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薄膜晶體管液晶顯示器的靜電放電保護(hù)電路和方法

文檔序號:6935860閱讀:1025來源:國知局
專利名稱:薄膜晶體管液晶顯示器的靜電放電保護(hù)電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種保護(hù)液晶顯示器(LCD)設(shè)備中的薄膜晶體管(TFT)以防靜電放電的電路。
相關(guān)技術(shù)討論陰極射線管(CRT)已經(jīng)是用于許多應(yīng)用的主流顯示設(shè)備。然而,已經(jīng)開發(fā)了各種更小、更輕、并且耗電更少的平板顯示設(shè)備。特別地,非常薄而且具有極好的色彩特性的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)已經(jīng)高度發(fā)展,而且已經(jīng)變得普通了。
通常,液晶顯示器設(shè)備是一種用于根據(jù)單獨施加到以矩陣排列的像素上的數(shù)據(jù)信號來顯示圖像的設(shè)備。這些像素控制透光率以產(chǎn)生一幅圖像。因此,一個液晶顯示器設(shè)備包括一個像素矩陣和用于驅(qū)動這些像素的驅(qū)動器集成電路(IC)。


圖1是一個顯示了一個TFT-LCD顯示器的部分剖視圖的剖面圖,而圖2是一個顯示了一個TFT-LCD的電路原理圖。在下文中,相應(yīng)的組件將通過參考附圖加以描述。
在TFT一陣列顯示器中,一個TFT襯底(在圖1中的下襯底)是用兩個或多個金屬層形成的,一個絕緣層、一個非晶硅層、一個銦錫氧化物(ITO)層及其它所需元件被淀積在一個玻璃襯底102上以形成一個TFT 107,一個存儲電容器108、一個像素電極104、及其它結(jié)構(gòu),從而形成一個單獨的像素。此外,TFT襯底包括與多個像素互連以形成一個像素矩陣的數(shù)據(jù)線。此外,在各個數(shù)據(jù)線末端的焊盤106用來施加數(shù)據(jù)信號。
圖1還顯示了在一個玻璃襯底101上形成的一個濾色襯底(在圖1中的上襯底)。濾色襯底在TFT襯底的相應(yīng)像素上包括一個有選擇地阻擋光的黑色基質(zhì)109(有利地,由Cr形成)和RGB濾色器110。此外,橫跨濾色襯底的底部淀積一個形成公共電極的ITO薄膜103。
在襯底上有用于沿預(yù)定方向排列液晶分子的定位膜(alignment film)111。TFT和濾色襯底形成一個由間隔物112均勻保持的間隙。液晶被布置在該間隙中。
在TFT襯底的一個電壓施加端和ITO薄膜103之間由銀點114形成一個電連接。這允許電壓被施加到公共電極(ITO薄膜103)上。
位于襯底周圍的一個構(gòu)圖密封件113起到一個粘結(jié)劑的作用,它把TFT-陣列襯底和濾色襯底固定在一起。密封件113還保持在這兩個襯底之間的液晶。
下面參考圖2,在TFT襯底102上有多條用于從一個數(shù)據(jù)驅(qū)動器集成電路201向像素傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線,以及多條用于從一個選通驅(qū)動器集成電路202向像素傳輸選通信號的選通線。數(shù)據(jù)線和選通線是相互垂直形成的。被施加了數(shù)據(jù)信號和選通信號的焊盤106(參見圖1)在這些數(shù)據(jù)線和選通線的末端部分形成。這些單獨的像素位于這些數(shù)據(jù)線和選通線的交叉點附近。
選通驅(qū)動器集成電路202施加選通信號到多條選通線上,從而使得像素被逐行選擇,同時數(shù)據(jù)信號被施加到在所選擇行中的像素上。
TFT 107(參見圖1)被用作開關(guān)器件,而且是在這些單獨的像素中形成的。當(dāng)一個選通信號經(jīng)由一條選通線被施加到一個TFT的柵電極上時,在這個TFT的源和漏極之間形成一個導(dǎo)電溝道。然后,經(jīng)由一條數(shù)據(jù)線施加到TFT漏極上的一個外加數(shù)據(jù)信號控制那個像素的透光率。
由于玻璃襯底101和102是絕緣體,所以在TFT-陣列的制造過程期間產(chǎn)生的靜電能夠在該玻璃上聚集。而且,靜電能夠由施加到各種襯底上的各種處理產(chǎn)生。這種靜電能夠?qū)е聦FT-陣列的靜電放電損害。此外,靜電能夠?qū)е路蹓m顆粒被吸附到玻璃襯底上,這會污染TFT-陣列和濾色器陣列。
