專利名稱：疊層型光電元件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在層疊起來的光電元件的光入射側的面上具有透明電極的疊層型光電元件。
背景技術：
歷來，對疊置在光電元件上的透明導電膜重視的是高透射率和低電阻。如果疊置在入射光側的透明電極透射率高，則在半導體層中可以利用的光增加而短路電流(Jsc)提高，而如果電阻低，則電流損失減小而有助于提高光電轉換效率。
廣泛應用于這種透明電極的材料有ITO(氧化銦錫)。比如，在日本專利特開2001-152323號公報(在日本以外無同族申請)中記述有使用借助濺射法形成的Sn濃度為2、5、10wt％的ITO靶，并有通過用一直到對疊層型光電元件最合適的長波長光都可得到高透射率的ITO靶在使He流量改變的同時成膜而能夠得到高透射率、低電阻的薄膜的記載。
另外，在日本專利第2999280號公報(USP5279679、EP509215B1)中，記述有把具有pin結構的單位元件3個層疊的三層結構的疊層型光電元件的透明電極的方塊電阻值小于等于100Ω/□的事實。
在ITO單一薄膜中，如果將成膜溫度設定為400℃左右的高溫，可得到高透射率、低電阻的膜質和電阻隨氧氣流量而改變這兩點是公知的。
一般要求太陽能電池的透明電極的特性是高透射率和低電阻。另一方面，ITO的透射率和電阻處于相反的關系，歷來作為ITO單一薄膜的特性是以盡量高的水平兼顧透射率和電阻的條件組合成為光電元件使用，但在考慮整個元件的平衡時，這不一定是最佳的。所以，實際情況是在考慮與疊層型光電元件的組合時，不是最佳的，未經過充分的研討。
適于作太陽能電池用的透明電極的ITO，如前所述，一般希望其透射率高以求在半導體層中光的吸收多，并且電阻低以便收集由于發(fā)電而產生的載流子。特別是，由氫化非晶硅、氫化非晶鍺化硅、氫化非晶碳化硅、微晶硅或多晶硅組成的疊層型光電元件，希望的是透明電極具有一直到長波長透射率都很高和電阻最合適的特性。
另外，由于必須考慮太陽能電池等制品是長期使用的，從ITO的耐久性方面出發(fā)，必須形成與下層的粘合性優(yōu)異的ITO。此外，為了普及太陽能電池，必須降低制造成本，應力求ITO的制造裝置便宜而簡單。
然而，現(xiàn)狀是得不到完全滿足這些特性的理想的ITO。

發(fā)明內容
于是，本發(fā)明的目的在于解決上述問題，特別是在與疊層型光電元件的組合中制作最佳ITO作為透明電極而實現(xiàn)光電轉換效率良好的、成本低而可靠性高的疊層型光電元件。
本發(fā)明人不是著眼于將光電元件和透明電極在各個單體中的最佳化，而是著眼于包含光電元件和透明電極的整體元件結構的最佳平衡。于是，應該著眼于在高水平上使高特性高穩(wěn)定性得到兼顧，特別是著眼于在疊層型光電元件的結構和ITO靶中包含的SnO2的量、成膜時導入氣體的氧含量等與膜質的關系，并進行了認真的研究。其結果，由于顯示出在增加疊層型光電元件的疊層數(shù)時，隨著疊層數(shù)的增加單位元件的電流減小，特別是長波長側的單位元件的電流減小，短路電流(Jsc)減小的特征，發(fā)現(xiàn)應該通過提高一直到長波長的入射光的利用效率而優(yōu)先提高電流、作為ITO的膜質，特別要優(yōu)先透光性，而對于電阻則是在限制范圍內盡可能低的電阻的ITO為最佳，從而使本發(fā)明得以完成。
就是說，本發(fā)明是一種把具有pin結構的單位元件多層疊置、在該疊層的單位元件的光入射側的面上具有透明電極的疊層型光電元件，其特征在于設置于上述光入射側的透明電極是由氧化銦錫構成的，該透明電極在上述多個單位元件之中，通過光收集效率測定的電流最小的單位元件的最大吸收波長的光的透射率大于等于90％小于等于99.8％，并且電阻大于等于50Ω/□、小于等于300Ω/□。
