專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別是涉及通過在引腳框架上配置多個(gè)元件而形成的半導(dǎo)體裝置。
如圖5所示，在墊片101上配置裸芯片102，為了使該裸芯片與外部電路構(gòu)成電導(dǎo)通，通過焊接線106與引腳107連接。包括這些墊片101、裸芯片102、以及引腳107的基體被封裝在封裝模塊108內(nèi)。
另外，作為第2實(shí)例，圖6所示的是在特開平8-27950號(hào)公報(bào)中記載的內(nèi)置多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié)構(gòu)圖。而圖6(A)與圖6(B)剖面的位置不同。如圖6所示，在墊片的表面上配置第1裸芯片102。這些裸芯片102和202是同樣的芯片。第1裸芯片102由焊接線106連接在存在于與墊片101同一的引腳框架上的引腳107的內(nèi)部引腳部107a上。第2裸芯片202通過焊接線206連接在位于被配置在墊片101下方的第2引腳框架上的引腳207的內(nèi)部引腳部207a上。然后把這些密封封裝在模塊10。
所述以往的半導(dǎo)體裝置中，墊片的單面上配置半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)的第1實(shí)例中，同一個(gè)封裝中可配置的半導(dǎo)體芯片數(shù)為一個(gè)，半導(dǎo)體裝置的集成度很低。
一方面，圖6所示的第2實(shí)例的半導(dǎo)體裝置中，一個(gè)引腳框架的墊片的上面以及下面各配置一個(gè)半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體裝置內(nèi)的集成度提高了。但是，向引腳框架上配置半導(dǎo)體芯片的芯片固定作業(yè)、配置的半導(dǎo)體芯片的電極與各內(nèi)部引腳間用金屬細(xì)線連接的線焊接作業(yè)必須在同一個(gè)引腳框架的上側(cè)面以及下側(cè)面的兩面進(jìn)行，所以出現(xiàn)制造工序復(fù)雜的問題。比如，一側(cè)的半導(dǎo)體芯片組裝上以后，進(jìn)行另一側(cè)的組裝作業(yè)時(shí)，可能會(huì)擠壓已經(jīng)組裝的半導(dǎo)體芯片，這成為產(chǎn)生組件不良的重要原因，為了排除該問題就要使用特殊的組裝設(shè)備。
而且，在一個(gè)引腳框架的兩面分別配置半導(dǎo)體芯片，封裝模塊變厚，要為安裝該封裝模塊留出較大的空間，因此存在不利于電子機(jī)器高密度安裝要求的問題。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，具備第1墊片、第2墊片、所述第1墊片上配置的第1半導(dǎo)體芯片、所述第2墊片上配置的芯片形狀的電子元件、所述配置在第1墊片周圍的多根引腳、電連接所述第1半導(dǎo)體芯片以及所述芯片形狀電子元件和所述引腳的多根金屬細(xì)線、將所述第1墊片、所述第2墊片、所述引腳的各自一部分、所述第1半導(dǎo)體芯片、所述芯片形狀的電子元件以及所述金屬細(xì)線用樹脂一體化模封裝的封裝樹脂，所述各種引腳具有被所述模封裝工序封裝在封裝樹脂中的內(nèi)部引腳部和突出在所述封裝樹脂體外部的外引腳部，所述第1墊片設(shè)置在所述引腳的所述內(nèi)部引腳部和所述外部引腳部的交界部的下方，所述芯片形狀的電子元件比所述第1半導(dǎo)體芯片體積更小，所述第2墊片通過將至少一個(gè)所述內(nèi)部引腳部的至少一部分寬度加寬而形成，與配置所述第1墊片的所述第1半導(dǎo)體芯片的面在同一個(gè)側(cè)面上配置所述芯片形狀的電子元件。
所述芯片形狀的電子元件的厚度最好是所述第1半導(dǎo)體芯片厚度的大致一半。
所述芯片形狀的電子元件最好是芯片電容器或者第2半導(dǎo)體芯片。
