本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)的臨界擊穿電場(chǎng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于第一代半導(dǎo)體硅(Si)或第二代半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)，高達(dá)3MV/cm，因此，其電子器件能承受很高的電壓。同時(shí)，氮化鎵可以與其他鎵類(lèi)化合物半導(dǎo)體(III族氮化物半導(dǎo)體)形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。由于III族氮化物半導(dǎo)體具有強(qiáng)烈的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，在異質(zhì)結(jié)的界面附近，可以形成很高電子濃度的二維電子氣(2DEG)溝道。這種異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)有效的降低了電離雜質(zhì)散射，因此溝道內(nèi)的電子遷移率大大提升。在此異質(zhì)結(jié)基礎(chǔ)上制成的氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)能在高頻率導(dǎo)通高電流，并具有很低的導(dǎo)通電阻。這些特性使氮化鎵HEMT特別適用于制造高頻的大功率射頻器件和高耐壓大電流的開(kāi)關(guān)器件。

由于二維電子氣溝道內(nèi)的電子有很高的遷移率，所以氮化鎵HEMT相對(duì)于硅器件而言，開(kāi)關(guān)速率大大提高。同時(shí)高濃度的二維電子氣也使得氮化鎵HEMT具有較高的電流密度，適用于大電流功率器件的需要。另外，氮化鎵是隔離層，能工作在較高的溫度。硅器件在大功率工作環(huán)境下往往需要額外的降溫器件來(lái)確保其正常工作，而氮化鎵無(wú)須降溫器，或者對(duì)降溫要求較低。因此氮化鎵功率器件有利于節(jié)省空間和成本。

氮化鎵晶體管中，通常在柵極與漏極之間承受較高的電壓，導(dǎo)致柵極與漏極之間靠近柵極的區(qū)域存在強(qiáng)電場(chǎng)，此處的強(qiáng)電場(chǎng)造成氮化鎵器件的電流崩塌效應(yīng)。電流崩塌效應(yīng)表現(xiàn)為：在關(guān)態(tài)電壓應(yīng)力下部分電子被陷阱或表面態(tài)捕獲，開(kāi)啟時(shí)被捕獲的電子來(lái)不及釋放導(dǎo)致開(kāi)態(tài)電阻增加，即動(dòng)態(tài)電阻大。對(duì)于氮化鎵電力電子器件而言，電流崩塌效應(yīng)導(dǎo)致器件動(dòng)態(tài)電阻大，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗大，高頻下該現(xiàn)象越明顯。

陷阱位于氮化鎵帽層、鋁鎵氮?jiǎng)輭緦?、氮化鎵溝道層和氮化鎵緩沖層以及各層材料之間的界面。為應(yīng)對(duì)材料表面電子陷阱引起的電流崩塌效應(yīng)，氮化鎵HEMT一般采用SiN介質(zhì)等材料覆蓋器件表面的鈍化工藝。鈍化層(如SiN或者AlN)可以通過(guò)改善材料表面態(tài)并阻止電子在表面聚集，來(lái)降低或消除電流崩塌效應(yīng)。但是，SiN鈍化后缺陷，表面態(tài)減少，減小至1×10¹¹cm^-2eV^-1，復(fù)合率減小導(dǎo)致器件的漏電流增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種可解決上述問(wèn)題的半導(dǎo)體器件。

詳細(xì)地，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

襯底；

位于所述襯底上的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括溝道層和勢(shì)壘層，所述溝道層位于所述襯底上，所述勢(shì)壘層位于所述溝道層上與所述溝道層遠(yuǎn)離所述襯底的表面接觸；

位于所述半導(dǎo)體層的勢(shì)壘層上的氮化鎵帽層，其中，所述氮化鎵帽層的厚度大于或等于3nm且小于或等于5.8nm。

優(yōu)選地，所述氮化鎵帽層的厚度為4nm至5nm。

優(yōu)選地，還包括：

位于所述氮化鎵帽層上的源極和漏極，以及位于所述源極和漏極之間的柵極，其中，所述源極、漏極與所述半導(dǎo)體層歐姆接觸，所述源極和柵極之間、漏極和柵極之間設(shè)置有第一絕緣介質(zhì)層，所述柵極與所述氮化鎵帽層之間設(shè)置有第二絕緣介質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層覆蓋于第一絕緣介質(zhì)層之上。

