晶圓涂布系統(tǒng)與晶片封裝體的制備方法
【專利摘要】一種晶圓涂布系統(tǒng)與晶片封裝體的制備方法。該晶圓涂布系統(tǒng)包含一晶圓底座、一流動性絕緣材料噴灑裝置以及一晶圓傾斜升降銷。晶圓底座具有一乘載部與一旋轉(zhuǎn)部，乘載部裝設于旋轉(zhuǎn)部上，并用以乘載一晶圓，且旋轉(zhuǎn)部用以相對于一預定軸旋轉(zhuǎn)。流動性絕緣材料噴灑裝置位于晶圓底座上方，用以噴灑一流動性絕緣材料至晶圓，而晶圓傾斜升降銷設置使晶圓與重力方向夾一第一銳角。本發(fā)明不僅提升了晶片封裝體的絕緣性，還能夠避免后續(xù)形成的導電層產(chǎn)生斷線。
【專利說明】
晶圓涂布系統(tǒng)與晶片封裝體的制備方法
技術領域
[0001]本發(fā)明關于一種晶圓涂布系統(tǒng)，以及使用此晶圓涂布系統(tǒng)的一種晶片封裝體的制備方法。
【背景技術】
[0002]在各項電子產(chǎn)品要求多功能且外型尚須輕薄短小的需求之下，各項電子產(chǎn)品所對應的半導體晶片，不僅其尺寸微縮化，當中的布線密度亦隨之提升，因此后續(xù)在制造半導體晶片封裝體的挑戰(zhàn)亦漸趨嚴峻。其中，晶圓級晶片封裝是半導體晶片封裝方式的一種，是晶圓上所有晶片生產(chǎn)完成后，直接對整片晶圓上所有晶片進行封裝制程及測試，完成之后才切割制成單顆晶片封裝體的晶片封裝方式。
[0003]在半導體晶片尺寸微縮化、布線密度提高的情形之下，晶片的絕緣性質(zhì)是當今晶片封裝技術重要的研發(fā)方向之一，以防止產(chǎn)生錯誤的電性連接。通常使用氧化物作為晶片的絕緣層，但氧化物耗資昂貴，且沉積氧化物的方式繁復且耗時，而降低了制程效率。因此，環(huán)氧樹酯系材料逐漸取代氧化物作為晶片封裝體的絕緣層。
[0004]然而，環(huán)氧樹酯系材料易受重力影響而聚集，其將不利于形成均勻的絕緣層，而大幅降低晶片封裝體的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，本發(fā)明提供一種晶圓涂布系統(tǒng)以及使用此晶圓涂布系統(tǒng)的一種晶片封裝體的制備方法，以形成均勻的絕緣層。
[0006]本發(fā)明的一態(tài)樣提供一種晶圓涂布系統(tǒng)，包含一晶圓底座、一流動性絕緣材料噴灑裝置以及一晶圓傾斜升降銷。晶圓底座具有一乘載部與一旋轉(zhuǎn)部，乘載部裝設于旋轉(zhuǎn)部上，并用以乘載一晶圓，且旋轉(zhuǎn)部用以相對于一預定軸旋轉(zhuǎn)。流動性絕緣材料噴灑裝置位于晶圓底座上方，用以噴灑一流動性絕緣材料至晶圓，而晶圓傾斜升降銷設置使晶圓與重力方向夾一第一銳角。
[0007]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，晶圓傾斜升降銷位于晶圓底座的下方。
[0008]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，晶圓傾斜升降銷位于乘載部與旋轉(zhuǎn)部之間。
[0009]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，晶圓傾斜升降銷控制第一銳角于45度至89度之間。
[0010]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，還包含一加熱器連接至乘載部，以加熱晶圓。
[0011]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，流動性絕緣材料為感光性環(huán)氧樹脂。
[0012]本發(fā)明的一態(tài)樣提供一種晶圓涂布系統(tǒng)，包含一晶圓底座、一流動性絕緣材料噴灑裝置以及一晶圓傾斜升降銷。晶圓底座具有一乘載部與一旋轉(zhuǎn)部，乘載部裝設于旋轉(zhuǎn)部上，并用以乘載一晶圓，且旋轉(zhuǎn)部用以相對于一預定軸旋轉(zhuǎn)。流動性絕緣材料噴灑裝置位于晶圓底座上方，流動性絕緣材料噴灑裝置包含一噴嘴與一噴嘴移動單元。噴嘴設置以噴灑流動性絕緣材料，而噴嘴移動單元連接噴嘴，使噴嘴于晶圓上方軸向來回移動。
