專利名稱:硅晶片制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及硅晶片的制造方法,它特別能減小當晶片在處理爐中加熱到較高溫度時,從傳送片安裝面伸出的晶片部分的向下彎曲量。
背景技術(shù):
對于普通(100)面的硅晶片,具有標明<011>取向的槽位置的產(chǎn)品(以下稱為<011>槽產(chǎn)品)是主流。
近來為了提高裝置的速度,開始使用旋轉(zhuǎn)45°的晶片而標明<010>或<001>取向的槽位置的產(chǎn)品(以下稱為<010>槽產(chǎn)品)。
如圖1所示,制造(100)面硅晶片時一般是把(100)面晶片3放在單晶片熱處理裝置或氣相生長裝置1的處理爐2內(nèi),然后經(jīng)受熱處理或氣相生長(見JP-A-10-294287)。
如圖2所示,將晶片3送進處理爐2或從中取出是利用傳送片4來進行,此傳送片具有一個安裝面,它只能安裝晶片3的規(guī)定區(qū)域,包括其后面的中心位置(圖2中的陰影區(qū)S)。
當從傳送片4的安裝面伸出的晶片3的部分3a在處理爐2中被加熱到高溫時,它們由于進一步增加的應(yīng)力(如無載重量等)而熱變形,因而可能引起這些部分從傳送片4向下彎曲的現(xiàn)象。
由于晶片3的這些部分從傳送片4向下彎曲,當被處理晶片3從處理爐2向外傳送時,這些彎曲部分3a可能碰上安裝在處理爐周圍的元件(如側(cè)支座等)而損壞晶片。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明人曾研究過從傳送片伸出的晶片各部分的彎曲量,發(fā)現(xiàn)傳送片內(nèi)安裝面的橫向方向和硅晶片結(jié)晶取向之間的相互關(guān)系對彎曲量影響很大。
因此,本發(fā)明的目的是提供一種硅晶片的制造方法,它可通過將晶片的預(yù)定結(jié)晶取向相對傳送片安裝面的橫向方向作適當偏移而減小從傳送片安裝面伸出的各部分(100)面硅晶片的向下彎曲,以避免晶片在從處理爐中傳出時被損壞。
按照本發(fā)明,提供了一種制造硅晶片的方法,它利用具有只能安裝晶片規(guī)定區(qū)域(包括其后面的中心位置)的安裝面的傳送片,將(100)面硅晶片傳送到單晶片熱處理裝置或氣相生長裝置的處理爐中或從爐中傳出,使晶片經(jīng)受熱處理或氣相生長,其中<010>或<001>取向相對于傳送片安裝面的橫向方向偏移一個預(yù)定角度。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中,這個預(yù)定角度不小于25°,同時/或者硅晶片槽位置為<010>或<001>取向。
按照本發(fā)明,從傳送片安裝面伸出的各部分(100)面硅晶片在高溫下的向下彎曲量,可通過把晶片預(yù)定結(jié)晶取向相對于傳送片安裝面的橫向方向作適當偏移而減小,以防止晶片從處理爐向外傳送時被損壞。
現(xiàn)在參照附圖對本發(fā)明加以說明,其中圖1是適合進行按本發(fā)明的硅晶片制造過程的氣相生長裝置示意圖;圖2是將已在處理爐中加熱的晶片放到傳送片上,使得<010>槽產(chǎn)品的<011>取向和傳送片的橫向方向d適合的狀態(tài),圖中(a)為平面視圖,(b)為側(cè)視圖;圖3說明按本發(fā)明的制造過程,并顯示將放在傳送片安裝面上的硅晶片傳送到氣相生長裝置內(nèi)的狀態(tài);圖4是將已在處理爐中加熱的晶片放到傳送片上,使得<010>槽產(chǎn)品的<010>取向和傳送片的橫向方向d適合的狀態(tài)。
具體實施例方式
圖1是適合進行按本發(fā)明的硅晶片制造過程的氣相生長裝置,圖3顯示將放在傳送片安裝面上的硅晶片傳送到氣相生長裝置的處理爐內(nèi)的狀態(tài)。
如圖1所示,氣相生長裝置主要包括用來在硅晶片3上形成單晶外延生長薄膜的處理爐(反應(yīng)爐)2,用來在薄膜形成中加熱晶片3的加熱裝置5(如燈等),安置在處理爐2內(nèi)并在薄膜形成中支撐晶片3的基座6,將晶片3傳送至處理爐2內(nèi)或從中取出的傳送片4,用來通過提升操作引導(dǎo)晶片3從傳送片4至基座6的運動的提升銷7。
