專利名稱：發(fā)光二極體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種發(fā)光二極體(Light Emitting Diode；LED)晶片結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是一種有關(guān)磷化鋁鎵銦(AlGaInP)發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
常用的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體具有一只異質(zhì)結(jié)構(gòu)(DoubleHeterostructure；DH)，其構(gòu)造如

圖1所示，是在一n型砷化鎵(GaAs)基板(Substrate)3上成長一鋁含量在70-100％的n型(AlxGa1-x)0.5In0.5P下包覆層4，一(AlxGa1-x)0.5In0.5P活性層5、一鋁含量在70-100％的p型(AlxGa1-x)0.5In0.5P上包覆層6，以及一p型高能隙的電流分散層(Current SpreadingLayer)7，這一層的材料可以是磷化鎵、磷砷化鎵、磷化銦鎵或砷化鋁鎵等，利用改變活性層的組成，便可以改變發(fā)光二極體發(fā)光波長，使其產(chǎn)生從650nm紅色至555nm純綠色的波長。但此一傳統(tǒng)的發(fā)光二極體有一缺點，就是活性層產(chǎn)生的光，往下入射至砷化鎵基板時，由于砷化鎵基板的能隙較小，因此人射至砷化鎵基板的光將會被吸收掉，而無法產(chǎn)生高效率的發(fā)光二極體。
為了避免基板的吸光，常用一些文獻揭露出LED的技術(shù)，然而這些技術(shù)都有其缺點以及限制。例如Sugawara等人發(fā)表于(Appl，Phys Lett，Vol，61，1775-1777(1992)揭示了一種利用加入一層分散布拉格反射層(DistribuiedBragg Reflector；DBR)于砷化鎵基板上，借以反射入射向砷化鎵基板的光，并減少砷化鎵基板吸收，然而由于DBR反射層只對于較接近垂直人射于砷化鎵基板的光能有效的反射，因此效果并不大。Kish等人發(fā)表于Appl.Phys Lett.Vol.64，NO.21，2839，(1994)的文獻，名稱為「Very high-efficiencysemiconductor wafer-bondedtransparent-substrate(AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP」]提供一種粘接晶圓(Waferbonding)的透明式基板(Transparent-Substrate；TS)(AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP發(fā)光二極體。這種TS AlGaInPLED是利用氣相磊晶法(VPE)而形成厚度相當(dāng)厚約50μm的P型磷化鎵(GaP)窗戶層，然后再以習(xí)知常用的化學(xué)蝕刻法選擇性地移除N型砷化鎵(GaAs)基板。隨后將此暴露出的N型(AlxGa1-x)0.5In0.5P下包覆層粘接至厚度約為8-10mil的n型磷化鎵基板上。由于此晶圓粘接是將二種III-V族化合物半導(dǎo)體直粘接在一起，因此要在較高溫度，加熱加壓一段時間才能完成。就發(fā)光亮度而言，這種方式所獲得的TSAlGaInPLED比傳統(tǒng)的吸收式基板(Absorbing，Substrate；AS)AlGaInPLED大兩倍以上。然而，這種TS AlGaInPLED的缺點就是制造過程太過繁雜。因此，無法獲得高生產(chǎn)優(yōu)良率，且難以降低制造成本。
另一種傳統(tǒng)技術(shù)，例如Horng等人發(fā)表于(Appl，Phys，Lett，Vol.75，No.20，3054(1999)文獻，名稱為「AlGaInP light-emitting diodes withmirror substratesabricatedbvwafer bonding」。Horng等人揭示一種利用晶片融合技術(shù)以形成鏡面基板(Mirror，Substrate；MS)磷化鋁鎵銦/金屬/二氧化硅/硅LED。其使用AuBe/Au作為粘著材料借以接合硅基板與LED磊晶層。其主要缺陷在于在20mA操作電流下，這種MS AlGaInP LED的發(fā)光強度僅為90mcd，仍然比TS AlGaInP LED的發(fā)光強度少40％，所以其發(fā)光強度無法令人滿意。
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)，其包括一具有一發(fā)光層的多層磊晶結(jié)構(gòu)，借由一粘接層與一透明基板相結(jié)合。此二極體的發(fā)光層可為同質(zhì)結(jié)構(gòu)(Homostructure)、單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(Single heterostructure，SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(Double heterostructure，DH)或多重量子井結(jié)構(gòu)(Multi quantumwells，MQWs)；同時亦包括第一歐姆接觸金屬電極層和第二歐姆接觸金屬電極層，分別與第一導(dǎo)電型磊晶層及第二導(dǎo)電型磊晶層相接觸，且第一歐姆接觸金屬電極層與第二歐姆觸金屬電極層都是位于同一側(cè)。