一種良好的實(shí)施方案是，在所述第1半導(dǎo)體芯片上形成開關(guān)元件以及該開關(guān)元件控制電路，所述芯片形狀的電子元件是二極管單體芯片。
所述封裝樹脂的厚度最好在1mm以下。
一種良好的實(shí)施方案是，所述第1墊片的與配置有所述第1半導(dǎo)體芯片的面的相反的面從所述的封裝樹脂露出。
一種良好的實(shí)施方案是，所述第2墊片被設(shè)置在所述引腳的所述內(nèi)部引腳部和所述外部引腳部的邊界部的下方。
(a)是從封裝模塊的上面透視的透視圖。
(b)是沿

圖1(a)中A-A’線的剖面圖。
(c)是沿圖1(a)中B-B’線的剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例的電路構(gòu)成的電路圖。
圖5是表示以往的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖6是表示以往配置多個(gè)芯片的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié)構(gòu)圖。
這里，對(duì)將本發(fā)明實(shí)施例的多芯片型半導(dǎo)體裝置應(yīng)用在10針TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package)的情況進(jìn)行說明。
實(shí)施例1圖1是實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的模式的結(jié)構(gòu)圖，圖1(a)是從10針的TSSO的2上面透視的透視圖，圖1(b)是圖1(a)的A-A’線的剖面圖，圖1(c)是圖1(a)的B-B’線的剖面圖。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100具備第1墊片1和在其上配置的第1半導(dǎo)體芯片2、第2墊片4和在其上配置的芯片形狀電子元件5、在第1墊片1周圍配置的多根引腳11，11，11，---。而且，第1半導(dǎo)體芯片2和引腳11，11，11，---以及芯片形狀的電子元件5和引腳11，由多根金屬細(xì)線6，6，6，---電連接。這兩個(gè)墊片1、4、第1半導(dǎo)體芯片2、芯片形狀的電子元件5、各引腳11，11，11，---的一部分以及金屬細(xì)線6，6，6，---，用樹脂一體化封裝成模塊，該由樹脂封裝的部分是封裝樹脂體8。
各引腳11，11，11，---具有內(nèi)部引腳部3，3，3，---和外部引腳部7，7，7，---，內(nèi)部引腳部3，3，3，---被封裝樹脂封裝在封裝樹脂體8中，外部引腳7，7，7，---突出在封裝樹脂體8的外面，內(nèi)部引腳3，3，3---和外部引腳7，7，7的交界部12就是引腳11，11，11，---與封裝樹脂體8的表面的交叉部，換言之，就是引腳存在于封裝樹脂8中的部分與存在于封裝樹脂8的外側(cè)部分的交界處。
多個(gè)引腳11，11，11，---之中的一根與第1墊片1連接，支撐著第1墊片1。該引腳11’是接地用引腳，具有接地用內(nèi)部引腳部3’和接地用外部引腳部7’。
第1墊片1、第2墊片4以及各引腳11，11，11，---作為引腳框架制作，樹脂封裝工序以后從引腳框架的外框(圖中未示)切開分離，成為圖1所示的形狀。第1墊片1在與各引腳11，11，11，---的延長方向正交的方向延伸出二根支撐引腳1’，1’與引腳框架的外框連接，支撐并固定著第1墊片1。但是在圖1所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100中，從外框切斷，只留下支撐引腳1’，1’。在該支撐引腳1’，1’和接地用的內(nèi)部引腳部3’上，第1墊片1在三個(gè)方向被支撐固定著。
本實(shí)施例中，內(nèi)部引腳部3，3，3，---之中的一個(gè)加寬，形成第2墊片4。形成第2墊片4的內(nèi)部引腳部3是比其他內(nèi)部引腳部3，3，3，---至少比臨近的其他的引腳引腳部3，3的寬度寬形成的，在他的上面配置芯片狀態(tài)的電子元件5。配置芯片狀電子元件5的面與配置第1墊片1的芯片配置面是同一側(cè)面。