為了減少靜電,可以處理用于生產(chǎn)TFT LCD的制造設(shè)備和各種工藝以使靜電最小化。然而,一個良好設(shè)計的TFT-陣列仍然必須包括對靜電放電的防護(hù)。
由于柵絕緣膜很容易被相對能級破壞,所以在TFT-陣列中使用的TFT器件易于遭受靜電損害,因此靜電是一個特殊的難題。因此,為了保護(hù)TFT-陣列,必須阻止在選通線和數(shù)據(jù)線中的靜電感應(yīng)。這樣做的一種方法是把選通信號線和數(shù)據(jù)信號線一起電短接。例如,如果靜電是在一條選通線和一條相鄰的數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生的,則通過使這兩條線具有一個等電勢就能夠防止損害。
雖然把選通線和數(shù)據(jù)線直接連接在一起是有效的,但是這種直接連接阻止了用于確定在信號線中的斷開或者損壞的TFT的電測試。此外,不能執(zhí)行操作測試。因此,已經(jīng)開發(fā)了一個防止靜電放電損害但是允許單獨像素檢驗的保護(hù)電路。該保護(hù)電路包括位于各條選通線和一條選通短接線之間、以及各條數(shù)據(jù)線和一條數(shù)據(jù)短接線之間的多個元件。該保護(hù)電路如圖3所示。
圖3顯示了在一個襯底102上沿行方向形成的多條選通線(G1到G768)。圖3還顯示了在該襯底102上沿列方向形成的多條數(shù)據(jù)線(D1到D3072)。此外還顯示了一條選通短接線GSL、一條數(shù)據(jù)短接線DSL、以及形成公共電極的ITO層。選通短接線接收一個選通低電平電壓(Vg1),而數(shù)據(jù)短接線DSL接收一個公共電壓(Vcom)。
圖3還顯示了多個選通線ESD保護(hù)單元、GESD1到GESD768與GLESD1到GLESD768,以及多個數(shù)據(jù)線ESD保護(hù)單元、DESD1到DESD3072與DLESD1到DLESD3072。選通線ESD保護(hù)單元把選通線G1到G768的前端連接到選通短接線GSL,而數(shù)據(jù)線ESD保護(hù)單元把數(shù)據(jù)線D1到D3072的前端連接到數(shù)據(jù)短接線DSL。此外,ESD保護(hù)連接單元CESD1與CESD2把選通短接線GSL連接到數(shù)據(jù)短接線DSL。最后,ESD保護(hù)感應(yīng)單元IESD1與IESD2把數(shù)據(jù)線ESD保護(hù)單元DESD1與DESD3072連接到ITO。
當(dāng)一幅圖像正被產(chǎn)生時,一個低電平電壓Vg1被施加到除目前正被驅(qū)動的那條選通線之外的所有選通線上。那條被驅(qū)動的線接收一個高選通電壓,它導(dǎo)通連接到那條線的TFT。因此,選通線電壓是Vg1或者一個高選通電壓。因為在圖3中所示的保護(hù)電路防護(hù)高(靜電)電壓,所以把選通短接線GSL連接到選通低電平電壓Vg1是有利的。那樣,保護(hù)設(shè)備(諸如GESD1到GESD768)由在高選通電壓與Vg1之間的差值(而不是在高選通電壓與地之間的差值)加壓。如果在ESD保護(hù)單元兩端產(chǎn)生了一個異常信號、諸如噪音、或者低電平靜電,則ESD保護(hù)單元可以導(dǎo)電而且影響相鄰的選通線。否則,在選通電壓Vg1施加到選通短接線GSL上的情況下,ESD保護(hù)單元(除了接收高電平電壓的那個之外)兩端沒有電壓。這使得ESD保護(hù)單元的狀態(tài)穩(wěn)定。此外,通過施加Vcom到數(shù)據(jù)短接線DSL,連接到DSL的ESD保護(hù)單元被穩(wěn)定。
在下文中,將描述在圖3中所示的ESD保護(hù)電路的操作。首先,當(dāng)在選通線G1到G768中的一個中產(chǎn)生高壓靜電時,連接在選通線G1到G768的前端上的相關(guān)選通線ESD保護(hù)單元GESD1到GESD768被導(dǎo)通,因此通過選通短接線GSL和其它ESD保護(hù)單元(雙向作用)把靜電分散到所有的選通線。另外,連接到選通線G1到G768后端的選通線ESD保護(hù)單元GLESD1到GLESD768被導(dǎo)通,因此把靜電分散到選通短接線GSL(并且因此到其它選通線)。此外,靜電由連接ESD保護(hù)單元CESD1和CESD2分散到數(shù)據(jù)短接線DSL。
