專利名稱：電鍍方法和接觸凸起裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于電鍍的方法，其中執(zhí)行以下步驟-將導(dǎo)電基本層施加到襯底，-在施加基本層之后施加與該基本層相比具有更好的電導(dǎo)率的輔助層，-在施加輔助層之后施加掩模層，例如抗蝕劑層，-由掩模層形成具有至少一個(gè)掩模開口的掩模，-在掩模開口中電鍍一層。
所述襯底是例如具有一個(gè)金屬化層或具有多個(gè)金屬化層的半導(dǎo)體襯底。通常使用硅半導(dǎo)體襯底。所述金屬化包含例如大于80個(gè)原子百分比的鋁或大于80個(gè)原子百分比的銅。
導(dǎo)電基本層是例如用于增加機(jī)械粘附的粘附促進(jìn)層和/或用于防止擴(kuò)散的擴(kuò)散阻擋層。作為實(shí)例，氮化鈦層用作銅阻擋層。與接觸凸起有關(guān)地，基本層和輔助層在術(shù)語中也被稱為“凸點(diǎn)下金屬化”(UBM)。
銅是非常價(jià)廉的、具有高電導(dǎo)率的材料。從而，銅層很適于在電鍍期間提供電流。因此，銅是通常用作輔助層材料的材料。
掩模層是例如抗蝕劑層，其借助光刻法來構(gòu)圖。例如，由可焊接的材料制成的接觸凸起被電鍍在掩模開口中，該接觸凸起在術(shù)語中也被稱為“焊接凸點(diǎn)”。錫合金，例如尤其是錫鉛合金或可與環(huán)境更兼容的錫銀合金被用作焊接材料。
基本層、輔助層和掩模層優(yōu)選施加到整個(gè)區(qū)域上方。基本層和輔助層通過例如濺射來施加。
在電鍍期間，將要被涂敷的襯底浸入電解槽中并被連接作為陰極。由于由電壓引起的電化學(xué)過程的原因，材料即所謂的陽離子從電解液淀積到襯底上。電解槽中可選的添加劑使得能夠有針對性地影響淀積層的具體特性。
本發(fā)明的目的是給出用于電鍍的改進(jìn)方法，其可尤其用于形成具有良好的機(jī)械特性和電特性的接觸凸起。此外，本發(fā)明將給出具有良好的機(jī)械特性和電特性的接觸凸起。
涉及該方法的目的通過具有專利權(quán)利要求1所指定的方法步驟的方法來實(shí)現(xiàn)。在從屬權(quán)利要求中指定了改進(jìn)方案。
在根據(jù)本發(fā)明的方法的情況下，除了引言中提到的方法步驟之外，還執(zhí)行以下步驟-使用掩?；蚩刮g劑掩模構(gòu)圖輔助層，根據(jù)抗蝕劑掩模基本層沒有被構(gòu)圖或沒有被完全構(gòu)圖，-在構(gòu)圖輔助層之后在抗蝕劑開口中電鍍一層。
本發(fā)明基于以下考慮一方面輔助層是快速電鍍以及均勻?qū)由L所需的。另一方面，淀積層下面的輔助層的殘余物例如相對于侵蝕或相對于特定界面的形成來說通常是干擾性的。因此，在根據(jù)本發(fā)明的方法的情況下輔助層借助抗蝕劑開口下面的掩模來去除，所述掩模是限定電鍍區(qū)無論如何都需要的。然而，在這種情況下，在抗蝕劑開口下面沒有同時(shí)除去基本層?；緦油瑯邮菍?dǎo)電的，由此適于電鍍期間的電流輸送。
由于輔助層存在直到掩模開口為止并用于電流輸送，因此基本層的較低載流能力并不是非常重要的。在與襯底表面相比比較小的電鍍區(qū)中，載流能力隨著淀積層厚度的增加而提高。作為實(shí)例，電鍍區(qū)具有小于襯底表面的40％或小于襯底表面的20％的面積。
由于借助輔助層避免了限制，因此新的層順序可以通過根據(jù)本發(fā)明的方法來電鍍。由此可能特別形成具有良好的電特性，尤其是具有高電遷移阻力，和具有高機(jī)械粘附的接觸凸起。接觸凸起尤其適于倒裝芯片技術(shù)或適于芯片高速裝配技術(shù)，其中使用導(dǎo)電粘合劑或使用導(dǎo)電漆通過焊接、微型焊接或者通過接合來同時(shí)形成多個(gè)連接。