優(yōu)選地，所述氮化鎵帽層上開(kāi)設(shè)有與所述柵極相匹配的開(kāi)口，所述第二絕緣介質(zhì)層通過(guò)所述開(kāi)口延伸至所述勢(shì)壘層與所述勢(shì)壘層接觸，所述柵極的一部分延伸至所述開(kāi)口的位置與所述第二絕緣介質(zhì)層接觸，所述第二絕緣介質(zhì)層將所述柵極與所述勢(shì)壘層絕緣隔離。

優(yōu)選地，所述第一絕緣介質(zhì)層以及所述第二絕緣介質(zhì)層為氮化硅、氧化硅、氧化鋁或氧化鉿中的一種或多種的組合。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體層包括緩沖層、溝道層和勢(shì)壘層，所述緩沖層位于所述襯底上，所述溝道層位于所述緩沖層上與所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的表面接觸，所述勢(shì)壘層位于所述溝道層上與所述溝道層遠(yuǎn)離所述襯底的表面接觸，所述溝道層和勢(shì)壘層的界面處形成二維電子氣層。

優(yōu)選地，所述勢(shì)壘層為鎵類(lèi)化合物半導(dǎo)體材料或III族氮化物半導(dǎo)體材料。

優(yōu)選地，所述襯底和所述緩沖層的厚度為3μm至10μm。

優(yōu)選地，所述緩沖層包含多層氮化鋁和/或多層鋁鎵氮。

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成溝道層；

在所述溝道層上遠(yuǎn)離所述襯底的表面形成勢(shì)壘層，所述溝道層和勢(shì)壘層組成半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層的勢(shì)壘層上形成厚度大于或等于3nm且小于或等于5.8nm的氮化鎵帽層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件采用3nm～5.8nm的氮化鎵帽層結(jié)構(gòu)，可有效降低勢(shì)壘層的表面缺陷，避免勢(shì)壘層與空氣中的氧反應(yīng)而引入缺陷。另一方面，氮化鎵帽層和鋁鎵氮之間的負(fù)的極化電荷，導(dǎo)致鋁鎵氮中電場(chǎng)的增強(qiáng)，缺陷中捕獲的電子在高場(chǎng)下被釋放的概率大，動(dòng)態(tài)電阻降低。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半導(dǎo)體器件的層級(jí)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件關(guān)斷時(shí)的漏電流隨漏源電壓變化的曲線。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件中氮化鎵帽層的厚度對(duì)電阻增加值影響的參數(shù)表。

圖4(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的不同氮化鎵帽層厚度的能帶圖。

圖4(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的不同氮化鎵帽層厚度的電子濃度。

圖4(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的不同氮化鎵帽層厚度的空穴濃度。

圖4(d)為本發(fā)明實(shí)施例提供的不同氮化鎵帽層厚度方塊電阻相對(duì)于氮化鎵帽層厚度為2.4nm時(shí)方塊電阻的增加的百分比。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種半導(dǎo)體器件的層級(jí)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖標(biāo)：100-半導(dǎo)體器件；101-襯底；102-半導(dǎo)體層；1021-緩沖層；1022-溝道層；1023-勢(shì)壘層；10211-二維電子氣層；103-氮化鎵帽層；104-源極；105-漏極；106-柵極；107-第一絕緣介質(zhì)層；108-第二絕緣介質(zhì)層。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來(lái)布置和設(shè)計(jì)。因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例?；诒景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。同時(shí)，在本發(fā)明的描述中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

實(shí)施例一

圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件100。該半導(dǎo)體器件100包括襯底101、半導(dǎo)體層102、氮化鎵帽層103。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件100可以是，但不限于，氮化鎵器件。

