專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體裝置，尤其是，涉及可降低配置在印刷電路基板等電路基板上時的配線電阻，同時可以有效散放半導(dǎo)體集成電路上產(chǎn)生的熱的半導(dǎo)體集成電路。
背景技術(shù)：
在以往的半導(dǎo)體裝置中，作為半導(dǎo)體集成電路的內(nèi)部電極的地線或電源電極的取出口，一般被配置在半導(dǎo)體集成電路的周邊部分，為此需要從半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部的元件引出非常細(xì)的鋁或銅的金屬配線，連接到配置在半導(dǎo)體集成電路的周邊部上的電極取出口。另外，在連接半導(dǎo)體集成電路的電極取出口和印刷電路基板等電路基板的電極時，或者用金或鋁或銅的金屬絲接合半導(dǎo)體集成電路的電極和銅合金等被稱為引線的金屬板或凸塊或接合區(qū)，或者用金、焊錫、錫等的凸塊接合，而且為了保護(hù)半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體集成電路的電極和引線或凸塊或者接合區(qū)的接合部、引線或凸塊或接合區(qū)等免受機械應(yīng)力等，用環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等合成樹脂進(jìn)行密封。
還有，偶爾也在半導(dǎo)體集成電路的中央附近設(shè)置內(nèi)部電極的取出口，并從這個部位引出金屬絲連接于引線上。
圖17是表示以往半導(dǎo)體裝置一例的截面模式圖，但并不是記載于特定的專利文獻(xiàn)上的例子。半導(dǎo)體裝置1的由硅等構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路(IC芯片)10通過粘接劑或焊錫被安裝到裸片焊墊12上，而且在圖中上部，即其有源面上形成有保護(hù)膜26，同時通過該保護(hù)膜26的多個電極取出口22、24連接于半導(dǎo)體集成電路10的、一端與內(nèi)部電極相連的金屬配線20的另一端的金屬絲18，和引線16相連。另外為了保護(hù)該半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體集成電路的電極和引線18(或凸塊或接合區(qū))的接合部、以及引線(或凸塊或接合區(qū))免受機械應(yīng)力等，形成為用環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺等合成樹脂保持的結(jié)構(gòu)，即被樹脂封裝28的結(jié)構(gòu)。
如上所述，以往的半導(dǎo)體裝置1中，因為需用非常細(xì)的金屬配線20連接半導(dǎo)體集成電路10的內(nèi)部電極(內(nèi)部元件)至配置在半導(dǎo)體集成電路的周邊部的電極取出口22，并且從半導(dǎo)體集成電路10的電極取出口22、24引出金屬絲18與引線16連接，因此配線長度變長，導(dǎo)致電阻值增加，成了特性惡化的主要原因。
另外，在半導(dǎo)體集成電路的中央附近設(shè)置有電極取出口構(gòu)造的半導(dǎo)體集成電路中，雖然能使配線電阻略低于上述構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置，但是必須用金屬細(xì)線連接電極取出口和引線而且該細(xì)線長度較長，因此會導(dǎo)致電阻值的增大，成了特性惡化的主要原因。
最近半導(dǎo)體集成電路芯片中，隨著集成度的增加，半導(dǎo)體集成電路的微細(xì)化也日益加深，金屬配線、金屬細(xì)線也逐漸變細(xì)，而由此引起的特性惡化也正在日益顯著。
還有，在半導(dǎo)體裝置中，已知的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造是，在IC芯片上設(shè)置金屬突起(金屬凸塊)，在該金屬突起上載置金屬構(gòu)件(金屬棒)，然后通過非導(dǎo)電性粘接等固定雙方，使金屬棒端部露出(參照特開平7-66332號公報)，然而這是專門以散熱為目的的結(jié)構(gòu)，金屬棒沒有連接到IC芯片的電極。
另外，半導(dǎo)體集成電路芯片中由于集成度的增加，其處理速度也變得非?？?，然而隨著半導(dǎo)體集成電路的集成度和處理速度的提高，單位時間內(nèi)流動的電流量也在增加，因此其放熱量也有增加的趨勢。