本發(fā)明的疊層型光電元件的其特征在于還包括通過上述光收集效率測定的電流最小的單位元件的電流值小于等于12mA/cm2；上述透明電極的膜厚大于等于60nm、小于等于70nm；上述疊層型光電元件具有由3個具有pin結構的單位元件形成的疊層結構(三層結構)，上述透明電極的方塊電阻大于等于80Ω/□、小于等于250Ω/□；上述疊層型光電元件具有由2個具有pin結構的單位元件形成的疊層結構(雙層結構)，上述透明電極的方塊電阻大于等于80Ω/□、小于等于250Ω/□；以及上述透明電極是利用SnO2的含量大于等于0.5wt％、小于等于4wt％的ITO靶淀積而成的。
另外，本發(fā)明提供了一種疊層型光電元件的制造方法，所述方法包括將具有pin結構的單位元件多層疊置的工序和在該層疊的單位元件的光入射側的面上利用濺射法形成透明電極的工序的，其特征在于在形成上述透明電極的工序中，通過對該透明電極的透射率及方塊電阻進行控制，使得在上述多個單位元件之中，通過光收集效率測定的電流最小的單位元件的最大吸收波長的光的透射率大于等于90％、小于等于99.8％，并且電阻大于等于50Ω/□、小于等于300Ω/□。
另外，本發(fā)明的疊層型光電元件的制造方法的特征還包括利用SnO2的含量大于等于0.5wt％、小于等于4wt％的ITO靶淀積而形成上述透明電極的工序；以及上述控制是通過控制濺射時的氛圍氣體中的水蒸氣量進行的。


圖1為示意地示出本發(fā)明的疊層型光電元件的一例的剖面圖。
圖2為作為本發(fā)明的透明電極(ITO)的制造裝置的優(yōu)選濺射裝置的示意圖。
圖3為示意地示出在實施例1中使用的三層結構的試樣襯底的剖面圖。
圖4為示意地示出在實施例2中使用的三層結構的試樣襯底的剖面圖。
圖5為將示出在實施例1中生成的疊層型光電元件的評價結果的表1曲線化的曲線圖。
圖6為將示出在實施例1中生成的疊層型光電元件的評價結果的表2曲線化的曲線圖。
圖7為示出在實施例1中生成的疊層型光電元件的光收集效率測定的結果和光電轉換效率的曲線圖。
圖8為示出在實施例1中生成的透明電極的透射率的測定結果的曲線圖。
圖9為示出在實施例2中生成的疊層型光電元件的評價結果的曲線圖。
具體實施例方式
下面對本發(fā)明的實施例予以說明，但本發(fā)明并不限定于本實施例。
本發(fā)明的疊層型光電元件是一種將具有pin結構的單位元件疊置多層、在此層疊的單位元件的光入射側的面上具有透明電極的疊層型光電元件。
圖1為示意地示出本發(fā)明的疊層型光電元件的一例的剖面圖，在底層襯底101上順序淀積后面反射層102(反射膜102a、透明導電膜102b)、半導體層103(底部單元103a、中部單元103b、上部單元103c)、透明電極104以及集電電極105。
作為襯底101的材料，既可以是導電性材料，也可以是電絕緣性材料，此外也可以是在電絕緣性的襯底表面上實施導電處理的材料。也可以是半導體結晶體材料。另外，也可以是玻璃等透光性的材料，但最好是變形小、畸變少、具有所要求的強度的材料，最好是Fe、Ni、Cr、Al等金屬或其合金、不銹鋼等的薄板及其復合體，以及聚酯、聚乙烯等耐熱性合成樹脂的薄膜等。
后面反射層102(反射膜102a、透明導電膜102b)具有使在半導體層103未吸收完的光通過在半導體層中再次反射而使光電元件的短路電流(Jsc)增大的作用。另外，通過將透明導電膜102b和/或反射膜102a的表面作成為凹凸形狀使光發(fā)生漫反射，使半導體層內的光路延長，還可以使光電元件的短路電流(Jsc)增大。因此，后面反射層的反射膜102a最好是Al、Ag等反射率高的金屬，后面反射層的透明導電膜102b最好是ZnO等廉價而且是易于得到凹凸形狀的材料。另外，后面反射層102也可以兼?zhèn)渥鳛楣怆娫囊环降碾姌O的作用。
半導體層103，是由3個具有pin結構的單位元件(底部單元103a、中部單元103b、上部單元103c)形成的疊層結構，可有效地利用波長300～1200nm的光。