在本實(shí)施例中，襯底101可以由藍(lán)寶石(sapphire)、碳化硅(SiC)、氮化硅(GaN)、硅(Si)或者本領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的任何其他適合生長(zhǎng)III族氮化物材料的材料所制成，本發(fā)明對(duì)此沒(méi)有任何限制。襯底101的沉積方法包括化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)、氣相外延(Vapour Phase Epitaxy，VPE)、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)、低壓力化學(xué)氣相沉積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、脈沖激光沉積(Pulsed Laser Deposition，PLD)、原子層外延、分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、濺射、蒸發(fā)等。所應(yīng)說(shuō)明的是，本發(fā)明對(duì)襯底101所使用的材料和其生長(zhǎng)方法并不限于上述描述的材料和方法。

半導(dǎo)體層102位于襯底101上，本實(shí)施例中，半導(dǎo)體層102的材料可以是III-V族化合物。優(yōu)選地，半導(dǎo)體層102自下而上包括依次層疊的成核層(圖中未示出)、緩沖層1021、溝道層1022和勢(shì)壘層1023。溝道層1022和勢(shì)壘層1023的界面處形成二維電子氣10211(如圖中虛線所示)。本優(yōu)選方案中，溝道層1022和勢(shì)壘層1023形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，二維電子氣10211在異質(zhì)結(jié)界面處形成。

其中，緩沖層1021是為了降低襯底與氮化鎵外延材料由于晶格失陪和熱失陪導(dǎo)致的高位錯(cuò)密度和微裂紋。緩沖層1021可以采用超晶格緩沖層和多緩沖層技術(shù)進(jìn)行生長(zhǎng)。若采用超晶格緩沖層生長(zhǎng)技術(shù)生長(zhǎng)緩沖層1021，可首先生長(zhǎng)多層薄的氮化鋁和鋁鎵氮交替疊層，然后再生長(zhǎng)厚的氮化鎵緩沖層。若采用多緩沖層技術(shù)生長(zhǎng)緩沖層1021，可首先生長(zhǎng)鋁氮緩沖層和鋁氮緩沖層上的多層鋁鎵氮緩沖層，各鋁鎵氮緩沖層具有不同的鋁組分，且靠近鋁氮一側(cè)的鋁鎵氮層的鋁組分高，然后再生長(zhǎng)氮化鎵緩沖層。在一實(shí)例中，若制作600V至1200V器件，緩沖層1021的厚度可以是3μm至10μm。優(yōu)選的，600V器件緩沖層1021厚度為3.8μm至4.8μm。圖2為緩沖層厚度為4.5μm時(shí)，器件關(guān)斷時(shí)漏極電壓隨漏極電流的變化曲線，橫坐標(biāo)為漏源電壓，縱坐標(biāo)為漏源電流。在施加600V的電壓時(shí)，器件漏電流小于1μA。另一實(shí)例中，若制作900V至1200V器件，優(yōu)選的緩沖層厚度小于10μm。

其中，勢(shì)壘層1023的材料可以是能夠與溝道層1022形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的任何半導(dǎo)體材料，包括鎵類(lèi)化合物半導(dǎo)體材料或III族氮化物半導(dǎo)體材料，例如In_xAl_yGa_zN，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。