半導(dǎo)體集成電路的放熱量一增加，漏電流就會增大，不但會發(fā)生可靠性下降的問題，而且因半導(dǎo)體裝置的各要素間的熱膨脹率差會引發(fā)各要素間產(chǎn)生間隙。這些間隙不僅會導(dǎo)致接觸不良，而且也會使水分等異物從外部侵入，如果半導(dǎo)體裝置在該狀態(tài)下進(jìn)行放熱，則還會產(chǎn)生因侵入到內(nèi)部的水分等異物的膨脹而破壞半導(dǎo)體裝置的問題。
還有，在高集成度的半導(dǎo)體裝置中，由于半導(dǎo)體裝置的輸出入用電極(焊墊)和電源用電極個數(shù)較多，電極間隔會變狹，所以引線必然也會變細(xì)，從此會引發(fā)散熱性不好的問題。
因此，以往提出過如下的散熱方法。
(1)使裸片焊墊露出于半導(dǎo)體裝置的表面或背面，從露出后的裸片焊墊向印刷電路板和電子設(shè)備的框體散熱的散熱方法。(參照特開2002-100709號公報，特開平9-260568號公報)。
(2)把裸片焊墊和內(nèi)引線連接，在連接后的內(nèi)引線上介以絕緣層接合散熱板，進(jìn)行印刷電路板的散熱的散熱方法(參照特開平8-55947號公報)(3)用帶狀粘接劑接合裸片焊墊和全部引線，通過引線向印刷電路板散熱的散熱方法(參照特開平5-144991號公報)。
(4)IC芯片上設(shè)置金屬制突起部(金層凸塊)，并分別載置金屬部件(金屬棒)，在其上接合被稱為散熱片的銅板，使該散熱片露出于半導(dǎo)體裝置的表面，并從該露出了的散熱片向印刷電路板和電子設(shè)備的框體散熱，或者在裸片焊墊背面也設(shè)置金屬部件后從露出了的金屬部件，向印刷電路板和電子設(shè)備的框體散熱的散熱方法(參照特開平7-66332號公報)。
但是，在從上述(1)的半導(dǎo)體集成電路背面?zhèn)韧ㄟ^裸片焊墊散熱時，作為接合半導(dǎo)體集成電路和裸片焊墊的方法，一般使用導(dǎo)電性的粘接劑、絕緣性的粘接劑、焊錫等。在用這些粘接劑或焊錫接合半導(dǎo)體集成電路和裸片焊墊時，如果采用以往的制造技術(shù)，則完全消除粘接劑和焊錫中含有空隙是非常困難的，而且，在用粘接劑接合半導(dǎo)體集成電路和裸片焊墊時，因把半導(dǎo)體裝置安裝到電路基板上時的熱應(yīng)力，有時也會在半導(dǎo)體集成電路和裸片焊墊之間發(fā)生剝離。為此，存在半導(dǎo)體裝置的散熱特性偏差較大、或特性發(fā)生變化的缺點。另外，以往從半導(dǎo)體集成電路的背面?zhèn)韧ㄟ^裸片焊墊散熱時，具有散熱路線變長的傾向，接合面-殼體間熱阻也會提高。因此，即使半導(dǎo)體裝置整體的放熱容許損耗滿足了要求，也會由半導(dǎo)體集成電路的局部放熱而導(dǎo)致熱損壞。
在上述(2)的「把裸片焊墊和內(nèi)引線連接，在連接后的內(nèi)引線上通過絕緣層接合散熱板進(jìn)行印刷電路板的散熱」的情形和(3)「以帶狀粘接劑接合裸片焊墊和全體引線，并通過引線向印刷電路板散熱」的情形中，半導(dǎo)體裝置中的散熱路線比上述(1)的情況長，因此存在熱阻變大的問題。
在上述(4)的情況下，由IC芯片發(fā)生的熱從金屬突起通過金層構(gòu)件以最短距離向外部散熱，且IC芯片上設(shè)置金屬制品突起(金屬凸塊)，并在其上載置金屬構(gòu)件(金屬棒)，之后用非導(dǎo)電性粘接劑等固定雙方，由于這種構(gòu)造復(fù)雜，制造也麻煩，成本也較高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是為了解決以往半導(dǎo)體裝置中的上述問題而作出的，其第1目的在于，大幅度地改善從半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部的元件到印刷電路基板等外部端子之間的配線電阻，把特性惡化控制在最小限度。
本發(fā)明第2目的在于，使始于半導(dǎo)體集成電路的放熱路徑達(dá)到最短化，大幅減少接合面-殼體間的熱阻。
本發(fā)明第3目的在于，排除因半導(dǎo)體集成電路和裸片焊墊接合狀態(tài)的偏差而引起的散熱特性惡化。
本發(fā)明第4目的在于，提高對半導(dǎo)體集成電路內(nèi)局部放熱的耐熱破壞性。