透明電極104由ITO構成，比如，利用如圖2所示的濺射裝置制作。圖中，201是成膜室，202是加熱器202，203是轉動軸，204是襯底托架，205是試樣襯底，206是供氣管，207是ITO靶，208是電源，而209是擋板。下面對利用此裝置的透明電極104的成膜步驟予以說明。
(1)將試樣襯底205置于襯底托架204上，借助真空泵(未圖示)對成膜室201抽真空。另外，試樣襯底205具有利用另外的淀積裝置在圖1所示的底層襯底101上一直淀積到后面反射層102(反射膜102a、透明導電膜102b)、疊層型半導體層103的結構為止的疊層結構。
(2)在將成膜室201抽真空達到規(guī)定的壓力之后，原料氣體供給裝置(未圖示)從供氣管206供給氬氣、氧氣，并且通過調整未圖示的排氣閥的開度把供給的氬氣和氧氣調整到規(guī)定的壓力。
(3)利用轉動軸203使襯底托架204轉動。
(4)之后設定加熱器202以便達到透明電極(ITO)的形成溫度，如到達規(guī)定溫度，就接通DC電源208，產生氬氣等離子體，打開擋板209，淀積透明電極104。如透明電極以規(guī)定的成膜速度淀積到規(guī)定的膜厚，就關閉擋板209，切斷DC電源208。
將按照以上方式淀積的透明電極104的試樣從裝置中取出，通過在此透明電極上形成集電電極105而制成如圖1所示的疊層型光電元件。
如上所述，在透明電極104中使用的透射率和方塊電阻具有相反的關系，如果為提高透射率而減少SnO2的含量，則由于在流過大電流的光電轉換元件中方塊電阻過高而使光電轉換效率降低，因此迄今為止還不能利用。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)(1)對于將具有pin結構的單位元件疊置多層的疊層型光電元件，由于積層數(shù)越增加電流越小，作為使光電轉換效率下降的主要原因的透明電極的方塊電阻的影響變小，使得使用方塊電阻較高的透明電極成為可能；以及(2)在300～1200nm的寬的波長范圍中，使用透射率較高的透明電極，特別是在構成疊層型光電元件的多個單位元件中使用光收集效率測定的電流最小的單位元件的最大吸收波長上光的透射率較高的透明電極對于使光電轉換效率提高極為重要。
具體言之，為使長波長的透射率提高，在ITO靶中含有的SnO2最好大于等于0.5％wt、小于等于4％wt，特別是最好減小到大于等于0.5％wt、小于等于2％wt時，在由于載流子的密度的減少而導致的透射率的提高的同時，最好可以通過調節(jié)ITO成膜時的供氣的氧氣及水蒸氣量等而使方塊電阻最優(yōu)化。
根據本發(fā)明人的研究已經了解到，通過將應用于透明電極104的ITO，設計成為光收集效率測定的電流最小的單位元件(一般為底部單元))的最大吸收波長的光的透射率大于等于90％、小于等于99.8％，并且電阻大于等于50Ω/□、小于等于300Ω/□，可以使疊層型光電元件的光電轉換效率得到高效地提高。關于上述的透射率，透射率為大于等于95.0％、小于等于99.8％較好，透射率大于等于98.5％小于等于99.8％更好。另外，關于電阻，如下述的實施例所示，較好的范圍因光電元件是兩層結構或三層結構而不同。在三層結構的疊層型光電元件的場合，電阻大于等于80Ω/□、小于等于250Ω/□較好，而電阻大于等于120Ω/□、小于等于220Ω/□就更好。在兩層結構的疊層型光電元件的場合，電阻大于等于50Ω/□、小于等于200Ω/□較好。
另外，光收集效率測定的電流最小的單位元件的該電流值最好是小于等于12mA/cm2，據此可期待本發(fā)明的ITO產生的很大效果。
另外，應用于透明電極104的ITO的膜厚最好是大于等于60nm、小于等于70nm。據此，可以將反射率抑制到很低，并且可以將光電轉換效率進一步提高。