通過連接ESD保護(hù)單元CESD1和CESD2的電荷然后經(jīng)由數(shù)據(jù)短接線DSL分散到感應(yīng)ESD保護(hù)單元IESD1,然后經(jīng)由數(shù)據(jù)保護(hù)單元DESD1到DESD3072分散到數(shù)據(jù)線D1-D3072。此外,在該數(shù)據(jù)短接線DSL上的電荷通過數(shù)據(jù)線ESD保護(hù)單元DLESD1到DLESD3072分散到數(shù)據(jù)線D1-D3072。上述過程因此把在一條選通線上的電荷分散到所有的選通線和數(shù)據(jù)線。此外,由于所有的保護(hù)單元都是雙向的,所以在一條數(shù)據(jù)線上的電荷被分散到所有的選通線和數(shù)據(jù)線。
雖然在圖3中顯示的保護(hù)方案證明是有用的,但是還發(fā)現(xiàn)了問題。例如,感應(yīng)ESD保護(hù)單元IESD1實質(zhì)上把數(shù)據(jù)線ESD保護(hù)單元DESD1到DESD3072連接到連接ESD保護(hù)單元CESD1。該感應(yīng)ESD保護(hù)單元IESD1具有一個內(nèi)電阻。此外,通過實驗已經(jīng)發(fā)現(xiàn),實際上,通過該連接ESD保護(hù)單元CESD1的、大部分靜電產(chǎn)生的電荷經(jīng)由該銀點114分散到上襯底(ITO)里。這被認(rèn)為是因為該上襯底對于靜電荷具有比感應(yīng)ESD保護(hù)單元IESD1更低的阻抗。因此,靜電的分散不是最優(yōu)的,這增加了由靜電引起損害的可能性。
因此,一種改進(jìn)的ESD保護(hù)電路將是有利的。尤其是,一種更好地把靜電電荷分布到數(shù)據(jù)線中以及分布來自數(shù)據(jù)線中的靜電電荷的、改進(jìn)的ESD保護(hù)電路將是有利的。
發(fā)明概述因此,本發(fā)明的一個目的是提供一種用于TFT-LCD的靜電放電保護(hù)電路,其更有效地在選通線和數(shù)據(jù)線之間分散靜電。
為了實現(xiàn)依據(jù)本發(fā)明目的的優(yōu)點,如在這里體現(xiàn)和廣義描述的那樣,提供了一種用于LCD的靜電放電保護(hù)電路,該LCD具有在一個襯底上的多條交叉的選通線和數(shù)據(jù)線。該襯底進(jìn)一步包括一條數(shù)據(jù)短接線(DSL)和一條選通短接線(GSL)。該襯底進(jìn)一步包括多個第一ESD保護(hù)單元,用于把該選通短接線連接到選通線;多個第二ESD保護(hù)單元,用于把該數(shù)據(jù)短接線連接到數(shù)據(jù)線;第三ESD保護(hù)單元,用于把該選通短接線連接到數(shù)據(jù)短接線;以及一個在第二襯底上的公共電極。該保護(hù)電路進(jìn)一步包括一個第四ESD保護(hù)單元,其直接把該公共電極連接到第三ESD保護(hù)單元。
結(jié)合下列本發(fā)明的詳細(xì)描述及其附圖,本發(fā)明的上述及其他目的、特征、方面和優(yōu)點將變得更為清楚。
附圖簡要說明被包括在內(nèi)以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解、并且被結(jié)合進(jìn)來構(gòu)成這個說明書一部分的附圖,顯示了本發(fā)明中的實施例,并和說明書一起用于解釋本發(fā)明原理。
在附圖中
圖1是一個薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)板的剖面圖;圖2是一個TFT-LCD的電路原理圖;圖3是一個電路原理圖,顯示了依據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的一個靜電放電(ESD)保護(hù)電路;圖4是一個電路原理圖,顯示了依據(jù)本發(fā)明原理的一個靜電放電(ESD)保護(hù)電路;圖5是一個電路圖,顯示了在圖4中使用的一個ESD保護(hù)單元的一個實施例;以及圖6是一個電路圖,顯示了在圖4中使用的一個ESD保護(hù)單元的另一個實施例。
實施例的詳細(xì)描述下面將對本發(fā)明的一個實施例進(jìn)行詳細(xì)說明,其例子顯示在附圖中。
圖4是一個電路原理圖,顯示了依據(jù)本發(fā)明原理、用于一個薄膜晶體管液晶顯示器的一個靜電放電(ESD)保護(hù)電路。為了方便起見,使用了圖1中的參考數(shù)字。