本發(fā)明之1是半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體集成電路、和連接該半導(dǎo)體集成電路的電極端子和基板電極的導(dǎo)電機構(gòu)，且已進(jìn)行樹脂密封，其特征是，具有在上述半導(dǎo)體集成電路上依次層疊設(shè)置的保護(hù)膜及金屬膜，且使該金屬膜在半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟纳鲜雒芊鈽渲冻觥?br>
本發(fā)明之2是半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體集成電路、和連接該半導(dǎo)體集成電路的電極端子和基板電極的導(dǎo)電機構(gòu)，且已進(jìn)行樹脂密封，其特征是，具有在上述半導(dǎo)體集成電路上依次層疊設(shè)置的保護(hù)膜及金屬膜，且該金屬膜在上述保護(hù)膜的開孔部分和半導(dǎo)體集成電路的內(nèi)部電極相連接，而且使該金屬膜在上述半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟纳鲜雒芊鈽渲冻觥?br>
本發(fā)明之3是半導(dǎo)體裝置，其特征是，在本發(fā)明之1或2所述的半導(dǎo)體裝置中，上述金屬膜具備應(yīng)力緩和層。
本發(fā)明之4是半導(dǎo)體裝置，其特征是，在本發(fā)明之3所述的半導(dǎo)體裝置中，上述金屬膜由第1和第2的金屬膜構(gòu)成，該第1和第2的金屬膜介以上述應(yīng)力緩和層至少在1個地方相連接，且使上述第2金屬膜在半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟纳鲜雒芊鈽渲冻觥?br>
本發(fā)明之5是半導(dǎo)體裝置，其特征是，在本發(fā)明之1或2所述的半導(dǎo)體裝置中，具有接合于上述第1金屬膜的金屬板，而且使該金屬板在上述半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟拿芊鈽渲冻觥?br>
本發(fā)明之6是半導(dǎo)體裝置，其特征是，在本發(fā)明之3或4所述的半導(dǎo)體裝置中，具有接合于上述第2金屬膜的金屬板，而且使該金屬板在上述半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟拿芊鈽渲冻觥?br>
本發(fā)明之7是半導(dǎo)體裝置，其特征是，在本發(fā)明之1到6的任一項所述的半導(dǎo)體裝置中，上述第1和第2的金屬膜由金、鋁、銅或以這些作為主要成分的合金構(gòu)成，上述應(yīng)力緩和層是聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、其他的合成彈性體(elastomer)或塑性體(plastomer)。
本發(fā)明之8是半導(dǎo)體裝置，其特征是，在本發(fā)明之1到7的任一項所述的半導(dǎo)體裝置中，具有裝載了半導(dǎo)體集成電路的裸片焊墊(ダイパツド)，且使該裸片焊墊在半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟纳鲜雒芊鈽渲冻觥?br>
本發(fā)明之9是半導(dǎo)體裝置，其特征是，在本發(fā)明之1到8的任一項所述的半導(dǎo)體裝置中，在半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟纳鲜雒芊鈽渲冻龅慕鹨酝獾慕饘倌せ蚪饘侔宓谋砻嫔暇哂绣兏矊印?br>
如果采用本發(fā)明，(1)就能夠從半導(dǎo)體裝置內(nèi)部的半導(dǎo)體集成電路任意的地點以最短距離使內(nèi)部電極與基板電極接合，能使配線電阻非常小。因此，可使高速且小型化的半導(dǎo)體裝置穩(wěn)定工作。
(2)由于在金屬膜上具備應(yīng)力緩和膜，能提高對半導(dǎo)體集成電路內(nèi)的局部放熱的耐熱破壞性。即，可以緩和因半導(dǎo)體集成電路中產(chǎn)生的熱所引起的半導(dǎo)體裝置內(nèi)部的熱應(yīng)力，能防止因結(jié)合的各要素間的剝離等引起的故障。
(3)能從半導(dǎo)體集成電路表面?zhèn)鹊拇蟛糠置?，以最短距離散放在半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)生的熱。即，可使半導(dǎo)體集成電路的放熱路徑達(dá)到最短，能夠大幅度減少接合面-殼體間的熱阻。