氮化鎵帽層103位于半導(dǎo)體層102上。本實(shí)施例中，氮化鎵帽層103的厚度d大于或等于3nm且小于或等于5.8nm。在試驗(yàn)過(guò)程中，發(fā)明人采用不同厚度的材料形成的氮化鎵帽層103進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，經(jīng)過(guò)300V應(yīng)力后電阻增加值ΔRon隨氮化鎵帽層103厚度的增加而減小。采用厚的氮化鎵帽層103能更有效的降低勢(shì)壘層1023的表面缺陷，避免AlGaN與空氣中的氧反應(yīng)引入缺陷。如圖3所示，不同厚度的氮化鎵帽層103電阻增加值隨氮化鎵帽層103厚度的增加而減小。另一方面，氮化鎵帽層103和鋁鎵氮之間的負(fù)的極化電荷，導(dǎo)致鋁鎵氮中電場(chǎng)的增強(qiáng)，溝道中二維電子氣濃度的減小，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加。缺陷中捕獲的電子在高場(chǎng)下被釋放的概率大，因此動(dòng)態(tài)電阻降低。例如圖4(a)所示，在仿真圖1中的結(jié)構(gòu)時(shí)，氮化鎵帽層103的厚度為20nm，10nm，5nm和1nm時(shí)對(duì)應(yīng)的能帶圖如圖4(a)所示。沿X方向，零的位置對(duì)應(yīng)氮化鎵帽層103與勢(shì)壘層1023的界面。從圖4(a)所示的能帶圖可知，隨著氮化鎵帽層103厚度的增加，勢(shì)壘層1023中的電場(chǎng)也逐漸增強(qiáng)。在圖4(a)中，Ec為導(dǎo)帶，Ev為價(jià)帶，Ef為費(fèi)米能級(jí)。橫坐標(biāo)Depth為沿X方向的深度，單位為縱坐標(biāo)Energy表示能量，單位為eV。勢(shì)壘層1023與溝道層1022界面附近電子濃度如圖4(b)所示，隨著氮化鎵帽層103厚度的增加，溝道中二維電子氣濃度減小；沿X方向各處空穴濃度如圖4(c)所示，當(dāng)?shù)壝睂?03厚度為20nm時(shí)，氮化鎵帽層103與勢(shì)壘層1023界面處的空穴濃度已到達(dá)7×10¹⁴cm^-3。從圖3來(lái)看，當(dāng)Cap厚度(即氮化鎵冒層103的厚度)小于3nm時(shí)，動(dòng)態(tài)電阻的增加值和變化范圍明顯大于Cap厚度在3nm～5.8nm之間的器件。Cap厚度為3nm與Cap厚度為2.4nm相比，ΔRon減小約30％。Cap厚度為5.8nm與Cap厚度為2.4nm相比，ΔRon減小約88％。且cap厚度繼續(xù)增加(大于5.8nm)動(dòng)態(tài)電阻降低不明顯。從圖4(a)到圖4(d)可知二維電子氣濃度隨帽層厚度增加而增加，導(dǎo)致器件方塊電阻增大。例如，Cap厚度為5.8nm與cap厚度為2.4nm相比方塊電阻增加8％；Cap厚度為20nm與cap厚度為2.4nm相比方塊電阻增加達(dá)37％。綜上所述，為了獲得較小的動(dòng)態(tài)電阻而增加帽層的厚度，而增加帽層厚度會(huì)導(dǎo)致方塊電阻增加，因此根據(jù)一系列的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和數(shù)據(jù)可知，為優(yōu)化動(dòng)態(tài)電阻和導(dǎo)通電阻，在本申請(qǐng)中折中選擇，氮化鎵帽層103厚度設(shè)計(jì)為3nm至5.8nm可以達(dá)到較佳的效果。此外，從圖3、圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)可以看出Cap厚度在4nm到5nm時(shí)上述效果更明顯。因此，優(yōu)選的氮化鎵帽層103厚度為4nm至5nm。

此外，所述半導(dǎo)體器件100還包括位于氮化鎵帽層103上的源極104和漏極105，以及位于源極104和漏極105之間的半導(dǎo)體層102上的柵極106。源極104和漏極105分別位于氮化鎵帽層103上的相對(duì)兩側(cè)。本實(shí)施例中，源極104和半導(dǎo)體層102形成歐姆接觸，漏極105和半導(dǎo)體層102形成歐姆接觸。其中，源極104和漏極105的材料可以是一種金屬材料，也可以是多種金屬的復(fù)合材料。柵極106可以是單層金屬，也可以是多層金屬的層疊。柵極106的形狀可以是矩形或T型等。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體器件100還包括第一絕緣介質(zhì)層107和第二絕緣介質(zhì)層108。第一絕緣介質(zhì)層107包括位于源極104和柵極106之間的一部分以及位于漏極105和柵極106之間的另一部分。所述第二絕緣介質(zhì)層108覆蓋于第一絕緣介質(zhì)層107上，將源極104和柵極106以及漏極105和柵極106絕緣隔離。柵極106、第一絕緣介質(zhì)層107和帽層形成MIS(Metal-Insulator-Semiconductor，金屬-絕緣層-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中，第一絕緣介質(zhì)層107和第二絕緣介質(zhì)層108的材料可以是氮化硅、氧化硅、氧化鋁或氧化鉿其中的一種或幾種的組合。