多個(gè)內(nèi)部引腳部3，3，3，---的各前端部13，13，13，---的寬度稍微寬一些，使之與封裝樹脂咬合，使得內(nèi)部引腳部3，3，3，---本身不會(huì)從封裝樹脂中拔出脫落。
因?yàn)榈?墊片4是由在第1墊片1的周圍規(guī)定的間隔排列的多個(gè)內(nèi)部引腳部3，3，3，---的一個(gè)寬度加寬而形成的，所以墊片的面積被鄰接的內(nèi)部引腳部3的間隔距離所限定，不能保證太大的墊片面積。所以在第1墊片1上配置面積比較大的半導(dǎo)體芯片，而在第2墊片4上配置比配置在第1墊片1上的半導(dǎo)體芯片2小的芯片形狀的電子元件5(二極管那樣的小型單體元件等得芯片元件)。
而且，第1半導(dǎo)體芯片2的基板底部由銀漿料或金屬等的焊材(圖中未表示)被焊接在第1墊片1上的同時(shí)還在與第1墊片之間起電導(dǎo)通的作用。所以，該第1半導(dǎo)體芯片2通過接地用的外部引腳部7’、接地用的內(nèi)部引腳部3’以及第1墊片1接地，得到了屏蔽的效果，使得難以接受從安裝在印刷電路基板(圖中未示)的其周圍IC(圖中未示)來的噪聲干擾，在第1半導(dǎo)體芯片1內(nèi)集成化的電子電路穩(wěn)定地工作。
如圖1(b)所示，第1墊片1被設(shè)置在比內(nèi)部引腳部3，3，3，---的高度低的位置。內(nèi)部引腳部3，3，3，---從內(nèi)部引腳部3，3，3，---和外部引腳部7，7，7，---的交界處12，12，12，---水平延伸一段，所以第1墊片1可以說是被設(shè)置在交界處12的下方。所以在第1墊片1上配置的第1半導(dǎo)體芯片2的上面覆蓋的樹脂厚度可以更厚，即使在第1半導(dǎo)體芯片2內(nèi)集成的是高耐壓開關(guān)元件也可以確保其充分的絕緣耐壓。
就確保絕緣耐壓進(jìn)一步說明。使用引腳框架，用樹脂封裝的以往的半導(dǎo)體裝置，其封裝的厚度(封裝樹脂8的厚度)比如約1mm時(shí)，配置30V程度耐壓的半導(dǎo)體芯片。配置耐壓100～200V的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置大約要1.5mmm厚度的封裝。也就是說半導(dǎo)體芯片上面的樹脂沒有充分的厚度，就不能充分確保絕緣耐壓。
但是本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100的第1墊片1設(shè)置在內(nèi)部引腳部3，3，3，---和外部引腳部7，7，7，---的交界處12，12，12，---更下方的位置，所以與以往的半導(dǎo)體裝置相比，即使封裝厚度一樣，其半導(dǎo)體芯片上部的樹脂厚度，本實(shí)施例可以更厚，所以與以往相比封裝的厚度小一些，也可以確保充分的絕緣耐壓。
通過將第1半導(dǎo)體芯片2上的樹脂厚度做成最小的極限，使封裝樹脂整體的厚度變薄，可以使封裝樹脂8的厚度做到1mm以下。在本實(shí)施例中，使用引腳11、第1以及第2墊片1、4的厚度約130μm的引腳框架和厚度約300μm的第1半導(dǎo)體芯片1，第1墊片1的向下設(shè)置量(向下移動(dòng)的距離)約180μm，樹脂封裝體的厚度約為1mm。
其次，說明芯片形狀的電子元件5。在導(dǎo)線焊接工序中，如果金屬細(xì)線6的線長不夠一定的長度，則焊接線的操作很難順利進(jìn)行，而且金屬細(xì)線6在水平方向(與第1墊片1的芯片配置面平行的方向)的距離越短，焊接后的金屬細(xì)線6的頂點(diǎn)越高。與第2墊片4上的芯片形狀的電子元件5和相鄰的內(nèi)部引腳部3連接的金屬細(xì)線6其長度比較短，所以芯片形狀的電子元件5和鄰接內(nèi)部引腳部3的之間連接的金屬細(xì)線6的頂點(diǎn)容易變高，該金屬細(xì)線6上的樹脂厚度有變薄的傾向。這樣，金屬細(xì)線6上的樹脂厚度變薄以后，半導(dǎo)體裝置100的絕緣耐壓就不能充分確保，在施加高電壓時(shí)，半導(dǎo)體裝置100就容易產(chǎn)生破損，這是不希望發(fā)生的。