另外，作為半導體層103的形成條件，其適合的條件可以舉出如下淀積室內的襯底溫度為100～450℃，壓力為500Pa(3.75乇)～2666Pa(20乇)，高頻功率密度為大于等于300mW/cm3(輸入電力/淀積室體積)。
作為適合本發(fā)明的硅系半導體層及半導體層103的形成的原料氣體，可舉出的有SiH4、Si2H6等含有硅原子的可氣化的化合物，SiF4、Si2F6、SiH2F2、SiH2Cl2、SiCl4、Si2Cl6等鹵化硅。對于在常溫下可氣化材料，可使用氣泵，而對于液化的材料可利用惰性氣體起泡而使用。
在合金系列的場合，最好在原料氣體中添加像GeH4及CH4等那樣的含有Ge及C的可氣化的化合物。原料氣體最好是利用稀釋氣體稀釋后導入到淀積室內。作為稀釋氣體，可舉出的有H2和He等等。此外，也可以將含有氮氣、氧氣等可氣化化合物作為原料氣體乃至稀釋氣體添加進去。作為使半導體層成為p型層的摻雜劑氣體可使用B2、H6、BF3等。而作為使半導體層成為n型層的摻雜劑氣體可使用PH3、PF3等。在淀積結晶相的半導體層及SiC等的光吸收小或帶隙(禁帶)寬的層的場合，增加稀釋氣體相對于原料氣體的比例，最好是導入比較高的功率密度的高頻電波。作為i型硅系半導體層的組合，在三層結構的場合從光入射側起可以舉出(非晶半導體層、非晶半導體層、包含結晶相的半導體層)、(非晶、包含結晶相的半導體層、包含結晶相的半導體層)、(包含結晶相的半導體層、包含結晶相的半導體層、包含結晶相的半導體層)，而在兩層結構的場合從光入射側起可以舉出(非晶半導體層、包含結晶相的半導體層)、(包含結晶相的半導體層、包含結晶相的半導體層)。作為i型半導體層，最好是具有如下的參數(shù)光(630nm)的吸收系數(shù)(α)大于等于5000cm-1；利用太陽模擬器(AM1.5、100mW/cm2)模擬太陽光照射的光電導率(σp)大于等于10×10-5S/cm；暗電導率(σd)小于等于10×10-6S/cm；利用恒定光電流法得到的厄拜克能量(Urback energy)小于等于55meV。作為i型半導體，可以使用稍微變成p型、n型的材料。
下面對本發(fā)明的實施例予以說明，不過本發(fā)明并不限定于這些實施例。
(實施例1)在圖3示出的三層結構的試樣襯底上利用圖2所示的裝置制作透明電極(ITO)。在本實施例中，設定襯底溫度為200℃，利用SnO2的含量大于等于0.5wt％、1wt％、3wt％、5wt％、10wt％共5種ITO靶淀積而成。另外，在ITO成膜時供給氬氣、氧氣、水蒸氣，調節(jié)水蒸氣的供給量作為使方塊電阻改變的參數(shù)。
對于以如上方式制作的疊層型光電元件的光電轉換效率的初始特性，利用太陽模擬器(AM1.5、100mW/cm2、表面溫度25℃)進行評價。其結果(光電轉換效率單位為％)示于表1、表2、圖5、圖6中。
另外，圖5為將表1曲線化的曲線圖，圖6為將表2曲線化的曲線圖。
從這些表及圖，特別是從圖5，可以導出應用于三層結構的疊層型光電元件的透明電極的方塊電阻的優(yōu)選范圍。具體言之，可知大于等于50Ω/□、小于等于300Ω/□為好，大于等于80Ω/□、小于等于250Ω/□更好，而大于等于120Ω/□、小于等于220Ω/□就還要好。
另外，可以導出在由ITO組成的透明電極是利用濺射法形成的場合，靶中的錫含量的最佳范圍。具體言之，大于等于0.5％wt、小于等于4％wt為好，而大于等于0.5％wt、小于等于2％wt更好。
表1

表2

之后，為評價透明電極對收集電流貢獻的光的吸收，不僅是Jsc本身，通過光收集效率測定(Q曲線測定測定法根據日本專利申請2002-328999及與該申請的相對應的在國外的申請中記述的方法)，來測定疊置的各半導體層的電流。其結果，本實施例的三層結構的疊層型光電元件，各單位元件的電流是10～12mA/cm2)。圖7為示出利用SnO2含量為3wt％的ITO靶制作的三層結構的疊層型光電元件的光收集效率測定的結果(上部、中部、底部)和光電轉換效率的示圖。
