專利名稱：具溢膠防止結構的半導體封裝件及其制法的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體封裝件，尤指一種半導體晶片與焊線外露于封裝膠體上所形成的開槽中的半導體封裝件及其制法。
隨電子產品的日新月異，針對不同功能的需求與不同產品的規(guī)格需求，電子產品中所使用的半導體封裝件(Semiconductor Package)遂愈趨多樣化，例如，導腳四面排列的裝置(QFP)、球柵陣列裝置(BGA)、薄型裝置(TSOP)及影像偵測裝置(Image Sensor Device)等。
上述影像偵測裝置的結構大致上是在一具有晶片座及導腳的導線架上形成一具有開槽的封裝膠體，使導線架供半導體晶片黏著的晶片座及導腳上供金線焊接的部位外露于該開槽中，再以一蓋件封蓋至該封裝膠體上，以使該半導體晶片及金線與外界氣密隔離。此種裝置的結構由于須在上片(Die Bond)及焊線(Wire Bond)作業(yè)前，先將封裝膠體成形于該導線架上，故在模壓制程中往往導致晶片座及導腳外露于該開槽中的部位為形成該封裝膠體的封裝樹脂所污染，即所謂的溢膠(Flash)，若不予以去除(De-flash)，則會影響至晶片座與半導體晶片間的黏接品質以及導腳與金線間的焊接品質。因而，封裝業(yè)界對上述問題提出諸多去除溢膠的方法，但該等方法均仍存在有缺點而不盡理想；故美國專利第5,070,041號案即揭示了另一種去除溢膠的方法，即以解決現有方法的缺點。
該獲準專利的方法是包括下列步驟1)將導線架欲外露于封裝膠體的開槽中的部位先涂覆一層高分子有機物質，且該高分子有機物質的熔點高于用以形成封裝膠體的封裝樹脂；2)于該導線架上形成一具開槽的封裝膠體；3)將包覆有該導線架的封裝膠體浸入一可溶解該高分子有機物質而不會溶解該封裝膠體的溶劑中；4)將一半導體晶片黏著至該導線架的晶片座上，再以焊線連接該半導體晶片與導線架；以及5)黏接一蓋片至該封裝膠體上以封蓋該開槽。
該方法雖較現有者為佳，然而，仍具有下列的缺點首先，該高分子有機物質是以溶劑溶除，故產生的溶液須予以處理，否則會造成環(huán)保問題；由于須對產生的溶液進行后續(xù)處理，因此會增加制造成本并使制程復雜化；再者，其步驟3)的溶解作業(yè)完成后，由于該導線架及封裝膠體形成的結構體是完全浸入溶劑中，故須將溶有該高分子有機物質的溶劑完全自導線架及封裝膠體的表面上去除，否則，若有殘留，則會形成二次污染，而對后續(xù)的制程造成不利影響；然而，欲有效去除溶有高分子有機物質的溶劑，則須使用現有制程所不具有的設備與程序，而導致制造成本的增加與制程的復雜化；同時，在該高分子有機物質為溶劑溶解后，該專利方法不能立即進行上片及焊線作業(yè)，因其須經過去除溶有該高分子有機物質的溶劑的處理時間，而令制造時程為之增加，且不利于生產效率。
綜觀上述專利方法及其它現有方法的缺點，可了解到其癥結所在是該等方法均是在溢膠于模壓制程(Molding)中產生后方予以去除溢膠的后處理，其所以會衍生諸多新問題乃是可預見的，因而，如何避免模壓制程中于導線架上產生溢膠，始為有效的根本解決的道。
本發(fā)明的目的即在提供一種能防止溢膠發(fā)生于導線架上的具溢膠防止結構的半導體封裝件及其制法，由于導線架上于模壓制程中不會形成溢膠，故毋須后續(xù)的去除溢膠處理，而能降低制造成本并簡化封裝制程，從而可確保封裝件的品質。
本發(fā)明的目的可以通過以下措施來達到一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，是包括一導線架，其具有頂面及相對的底面，并在預設位置上結合有一溢膠防止結構，使該導線架頂面位于該溢膠防止結構內的部分與該導線架位于該溢膠防止結構外的其余部分隔離，以在該導線架的頂面位于該溢膠防止結構內的部分上形成一晶片黏置區(qū)與一位于該晶片黏置區(qū)外側的焊接區(qū)；一黏設于該導線架的晶片黏置區(qū)上的半導體晶片；多數導電連接元件，是焊接于該半導體晶片與該導線架的焊接區(qū)上，以導電連接該半導體晶片與導線架；一具開槽以部分包覆該導線架的封裝膠體，使該半導體晶片與導電連接元件均外露于該開槽中；以及一蓋接至該封裝膠體上的蓋件，以封蓋住該開槽而使該開槽中的封裝膠體及導電連接元件與外界氣密地隔離。