(4)因為主要從半導(dǎo)體集成電路側(cè)進(jìn)行散熱，所以能排除以往因接合半導(dǎo)體集成電路和裸片焊墊的粘接劑中的空隙引起的、由半導(dǎo)體集成電路和裸片焊墊的接合狀態(tài)偏差所引起的散熱特性惡化。
(5)還能從半導(dǎo)體集成電路的背面?zhèn)冉?jīng)過裸片焊墊散熱，能夠進(jìn)一步提高熱效率。
圖1是表示本發(fā)明第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖2是表示本發(fā)明第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖3是表示本發(fā)明第3實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖4是表示本發(fā)明第4實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖5是表示本發(fā)明第5實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖6是表示本發(fā)明第6實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖7是表示本發(fā)明第7實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖8是表示本發(fā)明第8實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖9是本發(fā)明第9實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖10是本發(fā)明第10實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖11是本發(fā)明第11實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖12是本發(fā)明第12實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖13是本發(fā)明第13實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖14是本發(fā)明第14實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖15是本發(fā)明第15實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖16是本發(fā)明第16實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
圖17是表示以往的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。
具體實施例方式
參照
本發(fā)明的實施方式。
圖1是表示本發(fā)明第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖，在和以往的構(gòu)件相同處附加相同號碼。即，半導(dǎo)體裝置1的半導(dǎo)體集成電路10通過粘接劑或焊錫被安裝在裸片焊墊12上，而且在圖中上部，就是其有源面上形成有保護(hù)膜26。另外，經(jīng)過該保護(hù)膜26的多個電極取出口22、24與半導(dǎo)體集成電路10的金屬配線20連接的金屬絲18，連接到引線16上，且半導(dǎo)體集成電路10、裸片焊墊12、金屬絲18、金屬配線20、以及保護(hù)膜26等被環(huán)氧樹脂28所密封。
在這里，本實施方式中，在半導(dǎo)體集成電路10的有源面上除以往的電極取出口22、24外，在半導(dǎo)體集成電路10的任意地點，在一處或多處設(shè)置有取出半導(dǎo)體集成電路的地線或電源線中至少一個的電極取出口32，并且該部分的保護(hù)膜26被予以去除。
在保護(hù)膜26上，進(jìn)行和半導(dǎo)體集成電路10的外部端子的連接的電極取出口32以外的除去保護(hù)膜26開孔部的部分，用蒸鍍法或鍍覆法形成由金、鋁、銅或以這些為主要成分的合金制成的金屬膜。所形成的金屬膜的大小優(yōu)選為，進(jìn)行和半導(dǎo)體集成電路的外部端子的連接的電極取出口32以外的除去保護(hù)膜開孔部的區(qū)域的大約60～80％。由此，半導(dǎo)體集成電路的地線或電源線中的任一個和形成在保護(hù)膜26上的金屬膜30接合。