在一個(gè)改進(jìn)方案中，執(zhí)行以下步驟-在初始階段利用一種電流密度來電鍍，-在初始階段之后的主階段，利用與初始階段期間的電流密度相比更高的電流密度來電鍍。
該過程考慮了基本層的較低的載流能力，因?yàn)樵诔跏茧A段在比較低的電流密度的情況下，具有比基本層更大的電導(dǎo)率的層淀積在穿過輔助層的開口的底部。只有當(dāng)該層具有例如對應(yīng)于輔助層的厚度(例如更大的層厚度)的電導(dǎo)率時(shí)，也就是說利用另一材料再次“修理”了輔助層，電流密度才增加到高值以實(shí)現(xiàn)快速電鍍。
在一個(gè)改進(jìn)方案中，初始階段的電流密度小于主階段電流密度的50％。初始階段長于5秒并短于5分鐘。在一個(gè)改進(jìn)方案中，隨著時(shí)間的過去從初始階段向主階段的轉(zhuǎn)變在電流均勻增加的情況下進(jìn)行。在另一個(gè)改進(jìn)方案中，電流密度按照階梯順序倍增，其間使用保持不變的電流密度。還進(jìn)行這些電流密度函數(shù)與電流脈沖的疊加。
在一個(gè)改進(jìn)方案中，主階段的電流密度大于0.2安培每平方分米并小于10安培每平方分米(ASD)，例如0.5A/cm-2。所提到的電流密度值與晶片表面上被敞開的抗蝕劑面積有關(guān)。在另一個(gè)改進(jìn)方案中，執(zhí)行以下步驟-在施加基本層之前施加絕緣層，-在施加基本層之前構(gòu)圖絕緣層并形成接觸開口。
就接觸凸起來說，絕緣層是例如鈍化層，其包含例如氧化硅層和/或氮化硅層。接觸開口位于掩模開口下面以便電鍍。如果掩模開口被選擇為比接觸開口寬一點(diǎn)，則由于絕緣層用作腐蝕停止層，因此便于除去已預(yù)構(gòu)圖的輔助層和位于將要形成的裝置外面的部分基本層的剩余物。
在下一個(gè)改進(jìn)方案中，基本層是抵抗銅擴(kuò)散的阻擋層。輔助層包含銅或者包括銅，由此特別適于饋送電鍍電流。然而，在存在濕氣的情況下銅也是特別侵蝕性的材料，因?yàn)榛旌涎趸锾貏e容易產(chǎn)生，其也被稱為堿性醋酸銅。所述混合氧化物顯著降低了將要形成的裝置中的各層的粘附。在集成電路裝置的操作期間電流電導(dǎo)率也將由此顯著降低。由于輔助層被完全除去了，尤其是在電淀積該層的區(qū)域中或在電淀積這些層的區(qū)域中，因此這些缺點(diǎn)沒有顯露出來，尤其是如果該裝置也不含銅時(shí)。特別地，也不需要任何附加措施來封裝含銅層并由此保護(hù)它們免受濕氣。
在另一個(gè)改進(jìn)方案中，執(zhí)行以下步驟-電鍍基底層，-在電鍍基底層之后電鍍覆蓋層，該基底層包括與該覆蓋層不同的材料。
因此，在隨后的回流過程或?qū)⒁纬傻难b置的機(jī)械特性的改善期間淀積層堆疊，其允許將要獲得的組合效應(yīng)，例如特定化合物的形成。
在一個(gè)改進(jìn)方案中，基底層的材料具有大于500攝氏度的熔點(diǎn)，由此對焊接有抵抗力。覆蓋層的材料具有小于400攝氏度的熔點(diǎn)，由此是可焊接的。
本發(fā)明還涉及接觸凸起裝置，其也被稱為焊接凸點(diǎn)。隨著離集成電路的襯底的距離的增加，該焊接凸點(diǎn)按以下次序包含有-用于橫向電流輸送的導(dǎo)電互連或連接板，其也被稱為連接襯墊并用作垂直電流輸送，也就是說在與襯底主區(qū)域的法線的方向完全相反的方向上，-導(dǎo)電基本層，尤其是粘附促進(jìn)和阻擋層，-鄰近基本層的由具有大于500攝氏度的熔點(diǎn)的材料制成的無銅基底層，-優(yōu)選鄰近基底層的具有小于400攝氏度的熔點(diǎn)的導(dǎo)電焊接材料層。
根據(jù)本發(fā)明的接觸凸起裝置可以通過根據(jù)本發(fā)明的方法或其改進(jìn)方案之一來特別良好地形成。特別地，無銅接觸凸起裝置可以在電鍍期間使用銅輔助層來形成。