但是，在本實(shí)施例中，在第2墊片4上配置的芯片形狀的電子元件5的厚度研磨到只有150μm厚，由于只有第1半導(dǎo)體芯片2的厚度(約300μm)的一半，所以可以確保芯片形狀電子元件5上的充分的樹脂厚度，確保絕緣耐壓。而且，由于芯片形狀的電子元件5上的樹脂厚度有富裕，封裝體的厚度還可以做得薄一點(diǎn)。
特別是在第1半導(dǎo)體芯片2內(nèi)形成耐高壓的開關(guān)元件時(shí)，金屬細(xì)線6上的樹脂厚度考慮絕緣耐壓必須做得充分地厚，由于第1墊片1安裝位置下移，可以同時(shí)達(dá)到封裝體厚度做得薄和確保絕緣耐壓這兩個(gè)目的。
這里，圖4表示使用第1半導(dǎo)體芯片2的開關(guān)電源電路。在第1半導(dǎo)體芯片(IC)2中，作為開關(guān)元件，形成功率晶體管24和其開關(guān)元件的控制電路。開關(guān)控制電路在該IC2以外具有線圈26、二極管22以及電容器23。本實(shí)施例中，作為芯片形狀的電子元件5，使用作為第2半導(dǎo)體芯片的二極管22，在半導(dǎo)體裝置100中，IC2與二極管22封裝在一起。
而且，作為其他實(shí)例，在構(gòu)成開關(guān)電源電路以外的電子電路情況下，代替二極管22，作為電子元件5也可以使用芯片形狀的電容器33。這時(shí)，將成為第1半導(dǎo)體芯片2的外置元件的芯片元件收容在同一個(gè)封裝體內(nèi)，而且可以使封裝體整體的厚度做得很薄。
而且，芯片形狀的電子元件5是二極管22的單體芯片時(shí)，由于二極管22的芯片尺寸小，即使比通常的半導(dǎo)體芯片(第1半導(dǎo)體芯片2)的厚度薄，具體地即使約為第1半導(dǎo)體芯片的一半厚度，都可以耐受線焊接工序、小片焊接工序等的組合工序的壓力。因此，將作為第2半導(dǎo)體芯片的二極管22的單體芯片配置在第2墊片4上，通過將圖4所示的開關(guān)元件(功率晶體管24)以及其控制電路25集成化的第1半導(dǎo)體芯片2配置在第1墊片1上，由該開關(guān)元件對(duì)線圈26進(jìn)行開關(guān)控制，由二極管22對(duì)該線圈26的感應(yīng)電壓進(jìn)行整流的開關(guān)電路收容在同一個(gè)封裝體內(nèi)開關(guān)電源用的半導(dǎo)體裝置100可以做得很薄、體型很小。而且，由于可以將第1半導(dǎo)體芯片2的周圍元件作為芯片元件組裝在同一個(gè)封裝體內(nèi)，可以實(shí)現(xiàn)周圍元件少的開關(guān)電源用半導(dǎo)體裝置。
這里，作為開關(guān)電源電路的整流二極管，最好采用正向二極管電壓VF比較低的肖特基二極管。而且如果只考慮半導(dǎo)體裝置組裝的方便性，很明顯將集成電路(第1半導(dǎo)體芯片2)與二極管做在同一個(gè)硅基片上是最有利的。但是，由于以下二點(diǎn)成為問題，將第1半導(dǎo)體芯片上的集成電路與肖特基二極管做在同一個(gè)硅基片上是困難的。
首先第1點(diǎn)，代替肖特基二極管在第1半導(dǎo)體芯片2內(nèi)形成的一般的二極管作為整流電路使用的話，由于一般的二極管正向二極管電壓比較大，產(chǎn)生整流作用的電力損失也就比較大這樣一個(gè)不利點(diǎn)。
第2點(diǎn)，為了將肖特基二極管做在第1半導(dǎo)體芯片2上的集成電路同一個(gè)硅基片上，將堆積阻隔金屬的半導(dǎo)體單晶片投入擴(kuò)散爐，由于擴(kuò)散爐被污染，所以由于該污染不使用阻隔金屬的一般的半導(dǎo)體元件(晶體管、晶閘管、二極管等)的電特性變質(zhì)，半導(dǎo)體裝置的成品率變低。
但是，在本實(shí)施例中，由于肖特基二極管與集成電路分別安裝，就不會(huì)發(fā)生上述的不利點(diǎn)，由于肖特基二極管的芯片配置在第2墊片4上，整流操作的電力損失變小，可以將提高了電源效率的開關(guān)電源用的半導(dǎo)體裝置100做得又薄又小。
