專利名稱：薄型球柵陣列式集成電路封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路封裝技術(shù)，特別是有關(guān)于一種薄型球柵陣列式(Thin & Fine Ball-Grid Array，TFBGA)集成電路封裝制作方法，其可用以制作一具有內(nèi)嵌散熱片(heat spreader)的薄型球柵陣列式集成電路封裝結(jié)構(gòu)體。
球柵陣列(Ball Grid Array，BGA)為一種先進(jìn)的集成電路封裝技術(shù)，其特點(diǎn)在于采用來(lái)安置半導(dǎo)體晶片，并于基板背面植置復(fù)數(shù)個(gè)焊球，以藉由這些焊球?qū)⒄麄€(gè)的封裝結(jié)構(gòu)體焊結(jié)及電性連接至印刷電路板。
薄型球柵陣列式集成電路封裝技術(shù)(Thin & Fine Ball-GrindArray，TFBGA)則為一種更新型的封裝技術(shù)，其可提供更為輕薄短小的集成電路封裝結(jié)構(gòu)體。TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體一般是以成批方式建構(gòu)于一基板上；此基板上預(yù)先劃分出復(fù)數(shù)個(gè)封裝區(qū)域，分別用以定義出個(gè)別的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體的位置。
然而于制作方法上，由于單一個(gè)TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體的尺寸相當(dāng)?shù)匦?，其長(zhǎng)寬尺寸一般為5mm別5mm至15mm×15mmn(millimeter)之間，且基板上的各個(gè)封裝區(qū)域的間隔距離一般僅為0.2mm至0.3mm的間，因此非常不易個(gè)別地將相對(duì)尺寸的散熱片內(nèi)嵌于晶片的封裝膠體之中。
相關(guān)的專利技術(shù)，例如包括美國(guó)專利第5,977,626號(hào)″THERMALLYAND ELECTRICALLY ENHANCED PBGA PACKAGE″；美國(guó)專利第5,216,278號(hào)″SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PAD ARRAY CARRIER PACKAGE″；以及美國(guó)專利第5,776,798號(hào)″SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHODTHEREOF″；等等。
美國(guó)專利第5,977,626號(hào)所公開(kāi)的技術(shù)方法包括如何將一散熱片內(nèi)嵌于一BGA封裝結(jié)構(gòu)體中，藉以散發(fā)半導(dǎo)體晶片于實(shí)際操作時(shí)所產(chǎn)生的熱量；而美國(guó)專利第5,216,278號(hào)所公開(kāi)的技術(shù)方法則包括如何將一散熱片安置于半導(dǎo)體晶片上。然而，此二個(gè)專利技術(shù)均非應(yīng)用于TFBGA封裝制作方法。美國(guó)專利第5,776,798號(hào)所公開(kāi)的專利技術(shù)則包括TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體的組合方式及其制造方法。然而，此專利技術(shù)卻未包括如何在TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體中加裝一內(nèi)嵌的散熱片。
鑒于以上所述公知技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的便是在于提供一種新穎的薄型球柵陣列式集成電路封裝制作方法，其可在每一個(gè)微小的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體中加裝一內(nèi)嵌的散熱片。
本發(fā)明的薄型球柵陣列式集成電路封裝制作方法包含以下步驟(1)預(yù)制一基板，其具有一正面及一背面，且其上預(yù)先定義出復(fù)數(shù)個(gè)封裝區(qū)域；(2)預(yù)制一散熱片架，其包括復(fù)數(shù)個(gè)一體成型的散熱片，具有一正面及一背面；且其中每一個(gè)散熱片對(duì)應(yīng)至該基板上的一個(gè)區(qū)域；(3)將復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體晶片分別電性連接至該基板正面上的各個(gè)封裝區(qū)域上；(4)將該散熱片架組合至該基板上，使得其中每一個(gè)散熱片置于基板上的一個(gè)半導(dǎo)體晶片的上方；(5)進(jìn)行一封裝膠體制作程序，藉以形成一連續(xù)的封裝膠體，用以封裝這些半導(dǎo)體晶片及該散熱片架；(6)進(jìn)行一植球制作程序，藉此將復(fù)數(shù)個(gè)焊球植置于該基板的背面；以及(7)進(jìn)行一切割制作程序，藉此將該封裝膠體沿該基板上的封裝區(qū)域分界線切割開(kāi)來(lái)，形成個(gè)別的封裝結(jié)構(gòu)體。
上述的集成電路封裝制作方法可讓每一個(gè)微小的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體均包含一內(nèi)嵌的散熱片于其封裝膠體之中。由于本發(fā)明的集成電路封裝制作方法所采用的散熱片架的整體的尺寸遠(yuǎn)大于其中的個(gè)別散熱片的尺寸，因此其較為易于處理，使得制作方法易于進(jìn)行。
本發(fā)明的實(shí)質(zhì)技術(shù)內(nèi)容及其實(shí)施例已用圖解方式詳細(xì)繪制于本說(shuō)明書所附的附圖之中。這些附圖的內(nèi)容簡(jiǎn)述如下