[0013]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，晶圓涂布系統(tǒng)還包含一連接桿連接乘載部與噴嘴移動單元。
[0014]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，晶圓涂布系統(tǒng)還包含晶圓傾斜升降銷，設置使晶圓與重力方向夾第一銳角。
[0015]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，還包含一噴嘴移動單元傾斜升降銷設置于乘載部與噴嘴移動單元之間，以使噴嘴移動單元與重力方向夾一第二銳角。
[0016]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，流動性絕緣材料為感光性環(huán)氧樹脂。
[0017]本發(fā)明的另一態(tài)樣提供一種晶片封裝體的制備方法，包含下列步驟:先提供一晶圓，其包含一導電墊、以及相對的一第一表面與一第二表面;接著形成一穿孔自第二表面朝第一表面延伸，以暴露導電墊;再傾斜晶圓，使晶圓與重力方向夾一第一銳角;再旋轉(zhuǎn)晶圓，并噴灑一流動性絕緣材料至晶圓的第二表面上與穿孔中；最后固化流動性絕緣材料。
[0018]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，還包含下列步驟。移除穿孔中的流動性絕緣材料以暴露導電墊，并形成一導電層于第二表面上與穿孔中。再形成一保護層覆蓋導電層后，接著圖案化保護層以形成一開口暴露導電層。最后形成一外部導電連結(jié)于該開口中。
[0019]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，還包含沿著一切割道切割晶圓，以形成一晶片封裝體。
[0020]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，固化流動性絕緣材料的溫度介于35°C至45 0C之間。
[0021]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，第一銳角介于45度至89度之間。
[0022]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，第一銳角介于70度至89度之間。
[0023]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，第一銳角介于85度至89度之間。
[0024]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，傾斜晶圓使流動性絕緣材料自穿孔的一底部流動至穿孔的一側(cè)壁。
[0025]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，流動性絕緣材料為一感光性環(huán)氧樹脂。
[0026]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，固化流動性絕緣材料后還包含水平置放晶圓。
[0027]本發(fā)明的另一態(tài)樣提供一種晶片封裝體的制備方法，包含下列步驟:先提供一晶圓，其包含一導電墊、以及相對的一第一表面與一第二表面;接著形成一穿孔自第二表面朝第一表面延伸，以暴露導電墊，再傾斜晶圓，使晶圓與重力方向夾一第一銳角;旋轉(zhuǎn)晶圓，并使用流動性絕緣材料噴灑裝置噴灑流動性絕緣材料，流動性絕緣材料噴灑裝置包含一噴嘴與一噴嘴移動單元，噴嘴噴灑流動性絕緣材料，而噴嘴移動單元連接噴嘴，使噴嘴于晶圓上方軸向來回移動;最后固化流動性絕緣材料。