在本實(shí)施例中，第2墊片4幾乎將一個(gè)內(nèi)部引腳3的全體加寬該寬度與朝向第1墊片1延長方向?qū)嵸|(zhì)上相同，但是根據(jù)芯片形狀的電子元件的大小、半導(dǎo)體裝置100整體的大小、第2墊片4的位置以及內(nèi)部引腳部3，3，3，---的數(shù)量、配置等，也可以將內(nèi)部引腳部3的一部分加寬作為第2墊片4。這種情況下，內(nèi)部引腳部的前端部最好包括在加寬的部分中。而且也可以用兩個(gè)以上的內(nèi)部引腳部3作第2墊片4。這種情況下，可以讓幾個(gè)內(nèi)部引腳之間連結(jié)。
為了確保組裝強(qiáng)度，并且確保半導(dǎo)體裝置100整體的絕緣耐壓，芯片形狀的電子元件5的厚度最好在第1半導(dǎo)體芯片2的厚度的30％以上和70％以下，更為理想的是在40％以上和60％以下。
實(shí)施例2圖2是表示實(shí)施例2的一個(gè)例子的半導(dǎo)體裝置200的主要部分剖面結(jié)構(gòu)圖。在實(shí)施例2中，第1墊片9設(shè)置在比上述的實(shí)施例1(圖1所示)的位置，即從內(nèi)部引腳部3，3，3，---和外部引腳部7，7，7，---的交界處12，12，12，---的高度更低的位置，使其成為第1墊片9的背面從封裝樹脂8露出來的結(jié)構(gòu)。
由這種結(jié)構(gòu)，不用加大封裝樹脂的厚度，第1半導(dǎo)體芯片2以及金屬細(xì)線6上的樹脂厚度就可以變厚，第1半導(dǎo)體芯片2上可以配置耐壓更高的開關(guān)元件。而且，從樹脂封裝背面露出的第1墊片9，自己的背面作為散熱面，可以散發(fā)半導(dǎo)體芯片2發(fā)出的熱量，與第1墊片9不露出的情況相比，可以增大其封裝的容許損耗。而且實(shí)際安裝的印刷電路基片(圖中未示)上的導(dǎo)體錫箔(銅箔等)與第1墊片9的背面如果用焊接安裝的話，可以進(jìn)一步提高安裝的散熱效果，可以進(jìn)一步實(shí)質(zhì)性地提高封裝的容許損耗。
實(shí)施例3圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例3的一例的半導(dǎo)體裝置300的主要部分剖面結(jié)構(gòu)圖。實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置與實(shí)施例1(圖1所示)對(duì)比，在結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn)是第2墊片10設(shè)置在比內(nèi)部引腳不3，3，3，---和外部引腳部7，7，7，---的交界處12，12，12，---更低的位置，其他的點(diǎn)與實(shí)施例1相同。
由于這種結(jié)構(gòu)，在第2墊片10上配置的芯片狀態(tài)的電子元件5上的樹脂厚度更厚，連接芯片狀態(tài)電子元件5和鄰接內(nèi)部引腳部3的金屬細(xì)線6上的樹脂可以更厚，芯片狀態(tài)的元件5的絕緣耐壓可以更高。
這里省略了詳細(xì)圖，如果把下沉設(shè)置的量加大背面露出的第1墊片9和比交界處12，12，12，----的位置下降更低設(shè)置第2墊片10結(jié)合起來應(yīng)用的話，第1半導(dǎo)體2以及芯片形狀的電子元件5上的樹脂厚度就會(huì)有富裕，這不但可以進(jìn)一步提高絕緣耐壓，還可能使封裝體整體厚度更小。也就是說，如果將本發(fā)明實(shí)施例2與本發(fā)明實(shí)施例3結(jié)合起來，可以在很薄并且很小的體積上構(gòu)成容許損耗大的實(shí)際封裝體。