該金屬膜30從覆蓋半導(dǎo)體裝置1的環(huán)氧樹脂28露出，通過連接該露出了的金屬膜30和印刷電路基板的電極(未圖示)，無須使用如以往那樣長的金屬配線就能夠連接在半導(dǎo)體集成電路10的電極(電源或接地電極)。另外，能通過金屬膜30使半導(dǎo)體集成電路10中發(fā)生的熱向外部擴散。即，該金屬膜30從覆蓋半導(dǎo)體裝置1的環(huán)氧樹脂28露出，借助該露出的金屬膜30，可使在半導(dǎo)體集成電路10上產(chǎn)生的熱向所接合的電子設(shè)備的框體等或者向大氣中散熱。
圖2是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置第2實施方式的截面模式圖。在本實施方式中，基本構(gòu)造和圖1所示的半導(dǎo)體裝置相同，只是，在代替第1實施方式的半導(dǎo)體裝置1中的金屬膜30的、為了緩和半導(dǎo)體集成電路10和半導(dǎo)體裝置1的露出部的應(yīng)力而形成于保護(hù)膜26上的金屬膜30a上，再設(shè)置聚酰亞胺等應(yīng)力緩和膜34，進(jìn)而在其上用蒸鍍法或鍍覆法等形成由金、鋁、銅或以這些為主要成分的合金制成的金屬膜30b。從半導(dǎo)體集成電路看，上層的金屬膜30b從密封半導(dǎo)體裝置1的環(huán)氧樹脂28露出，連接該露出的金屬膜30b和印刷電路基板的電極(未圖示)，下層的金屬膜30a和上層的金屬膜30b至少在一個地方相連接。按照這種構(gòu)成，就能和上述第1實施方式同樣無須使用如以往那樣長的金屬配線，也把半導(dǎo)體集成電路10的內(nèi)部電極(內(nèi)部元件)連接到電源或地線上。另外，由于上層金屬膜30b從覆蓋半導(dǎo)體裝置1的環(huán)氧樹脂28露出，并把該露出的金屬膜30b連接到電子設(shè)備的框體等，且下層金屬膜30a和上層金屬膜30b至少在一個地方連接，因此可以通過金屬部分傳導(dǎo)半導(dǎo)體集成電路10中發(fā)生的熱，可散熱到和上層金屬膜30b接合的電子設(shè)備的框體等。另外，因為具備應(yīng)力緩和層34，不會因半導(dǎo)體裝置1動作時和非動作時的反復(fù)的加熱和冷卻，并由該裝置1內(nèi)部各要素間熱膨脹率之差而造成接合部分局部剝離并由此引起損壞半導(dǎo)體裝置1或者造成連接不良等問題。
圖3是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置第3實施方式的截面模式圖。本實施方式是在第1實施方式的半導(dǎo)體裝置1上的金屬膜30上配置了金、銅等金屬板40的構(gòu)造。這種構(gòu)造中，半導(dǎo)體集成電路10到半導(dǎo)體裝置1的表面或者背面有一定距離，適合于若將金屬膜30露出在半導(dǎo)體裝置1的表面或背面無論在生產(chǎn)性方面還是經(jīng)濟角度都不令人滿意的場合，在金屬膜上接合由金、鋁、銅或者以這些為主要成分的合金制成的金屬板，然后使該金屬板露出于半導(dǎo)體裝置的表面或背面。
按照該構(gòu)成，和上述第1實施方式相同，能把半導(dǎo)體集成電路10的內(nèi)部電極連接到電源或接地線而無須使用如以往那樣長的金屬配線。
因為金屬板40能起到散熱片的作用，能夠進(jìn)一步促進(jìn)半導(dǎo)體集成電路中發(fā)生的熱的散放。這時，金屬膜30和金屬板40的接合優(yōu)選為金-錫接合、高溫焊錫接合，而且露出的金屬板40的表面，在金屬板40由金以外的材料構(gòu)成的情況下優(yōu)選對其實施鍍金或錫焊、鍍錫。如果采用該構(gòu)成，可以利用金屬板40的熱容暫時地積累熱量，同時能從其表面向外部排出，所以能更有效地進(jìn)行散熱。
圖4是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的第4實施方式的截面模式圖。
該實施方式中構(gòu)成為在第2實施方式的上層金屬層30b上配置了第3實施方式的金膜板40的構(gòu)造。
也就是說，在形成于保護(hù)膜26上的金屬膜30a的上面進(jìn)一步設(shè)置聚酰亞胺等應(yīng)力緩和膜34，而且其上面用蒸鍍法、或鍍覆法等形成由金、鋁、銅或以這些為主要成分的合金制成的金屬膜30b，在其上再配置金屬板40。這時，下層金屬膜30a和上層金屬膜30b也至少在一個地方連接。