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種發(fā)光二極體的制造方法，藉由一粘接層，如旋涂式玻璃(SOG)或硅樹脂(Silicone)等，將發(fā)光二極體磊晶層與透明基板相結(jié)合，并把發(fā)光二極體基板移除至第一導(dǎo)電型蝕刻終止層，以形成第一歐姆接觸金屬電極層，同時部分蝕刻至第二導(dǎo)電型磊晶層，形成一第二歐姆接觸金屬電極層，且第一歐姆接觸金屬電極層與第二歐姆接觸金屬電極層都是位于同一側(cè)。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的一種發(fā)光二極體，至少包括一發(fā)光二極體磊晶片，其特征在于該磊晶片上具有一多層磷化鋁鎵銦磊晶層形成的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)成長在一吸光基板上；一透明基板；以及利用一透明粘接層將該透明基板與發(fā)光二極體磊晶體表面接合在一起。
該基板為砷化鎵。該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是與磷化鋁鎵銦的同質(zhì)結(jié)構(gòu)。該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是磷化鋁鎵銦單異質(zhì)結(jié)構(gòu)。該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是磷化鋁鎵銦雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是磷化鋁鎵銦量子井結(jié)構(gòu)。該透明粘接層的材質(zhì)包括旋涂式玻璃。該透明粘接層的材質(zhì)包括聚亞酰胺。該透明粘接層的材質(zhì)包括硅樹脂。在透明基板與發(fā)光二極體接合后將吸光的基板除去。該透明基板是藍寶石。該透明基板是玻璃。該透明基板是磷化鎵。該透明基板是磷砷化鎵。該透明基板是硒化鋅、硫化鋅或硒化鋅硫。其該透明基板是碳化硅。在透明基板及具發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的磊晶片表面沉積一層二氧化硅。
一種發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于；至少包括提供一發(fā)光二極體磊晶片，該磊晶片上具有一多層砷化鋁鎵磊晶層形成的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)成長在一吸光基板上；利用一透明粘接層將該透明基板與發(fā)光二極體磊晶層表面接合在一起。
該基板為砷化鎵。該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是與砷化鋁鎵的同質(zhì)結(jié)構(gòu)。該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是砷化鋁鎵單異質(zhì)結(jié)構(gòu)。該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是砷化鋁鎵雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是砷化鋁鎵量子井結(jié)構(gòu)。該透明粘接層的材質(zhì)包括旋涂式玻璃。該透明粘接層的材質(zhì)包括聚亞酰胺。該透明粘接層的材質(zhì)包括硅樹脂。在透明基板與發(fā)光二極體接合后將吸光的基板除去。該透明基板是籃寶石。該透明基板是玻璃。該透明基板是磷化鎵、磷砷化鎵。該透明基板是硒化鋅、硫化鋅或硒化鋅硫。該透明基板是碳化硅。在透明基板及具發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的磊晶片表面沉積一層二氧化硅，以利于用SOG將兩者接合在一起。所述的利用該透明粘接層將該透明基板與該發(fā)光二極體磊晶層表面接合在一起的步驟，至少包括下列方式第一階段包括在50-300℃范圍內(nèi)加壓及加熱而成，第二階段包括在300-700℃范圍內(nèi)加壓及加熱而成。
本發(fā)明的主要優(yōu)點是提供一簡單的LED晶片粘結(jié)結(jié)構(gòu)，可在較低的溫度下進行晶片粘結(jié)，減少V族元素在粘結(jié)過程中揮發(fā)的問題。且由于沒有基板吸光的缺點，因此可大幅提升LED的發(fā)光效率。
本發(fā)明的另一優(yōu)點為制程簡單，且可以采用玻璃等低成本的透明基板，因此可獲得高優(yōu)良率輿低成本的功效。
下面結(jié)合較佳實施例和附圖進一步說明。
圖1是常用發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明的發(fā)光二極體的磊晶結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明的發(fā)光二極體的透明基板與粘接層結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本發(fā)明的發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本發(fā)明的實施例2的發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是本發(fā)明實施例2的發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖(局部剖視)。