如圖所示,ESD保護(hù)電路包括一個第一襯底,其具有多條選通線,G1到G768,以及交叉的數(shù)據(jù)線,D1到D3072。第一襯底進(jìn)一步包括一條選通短接線GSL,其接收一個選通低電平電壓(Vg1),以及一條數(shù)據(jù)短接線DSL,其接收一個公共電壓(Vcom)。多個選通線ESD保護(hù)單元GESD1到GESD768把選通線(G1到G768)的前端連接到選通短接線GSL,而多個選通線ESD保護(hù)單元GLESD1到GLESD768把選通線(G1到G768)的后端連接到選通短接線GSL。此外,多個數(shù)據(jù)線ESD保護(hù)單元DESD1到DESD3072把數(shù)據(jù)線(D1到D3072)的前端連接到數(shù)據(jù)短接線DSL,而多個數(shù)據(jù)線ESD保護(hù)單元DLESD1到DLESD3072把數(shù)據(jù)線(D1到D3072)的后端連接到數(shù)據(jù)短接線DSL。
仍然參見圖4,該保護(hù)電路進(jìn)一步包括把選通短接線GSL連接到數(shù)據(jù)短接線DSL的連接ESD保護(hù)單元CESD1和CESD2。此外,在第二襯底上形成一個公共電極ITO。公共電極ITO直接連接到連接ESD保護(hù)單元CESD1和CESD2。此外,一個感應(yīng)保護(hù)單元IESD直接把該公共電極ITO連接到連接ESD保護(hù)單元CESD1和CESD2。在實踐上,多個銀點114用來在第二襯底上的公共電極和在第一襯底上的連接ESD保護(hù)單元CESD1和CESD2之間進(jìn)行連接。
在下文中,將更詳細(xì)地描述在圖4中所示的保護(hù)電路的操作。首先,如果高電壓靜電在一條選通線上,則選通線ESD保護(hù)單元(單元GESD1到GESD768中的一個和單元GLESD1到GLESD768中的一個)把電荷分散到選通短接線GSL上。此外,選通線ESD保護(hù)單元(單元GESD1到GESD768和單元GLESD1到GLESD768)把電荷從選通短接線GSL分散到選通線G1到G768中。因此,靜電分散在所有的選通線中。
此外,在選通短接線GSL上的靜電通過連接ESD保護(hù)單元CESD1和CESD2分散到數(shù)據(jù)短接線DSL上。然后,分散在該數(shù)據(jù)短接線DSL上的靜電通過數(shù)據(jù)線ESD保護(hù)單元DESD1到DESD3071和單元DLESD1到DLESD3072分散到數(shù)據(jù)線D1到D3072中。此外,通過連接ESD保護(hù)單元CESD1和CESD2分散的靜電可以直接傳遞到公共電極ITO中,或者可以通過一個感應(yīng)保護(hù)單元IESD直接傳遞到公共電極ITO中。
有利地,因為不再存在該感應(yīng)保護(hù)單元IESD1,所以通過連接ESD保護(hù)單元CESD1和CESD2的電荷直接施加到數(shù)據(jù)線ESD保護(hù)單元(DESD1到DESD3071和單元DLESD1到DLESD3072)中。實驗已經(jīng)顯示在現(xiàn)有技術(shù)中使用的該感應(yīng)保護(hù)單元IESD1實際上不利于最大化ESD保護(hù),因為它趨向于把靜電產(chǎn)生的電荷引導(dǎo)到該公共電極ITO中。
然而,通過使用一個圖4所示、不使用一個感應(yīng)ESD保護(hù)單元IESD1的不對稱結(jié)構(gòu),允許靜電更穩(wěn)定和有效的分散。即,可以增加通過數(shù)據(jù)線D1到D3072分散的靜電數(shù)量。
因為所有的保護(hù)單元都是雙向的,所以在一條數(shù)據(jù)線上產(chǎn)生的靜電被類似地分散到公共電極ITO、數(shù)據(jù)線和選通線中。
依據(jù)本發(fā)明操作的一個TFT-LCD設(shè)備受益于改進(jìn)的對靜電所產(chǎn)生損害的抵抗力。圖5是一個電路圖,顯示了一個ESD保護(hù)單元的一個實施例。ESD保護(hù)單元由TFT晶體管組成,其中TFT晶體管可以與TFT-陣列一起形成。如圖所示,ESD保護(hù)單元包括一個第一晶體管TR1,它具有一個第一柵極603和一個第一源極604,它們都連接到第一行601,以及一個第一漏極605。ESD保護(hù)單進(jìn)一步包括一個第二晶體管TR2,它具有一個連接到第一漏極605的第二柵極606,一個連接到第一行601的第二源極607,以及一個連接到第二行602的第二漏極608。ESD保護(hù)單元進(jìn)一步包括一個第三晶體管TR3,它具有一個連接到第一漏極605和第二柵極606的第三源極609,以及一個第三柵極610和一個第三漏極611,它們都連接到第二行602。