該溢膠防止機構是由一成形于該導線架頂面上的膠堤以及一黏貼至該導線架底面上的貼片所構成，且該膠堤是同時與該導線架與貼片相黏結。
該膠堤是成形于該導線架的焊接區(qū)外緣上。
該膠堤是凸出于導線架的頂面上。
該膠堤是由該封裝膠體的開槽的槽壁相接。
該貼片是黏接至該導線架的底面位于該晶片黏置區(qū)與焊接區(qū)下方的位置上。
該貼片的外側邊是向外超出該焊接區(qū)的外緣一適當距離。
該導線架是由一晶片座與多數的導腳所構成。
該晶片座的側邊與各導腳的內端間是相隔開一距離而形成一縫隙。
該貼片貼黏至該導線架的底面上后，是分別與該晶片座與導腳黏接而將該縫隙封合。
該膠堤是形成于該導腳上的預設位置，而分別與該導腳與貼片黏接。
該導線架是由多數導腳所構成。
各該導腳的內端是向內集中并間隔開而限定出一中空部。
各該導腳上是由其內端向外依序形成該晶片黏置區(qū)及該焊接區(qū)。
該貼片黏貼至該導線架的底面上后，是將該中空部封合住。
該導線架頂面上供膠堤成形的部位上復形成有一凹部。
該凹部是形成于各該導腳上。
該導電連接元件是金線。
該膠堤的材料是選自由硅膠、環(huán)氧樹脂及聚亞酰胺。
該貼片是由聚亞酰胺樹脂制成。
該貼片是金屬片。
一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，是包括下列步驟準備一結合有溢膠防止結構的導線架，使該導線架的頂面位于該溢膠防止結構內的部位與該導線架位于溢膠防止結構外的其余部位隔離開，并于該導線架的頂面位在該溢膠防止結構內的部位上形成有一晶片黏置區(qū)及一位在該晶片黏置區(qū)外側的焊接區(qū)；將該結合有溢膠防止結構的導線架置入封裝模具中，進行模壓制程以形成一具有開槽而部分包覆該導線架的封裝膠體，令該導線架上的晶片黏置區(qū)與焊接區(qū)外露于該開槽中；黏設一半導體晶片至該導線架的晶片黏置區(qū)上；導電連接該半導體晶片與導線架的焊接區(qū)；以及蓋接一蓋片至該封裝膠體上，以封蓋住該封裝膠體的開槽。
該溢膠防止機構是由一成形于該導線架頂面上的膠堤以及一黏貼至該導線架底面上的貼片所構成，且該膠堤是同時與該導線架與貼片相黏結。
該膠堤是成形于該導線架的焊接區(qū)外緣上。
該膠堤是凸出于導線架的頂面上。
該膠堤是由該封裝膠體的開槽的槽壁相接。
該貼片是黏接至該導線架的底面位于該晶片黏置區(qū)與焊接區(qū)下方的位置上。
該貼片的外側邊是向外超出該焊接區(qū)的外緣一適當距離。
該導線架是由一晶片座與多數的導腳所構成。
該晶片座的側邊與各導腳的內端間是相隔開一距離而形成一縫隙。
該貼片貼黏至該導線架的底面上后，是分別與該晶片座與導腳黏接而將該縫隙封合。
該膠堤是形成于該導腳上的預設位置，而分別與該導腳與貼片黏接。
該導線架是由多數導腳所構成。
各該導腳的內端是向內集中并間隔開而限定出一中空部。
各該導腳是由其內端向外依序形成該晶片黏置區(qū)及該焊接區(qū)。
該貼片黏貼至該導線架的底面上后，是將該中空部封合住。
該導線架頂面上供膠堤成形的部位上復形成有一凹部。
該凹部是形成于各該導腳上。
該導電連接元件是金線。
該膠堤的材料是選自由硅膠、環(huán)氧樹脂及聚亞酰胺所組成的組群之一。
該貼片是由聚亞酰胺樹脂制成。
該貼片是金屬片。
本發(fā)明相比現有技術具有如下優(yōu)點依據本發(fā)明揭示及其它目的所提供的具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，是包括準備一具頂面與底面的導線架，將一溢膠防止結構成形于該導線架上的預設位置后，使該導線架頂面位于溢膠防止結構內的部分與其位于該溢膠防止結構外的其余部分隔離，并在該導線架頂面位于該溢膠防止結構內的部分上形成一晶片黏置區(qū)與一位于該晶片黏置區(qū)外側的焊接區(qū)；接而，將該結合有溢膠防止結構的導線架置入封裝模具中，以成形出一與該導線架結合并具有一開槽的封裝膠體，該開槽的形成方式是使其槽壁底邊與該溢膠防止結構接合，而令該導線架的晶片黏置區(qū)與焊接區(qū)外露于該開槽中；然后于該晶片黏置區(qū)上黏接一半導體晶片，再以焊線連接該半導體晶片與焊接區(qū)，而使該半導體晶片與導線架電性連結；最后，將一蓋片黏接至該封裝膠體上，以封蓋住該開槽而將開槽中的半導體晶片及焊線與外界氣密隔離。