[0028]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，晶片封裝體的制備方法還包含傾斜晶圓，使晶圓與重力方向夾第一銳角。
[0029]本發(fā)明不僅提升了晶片封裝體的絕緣性，還能夠避免后續(xù)形成的導電層產(chǎn)生斷線。
【附圖說明】
[0030]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附圖式的詳細說明如下。
[0031]圖1繪式本發(fā)明的部分實施例中，一種晶圓涂布系統(tǒng)的剖面圖；
[0032]圖2繪式本發(fā)明的其他部分實施例中，一種晶圓涂布系統(tǒng)的剖面圖；
[0033]圖3繪式本發(fā)明的其他部分實施例中，一種晶圓涂布系統(tǒng)的剖面圖；
[0034]圖4繪示根據(jù)本發(fā)明部分實施方式的晶片封裝體的制造方法流程圖；
[0035]圖5A?5F繪示本發(fā)明部分實施方式中晶片封裝體在制程各個階段的剖面圖；
[0036]圖6繪示本發(fā)明部分實施方式中晶圓傾斜的示意圖；
[0037]圖7A為圖6的晶片區(qū)位于位置A時，沿著剖線AA的剖面圖；
[0038]圖7B為圖6的晶片區(qū)位于位置B時，沿著剖線BB的剖面圖；
[0039]圖7C為圖6的晶片區(qū)位于位置C時，沿著剖線CC的剖面圖；以及
[0040]圖7D為圖6的晶片區(qū)位于位置D時，沿著剖線DD的剖面圖。
[0041]其中，附圖中符號的簡單說明如下:
[0042]100:晶圓涂布系統(tǒng)510:導電墊
[0043]110:晶圓底座520:第一表面
[0044]112:承載部530:第二表面
[0045]114:旋轉(zhuǎn)部540:穿孔
[0046]116:預訂軸542:右側(cè)壁
[0047]120:晶圓傾斜升降銷544:左側(cè)壁
[0048]130:流動性絕緣材料噴灑裝置546:前側(cè)壁
[0049]132:噴嘴548:后側(cè)壁
[0050]134:噴嘴移動單元550:流動性絕緣材料
[0051]136:方向560:導電層
[0052]138:方向570:保護層
[0053]140:加熱器572:開口
[0054]150:流動性絕緣材料580:外部導電連結(jié)
[0055]160:連接桿595:切割道
[0056]200:晶圓涂布系統(tǒng)610:方向
[0057]300:晶圓涂布系統(tǒng)620:方向
[0058]360:噴嘴移動單元傾斜升降銷A、B、C、D:位置
[0059]410 ?480:步驟T1、T2、T3:厚度
[0060]500:晶圓α:第一銳角
[0061]500a:晶片區(qū)β:第二銳角。
【具體實施方式】
[0062]以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應了解到，這些實務上的細節(jié)不應用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示。
[0063]請先參閱圖1，圖1繪式本發(fā)明的部分實施例中，一種晶圓涂布系統(tǒng)的剖面圖。一晶圓涂布系統(tǒng)100包含一晶圓底座110、一晶圓傾斜升降銷120以及一流動性絕緣材料噴灑裝置130。晶圓底座110包含一承載部112與一旋轉(zhuǎn)部114，其中承載部112裝設于旋轉(zhuǎn)部114上以乘載一晶圓500。而旋轉(zhuǎn)部114用以相對于一預訂軸116旋轉(zhuǎn)。
[0064]晶圓傾斜升降銷120位于晶圓底座110的下方。晶圓傾斜升降銷120可提高或降低晶圓底座110其中一側(cè)的高度，以令使晶圓底座110上的晶圓500與重力方向夾一第一銳角α ο流動性絕緣材料噴灑裝置130則位于晶圓底座110上方，以噴灑流動性絕緣材料150至晶圓500上。