實施例1參閱圖2-圖4，本發(fā)明的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)及其制造方法。圖2為本發(fā)明發(fā)光二極體的磊晶結(jié)構(gòu)，包括依序堆疊的N型砷化鎵(GaAs)基板26、蝕刻終止層(Etching Stop Layer)24、N型磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P下包覆(Cladding)層22與磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P活化層(Active Layer)20，P型磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P上包覆層18以及P型歐姆接觸磊晶層(Ohmic Contact Epitaxial Layer)16。
P型歐姆接觸磊晶層的材料可以是砷化鋁鎵或磷化鋁鎵銦或磷砷化鎵，只要其能隙大于活化層，不會吸收活性層產(chǎn)生的光，但又必須具有高的載子濃度，以利于形成歐姆接觸，便可以選擇為P型歐姆接觸磊晶層。
上述的活性層，其鋁含量的范圍是在x＝0～0.45，而上、下包覆層其鋁含量約控制在x＝0.5～1.0，當(dāng)活性層的鋁含量x＝0時，活性層的組成是Ga0.5In0.5P，而發(fā)光二極體的波長λd約是635nm。上述的化合物比，例如活性層(AlxGa1-x)0.5In0.5P，僅是舉出一較佳例子，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明同樣適用于其他的比例。此外在本發(fā)明中，AlGaInP活性層20的結(jié)構(gòu)可以是采用傳統(tǒng)的同質(zhì)結(jié)構(gòu)(Homostructure)，單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(Single Heterostructure)，雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(DoubleHeterostructure；DH)或是多重量子井(MultipleQuantumWell；MQw)。所謂的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(DH)即包括圖2所示的N型磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P下包覆層22與一磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P活性層20、一P型磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P上包覆層18，其中這三層的較佳厚度分別約為0.5～3.0、0.5～2.0、0.5～3.0μm。
在本發(fā)明中蝕刻終止層24的材質(zhì)可以是任何III-V族元素的化合物半導(dǎo)體，只要其晶格常數(shù)可以和砷化鎵基板26相匹配以免產(chǎn)生差排，且蝕刻速率是遠低于由砷化鎵物質(zhì)所組成的基板26，便可以當(dāng)作蝕刻終止層。在本發(fā)明中蝕刻終止層24的較佳材質(zhì)可為磷化銦鎵(InGaP)或砷化鋁鎵(AlGaAs)。在本實施例中，N型磷化鋁鎵銦下包覆層的蝕刻速率也遠低于砷化鎵基板。因此，只要其厚度較厚，也可以不需要另一層組成不同的磊晶層來當(dāng)作蝕刻終止層。
接著，如圖3所示，此結(jié)構(gòu)包括透明粘接層14，其材質(zhì)可為旋涂式玻璃(Spin On Glass；SOG)和一透明基板(Transparent Substrate，TS)10。本明所使用的粘接層14的材質(zhì)并不限于旋涂式玻璃，其他具有類似性質(zhì)，可形成透明狀態(tài)的粘著物質(zhì)，如聚亞酰胺(Polyimide)或硅樹脂(Silicone)均通用于本發(fā)明。透明基板可以采用玻璃、藍寶石(Sapphire)晶片、碳化硅(SiC)晶片、磷化鎵(GaP)晶片、磷砷化鎵(GaAsP)晶片、硒化鋅(ZnSe)晶片、硫化鋅(ZnS)晶片及硒硫化鋅(ZnSSe)晶片等，只要這些晶片其對于發(fā)光層發(fā)出的光不會有很大的吸收，都可以當(dāng)作本發(fā)明的透明基板，且本發(fā)明的另一項優(yōu)點是所使用的透明基板不一定要是單晶片，由于發(fā)光二極體發(fā)光時，電流并不通過透明基板，透明基板的目的只是當(dāng)作一機械式的支撐來防止發(fā)光二極體磊晶層在制造晶粒過程中破裂。因此，也可以使用復(fù)晶(Polycrystal)基板或非晶是(Amorphorus)基板，而大幅降低生產(chǎn)成本。