本發(fā)明的一較佳具體例中，該溢膠防止結構是由一黏貼至該導線架的晶片黏置區(qū)與焊接區(qū)下方的底面上的貼片，以及環(huán)設于該導線架焊接區(qū)外緣并與該貼片形成有黏結關系的膠堤所構成。該膠堤是凸出該導線架的頂面一適當高度，且與位于其下方的貼片密合地黏接，令導線架的頂面為膠堤所圈圍的部分(即晶片黏置區(qū)及焊接區(qū))與導線架位于膠堤及貼片外的其余部分完整地隔離；故在模壓制程中，封裝模具內的開槽成形塊的邊緣會壓抵至該膠堤上，使用以形成該封裝膠體的融熔封裝樹脂不致溢流入導線架的晶片黏置區(qū)及焊接區(qū)上，而得有效避免溢膠的形成。
本發(fā)明的另一較佳具體例中，該導線架頂面上所預設的膠堤形成位置上，是以蝕刻或其它現有方式形成一凹部以限成膠堤形成范圍，并提高膠堤與導線架的結合性。
本發(fā)明的導線架得由一晶片座及多數的導腳所構成，其組成方式是令各導腳的內端與晶片座的邊緣相隔一適當距離而形成一縫隙；此時，該貼片即黏貼至晶片座與導腳的下表面上，而將兩者間的縫隙下側封蓋住，該膠堤則成形于導腳近內端的部位上，而使膠堤分別與各導腳與導腳下于貼片密合地黏結，以由導腳的內端與膠堤間的頂面形成該焊線區(qū)，晶片座的頂面形成該晶片黏置區(qū)。該導線架亦得僅由多數的導腳所構成，令各導腳的內端間隔開一適當距離而限定出一中空部，以在該半導體晶片黏接至該導線架上后，該中空部恰為半導體晶片所蓋覆，如此，該半導體晶片與導線架間的黏接面積得大幅降低，以避免晶片脫層(Delamination)的發(fā)生；此時，該貼片即黏貼至導線架的底面上，其面積須大于中空部及半導體晶片的面積，以在膠堤成形于該導線架上的預設位置后，各導腳供焊線焊接的焊接區(qū)得圈圍于膠堤內。換言的，此僅由導腳構成的導線架，其晶片黏置區(qū)與焊接區(qū)均位于導腳向內部集中的部位上。
以下茲以較佳具體例配合所附圖示進一步詳述本發(fā)明的特點及功效。


圖1是本發(fā)明第一實施例的半導體封裝件的剖視圖；圖2A至2F是用以說明本發(fā)明第一實施例的半導體封裝件制程的流程示意圖；圖3是本發(fā)明第二實施例的半導體封裝件的剖視圖；以及圖4是本發(fā)明第三實施例的半導體封裝件的剖視圖。
圖1是本發(fā)明第一實施例的半導體封裝件的剖視圖。如圖所示，該半導體封裝件，是包括有一導線架2，黏接于該導線架2上的半導體晶片3，用以導電連接該半導體晶片3及導線架2的金線4，用以部分包覆該導線架2的封裝膠體5，封接至該封裝膠體5上的蓋片6。
該導線架2是以銅、鋁、銅合金、鋁合金或其他具導電性佳的金屬材料制成，其具有一晶片座20以及多數的導腳21，使該導腳21的內端210與晶片座20的邊緣200間相隔一適當距離而形成一縫隙22；同時，該晶片座20具有一頂面201與一相對的底面202，各該導腳21亦具有一頂面211與一相對的底面212。該晶片座20即是供半導體晶片3黏接至其頂面201上，黏接的方式得使用如銀膠等的膠黏劑或使用熱固性或熱塑性樹脂制成的貼片(Adhesive Tape)。而該封裝膠體5于模壓制程中即一體成形出一開槽50，以令該半導體晶片3及金線4均外露于該開槽50中，而不會為封裝膠體5所包覆，故在該開槽50為蓋片6所封蓋住后，該半導體晶片及金線4仍得與外界氣密隔離，不致有外界異物及水氣入侵的問題。