[0065]值得注意的是，晶圓傾斜升降銷120的位置并不以圖1為限。請參閱圖2，圖2繪式本發(fā)明的其他部分實施方式中，一種晶圓涂布系統(tǒng)的剖面圖。在圖2中，與圖1相同的元件使用相同的元件符號，在此不再詳述。圖2的晶圓涂布系統(tǒng)200與圖1的晶圓涂布系統(tǒng)100之間的差別在于，晶圓傾斜升降銷120位于晶圓底座110的乘載部112與旋轉(zhuǎn)部114之間。晶圓傾斜升降銷120提高或降低乘載部112其中一側(cè)的高度，同樣可令使乘載部112上的晶圓500與重力方向夾一第一銳角*:1。
[0066]更詳細的說，流動性絕緣材料150覆蓋晶圓500的表面，還進入晶圓500的穿孔中覆蓋穿孔的底部與側(cè)壁，以作為絕緣層。晶圓500與重力方向之間的第一銳角α使流動性高的流動性絕緣材料150自穿孔的底部流往側(cè)壁，不會在穿孔底部累積過厚的流動性絕緣材料150。同時，此第一銳角α亦避免晶圓500表面的流動性絕緣材料150因重力流的影響而流向穿孔底部，以維持晶圓500良好的絕緣性。在本發(fā)明的部分實施例中，晶圓傾斜升降銷120控制第一銳角α于45度至89度之間。在本發(fā)明的其他部分實施例中，晶圓傾斜升降銷120控制第一銳角α于70度至89度之間。在本發(fā)明的其他部分實施例中，晶圓傾斜升降銷120控制第一銳角(:1于85度至89度之間。
[0067]在噴灑流動性絕緣材料15O的過程中，旋轉(zhuǎn)部114還相對于預定軸116旋轉(zhuǎn)晶圓500，使流動性絕緣材料150能均勻的流往各個方向的側(cè)壁。此外，晶圓涂布系統(tǒng)100還包含一加熱器140連接至承載部112。加熱器140提供熱能至承載部112，以加熱固化噴灑至晶圓500上的流動性絕緣材料150，而完成絕緣層的制備步驟。在本發(fā)明的部分實施例中，旋轉(zhuǎn)部114可依制程需求調(diào)控適當轉(zhuǎn)速，以制備均勻的絕緣層。
[0068]流動性絕緣材料噴灑裝置130包含一噴嘴132與一噴嘴移動單元134。噴嘴132設置以噴灑流動性絕緣材料150，而噴嘴移動單元134設置以使噴嘴132能于晶圓500上方來回軸向移動。具體而言，晶圓500中有多個晶片區(qū)，其在切割后形成獨立的晶片封裝體。在旋轉(zhuǎn)部114相對于預定軸116旋轉(zhuǎn)晶圓500時，噴嘴移動單元134使噴嘴132沿著方向136或方向138來回的軸向移動至此些晶片區(qū)上方，以在每個晶片區(qū)中均勻的噴灑流動性絕緣材料150。
[0069]請繼續(xù)參閱圖1，圖1的晶圓涂布系統(tǒng)100還具有一連接桿160，設置以連接乘載部112與流動性絕緣材料噴灑裝置130的噴嘴移動單元134，因此在傾斜晶圓500的同時會傾斜噴嘴移動單元134，使其與水平面之間具有一第二銳角β。連接桿160使第一銳角α與第二銳角β具有相同的角度，以讓噴嘴132在移動時與晶圓500之間的垂直距離維持恒定，且噴嘴132能以大致垂直的方向噴灑流動性絕緣材料150至晶圓500上的各個晶片區(qū)中。
[0070]在本發(fā)明的其他部分實施例中，第一銳角α可不同于第二銳角β。請先參閱圖3，圖3繪式本發(fā)明的其他部分實施方式中，一種晶圓涂布系統(tǒng)的剖面圖。在圖3中，與圖1相同的元件使用相同的元件符號，在此不再詳述。圖3的晶圓涂布系統(tǒng)300與圖1的晶圓涂布系統(tǒng)100之間的差別在于，晶圓涂布系統(tǒng)300還具有一噴嘴移動單元傾斜升降銷360設置于乘載部112與噴嘴移動單元134之間，其可提高或降低噴嘴移動單元134其中一側(cè)的高度，以令使噴嘴移動單元134與重力方向夾一第一銳角β。噴嘴移動單元傾斜升降銷360使第一銳角α可不同于第二銳角β，因此噴嘴132在移動時與晶圓500之間能具有不同的垂直距離。此外，噴嘴132并非垂直對準晶圓500，而以大致斜向的方向噴灑流動性絕緣材料150至晶圓500上的各個晶片區(qū)中。換句話說，斜向噴灑可增加流動性絕緣材料150于穿孔側(cè)壁上的沉積量，進而減少穿孔底部的流動性絕緣材料150的厚度。