當(dāng)一個比第一晶體管TR1的閾值電壓高的電壓(諸如通過靜電)被施加到第一行601時,第一晶體管TR1導(dǎo)通,這使得導(dǎo)通第二晶體管TR2。因此,第一行601和第二行602被連接起來,形成一個等電勢。當(dāng)一個比第三晶體管TR3的閾值電壓高的電壓(諸如通過靜電)被施加到第二行602上時,第三晶體管TR3導(dǎo)通,這使得導(dǎo)通第二晶體管TR2。因此,第一行601和第二行602被連接起來,形成一個等電勢。然而,當(dāng)?shù)谝痪w管TR1和第三晶體管TR3都沒有被導(dǎo)通時,第一行601和第二行602沒有被連接。
圖6是一個電路圖,顯示了一個ESD保護(hù)單元的另一個實施例。如圖所示,ESD保護(hù)單元由二極管D1和D2組成,它們被并聯(lián)連接在第一行701和第二行702之間,但是具有相反的極性。這些二極管不是在正常情況下操作的。然而,當(dāng)施加一個比二極管的閾值電壓高的電壓時,電荷能夠在第一行701和第二行702之間流動。
雖然提供了ESD保護(hù)單元的兩個實例,但是本發(fā)明的原理完全可適用于其它類型的ESD保護(hù)單元。
依據(jù)本發(fā)明的一個TFT顯示設(shè)備包括一個ESD保護(hù)電路,該電路有效地分散外加的靜電。
由于本發(fā)明可以在沒有背離它的精神或者基本特征的情況下以幾種形式實現(xiàn),因此還應(yīng)當(dāng)明白,除非另有說明,否則以上描述的實施例不被上述說明書中的任何細(xì)節(jié)限制,而是應(yīng)該在它的如附加權(quán)利要求中定義的精神和范圍內(nèi)被廣義地解釋,因此屬于權(quán)利要求公認(rèn)范圍以內(nèi)的所有變化和修改、或是這種公認(rèn)范圍的等效都應(yīng)被附加權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種用于液晶顯示器的靜電放電保護(hù)電路,包括在一個第一襯底上沿行方向形成的多條選通線;在第一襯底上沿列方向形成的多條數(shù)據(jù)線;在第一襯底上形成的一條選通短接線;在第一襯底上形成的一條數(shù)據(jù)短接線;在一個第二襯底上形成的一個公共電極;多個第一ESD保護(hù)單元,把相應(yīng)的選通線連接到選通短接線;多個第二ESD保護(hù)單元,把相應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接到數(shù)據(jù)短接線;一個第三ESD保護(hù)單元,把選通短接線連接到數(shù)據(jù)短接線;以及一個第四ESD保護(hù)單元,把數(shù)據(jù)短接線直接連接到公共電極。
2.如權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于第一、第二、第三和第四ESD保護(hù)單元是相同的器件。
3.如權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于第一ESD保護(hù)單元包括多個晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的電路,其特征在于ESD保護(hù)單元包括一個第一晶體管,包括連接到第一行的一個第一柵極和一個第一源極,以及一個第一漏極;一個第二晶體管,包括一個連接到第一漏極的第二柵極、一個連接到第二行的第二漏極,和一個連接到第一行的第二源極;以及一個第三晶體管,包括一個連接到第一漏極的第三源極、連接到第二行的一個第三柵極和一個第三漏極。
5.如權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于ESD保護(hù)單元包括至少兩個二極管。
6.如權(quán)利要求5所述的電路,其特征在于保護(hù)單元包括一個第一二極管,具有一個連接到第一行的陽極、和一個連接到第二行的陰極;以及第二二極管,具有一個連接到第一行的陰極、和一個連接到第二行的陽極。