如圖1所示，該導線架2上復在該開槽50的槽壁500的底邊上形成有一連續(xù)的膠堤7，并在該晶片座20的底面202與導腳21的底面212上黏貼一貼片8，使該縫隙22的下側為該貼片8所密合地封蓋住，以由該膠堤7與貼片8構成一溢膠防止結構，避免該導線架2與溢膠防止結構結合后于進行模壓制程時有溢膠的發(fā)生。該貼片8的寬度須大于該膠堤7與晶片座20的邊緣200間的距離，亦即黏貼作業(yè)完成后，該貼片8的外側邊80須向外超出該膠堤7，以避免該膠堤7的成形作業(yè)時，構成該膠堤7的樹脂不致自貼片8的外側邊80向下溢流而污染作業(yè)設備，同時，該貼片8的內側邊81則須向內延展一適當距離以超出該晶片座20的邊緣200，而完整地封合住該縫隙22。該貼片8得以聚亞酰胺(Polyimide)或金屬片等材料制成；當該貼片8為金屬材料制成時，適用的金屬材料為銅、鋁、銅合金或鋁合金等。此外，該膠堤7的形成得以現有的點膠(Glob Top)或網版印刷等方式，其超出該導腳21的頂面211的高度以足以防止形成該封裝膠體5的封裝樹脂溢流至導腳21頂面211上于膠堤7與內端210間的部位為限，無特殊限制。制成該膠堤7的樹脂材料宜為具彈性的硅膠(silicone)，環(huán)氧樹脂(Epoxy)或聚亞酰胺(Polyimide)等。
再參照圖2A至2G，本發(fā)明第一實施例的半導體封裝件1的制法，是依下列步驟。
首先，如圖2A所示，準備一由導電性的金屬材料制成的導線架2，使之形成一晶片座20以及多數裝設于該晶片座20四周的導腳21，且在導腳21的內端210與晶片座20的邊緣200間相隔出一縫隙22。
其次，如圖2B所示，在該晶片座20的底面202及導腳21的底面212上黏貼一貼片8，其黏貼的位置是使該貼片8得完全地封住該縫隙22的下側。
然后，如圖2C所示，以點膠或網版印刷方式于該導線架2上的預設位置形成一將該晶片座20及導腳21近內端210的部分圈圍在內的膠堤7，由于該貼片8的外側邊80是位于該膠堤7成形位置外，故膠堤7成形時，除會黏附至各導腳21上，并會由兩相鄰導腳21間的間隙流至該貼片8上，以在膠堤7固化成形后，該膠堤7亦會與貼片8黏結，而使該導腳21的頂面211位于該膠堤7與其內端210間的部分以及晶片座20的頂面201與導線架2位于該膠堤7與貼片8外的部分隔離開。為使膠堤7、貼片8與導線架2間的黏設關系明確起見，第2C圖并以正視圖方式表現。
膠堤7形成后，即與該貼片8構成一溢膠防止結構，該結合有溢膠防止機構的導線架2隨即可置入一封裝模具中以進行模壓制程。如圖2D所示，該封裝模具是由一上模90與一得與上模90合模的下模91所構成，該上模90與下模91分別凹設有模穴900及910，以供融熔封裝樹脂注入以形成該封裝膠體5；該上模90的模穴900中并一體設有一開槽形成塊901，該開槽形成塊901在上模90與下模91合模后，其頂緣會壓抵至該膠堤7上，由于該膠堤7具有彈性，故開槽形成塊901與之壓接后，兩者間不會留有融熔封裝樹脂得流入的間隙，且導線架2的底部黏接有該貼片8，遂不會有溢膠發(fā)生于晶片座20的頂面201及導腳21位于膠堤7內的頂面211上的情形，故在模壓作業(yè)完成后，該晶片座20的頂面201及導腳21位于膠堤7內的頂面211均無封裝樹脂的污染，而可直接進行后續(xù)制程且毋須任何清洗處理，所以，相較于現有制法，本發(fā)明的制造成本得以降低且制程得以簡化并縮短時間。
如圖2E所示，封裝制程結束并脫模后，該封裝膠體5即會形成一開槽50，使該晶片座20的頂面201與導腳21位于其內端210與膠堤7間的頂面211外露于該開槽50中。
然后，將一半導體晶片3經由該開槽50黏接至該晶片座20的頂面201上，隨后，進行焊線作業(yè)以將金線4焊接于半導體晶片3及導腳21位于膠堤7內的部位上，而導電連接該半導體晶片3及導線架2，如圖2F所示。
最后，參照圖1，將一現有的蓋片6黏接至該封裝膠體5上，以封蓋住該封裝膠體5的開槽50，而使開槽50中的半導體晶片3及金線4與外界氣密隔離。
上述的前三個步驟得由組件供應商先制成，再運交封裝業(yè)者直接進行模壓制程后的作業(yè)，因而，本發(fā)明的半導體封裝件制法不但可解決溢膠發(fā)生的問題，并可直接沿用既有的封裝設備與制程，故能有效降低制造成本。