[0071]請接著參閱圖4，圖4繪示根據(jù)本發(fā)明部分實施方式的晶片封裝體的制造方法流程圖。請同時參閱圖5Α?5F以進一步理解晶片封裝體的制備過程，圖5Α?5F繪示晶片封裝體在制程各個階段的剖面圖。
[0072]請先參閱步驟410與圖5Α，提供一晶圓500，其中晶圓500包含一導電墊510、以及相對的一第一表面520與一第二表面530。晶圓500上具有多個晶片區(qū)，在后續(xù)制程后會切割此些晶片區(qū)以形成多個晶片封裝體。在本發(fā)明的部分實施例中，晶圓500包含半導體元件、內(nèi)層介電層(ILD)、內(nèi)金屬介電層(IMD)、鈍化層(passivat1n layer)與內(nèi)金屬結(jié)構(gòu)，其中導電墊510可為內(nèi)金屬結(jié)構(gòu)中的金屬層。
[0073]請繼續(xù)參閱步驟420與圖5B，形成一穿孔540自第二表面530朝第一表面520延伸，并暴露導電墊410。形成穿孔540的方式例如可以是微影蝕刻，但不以此為限。
[0074]請接著參閱步驟430，傾斜晶圓500，使晶圓500與重力方向夾一第一銳角α?？蓪⒕A500置于圖1所示的晶圓涂布系統(tǒng)100的晶圓底座110上，并使用晶圓傾斜升降銷120調(diào)整晶圓底座110—側(cè)的高度，以傾斜晶圓500 ο但本發(fā)明并不以此為限，亦可使用任何合適的方法來傾斜晶圓500，而不影響本發(fā)明的精神。請同時參閱圖6，圖6繪示本發(fā)明部分實施方式中晶圓傾斜的示意圖。為了清楚說明本發(fā)明，圖6只繪示單一晶片區(qū)500a于晶圓500中，但應理解的是，晶圓500具有多個晶片區(qū)，而多條切割道分離此些晶片區(qū)，且晶圓500與重力方向之間夾一第一銳角α。在本發(fā)明的部分實施例中，第一銳角α介于45度至89度之間。在本發(fā)明的其他部分實施例中，第一銳角α介于70度至89度之間。在本發(fā)明的其他部分實施例中，第一銳角α介于85度至89度之間。
[0075]在本實施例中，在晶圓500中形成穿孔540后再傾斜晶圓500，但不以此為限。在本發(fā)明的其他部分實施例中，可在形成穿孔540前就先傾斜晶圓500。
[0076]請繼續(xù)參閱步驟440，旋轉(zhuǎn)晶圓500，并噴灑流動性絕緣材料550至晶圓500的第二表面530上與穿孔540中?？墒褂镁A涂布系統(tǒng)100的流動性絕緣材料噴灑裝置130噴灑流動性絕緣材料550，而旋轉(zhuǎn)部114相對于預定軸116旋轉(zhuǎn)晶圓500，例如可使晶圓500沿方向610或方向620旋轉(zhuǎn)。如前所述，噴嘴132通過噴嘴移動單元134于晶圓500上方軸向來回移動，以均勻噴灑流動性絕緣材料550至各個晶片區(qū)500a中。此外，噴嘴移動單元134與重力方向之間的第二銳角β可相同或不同于第一銳角α。在本發(fā)明的部分實施例中，可依制程需求調(diào)控晶圓500的旋轉(zhuǎn)速度。
[0077]接者請參閱圖7Α至7D以理解噴灑流動性絕緣材料550至晶圓500上的機制。圖7Α至7D為晶圓旋轉(zhuǎn)時，晶片區(qū)500a沿著不同剖線的剖面示意圖。
[0078]請先參閱圖6與圖7A。圖7A為圖6的晶片區(qū)500a位于位置A時，沿著剖線AA的剖面圖。如圖6與圖7A所示，因晶圓500與重力方向夾第一銳角α，流動性高的流動性絕緣材料550會流動聚集至穿孔540的右側(cè)壁542上，增加右側(cè)壁542上的流動性絕緣材料550的厚度，并相應減少穿孔540的左側(cè)壁544上流動性絕緣材料550的厚度。
[0079]接著參閱圖6與圖7B。圖7B為圖6的晶片區(qū)500a位于位置B時，沿著剖線BB的剖面圖。如圖6與圖7B所示，在沿著方向610旋轉(zhuǎn)晶圓500使晶片區(qū)500a移動至位置B時，因晶圓500與重力方向夾第一銳角α，流動性絕緣材料550會流動聚集至穿孔540的前側(cè)壁546，增加前側(cè)壁546上流動性絕緣材料550的厚度。相對的，穿孔540的后側(cè)壁548上的流動性絕緣材料550的厚度減少。