在一個(gè)改進(jìn)方案中，基底層包含至少60個(gè)原子百分比的鎳。作為實(shí)例，基底層包括鎳、鎳磷或鎳鉻。鎳與焊接材料例如邊界層中的錫銀一起形成三元化合物，邊界層的厚度受到三元化合物形成期間的自調(diào)節(jié)的限制。因此用于限定邊界層的厚度的附加措施不是必需的。邊界層形成抵抗電遷移的有效阻擋，且另一方面使電阻僅增加到仍可接受的程度。例如作為金屬間相的三元化合物形成一個(gè)復(fù)雜的空間點(diǎn)陣。
在一個(gè)改進(jìn)方案中，互連或連接板包括至少80個(gè)原子百分比的鋁。然而，作為替換，銅用作一種構(gòu)成，并且其比例超過50個(gè)原子百分比。
在一個(gè)改進(jìn)方案中，基本層形成銅的擴(kuò)散阻擋，以便輔助層的銅不滲入互連中。在一個(gè)改進(jìn)方案中，基本層包括鈦鎢或包含鈦鎢，鈦的比例優(yōu)選小于20個(gè)原子百分比。該層的阻擋和粘附特性特別好。然而，其它材料也是適合的，例如鈦、鉭、氮化鈦或氮化鉭，并且這些材料的層組合也是可以的，例如由鈦層、鈦鎢層和鈦層構(gòu)成的層序列。
如果基本層鄰近互連，則沒有其它層位于基本層和互連之間，因此接觸凸起裝置具有簡單的結(jié)構(gòu)。特別地，沒有必須被保護(hù)以抵抗侵蝕的含銅層位于互連和基本層之間。
下面參考附圖來解釋本發(fā)明，其中

圖1A～1B示出焊接凸點(diǎn)形成期間的形成階段，以及圖2示出在淀積鎳基底之后以及在淀積焊接材料之前焊接凸點(diǎn)的平面圖。
圖1A～1B示出焊接凸點(diǎn)10形成期間的形成階段。該方法從襯底12開始進(jìn)行，該襯底12包含例如多個(gè)金屬化層(未示出)和由硅制成的主體。這些金屬化層在所有情況下都包含多個(gè)互連和通過金屬化層內(nèi)的層內(nèi)電介質(zhì)和通過相鄰金屬化層之間的層間電介質(zhì)被絕緣的通孔。多個(gè)半導(dǎo)體部件例如存儲電路或處理器的場效應(yīng)晶體管形成在由硅制成的主體上。
如圖1A所示，上鋁層14施加到襯底12上并使用光刻法來構(gòu)圖，其中形成連接襯墊16。鋁層14以及連接襯墊16具有例如在從500納米到2微米的范圍內(nèi)的厚度，在示例性實(shí)施例中是500納米。連接襯底16具有例如矩形或正方形的基本區(qū)域。在示例性實(shí)施例中，該基本區(qū)域是八邊形的，六邊形的兩個(gè)對邊之間的距離是大約80微米。鋁層14僅包含少量小于5個(gè)原子百分比、例如0.5個(gè)原子百分比的硅添加物，并且如果適當(dāng)?shù)脑捠倾~添加物，特別地是1個(gè)原子百分比。
在構(gòu)圖鋁層14之后，淀積鈍化層18。鈍化層18具有例如在從500納米到1微米的范圍內(nèi)的層厚度，在示例性實(shí)施例中是500納米。鈍化層18包含例如氧化物層和疊加的氮化物層。借助光刻法，在鈍化層18中引入多個(gè)切口以用于焊接凸點(diǎn)，其中一個(gè)切口20在圖1A中示出。切口20同樣是例如八邊形，但具有比連接襯墊16小的直徑。在示例性實(shí)施例中，切口20的直徑是大約60微米。
在形成切口20之后，鈦鎢阻擋層22施加到整個(gè)區(qū)域上方，所述阻擋層的層厚度處于例如從100納米到200納米的范圍內(nèi)。在示例性實(shí)施例中，阻擋層22具有100納米的層厚度。阻擋層22包含例如大于80個(gè)原子百分比的鎢。在示例性實(shí)施例中，鎢的比例是90個(gè)原子百分比以及鈦的比例是10個(gè)原子百分比。阻擋層22通過例如濺射來施加。