如圖3所示為本發(fā)明第二實施例的半導體封裝件1′。該半導體封裝件1′的結構大致同于前揭的第一實施例，其不同處在于其導線架2′是由多數的導腳21′構成。該導線架2′的導腳21′的內端210′是以朝內部集中并間隔開的方式限定出一由導腳21′的內端210′形成的中空部23′，以令半導體晶片3′黏設至該導線架2′上時，該中空部23′恰位于半導體晶片3′下方并被完全蓋覆，而令該半導體晶片3′的底面31′僅部分與導腳21′的頂面211′相黏接，故可減少晶片脫層發(fā)生機會。由于該半導體晶片3′是直接黏著至該導腳21′上，故須使用非導電性的膠黏劑或貼片黏接兩者，同時，各導腳21′的頂面211′上亦分別形成有一晶片黏置區(qū)213′及位于該晶片黏置區(qū)213′外側的焊接區(qū)214′。
該溢膠防止結構的形成是在導腳21′的底面212′上黏貼一貼片8′，使該貼片8′的寬度大于兩相對的導腳21′上的焊接區(qū)214′外緣間的距離，以在該膠堤7′形成于該導腳21′的焊接區(qū)214′的外緣上時，該膠堤7′得與該導腳21′及位于導腳21′下方的貼片8′分別黏接，且在膠堤7′成形時，形成膠堤7′的樹脂不致自貼片8′的外側邊80′向外溢流；同時，該貼片8′黏貼至預設位置后，得完全將該中空部23′及兩相鄰導腳21′位于晶片黏置區(qū)213′及焊接區(qū)214′間的間隙封蓋住，而使晶片黏置區(qū)213′及焊接區(qū)214′上于模壓制程中不會發(fā)生溢膠的問題。
如圖4所示為本發(fā)明第三實施例的半導體封裝件的剖示圖。該第三實施例的半導體封裝件1″的結構大致同于前揭的第一實施例，其不同處在于該導線架2″的導腳21″供膠堤7″成形的部位上是以現有的蝕刻方式蝕刻出一凹部215″；該凹部215″的形成在使該膠堤7″的成形范圍得為該凹部215″所限制，而不致過度外擴，同時，亦可強化該膠堤7″與導腳21″間的黏結性。
以上所述者，僅為本發(fā)明的具體實施例而已，其它任何未背離本發(fā)明的精神與技術下所作的等效改變或修飾，均應仍包含在下述專利范圍的內。
權利要求
1.一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于包括一導線架，其具有頂面及相對的底面，并在預設位置上結合有一溢膠防止結構，使該導線架頂面位于該溢膠防止結構內的部分與該導線架位于該溢膠防止結構外的其余部分隔離，以在該導線架的頂面位于該溢膠防止結構內的部分上形成一晶片黏置區(qū)與一位于該晶片黏置區(qū)外側的焊接區(qū)；一黏設于該導線架的晶片黏置區(qū)上的半導體晶片；多數導電連接元件，是焊接于該半導體晶片與該導線架的焊接區(qū)上，以導電連接該半導體晶片與導線架；一具開槽以部分包覆該導線架的封裝膠體，使該半導體晶片與導電連接元件均外露于該開槽中；以及一蓋接至該封裝膠體上的蓋件。
2.如權利要求1所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該溢膠防止機構是由一成形于該導線架頂面上的膠堤以及一黏貼至該導線架底面上的貼片所構成，且該膠堤是同時與該導線架與貼片相黏結。
3.如權利要求2所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該膠堤是成形于該導線架的焊接區(qū)外緣上。
4.如權利要求2所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該膠堤是凸出于導線架的頂面上。
5.如權利要求2所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該膠堤是由該封裝膠體的開槽的槽壁相接。
6.如權利要求2所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該貼片是黏接至該導線架的底面位于該晶片黏置區(qū)與焊接區(qū)下方的位置上。
7.如權利要求2所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該貼片的外側邊向外超出該焊接區(qū)的外緣一距離。
8.如權利要求1所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該導線架由一晶片座與多數的導腳所構成。
9.如權利要求8所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該晶片座的側邊與各導腳的內端間相隔開一距離而形成一縫隙。