[0080]繼續(xù)參閱圖6與圖7C。圖7C為圖6的晶片區(qū)500a位于位置C時，沿著剖線CC的剖面圖。如圖6與圖7C所示，繼續(xù)沿著方向610旋轉(zhuǎn)晶圓500使晶片區(qū)500a移動至位置C時，因晶圓500與重力方向夾第一銳角α，部分流動性絕緣材料550會自穿孔540的右側(cè)壁542流往左側(cè)壁544，不但進一步增加左側(cè)壁544上的流動性絕緣材料550的厚度，亦相對的減少右側(cè)壁542上的流動性絕緣材料550的厚度，使左側(cè)壁544與右側(cè)壁542上的流動性絕緣材料550具有大致相同的厚度。
[0081 ]最后參閱圖6與圖7D。圖7D為圖6的晶片區(qū)500a位于位置D時，沿著剖線DD的剖面圖。如圖7D所示，繼續(xù)沿著方向610旋轉(zhuǎn)晶圓500使晶片區(qū)500a移動至位置D時，因晶圓500與重力方向夾第一銳角α，部分流動性絕緣材料550會自穿孔540的前側(cè)壁546流往后側(cè)壁548，不但進一步增加后側(cè)壁548上的流動性絕緣材料550的厚度，亦相對的減少前側(cè)壁546上的流動性絕緣材料550的厚度，使前側(cè)壁546與后側(cè)壁548上的流動性絕緣材料550具有大致相同的厚度。
[0082]通過傾斜晶圓500使流動性高的流動性絕緣材料550流往穿孔540的側(cè)壁，以減少在穿孔540底部累積的流動性絕緣材料550，其將有利于后續(xù)制程。同時，此第一銳角α亦避免晶圓500的第二表面530上的流動性絕緣材料550因重力流的影響而流向穿孔540底部，而維持晶圓500良好的絕緣性。此外，可重復圖7Α至7D的步驟數(shù)次，以確保流動性絕緣材料550能均勻的流往各個方向的側(cè)壁上。值得注意的是，為了清楚說明本發(fā)明，圖7Α至7D繪示流動性絕緣材料550噴灑至穿孔540的四個側(cè)壁542、544、546與548的機制。但所屬領域技術人員應理解本發(fā)明并不以此為限，旋轉(zhuǎn)晶圓500為連續(xù)性的動作，以使各個方向的側(cè)壁均具有大致均勻的流動性絕緣材料550。
[0083]在本發(fā)明的其他部分實施例中，可不旋轉(zhuǎn)晶圓500，而在噴灑流動性絕緣材料550時不斷改變傾斜角度。舉例來說，不斷的調(diào)控晶圓傾斜升降銷120以使晶圓底座110上的晶圓500往前、往后、往左、往右或任意的方向傾斜，使流動性絕緣材料550能均勻的流往各個方向的側(cè)壁上。
[0084]請繼續(xù)參閱步驟450與圖5C，固化流動性絕緣材料550。晶圓涂布系統(tǒng)100中的加熱器140提供熱能至乘載臺112，以固化晶圓500中的流動性絕緣材料550。其中固化晶圓500的溫度介于35°C至45°C之間。在本發(fā)明的部分實施例中，在固化流動性絕緣材料550后即水平置放晶圓500，以進行后續(xù)的步驟。例如，再次調(diào)整晶圓傾斜升降銷120使晶圓500平行于水平面。如圖5C所示，在固化后，穿孔540底部上的流動性絕緣材料550具有厚度Tl，穿孔540側(cè)壁上的流動性絕緣材料550具有厚度T2，而第二表面530上的流動性絕緣材料550具有厚度T3。需先說明的是，傾斜晶圓500確保穿孔540的側(cè)壁與第二表面530交界處的流動性絕緣材料550仍維持一定的厚度，并不會流入穿孔540中而累積于穿孔540的底部，因此提升了第二表面530的絕緣性。再者，穿孔540的底部不會累積過厚的流動性絕緣材料550。在本發(fā)明的部分實施方式中，厚度T1、T2與T3大致相同。在本發(fā)明的其他部分實施方式中，厚度T3大于厚度Τ2，而厚度Τ2還大于厚度Tl。