實(shí)施例二

圖5是本發(fā)明實(shí)施例二提供的半導(dǎo)體器件100的層級(jí)結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于，實(shí)施例二中MIS結(jié)構(gòu)是由柵極106、第二絕緣介質(zhì)層108和勢(shì)壘層1023形成。通過(guò)去掉柵極106下方的一部分氮化鎵帽層103，降低源極104和漏極105之間的漏電。此外，在半導(dǎo)體器件100關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，柵極106邊緣的尖峰電場(chǎng)位于勢(shì)壘層1023中，而不在氮化鎵帽層103表面，減少了由氮化鎵帽層103與鈍化層界面對(duì)電子的捕獲概率?？梢赃M(jìn)一步降低電流崩塌，同時(shí)減小了鈍化層對(duì)電流崩塌的影響。另一方面，刻蝕去除柵極106下方的一部分氮化鎵帽層103與不刻蝕相比，柵下區(qū)域?qū)У?Ec)電子能級(jí)更高，避免了柵下區(qū)域捕獲和積累電子，避免器件工作過(guò)程中閾值電壓的漂移，器件穩(wěn)定性更好。因此，使該半導(dǎo)體器件100同時(shí)具有低漏電，低電流崩塌和高可靠性。

具體而言，參圖5所示，所述氮化鎵帽層103上開(kāi)設(shè)有與所述柵極106相匹配的開(kāi)口，所述第二絕緣介質(zhì)層108通過(guò)所述開(kāi)口延伸至所述勢(shì)壘層1023與所述勢(shì)壘層1023接觸，所述柵極106的一部分延伸至所述開(kāi)口的位置與所述第二絕緣介質(zhì)層108接觸，使所述柵極106與所述勢(shì)壘層1023之間通過(guò)所述第二絕緣介質(zhì)層108絕緣隔離，進(jìn)而使得柵極106、第二絕緣介質(zhì)層108以及勢(shì)壘層1023形成MIS結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

步驟S101，提供一襯底。

步驟S102，在所述襯底上形成溝道層。

步驟S103，在所述溝道層上遠(yuǎn)離所述襯底的表面形成勢(shì)壘層，所述溝道層和勢(shì)壘層組成半導(dǎo)體層。

步驟S104，在所述半導(dǎo)體層的勢(shì)壘層上形成厚度大于或等于3nm且小于或等于5.8nm的氮化鎵帽層。

通過(guò)上述制造方法可以制造出氮化鎵帽層成厚度大于或等于3nm且小于或等于5.8nm的半導(dǎo)體器件。進(jìn)一步的，還可以在所述氮化鎵帽層上形成源極和漏極，并在所述源極和漏極之間形成柵極，其中，所述源極、漏極與所述半導(dǎo)體層歐姆接觸。

本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括制作半導(dǎo)體器件的柵極、源極、漏極等部分的步驟，相關(guān)步驟可參現(xiàn)有技術(shù)中的制作方法，此處不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件100采用3nm～5.8nm的氮化鎵帽層103結(jié)構(gòu)，可有效降低勢(shì)壘層1023的表面缺陷，進(jìn)而避免勢(shì)壘層1023與空氣中的氧反應(yīng)而引入缺陷。另一方面，氮化鎵帽層103和鋁鎵氮之間的負(fù)的極化電荷，導(dǎo)致鋁鎵氮中電場(chǎng)的增強(qiáng)，缺陷中捕獲的電子在高場(chǎng)下被釋放的概率大，可降低動(dòng)態(tài)電阻。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。