因此，該實施方式的半導(dǎo)體裝置1，同時具備第2和第3實施方式具備的上述作用效果。即，在把半導(dǎo)體集成電路10連接到電源或接地線時無須使用如以往那樣長的金屬配線，同時還借助作為散熱片的金屬板40，可以進(jìn)一步促進(jìn)半導(dǎo)體集成電路的散熱，而且可利用應(yīng)力緩和膜34緩和金屬板40中因半導(dǎo)體放熱而產(chǎn)生的熱應(yīng)力，所以能可靠地防止接合部的剝離和間隙的形成，能夠在不損壞半導(dǎo)體裝置1的條件下進(jìn)行穩(wěn)定的動作。
圖5是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置1的第5實施方式的截面模式圖。該實施方式中構(gòu)成為，在第4實施方式中使裸片焊墊12下方從密封用環(huán)氧樹脂露出，裝配時裸片焊墊12直接接觸于電路基板。在該構(gòu)成中，半導(dǎo)體集成電路10中發(fā)生的熱可通過裸片焊墊12釋放到電路基板，除此以外，也能從金屬膜30a、30b及金屬板40向外部散熱，因此其散熱效率得到了進(jìn)一步的提高。
圖6是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置1的第6實施方式的截面模式圖，其中，使圖5所示的半導(dǎo)體裝置1中的裸片焊墊12、半導(dǎo)體集成電路10、保護(hù)膜26、第1金屬膜30a、應(yīng)力緩和膜34、第2金屬膜30b、以及金屬板40上下倒向配置，并經(jīng)過金屬絲18連接到引線16。
這個構(gòu)造中，因為金屬板直接連接到印刷電路基板，所以能夠進(jìn)一步降低配線電阻，而且，在這個構(gòu)造中，除了第5實施方式所具有的散熱效果外，由于裝配時金屬板直接接觸于印刷電路基板，所以半導(dǎo)體集成電路10中發(fā)生的熱能通過金屬板40向電路基板釋放，同時因裸片焊墊12從密封用環(huán)氧樹脂露出，因此半導(dǎo)體集成電路10中發(fā)生的熱也可從裸片焊墊12通過與其接合的電子設(shè)備框體等向外部釋放。所以，如果采用該構(gòu)成，就能夠更加有效地進(jìn)行散熱。
圖7是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置1的第7實施方式的截面模式圖，其中，使圖4所示的半導(dǎo)體裝置1中的裸片焊墊12、半導(dǎo)體集成電路10、保護(hù)膜26、第1金屬膜30a、應(yīng)力緩和膜34、第2金屬膜30b、金屬板40上下倒向配置，并經(jīng)過金屬絲18連接到引線16。
在該構(gòu)造中，也因為金屬板直接與印刷電路基板連接，能以更短距離與電路基板的電極連接，能降低該部分電阻，同時可經(jīng)過金屬板40使在半導(dǎo)體集成電路10發(fā)生的熱向印刷電路基板散放。其他的作用效果和在圖4中所記載的內(nèi)容相同。
圖8是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置1的第8實施方式的截面模式圖，在該實施方式中，把金屬絲18和裸片焊墊12接合，而且在裸片焊墊12的下側(cè)設(shè)置多個凸塊42，然后經(jīng)過該多個凸塊42連接于印刷電路基板的電極。其他的構(gòu)成相同于圖5所示的半導(dǎo)體裝置1，其作用效果也相同。
圖9～圖16分別為表示本發(fā)明第9～第16實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面模式圖。第9～第16實施方式除了第1～第8實施方式的電極取出口22和32外，分別和第1～第8實施方式相同，因為其作用效果也相同，所以省略詳細(xì)說明。
在以上的各實施方式中，當(dāng)從密封樹脂露出的金屬膜30或金屬板40為金以外的材料時，為了保護(hù)半導(dǎo)體裝置10內(nèi)部防止其被腐蝕等，在露出的金屬膜30或金屬板40的表面上，優(yōu)選實施鍍金或錫焊或者鍍錫。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體集成電路、和連接該半導(dǎo)體集成電路的電極端子和基板電極的導(dǎo)電機構(gòu)，且已進(jìn)行樹脂密封，其特征是具有在所述半導(dǎo)體集成電路上依次層疊設(shè)置的保護(hù)膜和金屬膜，且使該金屬膜在半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟乃雒芊鈽渲冻觥?br>