在施加阻擋層22之后，由純銅制成的、例如具有大于98個(gè)原子百分比的銅比例的銅層24施加到整個(gè)區(qū)域上方。銅層24的厚度處于例如從80納米到150納米的范圍內(nèi)。在示例性實(shí)施例中，銅層24具有100納米的厚度。作為實(shí)例，銅層24通過濺射來施加。
如圖1A進(jìn)一步所示，例如具有100微米的層厚度的抗蝕劑層26隨后施加到銅層24上。曝光并顯影抗蝕劑層26，在切口20上形成切口28。切口28同樣是八邊形的，但是具有比切口20大一點(diǎn)的直徑。在示例性實(shí)施例中，切口28的直徑是80微米。切口20和28保持彼此共中心。
如圖1A中的虛線30進(jìn)一步所示，在顯影抗蝕劑層26之后，通過根據(jù)由抗蝕劑層26形成的掩模構(gòu)圖銅層24來除去切口28底部的銅。作為實(shí)例，實(shí)行濕法化學(xué)腐蝕，銅層32的鉆蝕(undercut)32是非臨界的，這將在下面更詳細(xì)地解釋。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，由于刻蝕優(yōu)化的原因，切口保持很小并且總計(jì)小于2微米。
如圖1B所示，隨后電淀積鎳基底50，銅層24決定性地用于運(yùn)送切口28外面的電流。只有在切口28的底部處阻擋層20才決定性地用于饋送電流，尤其是在電鍍開始時(shí)。作為實(shí)例，根據(jù)上述電鍍方法，首先僅利用低電流密度比較慢地實(shí)行電鍍。一旦鎳基底50具有類似銅層24的層厚度，在示例性實(shí)施例中即100納米的層厚度，那么就逐漸或逐步轉(zhuǎn)換到更高的電流密度以便更快地電鍍。鎳基底50被淀積成例如具有2微米～5微米的層厚度。在示例性實(shí)施例中，鎳基底的層厚度是3微米。
在淀積鎳基底50期間，鉆蝕32或這些空腔并沒有引起干擾，因?yàn)樵搮^(qū)域中的可能的淀積沒有不利地影響接觸凸起的功能性。
如圖1B進(jìn)一步示出的，隨后電淀積焊接材料52，在開始時(shí)直接使用高電流密度。在示例性實(shí)施例中，焊接材料是被淀積成具有在50～120微米的范圍內(nèi)的層厚度的錫銀焊料。在示例性實(shí)施例中，焊接材料52具有90微米的層厚度。
鎳基底50和焊接材料52的電淀積是共形的。切口20的邊緣54映射為鎳基底50上的邊緣56和焊接材料52上的邊緣58。
圖1C示出在淀積焊接材料52之后，再次除去抗蝕劑層26，以便暴露焊接凸點(diǎn)10。隨后通過濕法化學(xué)或干法化學(xué)方法從阻擋層22除去銅層24的殘余物。然后，如果適當(dāng)?shù)脑捊柚嗤目涛g方法，除去未被鎳基底50覆蓋的區(qū)域中的阻擋層22。在鎳基底50和連接襯墊16之間產(chǎn)生了阻擋層區(qū)域22a。阻擋層區(qū)域22a伸出切口20之外并靠在切口22a附近、例如小于15微米附近的鈍化層18上。相反，在進(jìn)一步遠(yuǎn)離切口20的地方，阻擋層22被除去。
關(guān)于銅層24和阻擋層22的去除，對于銅層24和阻擋層22將最小可能的層厚度選擇到極其大的程度，但是分別不損害它們實(shí)際的電流饋送功能和阻擋功能。
隨后在回流步驟中將焊接凸點(diǎn)10瞬間加熱到400攝氏度的溫度，例如，焊接材料52重新成形為球形形式。尤其包含三元合金錫鎳銀的薄邊界層形成在鎳基底和焊接材料之間的邊界70處。
圖2示出在淀積鎳基底50之后以及在淀積焊接材料52之前焊接凸點(diǎn)10的平面圖。該平面圖是最初攝影的，之前已經(jīng)除去了抗蝕劑層26。鄰近例如重新布線平面的互連80的八邊形連接襯墊16可易于辨別。在鉆蝕32的區(qū)域中鈦鎢阻擋層22是暴露的，其沿圓周方向具有高達(dá)10微米的寬度B1。
鎳基底50被切口28定界，并具有80微米的直徑D。鎳基底50的邊緣56也可易于辨別。