接著將圖2的發(fā)光二極體磊晶片及圖3的透明基板借由SOG粘接層粘在一起，粘著的過程是在400℃左右的高溫加壓加熱一段時間完成。為了改善發(fā)光二極體磊晶片與透明基板之間的接合特性，也可以在發(fā)光二極體磊晶片及透明基板的表面沉積、蒸鍍或濺鍍上一層二氧化硅，然后再涂布上SOG，接著在400℃左右的高溫加壓加熱一段時間，來完成磊晶片與透明基板的粘合，為了使得粘合的效果更好，也可以將以SOG粘接的發(fā)光二極體磊晶片及透明基板，先在50-300℃的低溫加熱一段時間，來將SOG內(nèi)的有機溶劑趕掉，然后再升高溫度至300-700℃的范圍，讓SOG與發(fā)光二極體磊晶片及透明基板緊密的粘結(jié)在一起。粘著好的磊晶片，接著以腐蝕液如(5H3PO4∶3H2O2∶3H2O或是INH4OH∶35 H2O2)腐蝕，將不透光的N型砷化鎵基板除去。蝕刻終止層如果采用InGaP或AlGaAs仍然會吸收活性層產(chǎn)生的光，因此，也必須以腐蝕液完全除去或只留下與N型歐姆接觸金屬電極層接觸的部分。然后再以乾式蝕刻法如RlE將部分N型磷化鋁鎵銦下包覆層、磷化鋁鎵銦活化層及P型磷化鋁鎵銦上包覆層除去，并曝露P型歐姆接觸磊晶層。接著形成P型歐姆接觸金屬電極層28于P型歐姆接接觸磊晶層16上，及形成N型歐姆接觸金屬電極層30于N型磷化鋁鎵銦下包覆層22上，便形成了一個P、N歐姆接觸金屬電極層都在同一側(cè)的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)，如圖4所示。
本發(fā)明所得的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體所發(fā)出的光波長約為635nm，且在20mA的操作電流下，其光輸出功率約為4mW，是傳統(tǒng)吸收式基板磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體的光輸出功率的2倍以上。
本發(fā)明并不限于只適用于高亮度磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體，本發(fā)明也可以適用于其他發(fā)光二極體材料，如砷化鋁鎵紅色及紅外線發(fā)光二極體。
實施例2參閱圖5、6，是本發(fā)明實施例二的磊晶結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明650nm砷化鋁鎵紅色發(fā)光二極體的磊晶結(jié)構(gòu)包括依序堆疊的N型砷化鎵基板51、N型砷化鋁鎵下包覆層52，鋁含量約70～80％，厚度約0.5-3μm、砷化鋁鎵活性層53，鋁含量約35％，厚度約0.5～2μm、以及一P型砷化鋁鎵上包覆層54，鋁含量約70～80％，厚度約0.5-3μm。然后將上述的砷化鋁鎵紅色發(fā)光二極體磊晶片與一透明基板56，如籃寶石晶片以硅樹脂55粘合在一起。粘著好的磊晶片接著以腐蝕液如NH4OH∶H2O2＝1.7∶1腐蝕，將不透光的N型砷化鎵基板除去。然后，接著以濕式蝕刻法或乾式蝕刻法將部分N型砷化鋁鎵下包覆層及砷化鋁鎵活性層除去，并暴露P型砷化鋁鎵上包覆層。接著，形成P型歐姆接觸金屬電極層57于P型砷化鋁鎵上包覆層54上，及形成N型歐姆接觸金屬電極層58于N型砷化鋁鎵下包覆層52上，便形成了一個P、N歐姆接觸金屬電極體層都在同一側(cè)的發(fā)光二極體，如圖6所示。
依據(jù)本發(fā)明所得的紅色砷化鋁鎵發(fā)光二極體所發(fā)出的光波長約為650nm，且在20mA的操作電流下，其光輸出功率是傳統(tǒng)吸收式基扳砷化鋁鎵發(fā)光二極體的光輸出功率的2倍本發(fā)明的發(fā)光二極體由于采用透明基板，且P、N歐姆接觸金屬電極都位在透明基板的另一側(cè)，因此可以以覆晶(Flip Chip)的方式封裝，而不需要采用傳統(tǒng)的金屬打線(Wire Bonding)，元件的可靠性較佳。且由于透明基板不吸光，發(fā)光二極體的亮度可以顯掌著增加。此外，透明基板如采用藍寶石、玻璃或碳化硅等材質(zhì)，由于這些材料非常硬，因此基板厚度可以降低至100微米左右，而不會在晶粒制程或封裝制程中破裂，可制造出厚度較薄且體積較小的發(fā)光二極體。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用以限定本發(fā)明的保護范圍，凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極體，至少包括一發(fā)光二極體磊晶片，其特征在于該磊晶片上具有一多層磷化鋁鎵銦磊晶層形成的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)成長在一吸光基板上；一透明基板；以及利用一透明粘接層將該透明基板與發(fā)光二極體磊晶體表面接合在一起。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該基板為砷化鎵。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是與磷化鋁鎵銦的同質(zhì)結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是磷化鋁鎵銦單異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是磷化鋁鎵銦雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是磷化鋁鎵銦量子井結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該透明粘接層的材質(zhì)包括旋涂式玻璃。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該透明粘接層的材質(zhì)包括聚亞酰胺。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該透明粘接層的材質(zhì)包括硅樹脂。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于在透明基板與發(fā)光二極體接合后將吸光的基板除去。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該透明基板是藍寶石。
