā)生變化。
如圖19所示，由于物質(zhì)材料的差異，第二焊料層與襯底之間無濕化作用， 界面之間形成遠(yuǎn)大于90度并接近于180度的接觸角，且無附著力；在回流第 二焊料層結(jié)束時，即可移除帶襯底層的基板，留下與第一焊料凸塊307固定 的第二焊料凸塊324a于晶片上，形成芯片尺寸封裝元件。
最后將晶片切割為至少一個芯片300,完成晶片級芯片尺寸封裝。
雖然本發(fā)明己以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改， 因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于，包括下列步驟提供具有至少一個芯片的晶片，其中芯片上配置有焊盤，焊盤上包含第一焊料凸塊；在基板上形成襯底層；在襯底層上形成與第一焊料凸塊一一對應(yīng)的第二焊料層；對齊第一焊料凸塊和第二焊料層，并回流第二焊料層，形成與第一焊料凸塊固定的第二焊料凸塊；移除基板，留下與第一焊料凸塊固定的第二焊料凸塊；將晶片切割為至少一個芯片，完成晶片級芯片尺寸封裝。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于第二焊料 層的熔融溫度小于第一焊料凸塊。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于所述第一 焊料凸塊的熔融溫度與第二焊料層的熔融溫度的差值為5。C 11(TC。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于 形成第 一焊料凸塊的工藝為電鍍工藝。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于第一焊料 凸塊為鉛的質(zhì)量高于95%的高鉛鉛錫合金、無鉛焊料合金或共晶鉛錫合 金。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于 形成第二焊料層的工藝為印刷板工藝。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于第二焊料 層為共晶鉛錫合金或無鉛焊料合金。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于回流第二焊料層的溫度為210°C 270°C。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于所述襯底金屬材料。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于形成第一 焊料凸塊后，對晶片基底面進(jìn)行研磨。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的晶片級芯片尺寸封裝方法，其特征在于晶片研磨 后的厚度為200|im~700)im。
全文摘要
一種晶片級芯片尺寸封裝方法，包括下列步驟提供具有至少一個芯片的晶片，其中芯片上配置有焊盤，焊盤上包含第一焊料凸塊；在基板上形成襯底層；在襯底層上形成與第一焊料凸塊一一對應(yīng)的第二焊料層；對齊第一焊料凸塊和第二焊料層，并回流第二焊料層，形成與第一焊料凸塊固定的第二焊料凸塊；移除基板，留下與第一焊料凸塊固定的第二焊料凸塊；將晶片切割為至少一個芯片，完成晶片級芯片尺寸封裝。經(jīng)上述步驟，提高了封裝的可靠性。
文檔編號H01L21/02GK101290891SQ20071003956
公開日2008年10月22日 申請日期2007年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月17日
發(fā)明者王津洲 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司