技術編號：6935847
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是關于一種發(fā)光二極體(Light Emitting Diode；LED)晶片結構及其制造方法，特別是一種有關磷化鋁鎵銦(AlGaInP)發(fā)光二極體的結構及其制造方法。常用的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體具有一只異質結構(DoubleHeterostructure；DH)，其構造如附圖說明圖1所示，是在一n型砷化鎵(GaAs)基板(Substrate)3上成長一鋁含量在70-100％的n型(AlxGa1-x)0.5In0.5P下包覆層4，一(AlxGa1-x)0...
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