2.一種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體集成電路、和連接該半導(dǎo)體集成電路的電極端子和基板電極的導(dǎo)電機構(gòu)，且已進(jìn)行樹脂密封，其特征是具有在所述半導(dǎo)體集成電路上依次層疊設(shè)置的保護(hù)膜和金屬膜，且該金屬膜在所述保護(hù)膜的開孔部分和半導(dǎo)體集成電路的內(nèi)部電極連接，而且使該金屬膜在所述半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟乃雒芊鈽渲冻觥?br>
3.按照權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是所述金屬膜具備應(yīng)力緩和層。
4.按照權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是所述金屬膜由第1和第2金屬膜構(gòu)成，該第1和第2金屬膜介以所述應(yīng)力緩和層至少在一個地方相連接，并且使所述第2金屬膜在半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟乃雒芊鈽渲冻觥?br>
5.按照權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是具有與所述第1金屬膜接合的金屬板，而且使該金屬板在所述半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟拿芊鈽渲冻觥?br>
6.按照權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是具有與所述第2金屬膜接合的金屬板，而且使該金屬板在所述半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟拿芊鈽渲冻觥?br>
7.按照權(quán)利要求1至6中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是所述第1和第2金屬膜由金、鋁、銅或以這些為主要成分的合金構(gòu)成，所述應(yīng)力緩和層是聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、其他的彈性體或塑性體。
8.按照權(quán)利要求1至7中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是具有裝載了半導(dǎo)體集成電路的裸片焊墊，且使該裸片焊墊在半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟乃雒芊鈽渲冻觥?br>
9.按照權(quán)利要求1至8中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是在半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟乃雒芊鈽渲冻龅慕鹨酝獾慕饘倌せ蚪饘侔宓谋砻嫔?，具有鍍覆層?br>
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體集成電路、和連接該半導(dǎo)體集成電路的電極端子和基板電極的導(dǎo)電機構(gòu)，且已進(jìn)行樹脂密封，其中具有在上述半導(dǎo)體集成電路上依次層疊設(shè)置的保護(hù)膜及金屬膜，且使該金屬膜在半導(dǎo)體裝置的表面或背面?zhèn)葟纳鲜雒芊鈽渲冻觥８鶕?jù)本發(fā)明，能夠從半導(dǎo)體裝置內(nèi)部的半導(dǎo)體集成電路的任意的地點以最短距離使內(nèi)部電極與基板電極接合，可使配線電阻非常小。因此，可使高速且小型化的半導(dǎo)體裝置穩(wěn)定工作。
文檔編號H01L23/367GK1619808SQ20041010473
公開日2005年5月25日 申請日期2004年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月6日
發(fā)明者大谷憲司, 辻正博 申請人:羅姆股份有限公司