如圖7所示，任何一個由光收集效率測定的電流最小的單位元件都是底部單元。另外，以SnO2含量為0.5wt％、1wt％、5wt％、10wt％的ITO靶制作的三層結構的疊層型光電元件也顯示出同樣的傾向。
從以上的結果可知，通過調整ITO靶的SnO2的含量和水蒸氣供給量來調整方塊電阻可以達到提高光電轉換效率的目的。另外，根據曲線3的結果可知，特別是利用光收集效率測定的電流最小的底部單元的電流的提高，對在方塊電阻為200Ω/□附近的光電轉換效率的提高有很大的貢獻。另外，可以認為，對在方塊電阻為300Ω/□處，盡管光收集效率大，但光電轉換效率低這一點，是由于ITO的電阻增大產生的影響超過光收集效率的提高的影響之故。
在玻璃襯底(科寧公司制#7059)上，與前面一樣，利用圖2所示的裝置制作透明電極(ITO)。此處，利用SnO2含量為3wt％和10wt％兩種ITO靶，與前面一樣，將襯底溫度設定為200℃，在ITO成膜時供給氬氣、氧氣、水蒸氣，調節(jié)水蒸氣的供給量作為使方塊電阻改變的參數(shù)。
對以上述方式制作的透明電極(ITO)的透射率利用分光光度計進行測量。另外，透射率使用下式求出。
透射率＝a/(1-(b-c))a玻璃上ITO透射率b玻璃上ITO反射率c玻璃單體反射率以上述方式求出的透明電極(ITO)的透射率的結果示于圖8。另外，在圖8中，“上部”示出的是500nm的透射率，“中部”是650nm的透射率，“底部”是750nm的透射率。其中波長500nm對應的是上部單元103c的最大吸收波長，波長650nm對應的是中部單元103b的最大吸收波長，而波長750nm對應的是底部單元103a的最大吸收波長。
從圖8的結果可知，伴隨方塊電阻的增加的透射率的增加，在波長越長處越顯著。這一點，與圖2所示的光收集效率測定的結果，即最大吸收波長處于長波長波帶的底部單元的電流的提高對光收集效率的提高有很大的貢獻的結果是符合的。
這樣，通過制作光收集效率測定的電流最小的單位元件(在本例中為底部單元)的最大吸收波長(在本例中為750nm)的光的透射率大于等于90％小于等于99.8％，并且電阻大于等于50Ω/□小于等于300Ω/□的ITO作為透明電極，可以使底部單元的電流效率得到很好的提高，結果，三層結構的疊層型光電元件的光電轉換效率可以得到很大的提高。
(實施例2)在圖4中示出的兩層結構的試樣襯底上利用圖2所示的裝置制作透明電極(ITO)。在本實施例中，與實施例1一樣，設定襯底溫度為200℃，利用SnO2的含量大于等于0.5wt％、1wt％、3wt％、5wt％、10wt％共5種ITO靶淀積而成，在ITO成膜時供給氬氣、氧氣、水蒸氣，調節(jié)水蒸氣的供給量作為使方塊電阻改變的參數(shù)。
對于以如上方式制作的疊層型光電元件的光電轉換效率的初始特性，利用太陽模擬器(AM1.5、100mW/cm2、表面溫度25℃)進行評價。其結果示于圖9。從圖9，可以導出應用于兩層結構的疊層型光電元件的透明電極的方塊電阻的優(yōu)選范圍。具體言之，可知大于等于50Ω/□小于等于200Ω/□較好。
之后，為評價透明電極對收集電流貢獻的光的吸收，不僅是Jsc本身，通過光收集效率測定(Q曲線測定)，測定疊置的各半導體層的電流。其結果，本實施例的兩層結構的疊層型光電元件，單位元件的電流是13～15mA/cm2)，單位元件的電流比實施例1的三層結構的為大。
在本實施例中制作的兩層結構的疊層型光電元件中，光收集效率測定的電流最小的單位元件都是底部單元(最大吸收波長為750nm)。并且，伴隨ITO的方塊電阻的增加的電流的增加，與上部單元(最大吸收波長500nm)相比底部單元一方更大。
這樣，通過制作光收集效率測定的電流最小的單位元件(底部單元)的最大吸收波長(750nm)的光的透射率大于等于90％、小于等于99.8％，并且電阻小于等于300Ω/□的ITO作為透明電極，可以使底部單元的電流效率得到很好的提高，結果，兩層結構的疊層型光電元件的光電轉換效率可以得到很大的提高。
