專利名稱：Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，尤指一種能改善發(fā)光二極管組件的晶粒切割剝離的優(yōu)良率及縮短制造工時(shí)的切割方式。
常用的III族氮化物(Group III Nitride)半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方式，是于芯片的正面以鉆石刀(dicing saw)切割至數(shù)微米深度，再于該芯片的背面進(jìn)行劃線(scribe)，以使晶粒劈裂剝離。其主要缺陷在于1、以鉆石刀切割方式耗時(shí)，且其切割深度受限于鉆石刀鋒的損耗，無(wú)法做快速及較深的切割，造成切割的工時(shí)增加及無(wú)法降低成本。
2、晶粒剝離后的外型，因劃線(scribe)深度不足或因該芯片的正面無(wú)輔助的斷裂有效因子，使得晶粒無(wú)法作有效或依劃線(scribe)的線條剝離，造成晶粒外型不良。
針對(duì)上述缺陷，本發(fā)明人乃特潛心的研究并配合學(xué)理的運(yùn)用，以提出一種有別于一般使用鉆石刀及點(diǎn)劃線的切割方式。
本發(fā)明的主要目的在于提供一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，其是于芯片的正面或基板面，沿其切割道施以放電蝕刻，再于該放電蝕刻面的背面進(jìn)行劈裂(break)，剝離成晶粒。
本發(fā)明的第二目的在于提供一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，其是于芯片的正面或基板面，沿其切割道施以放電蝕刻，接著，于該放電蝕刻面的背面施以鉆石刀(dicing saw)劃線后，再進(jìn)行劈裂(break)，以加強(qiáng)其劈裂效果。
本發(fā)明的第三目的在于提供一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，以放電蝕刻方式進(jìn)行發(fā)光二極管組件的晶粒切割剝離的輔助技術(shù)，由于其是以放電蝕刻方式進(jìn)行芯片的切割線建立，故可針對(duì)較難切割的藍(lán)寶石基板進(jìn)行蝕刻，而達(dá)到較佳的切割效果。
本發(fā)明的第四目的在于提供一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，以放電蝕刻方式進(jìn)行發(fā)光二極管組件的晶粒切割剝離的輔助技術(shù)，由于其有別于一般使用鉆石刀及點(diǎn)劃線的切割方式，故能縮短切割工時(shí)、改善晶粒剝離的優(yōu)良率及外觀形狀，以及降低切割所造成的鉆石刀損耗成本。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，其特征在于它包括下列步驟(a)、于芯片的正面或基板面沿切割道施以放電蝕刻；(b)、于該放電蝕刻面的背面行劈裂剝離成晶粒。
該步驟(a)的放電蝕刻方式是以金屬線施以適當(dāng)電流，并輔助以適當(dāng)?shù)奈g刻溶液，于該芯片表面進(jìn)行線狀的蝕刻，適當(dāng)控制金屬線自芯片表面至芯片內(nèi)部的距離，以控制其蝕刻深度。該步驟(a)的芯片可為尚未進(jìn)行制程的磊芯片。
一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，其特征在于該包括下列步驟(a)、于芯片的正面或基板面沿切割道施以放電蝕刻；(b)、于該放電蝕刻面的背面施以鉆石刀劃線或點(diǎn)劃線；(c)、進(jìn)行劈裂剝離成晶粒。該步驟(a)的放電蝕刻方式是以金屬線施以適當(dāng)電流，并輔助以適當(dāng)?shù)奈g刻溶液，于該芯片表面進(jìn)行線狀的蝕刻，適當(dāng)控制金屬線自芯片表面至芯片內(nèi)部的距離，以控制其蝕刻深度。
該步驟(a)的芯片可為尚未進(jìn)行制程的磊芯片。
本發(fā)明的主要優(yōu)點(diǎn)是具有能縮短切割工時(shí)、改善晶粒剝離的優(yōu)良率及外觀形狀，以及降低切割所造成的鉆石刀損耗成本。
下面結(jié)合較佳實(shí)施例和附圖進(jìn)一步說(shuō)明。


圖1是本發(fā)明進(jìn)行放電蝕刻的流程圖。
圖2是本發(fā)明未切割前的芯片正面的俯視圖。
圖3是本發(fā)明未切割前的芯片正面的側(cè)視圖。
圖4是本發(fā)明于芯片的正面沿切割道進(jìn)行放電蝕刻的俯視圖。
圖5是本發(fā)明于芯片的正面沿切割道進(jìn)行放電蝕刻的側(cè)視圖。
圖6是本發(fā)明于芯片的正面沿垂直方向的切割道完成放電蝕刻至基板區(qū)域的俯視圖。
圖7是本發(fā)明于芯片的正面沿垂直方向的切割道完成放電蝕刻至基板區(qū)域的側(cè)視圖。
圖8是本發(fā)明于芯片的正面沿水平方向的切割道完成放電蝕刻至基板區(qū)域的俯視圖。
圖9是本發(fā)明于芯片的正面沿水平方向的切割道完成放電蝕刻至基板區(qū)域的側(cè)視圖。