本發(fā)明的主要特點是,(100)面硅晶片的預(yù)定結(jié)晶取向相對于傳送片安裝面的橫向方向作適當偏移。更具體地說,<010>或<001>取向相對于傳送片安裝面的橫向方向偏移一個預(yù)定角(最好不小于25°),如圖3所示。利用這個特點,從傳送片安裝面伸出的晶片部分在較高溫度時的向下彎曲量可以減小,以防止被處理晶片在從反應(yīng)爐傳出時遭到損壞。
本發(fā)明人有這樣的體驗當被處理晶片放在傳送片上并從處理爐向外傳送時,從傳送片伸出的晶片部分可能從傳送片向下彎曲,也可能不向下彎曲。目前本發(fā)明人經(jīng)進一步研究發(fā)現(xiàn),只要在傳送片安裝面的伸展方向和晶片規(guī)定結(jié)晶取向之間設(shè)置一個適當大小的角度就足夠了,這構(gòu)成本發(fā)明的內(nèi)容。
圖2(a)和(b)表示將已在處理爐中加熱的晶片放到傳送片上,使得<010>槽產(chǎn)品的<011>取向和傳送片的橫向方向d適合的狀態(tài),而圖4(a)和(b)表示將已在處理爐中加熱的晶片放到傳送片上,使得<010>槽產(chǎn)品的<010>取向和傳送片的橫向方向d適合的狀態(tài)。圖2(a)和4(a)各為平面視圖,而圖2(b)和4(b)各為側(cè)視圖。另外,圖2(a)和4(a)中的“上”和“下”分別表示當晶片熱變形成彎曲波浪形時的安裝位置A和谷位置B。
示于圖2(a)安置狀態(tài)的<011>槽產(chǎn)品的側(cè)面形狀使得位于安裝面上的晶片兩端向下彎曲并處在安裝面上,如圖2(b)所示,因而從傳送片安裝面伸出的晶片部分不從傳送片向下彎曲。
另一方面,圖4(a)安置狀態(tài)的<010>槽產(chǎn)品的側(cè)面形狀使得位于安裝面上的晶片兩端從安裝面向上彎曲,如圖4(b)所示。在這種情況下,位于從傳送片安裝面伸出的晶片部分的端位置和中心位置(見圖4(b))之間的每一中間部分(相當于谷位置B)是從傳送片4向下彎曲。圖4(b)中各接觸部分表示晶片3的彎曲部分與傳送片4側(cè)邊緣相接觸。
因此,在本發(fā)明中,(100)硅晶片的預(yù)定結(jié)晶取向與傳送片安裝面的橫向方向是適當偏移的,更具體地說,<010>或<011>取向相對于傳送片安裝面的橫向方向偏移預(yù)定的角度θ,如圖3所示,這樣就可以防止形成使位于安裝面的晶片兩端向上彎曲(如圖4(b)所示)的側(cè)面形狀。也就是說,可以使從傳送片安裝面伸出的晶片部分的向下彎曲量很小(例如不大于5mm)。
雖然上面是對一個實施例所作的說明,但在本發(fā)明范圍內(nèi)可以作各種更改。
按照本發(fā)明,在較高溫度下從傳送片安裝面伸出的(100)面硅晶片部分的向下彎曲量,可以通過使晶片的預(yù)定結(jié)晶取向與傳送片安裝面橫向方向充分偏移而減小,從而防止晶片在從處理爐向外傳送時被損壞。
權(quán)利要求
1.一種制造硅晶片的方法,它利用具有只能安裝晶片規(guī)定區(qū)域——包括其后面的中心位置——的安裝面的傳送片,將(100)面硅晶片傳送到單晶片熱處理裝置或氣相生長裝置的處理爐中或從爐中傳出,使晶片經(jīng)受熱處理或氣相生長,其中<010>或<001>取向相對于傳送片安裝面的橫向方向偏移一預(yù)定角度。
2.如權(quán)利要求1的硅晶片制造過程,其中預(yù)定角不小于25°。
3.如權(quán)利要求1或2的硅晶片制造過程,其中硅晶片具有<010>或<001>取向的槽位置。
全文摘要
一種制造硅晶片的方法,它利用具有只能安裝晶片規(guī)定區(qū)域——包括其后面的中心位置——的安裝面的傳送片,將(100)面硅晶片傳送到單晶片熱處理裝置或氣相生長裝置的處理爐中或從爐中傳出,使晶片經(jīng)受熱處理或氣相生長,其中<010>或<001>取向相對于傳送片安裝面的橫向方向偏移一預(yù)定角度。
文檔編號H01L21/02GK1924116SQ20061012192
公開日2007年3月7日 申請日期2006年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月26日
發(fā)明者井上和俊, 和田直之 申請人:株式會社上睦可