10.如權利要求2或9所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該貼片貼黏至該導線架的底面上后，是分別與該晶片座與導腳黏接。
11.如權利要求2或9所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該膠堤是形成于該導腳上的預設位置，而分別與該導腳與貼片黏接。
12.如權利要求1所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該導線架是由多數導腳所構成。
13.如權利要求12所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于各該導腳的內端是向內集中并間隔開而限定出一中空部。
14.如權利要求12所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于各該導腳上是由其內端向外依序形成該晶片黏置區(qū)及該焊接區(qū)。
15.如權利要求2或13所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該貼片黏貼至該導線架的底面上后，是將該中空部封合住。
16.如權利要求2所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該導線架頂面上供膠堤成形的部位上復形成有一凹部。
17.如權利要求16所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該凹部是形成于各該導腳上。
18.如權利要求1所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該導電連接元件是金線。
19.如權利要求1所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該膠堤的材料是選自由硅膠、環(huán)氧樹脂和聚亞酰胺。
20.如權利要求1所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該貼片是由聚亞酰胺樹脂制成。
21.如權利要求1所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件，其特征在于該貼片是金屬片。
22.一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于包括下列步驟準備一結合有溢膠防止結構的導線架，使該導線架的頂面位于該溢膠防止結構內的部位與該導線架位于溢膠防止結構外的其余部位隔離開，并于該導線架的頂面位在該溢膠防止結構內的部位上形成有一晶片黏置區(qū)及一位在該晶片黏置區(qū)外側的焊接區(qū)；將該結合有溢膠防止結構的導線架置入封裝模具中，進行模壓制程以形成一具有開槽而部分包覆該導線架的封裝膠體，令該導線架上的晶片黏置區(qū)與焊接區(qū)外露于該開槽中；黏設一半導體晶片至該導線架的晶片黏置區(qū)上；導電連接該半導體晶片與導線架的焊接區(qū)；以及蓋接一封蓋住該封裝膠體開槽的蓋片至該封裝膠體上。
23.如權利要求22所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該溢膠防止機構是由一成形于該導線架頂面上的膠堤以及一黏貼至該導線架底面上的貼片所構成，且該膠堤是同時與該導線架與貼片相黏結。
24.如權利要求23所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該膠堤是成形于該導線架的焊接區(qū)外緣上。
25.如權利要求23所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該膠堤是凸出于導線架的頂面上。
26.如權利要求23所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該膠堤是由該封裝膠體的開槽的槽壁相接。