圖10是本發(fā)明進(jìn)行放電蝕刻的實(shí)施例2的流程圖。
實(shí)施例1參閱圖1-圖9，本發(fā)明是一種以放電蝕刻方式進(jìn)行發(fā)光二極管的晶粒切割剝離的方式，其是于芯片的正面，沿其切割道施以放電蝕刻10，可依需求蝕刻至基板區(qū)域，然后，于該放電蝕刻面的背面進(jìn)行劈裂(break)20，剝離成晶粒。
本發(fā)明的實(shí)施例是在一未經(jīng)切割前的芯片7正面上，于其沿切割道施以放電蝕刻，該放電蝕刻方式是以金屬線2施以適當(dāng)電流，并輔助以適當(dāng)?shù)奈g刻溶液，于芯片7表面進(jìn)行線狀的蝕刻，如圖4、5，適當(dāng)控制金屬線2自芯片7表面至基板6內(nèi)部的距離，以控制其蝕刻深度，并陸續(xù)完成于垂直方向的蝕刻，如圖6、7，然后，于水平方向的切割道施以放電蝕刻，并陸續(xù)完成，如圖8、9，完成正面的放電蝕刻制程，即徑行于芯片7背面進(jìn)行劈裂(break)剝離成晶粒。
該芯片7上布設(shè)有多數(shù)晶粒3，該等晶粒3之間是保持適當(dāng)間距，各晶粒3上分別形成一P電極4及一N電極5。
實(shí)施例2參閱圖10，本發(fā)明亦可于上述完成正面的放電蝕刻10制程后，于該放電蝕刻面的背面再施以鉆石刀劃線(scribe)30，再進(jìn)行劈裂(break)40，以加強(qiáng)其劈裂的效果。
本發(fā)明的放電蝕刻面亦可為該芯片7的基板的6面。
此外，本發(fā)明的芯片亦可為尚未進(jìn)行制程的磊芯片，完成芯片正面的切割道放電蝕刻后，再進(jìn)行下一步制程。
綜上述，透過(guò)本發(fā)明的放電蝕刻方式，具如下述的特點(diǎn)1).可縮短切割工時(shí)。
2).降低切割所造成的鉆石刀損耗成本。
3).改善晶粒剝離的優(yōu)良率及外觀形狀。
4).可針對(duì)較難切割的基板進(jìn)行蝕刻，達(dá)到較佳切割效果。
總之，本發(fā)明可增加產(chǎn)業(yè)上利用性，不同于一般使用鉆石刀及點(diǎn)劃線切割方式，具有創(chuàng)造性。
權(quán)利要求
1.一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，其特征在于它包括下列步驟(a)、于芯片的正面或基板面沿切割道施以放電蝕刻；(b)、于該放電蝕刻面的背面行劈裂剝離成晶粒。
2.如權(quán)利要求1所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，其特征在于該步驟(a)的放電蝕刻方式是以金屬線施以適當(dāng)電流，并輔助以適當(dāng)?shù)奈g刻溶液，于該芯片表面進(jìn)行線狀的蝕刻，適當(dāng)控制金屬線自芯片表面至芯片內(nèi)部的距離，以控制其蝕刻深度。
3.如權(quán)利要求1所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，其特征在于該步驟(a)的芯片可為尚未進(jìn)行制程的磊芯片。
4.一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，其特征在于該包括下列步驟(a)、于芯片的正面或基板面沿切割道施以放電蝕刻；(b)、于該放電蝕刻面的背面施以鉆石刀劃線或點(diǎn)劃線；(c)、進(jìn)行劈裂剝離成晶粒。
5.如權(quán)利要求4所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，其特征在于該步驟(a)的放電蝕刻方式是以金屬線施以適當(dāng)電流，并輔助以適當(dāng)?shù)奈g刻溶液，于該芯片表面進(jìn)行線狀的蝕刻，適當(dāng)控制金屬線自芯片表面至芯片內(nèi)部的距離，以控制其蝕刻深度。
6.如權(quán)利要求4所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，其特征在于該步驟(a)的芯片可為尚未進(jìn)行制程的磊芯片。
全文摘要
一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法,其以放電蝕刻方式進(jìn)行發(fā)光二極管組件的晶粒切割剝離的輔助技術(shù),該方法有別于一般使用鉆石刀及點(diǎn)劃線的切割方式,具有有效的縮短切割工時(shí)、改善晶粒剝離的優(yōu)良率及外觀形狀,以及降低切割所造成的鉆石刀損耗成本等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L21/302GK1354527SQ00132679
公開日2002年6月19日 申請(qǐng)日期2000年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月22日
發(fā)明者黃榮義, 鐘長(zhǎng)祥, 陳澤澎 申請(qǐng)人:國(guó)聯(lián)光電科技股份有限公司