如以上說明那樣，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，將第1墊片設(shè)置在內(nèi)部引腳部和外部引腳部的交界處更低的位置，內(nèi)部引腳部至少一個(gè)加大寬度作為第2墊片，兩個(gè)墊片的同一個(gè)側(cè)面上分別配置第1半導(dǎo)體芯片和小型芯片，收容在樹脂厚度比較薄的同一個(gè)封裝內(nèi)，在實(shí)現(xiàn)高密度封裝的同時(shí)，可以確保半導(dǎo)體芯片上的樹脂厚度，提高絕緣耐壓。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，具備第1墊片、第2墊片、在所述第1墊片上配置的第1半導(dǎo)體芯片、在所述第2墊片上配置的芯片形狀的電子元件、在所述第1墊片周圍配置的多根引腳、使第1半導(dǎo)體芯片及所述芯片形狀的電子元件和所述引腳電連接的多根金屬細(xì)線、所述第1墊片、所述第2墊片、所述引腳的一部分、所述第1半導(dǎo)體芯片、所述芯片形狀的電子元件及所述金屬細(xì)線被樹脂一體化地模封裝的封裝樹脂，其特征在于所述各個(gè)引腳，具有被模封裝在所述封裝樹脂中的內(nèi)部引腳部和突出在該封裝樹脂外部的外部引腳部，所述第1墊片被設(shè)置在比所述引腳的所述內(nèi)部引腳部和所述外部引腳部的交界處更低的位置，所述芯片形狀的電子元件比所述第1半導(dǎo)體芯片形狀更小，所述第2墊片通過將至少一個(gè)所述內(nèi)部引腳部的至少一部分加寬而形成，在與配置所述第1墊片的所述第1半導(dǎo)體芯片的面相同側(cè)的面上配置所述芯片形狀的電子元件。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述芯片形狀的電子元件的厚度是所述第1半導(dǎo)體芯片的厚度的大約一半。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述芯片形狀的電子元件為芯片電容器或者第2半導(dǎo)體芯片。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在所述第1半導(dǎo)體芯片中形成開關(guān)元件以及該開關(guān)元件的控制電路，所述芯片形狀的電子元件是二極管單體芯片。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述封裝樹脂的厚度在1mm以下。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第1墊片的與配置所述第1半導(dǎo)體芯片的面的相反側(cè)的面從所述封裝樹脂露出。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第2墊片被設(shè)置在比所述引腳的所述內(nèi)部引腳部和所述外部引腳部的交界處更下方的位置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置(100)，具有設(shè)置在比交界處(12)的高度更低的位置的第1墊片(1)、配置在第1墊片上的第1半導(dǎo)體芯片(2)、配置在多根內(nèi)引腳部(3)中的至少一根加寬了寬度的第2墊片(4)上的厚度薄的芯片形狀的電子元件(5)、金屬細(xì)線(6)、和引腳(11)，并且用封裝樹脂(8)將各墊片、各半導(dǎo)體芯片、各內(nèi)引腳部以及金屬細(xì)線封裝起來。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具有封裝厚度薄、體積小，絕緣耐壓高的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L23/495GK1461051SQ0313628
公開日2003年12月10日 申請(qǐng)日期2003年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月22日
發(fā)明者國松崇, 福井穣 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社