7.如權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于第一ESD保護(hù)單元與一條選通短接線并聯(lián)連接。
8.如權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于多個ESD保護(hù)單元把每條選通線連接到選通短接線。
9.如權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于第二ESD保護(hù)單元與一條選通短接線并聯(lián)連接。
10.如權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于多個ESD保護(hù)單元把每條數(shù)據(jù)線連接到數(shù)據(jù)短接線。
11.如權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于一個選通低電平電壓被施加到一條選通短接線上。
12.如權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于公共電壓被施加到一條數(shù)據(jù)短接線上。
13.一種保護(hù)液晶顯示器設(shè)備以防靜電放電的方法,包括以下步驟在選通線和一條選通短接線之間通過第一ESD保護(hù)單元分散靜電;在數(shù)據(jù)線和一條數(shù)據(jù)短接線之間通過第二ESD保護(hù)單元分散靜電;在該選通短接線和該數(shù)據(jù)短接線之間通過第三ESD保護(hù)單元分散靜電;以及在該數(shù)據(jù)短接線和一個公共電極之間直接通過一個第四ESD保護(hù)單元分散靜電。
14.如權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于來自于第三ESD保護(hù)單元的靜電幾乎均勻地分散在數(shù)據(jù)線和該公共電極之間。
15.一種用于液晶顯示器設(shè)備的靜電放電的保護(hù)方法,包括在一條數(shù)據(jù)線中產(chǎn)生靜電;通過一個連接到該數(shù)據(jù)線的ESD保護(hù)單元把靜電分散到一條數(shù)據(jù)短接線上;通過連接到數(shù)據(jù)短接線的ESD保護(hù)單元從數(shù)據(jù)短接線把靜電分散到所有的數(shù)據(jù)線中;通過一個ESD保護(hù)單元從數(shù)據(jù)短接線把靜電直接分散到一個公共電極里。
16.如權(quán)利要求15所述的方法,其特征在于經(jīng)過數(shù)據(jù)短接線的靜電幾乎均勻地分散在數(shù)據(jù)線和該公共電極之間。
17.一種保護(hù)液晶顯示器設(shè)備以防靜電放電的方法,包括以下步驟在選通線和一條選通短接線之間通過第一ESD保護(hù)單元分散靜電;在數(shù)據(jù)線和一條數(shù)據(jù)短接線之間通過第二ESD保護(hù)單元分散靜電;在該選通短接線和該數(shù)據(jù)短接線之間通過第三ESD保護(hù)單元分散靜電;以及在該數(shù)據(jù)短接線和直接連接到該數(shù)據(jù)短接線的一個公共電極之間通過一個第四ESD保護(hù)單元均勻地分散靜電。
全文摘要
用于液晶顯示器的靜電放電保護(hù)電路。該液晶顯示器包括在一個第一襯底上的多條交叉的選通線和數(shù)據(jù)線,以及一條數(shù)據(jù)短接線和一條選通短接線。多個第一ESD保護(hù)單元把選通短接線連接到選通線,而且多個第二ESD保護(hù)單元把數(shù)據(jù)短接線連接到數(shù)據(jù)線。第三ESD保護(hù)單元把選通短接線連接到數(shù)據(jù)短接線。在一個第二襯底上形成一個公共電極。一個第四ESD保護(hù)單元把該公共電極直接連接到數(shù)據(jù)短接線。
文檔編號H01L21/822GK1396656SQ0214034
公開日2003年2月12日 申請日期2002年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月10日
發(fā)明者李炫揆, 金榮九 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司
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