總之適用的是，特別借助于濕法化學(xué)或電鍍回蝕(etching-back)(其也被稱為除去鍍層)在接觸窗口中選擇性地除去輔助層、尤其是銅層。在電鍍回蝕期間，襯底被連接作為從其除去材料的陽極。隨后通過電化學(xué)淀積例如鎳淀積再次形成再處理的(worked-back)區(qū)域。因此，特別地?zé)o銅界面存在于焊接凸點(diǎn)下面。導(dǎo)致下列技術(shù)效應(yīng)-嚴(yán)重干擾例如銅和錫的金屬相形成不再發(fā)生，-在抗蝕劑去除之后，由此可能在某種情況下，在單個(gè)刻蝕步驟中除去UBM(凸點(diǎn)下金屬化)。該刻蝕被優(yōu)化用于除去阻擋，例如鈦或鈦鎢。輔助層和阻擋層優(yōu)選在相同的刻蝕腔室中尤其借助于相同的腐蝕化學(xué)或腐蝕化學(xué)成分來去除。
-焊接凸點(diǎn)的鉆蝕被最小化。
-為了利用接觸窗口除去輔助層，還可以使用與掩模開口內(nèi)的淀積情況相同的電鍍裝置，并且同時(shí)不從該裝置拿掉襯底，-直接在阻擋層上的電鍍，例如鎳電鍍變得可能。
優(yōu)選的應(yīng)用領(lǐng)域是射頻電路和具有超過100個(gè)連接的外殼，其根據(jù)倒裝芯片技術(shù)來安裝。在電化學(xué)淀積焊球或焊接凸點(diǎn)之前，例如鈦層或鈦鎢層的金屬阻擋以及例如銅層的輔助層被施加作為晶片上的整個(gè)區(qū)域電極。這兩層可被認(rèn)為是UBM(凸點(diǎn)下金屬化)并例如通過磁控管濺射或電子束蒸發(fā)來施加。
阻擋層防止焊接材料的金屬相互擴(kuò)散進(jìn)入晶片上的互連中。輔助層用作用于電鍍工藝的載流接觸形成層。
在光刻之后，已打開的抗蝕劑接觸窗口準(zhǔn)備用于填滿凸點(diǎn)金屬化。電鍍工藝開始于變濕或預(yù)變濕步驟以便利用電解液均勻地弄濕接觸。打算生長的第一金屬層是鎳，例如具有2～5微米的厚度或具有在5微米到100微米的范圍內(nèi)的厚度、尤其是具有大于40微米的厚度的所謂的接線柱(stud)。隨后淀積厚度高達(dá)50微米或高達(dá)150微米的焊料金屬化。
在抗蝕劑去除之后，必須再次除去阻擋層和輔助層。這里采用濕法化學(xué)法。在濕法腐蝕的過程中，不會產(chǎn)生由于上述過程而引起的不希望有的鉆蝕和侵蝕，因此焊球仍很好地粘附在晶片表面。
特別地，在由銅制成的輔助層的情況下，避免了銅以及錫的嚴(yán)重金屬間相的形成和相關(guān)的銅在錫銀焊料中的完全溶解以及細(xì)孔在阻擋界面處的形成。有效防止了凸點(diǎn)脫落和系統(tǒng)失效。
權(quán)利要求
1.一種用于電鍍的方法，具有以下步驟將導(dǎo)電基本層(22)施加到襯底(12)，在施加基本層(22)之后施加與該基本層(22)相比具有更好的電導(dǎo)率的輔助層(24)，在施加輔助層(24)之后施加掩模層(26)，由掩模層(26)形成具有至少一個(gè)掩模開口(28)的掩模，使用該掩模構(gòu)圖輔助層(24)，根據(jù)該掩?；緦?22)沒有被構(gòu)圖或沒有被完全構(gòu)圖，在構(gòu)圖輔助層(24)之后在掩模開口(28)中電鍍至少一層(50、52)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于以下步驟在初始階段利用一種電流密度來電鍍，在初始階段之后的主階段，利用與初始階段期間的電流密度相比更高的電流密度來電鍍。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于初始階段的電流密度具有小于主階段電流密度的50％的值，和/或初始階段長于5秒和/或短于5分鐘，和/或主階段的電流密度大于0.2安培每平方分米和/或小于10安培每平方分米。