另外，從圖5、6和圖9的結果可知，在三層結構和兩層結構的疊層型光電元件中，最合適的透明電極的方塊電阻不同。可以說，在三層結構中，透明電極的方塊電阻較高，光電轉換效率提高，從兩層結構和三層結構的電流的差異對方塊電阻的光電轉換效率給予的影響程度不同。
根據本發(fā)明，通過制作光收集效率測定的電流最小的單位元件的最大吸收波長的光的透射率大于等于90％、小于等于99.8％，并且電阻大于等于50Ω/□、小于等于300Ω/□的透明電極，可以實現(xiàn)光電轉換效率良好、成本低廉并且可靠性高的疊層型光電元件，可以對作為太陽能電池的系統(tǒng)電力用的真正的普及作出貢獻。
權利要求
1.一種疊層型光電元件，該光電元件疊置多層具有pin結構的單位元件、在該層疊的單位元件的光入射側的面上具有透明電極，其特征在于設置于上述光入射側的透明電極由氧化銦錫(ITO)構成，在上述多個單位元件之中，通過光收集效率測定的電流最小的單位元件中該透明電極的最大吸收波長的光的透射率大于等于90％、小于等于99.8％，并且電阻大于等于50Ω/□、小于等于300Ω/□。
2.如權利要求1所述的疊層型光電元件，其特征在于上述光收集效率測定的電流最小的單位元件的該電流值小于等于12mA/cm2。
3.如權利要求1所述的疊層型光電元件，其特征在于上述透明電極的膜厚大于等于60nm、小于等于70nm。
4.如權利要求1所述的疊層型光電元件，其特征在于上述疊層型光電元件具有由3個具有pin結構的單位元件形成的疊層結構，上述透明電極的方塊電阻大于等于80Ω/□、小于等于250Ω/□。
5.如權利要求1所述的疊層型光電元件，其特征在于上述疊層型光電元件具有由2個具有pin結構的單位元件形成的疊層結構，上述透明電極的方塊電阻大于等于50Ω/□、小于等于200Ω/□。
6.如權利要求1所述的疊層型光電元件，其特征在于上述透明電極是利用SnO2的含量大于等于0.5wt％、小于等于4wt％的ITO靶淀積而成的。
7.一種疊層型光電元件的制造方法，該方法包括將具有pin結構的單位元件疊置多層的工序和在該層疊的單位元件的光入射側的面上利用濺射法形成透明電極的工序，其特征在于在形成上述透明電極的工序中，通過對該透明電極的透射率及方塊電阻進行控制，使得在上述多個單位元件之中，通過光收集效率測定的電流最小的單位元件的最大吸收波長的光的透射率大于等于90％、小于等于99.8％，并且電阻大于等于50Ω/□小于等于300Ω/□。
8.如權利要求7所述的疊層型光電元件的制造方法，其特征在于包括利用SnO2的含量大于等于0.5wt％、小于等于4wt％的ITO靶淀積而形成上述透明電極的工序。
9.如權利要求7所述的疊層型光電元件的制造方法，其特征在于上述控制是通過控制濺射時的氛圍氣體中的水蒸氣量而進行的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種疊層型光電器件，該光電器件疊置多層具有pin結構的單位元件、在該層疊的單位元件的光入射側的面上具有透明電極，設置于上述光入射側的透明電極是由氧化銦錫(ITO)構成的，在上述多個單位元件之中，通過光收集效率測定的電流最小的單位元件中該透明電極的最大吸收波長的光的透射率大于等于90％、小于等于99.8％，并且電阻大于等于50Ω/□小于等于300Ω/□。利用這種結構，可以實現(xiàn)光電轉換效率良好、成本低廉并且可靠性高的疊層型光電元件。
文檔編號H01L21/02GK1551375SQ20041003864
公開日2004年12月1日 申請日期2004年5月8日 優(yōu)先權日2003年5月8日
發(fā)明者中山明哉, 田村秀男, 高井康好, 好, 男 申請人:佳能株式會社