[0085]請接著參閱步驟460與圖5D，移除穿孔540中的流動性絕緣材料550以暴露導電墊510，并形成一導電層560于第二表面530上與穿孔540中。在本實施例中，此流動性絕緣材料550為感光性環(huán)氧樹脂，因此可直接以微影蝕刻方式來圖案化流動性絕緣材料550，而不需使用光阻層即可定義流動性絕緣材料550的圖案。圖案化后，穿孔540底部的流動性絕緣材料550被移除，使導電墊510于穿孔540中暴露出來。接著可利用例如是濺鍍、蒸鍍、電鍍或無電鍍的方式來沉積導電材料于流動性絕緣材料550與穿孔540中的導電墊510上，以形成導電層560。如前所述，傾斜晶圓500能降低穿孔540底部的流動性絕緣材料550的厚度Tl，避免了圖案化過厚的流動性絕緣材料550時產(chǎn)生下切(undercut )，而造成后續(xù)形成的導電層560斷線。在本發(fā)明的部分實施例中，導電層560的材質(zhì)例如可以采用招(aluminum)、銅(copper)、鎳(nickeI)或其他合適的導電材料。
[0086]請接著參閱步驟470與圖5E，形成一保護層570于導電層560上，并圖案化保護層570以形成開口 572暴露導電層560?？赏ㄟ^刷涂環(huán)氧樹脂系的材料于導電層560上，以形成保護層570。接著，再圖案化保護層570以形成開口 572，使部分的導電層560于保護層570的開口 572中暴露出來。
[0087]最后請參閱步驟480，并請參閱圖5F，形成一外部導電連結(jié)580于開口中，并沿著一切割道595切割晶圓500，以形成一晶片封裝體。外部導電連結(jié)580為焊球、凸塊等業(yè)界熟知的結(jié)構(gòu)，且形狀可以為圓形、橢圓形、方形、長方形，并不用以限制本發(fā)明。在形成外部導電連結(jié)580后，沿著切割道595切割晶圓500、流動性絕緣材料550、導電層560與保護層570，以分離晶圓500上個多個晶片區(qū)500a，形成獨立的晶片封裝體。
[0088]由上述本發(fā)明實施例可知，本發(fā)明具有下列優(yōu)點。本發(fā)明提供的晶圓涂布系統(tǒng)可應用于噴灑流動性絕緣材料至晶圓上，以形成絕緣層。在此制程中，傾斜的晶圓使晶圓表面與穿孔側(cè)壁上的流動性絕緣材料不易流動至穿孔的底部，不僅能形成均勻的絕緣層，還提升了晶片封裝體的絕緣性。更重要的是，降低穿孔底部的流動性絕緣材料的厚度使其在圖案化后不易形成下切，進而避免后續(xù)形成的導電層產(chǎn)生斷線。綜前所述，本發(fā)明提供的晶圓涂布系統(tǒng)與晶片封裝體的制備方法能有效提升制程良率，進而大幅減少制程成本。
[0089]以上所述僅為本發(fā)明較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項技術的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎上做進一步的改進和變化，因此本發(fā)明的保護范圍當以本申請的權利要求書所界定的范圍為準。
【主權項】
1.一種晶圓涂布系統(tǒng)，其特征在于，包含: 晶圓底座，具有乘載部與旋轉(zhuǎn)部，該乘載部裝設于該旋轉(zhuǎn)部上，并用以乘載晶圓，且該旋轉(zhuǎn)部用以相對于預定軸旋轉(zhuǎn)； 流動性絕緣材料噴灑裝置，位于該晶圓底座上方，用以噴灑流動性絕緣材料至該晶圓；以及 晶圓傾斜升降銷，設置使該晶圓與重力方向夾第一銳角。2.根據(jù)權利要求1所述的晶圓涂布系統(tǒng)，其特征在于，該晶圓傾斜升降銷位于該晶圓底座的下方。3.根據(jù)權利要求1所述的晶圓涂布系統(tǒng)，其特征在于，該晶圓傾斜升降銷位于該乘載部與該旋轉(zhuǎn)部之間。4.根據(jù)權利要求1所述的晶圓涂布系統(tǒng)，其特征在于，該晶圓傾斜升降銷控制該第一銳角于45度至89度之間。5.根據(jù)權利要求1所述的晶圓涂布系統(tǒng)，其特征在于，還包含加熱器，該加熱器連接至該乘載部，以加熱該晶圓。6.根據(jù)權利要求1所述的晶圓涂布系統(tǒng)，其特征在于，該流動性絕緣材料為感光性環(huán)氧樹脂。7.