4.如前面權(quán)利要求中的一個(gè)所述的方法，其特征在于以下步驟在施加基本層(22)之前施加絕緣層(18)，在施加基本層(22)之前構(gòu)圖絕緣層(18)并形成接觸開口(20)，并且優(yōu)選在接觸開口(20)中施加部分基本層(22)。
5.如前面權(quán)利要求中的一個(gè)所述的方法，其特征在于基本層(22)是抵抗銅擴(kuò)散的阻擋層，以及輔助層(24)包含銅或包括銅。
6.如前面權(quán)利要求中的一個(gè)所述的方法，其特征在于以下步驟電鍍基底層(50)，在電鍍基底層(50)之后電鍍覆蓋層(52)，該基底層(50)包括與該覆蓋層(52)不同的材料。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于基底層(50)的材料具有大于500攝氏度的熔點(diǎn)，以及覆蓋層(52)的材料具有小于400攝氏度的熔點(diǎn)。
8.如前面權(quán)利要求中的一個(gè)所述的方法，其特征在于構(gòu)圖輔助層通過電鍍法優(yōu)選在與在掩模開口(28)中電鍍所述層(50、52)相同的裝置中進(jìn)行。
9.一種接觸凸起裝置(10)，其隨著離集成電路的襯底(12)的距離的增加而按以下次序包含導(dǎo)電互連(16)或連接板，導(dǎo)電基本層(22)，鄰近基本層(22)的由具有大于500攝氏度的熔點(diǎn)的材料制成的無銅基底層(50)，具有小于400攝氏度的熔點(diǎn)的導(dǎo)電焊接材料層(52)。
10.如權(quán)利要求9所述的接觸凸起裝置(10)，其特征在于基底層(50)包括鎳或鎳磷、或包含至少60個(gè)原子百分比的鎳。
11.如權(quán)利要求9或10所述的接觸凸起裝置(10)，其特征在于由二元或多相化合物制成的、尤其是由三元化合物制成的邊界層存在于基底層(50)和焊接材料層(52)之間的邊界處。
12.如權(quán)利要求9～11中的一個(gè)所述的接觸凸起裝置(10)，其特征在于互連(16)或連接板包含至少80個(gè)原子百分比的鋁，或者互連(16)或連接板包含大于50個(gè)原子百分比的銅，和/或焊接材料層(52)包括錫合金，尤其是錫銀合金或錫鉛合金或錫銀銅合金或錫銀鉍合金，或包含錫合金，尤其是錫銀合金或錫鉛合金或錫銀銅合金或錫銀鉍合金，和/或基本層(22)形成銅的擴(kuò)散阻擋，和/或基本層(22)包括鈦鎢或包含鈦鎢，鈦的比例優(yōu)選小于20個(gè)原子百分比，和/或基本層包括由多個(gè)部件層構(gòu)成的層堆疊，該層堆疊包括下述層中的至少一層鈦層、鉭層、氮化鈦層、氮化鉭層、鎢層、鈦鎢層或氮化鈦鎢層。
13.如權(quán)利要求9～12中的一個(gè)所述的接觸凸起裝置(10)，其特征在于基本層(22)鄰近互連(16)或連接板，和/或基底層(50)鄰近焊接材料層(52)。
14.如權(quán)利要求9～13中的一個(gè)所述的接觸凸起裝置(10)，其特征在于具有切口(20)的電絕緣層(18)，其中設(shè)置了至少部分基本層(22)和部分基底層(50)。
全文摘要
本發(fā)明尤其涉及用于電鍍的方法，包括例如借助抗蝕劑(26)構(gòu)造銅層(24)。置于所述銅層(24)下面的阻擋層(22)用于向沒有銅層的區(qū)域提供電鍍電流。本發(fā)明方法使形成高質(zhì)量的焊接凸點(diǎn)成為可能。
文檔編號H01L21/288GK1886828SQ200480035207
公開日2006年12月27日 申請日期2004年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月29日
發(fā)明者J·赫爾內(nèi)德, H·托爾維斯滕 申請人:英飛凌科技股份公司