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該透明基板是玻璃。
13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該透明基板是磷化鎵。
14.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該透明基板是磷砷化鎵。
15.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該透明基板是硒化鋅、硫化鋅或硒化鋅硫。
16.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于該透明基板是碳化硅。
17.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于在透明基板及具發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的磊晶片表面沉積一層二氧化硅。
18.一種發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于至少包括提供一發(fā)光二極體磊晶片，該磊晶片上具有一多層砷化鋁鎵磊晶層形成的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)成長在一吸光基板上；利用一透明粘接層將該透明基板與發(fā)光二極體磊晶層表面接合在一起。
19.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該基板為砷化鎵。
20.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是與砷化鋁鎵的同質(zhì)結(jié)構(gòu)。
21.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該發(fā).光二極體結(jié)構(gòu)是砷化鋁鎵單異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
22.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是砷化鋁鎵雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
23.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)是砷化鋁鎵量子井結(jié)構(gòu)。
24.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該透明粘接層的材質(zhì)包括旋涂式玻璃。
25.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該透明粘接層的材質(zhì)包括聚亞酰胺。
26.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該透明粘接層的材質(zhì)包括硅樹脂。
27.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于在透明基板與發(fā)光二極體接合后將吸光的基板除去。
28.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該透明基板是籃寶石。
29.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該透明基板是玻璃。
30.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該透明基板是磷化鎵、磷砷化鎵。
31.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該透明基板是硒化鋅、硫化鋅或硒化鋅硫。
32.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于該透明基板是碳化硅。
33.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于在透明基板及具發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的磊晶片表面沉積一層二氧化硅，以利于用SOG將兩者接合在一起。
34.如權(quán)利要求18或33所述的發(fā)光二極體的制造方法，其特征在于所述的利用該透明粘接層將該透明基板與該發(fā)光二極體磊晶層表面接合在一起的步驟，至少包括下列方式第一階段包括在50-300℃范圍內(nèi)加壓及加熱而成，第二階段包括在300-700℃范圍內(nèi)加壓及加熱而成。
全文摘要
一種發(fā)光二極體及其制造方法,其藉由一粘接層將發(fā)光二極體磊晶層與不會吸光的透明基板相結(jié)合,并把發(fā)光二極體基板移除至第一導(dǎo)電型蝕刻終止層,以形成第一歐姆接觸金屬電極層,同時部分蝕刻至第二導(dǎo)電型磊晶層,形成第二歐姆接觸金屬電極層,且第一歐姆接觸金屬電極層與第二歐姆接觸金屬電極層都是位于同一側(cè)。大幅提高發(fā)光二級體的發(fā)光效率。
文檔編號H01L21/20GK1355570SQ00132549
公開日2002年6月26日 申請日期2000年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月27日
發(fā)明者陳澤澎, 張智松, 楊光能 申請人:國聯(lián)光電科技股份有限公司