27.如權利要求23所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該貼片是黏接至該導線架的底面位于該晶片黏置區(qū)與焊接區(qū)下方的位置上。
28.如權利要求23所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該貼片的外側邊向外超出該焊接區(qū)的外緣一距離。
29.如權利要求22所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該導線架是由一晶片座與多數的導腳所構成。
30.如權利要求29所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該晶片座的側邊與各導腳的內端間是相隔開一距離而形成一縫隙。
31.如權利要求23或29所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該貼片貼黏至該導線架的底面上后，是分別與該晶片座與導腳黏接。
32.如權利要求23或29所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該膠堤是形成于該導腳上的預設位置，而分別與該導腳與貼片黏接。
33.如權利要求22所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該導線架是由多數導腳所構成。
34.如權利要求33所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于各該導腳的內端是向內集中并間隔開而限定出一中空部。
35.如權利要求33所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于各該導腳是由其內端向外依序形成該晶片黏置區(qū)及該焊接區(qū)。
36.如權利要求23或34所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該貼片黏貼至該導線架的底面上。
37.如權利要求23所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該導線架頂面上供膠堤成形的部位上復形成有一凹部。
38.如權利要求37所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該凹部是形成于各該導腳上。
39.如權利要求22所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該導電連接元件是金線。
40.如權利要求22所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該膠堤的材料是選自由硅膠、環(huán)氧樹脂和聚亞酰胺。
41.如權利要求22所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該貼片是由聚亞酰胺樹脂制成。
42.如權利要求22所述的一種具溢膠防止結構的半導體封裝件的制法，其特征在于該貼片是金屬片。
全文摘要
一種具溢膠防止結構的半導體封裝件及其制法,包括由晶片座與導腳構成的導線架,各導腳與晶片座側邊形成一縫隙;黏接貼片于導線架底面,將縫隙底側封閉,成一狹道狀膠堤,膠堤與導腳下方的貼片黏接,由膠堤與貼片形成溢膠防止結構,封裝模具開槽成形塊的邊緣會壓抵膠堤;成形封裝膠體于導線架,導線架的晶片座上表面與封裝膠體開槽后,半導體晶片黏設于晶片座的上表面,導線連接半導體晶片與導腳的焊線區(qū),蓋件封蓋封裝膠體的開槽,完成封裝。
文檔編號H01L23/50GK1354507SQ0013244
公開日2002年6月19日 申請日期2000年11月17日 優(yōu)先權日2000年11月17日
發(fā)明者蘇國凱, 湯富地 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司