—種晶圓涂布系統(tǒng)，其特征在于，包含: 晶圓底座，具有乘載部與旋轉(zhuǎn)部，該乘載部裝設于該旋轉(zhuǎn)部上，并用以乘載晶圓，且該旋轉(zhuǎn)部用以相對于預定軸旋轉(zhuǎn)；以及 流動性絕緣材料噴灑裝置位于該晶圓底座上方，該流動性絕緣材料噴灑裝置包含: 噴嘴，設置以噴灑流動性絕緣材料至該晶圓；以及 噴嘴移動單元連接該噴嘴，使該噴嘴于該晶圓上方軸向來回移動。8.根據(jù)權利要求7所述的晶圓涂布系統(tǒng)，其特征在于，還包含連接桿，該連接桿連接該乘載部與該噴嘴移動單元。9.根據(jù)權利要求7所述的晶圓涂布系統(tǒng)，其特征在于，還包含晶圓傾斜升降銷，該晶圓傾斜升降銷使該晶圓與重力方向夾第一銳角。10.根據(jù)權利要求7所述的晶圓涂布系統(tǒng)，其特征在于，還包含噴嘴移動單元傾斜升降銷，該晶圓傾斜升降銷設置于該乘載部與該噴嘴移動單元之間，以使該噴嘴移動單元與重力方向夾第二銳角。11.一種晶片封裝體的制備方法，其特征在于，包含: 提供晶圓，該晶圓包含導電墊、以及相對的第一表面與第二表面； 形成穿孔自該第二表面朝該第一表面延伸，以暴露該導電墊； 傾斜該晶圓，使該晶圓與重力方向夾第一銳角； 旋轉(zhuǎn)該晶圓，并噴灑流動性絕緣材料至該晶圓的該第二表面上與該穿孔中；以及 固化該流動性絕緣材料。12.根據(jù)權利要求11所述的晶片封裝體的制備方法，其特征在于，還包含: 移除該穿孔中的該流動性絕緣材料以暴露該導電墊； 形成導電層于第二表面上與該穿孔中； 形成保護層覆蓋該導電層； 圖案化該保護層以形成開口暴露該導電層；以及 形成外部導電連結(jié)于該開口中。13.根據(jù)權利要求12所述的晶片封裝體的制備方法，其特征在于，還包含沿著切割道切割該晶圓，以形成晶片封裝體。14.根據(jù)權利要求11所述的晶片封裝體的制備方法，其特征在于，固化該流動性絕緣材料的溫度介于35 °C至45 0C之間。15.根據(jù)權利要求11所述的晶片封裝體的制備方法，其特征在于，該第一銳角介于45度至89度之間。16.根據(jù)權利要求11所述的晶片封裝體的制備方法，其特征在于，該第一銳角介于70度至89度之間。17.根據(jù)權利要求11所述的晶片封裝體的制備方法，其特征在于，該第一銳角介于85度至89度之間。18.根據(jù)權利要求11所述的晶片封裝體的制備方法，其特征在于，傾斜該晶圓使該流動性絕緣材料自該穿孔的底部流動至該穿孔的側(cè)壁。19.根據(jù)權利要求11所述的晶片封裝體的制備方法，其特征在于，該流動性絕緣材料為感光性環(huán)氧樹脂。20.根據(jù)權利要求11所述的晶片封裝體的制備方法，其特征在于，固化該流動性絕緣材料后還包含: 水平置放該晶圓。21.—種晶片封裝體的制備方法，其特征在于，包含: 提供晶圓，該晶圓包含導電墊、以及相對的第一表面與第二表面； 形成穿孔自該第二表面朝該第一表面延伸，以暴露該導電墊； 旋轉(zhuǎn)該晶圓，并使用流動性絕緣材料噴灑裝置噴灑流動性絕緣材料，該流動性絕緣材料噴灑裝置包含: 噴嘴，設置以噴灑該流動性絕緣材料至該晶圓的該第二表面上與該穿孔中；以及 噴嘴移動單元連接該噴嘴，使該噴嘴于該晶圓上方軸向來回移動； 以及 固化該流動性絕緣材料。22.根據(jù)權利要求21所述的晶片封裝體的制備方法，其特征在于，還包含: 傾斜該晶圓，使該晶圓與重力方向夾第一銳角。
【文檔編號】H01L21/67GK106067431SQ201610235850
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年4月15日 公開號201610235850.9, CN 106067431 A, CN 106067431A, CN 201610235850, CN-A-106067431, CN106067431 A, CN106067431A, CN201610235850, CN201610235850.9
【發(fā)明人】陳語同, 蘇冠群, 許傳進, 陳鍵輝, 葉曉嵐, 何彥仕
【申請人】精材科技股份有限公司