圖1A至圖1F為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以公開(kāi)本發(fā)明的薄型球柵陣列式集成電路封裝制作方法的圖一實(shí)施例；圖2A至圖2E為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以公開(kāi)本發(fā)明的薄型球柵陣列式集成電路封裝制作方法的圖二實(shí)施例；圖3A至圖3C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以公開(kāi)本發(fā)明的薄型球柵陣列式集成電路封裝制作方法的圖三實(shí)施例；圖4A至圖4B為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以公開(kāi)本發(fā)明的薄型球柵陣列式集成電路封裝制作方法的圖四實(shí)施例；圖5為一立體結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架的另一實(shí)施方式；圖6A至圖6C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架的另一實(shí)施方式及其用途；圖7A至圖7C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架的另一實(shí)施方式及其用途；圖8A至圖8C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架的另一實(shí)施方式及其用途；圖9A至圖9C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架的另一實(shí)施方式及其用途；圖10A至圖10C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架的另一實(shí)施方式及其用途。附圖標(biāo)號(hào)10基板10a基板10的正面10b基板10的背面11基板10上的預(yù)定封裝區(qū)域12基板10上的預(yù)定封裝區(qū)域13基板10上的預(yù)定封裝區(qū)域14基板10上的預(yù)定封裝區(qū)域15基板10上的預(yù)定封裝區(qū)域16基板10上的預(yù)定封裝區(qū)域20散熱片架20a支撐腳
20b溢膠屏障層20c殘留溢膠20d突塊20e凹穴20f溝槽20g突塊20h通孔21散熱片架20上個(gè)別的散熱片22散熱片架20上個(gè)別的散熱片23散熱片架20上個(gè)別的散熱片24散熱片架20上個(gè)別的散熱片25散熱片架20上個(gè)別的散熱片26散熱片架20上個(gè)別的散熱片31半導(dǎo)體晶片32半導(dǎo)體晶片33半導(dǎo)體晶片40焊線41焊塊(solder bumps)50封裝模具50a下凹模穴51封裝模具51a上凹模穴60封裝膠體70焊球81個(gè)別的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體82個(gè)別的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體83個(gè)別的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體以下將配合所附附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的薄型球柵陣列式集成電路封裝制作方法(以下簡(jiǎn)稱為集成電路封裝制作方法)的實(shí)施例。第一實(shí)施例(圖1A至圖1F)
以下將配合所附附圖中的圖1A至圖1F詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的集成電路封裝制作方法的第一實(shí)施例。
圖1A至圖1F為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以說(shuō)明本發(fā)明的集成體電路封裝制作方法的圖一實(shí)施例中的各個(gè)程序步驟。
請(qǐng)首先參閱圖1A，本發(fā)明的集成電路封裝制作方法的第一個(gè)步驟為預(yù)制一基板10(或一晶片載具)，它可以是一BT基板、或一FR4基板、或一聚硫亞氨膠片(polyimide tape)，其上預(yù)先定義出復(fù)數(shù)個(gè)封裝區(qū)域(于圖1A所示的實(shí)施例中，此基板10上是定義出六個(gè)封裝區(qū)域11、12、13、14、15、16；但須注意的是，基板10上的預(yù)定封裝區(qū)域的數(shù)目可視基板10的尺寸大小而任意做設(shè)計(jì)上的變更)。這些封裝區(qū)域11、12、13、14、15、16即用以分別定義出個(gè)別的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體的位置。
請(qǐng)接著參閱圖1B，下一個(gè)步驟為預(yù)制一散熱片架20，其由復(fù)數(shù)個(gè)一體成型的散熱片所構(gòu)成(于圖1B所示的實(shí)施例中，散熱片架20包括六個(gè)散熱片21、22、23、24、25、26，是分別對(duì)應(yīng)于基板10上的封裝區(qū)域11、12、13、14、15、16而設(shè)置)。
上述的散熱片架20可為一凸腳式或一無(wú)凸腳式。于此第一實(shí)施例中，所采用的散熱片架20是為凸腳式(無(wú)凸腳式散熱片架是采用于后述的圖二實(shí)施例)。如圖1B所示，此凸腳式散熱片架20的周緣上形成有復(fù)數(shù)個(gè)垂直彎曲的支撐腳20a。
請(qǐng)接著參閱圖1C，下一個(gè)步驟為進(jìn)行一焊晶制作程序(die-bondingprocess)，藉以將一批半導(dǎo)體晶片(其數(shù)量等于基板10上的封裝區(qū)域的個(gè)數(shù)；但于圖1C所示的剖面圖中，僅顯示出其中三個(gè)，分別以標(biāo)號(hào)31、32、33表示)分別焊接于基板10的正面10a上的封裝區(qū)域(于圖1C所示的剖面圖中，僅顯示出其中三個(gè)封裝區(qū)域11、12、13)。接著進(jìn)行一焊線制作程序(wire-bonding process)，藉以利用焊線40將半導(dǎo)體晶片31、32、33電性連接至基板10。
接著進(jìn)行一封裝膠體制作程序(encapsulation process)，其中利用一特制的封裝模具50，其具有一預(yù)定尺寸的下凹模穴50a。于此封裝膠體制作程序中，是首先將散熱片架20置放于封裝模具50的下凹模穴50a中，并使其支撐腳20a朝向上方；接著將基板10連同其上焊結(jié)的半導(dǎo)體晶片31、32、33以倒置方式(即讓基板10的背面10b朝向上方)置放于散熱片架20上，并讓基板10的正面10a的邊緣抵觸于散熱片架20的支撐腳20a上，使得基板10被散熱片架20的支撐腳20a所支撐。
請(qǐng)接著參閱圖1D，當(dāng)散熱片架20和基板10均安置于封裝模具50的下凹模穴50a中的定位后，便可將一膠質(zhì)封裝材料，例如為樹(shù)脂，注入至封裝模具50的下凹模穴50a中藉此而形成一連續(xù)的封裝膠體60，其將整個(gè)散熱片架20和所有的半導(dǎo)體晶片31、32、33均包覆于其中。
請(qǐng)接著參閱圖1E，上述的封裝膠體制作程序完成之后，接著便可將封裝膠體60自封裝模具50的下凹模穴50a中取出來(lái)。接著進(jìn)行一植球制作程序(ball-implantation process)，藉以將復(fù)數(shù)個(gè)焊球70植置于基板10的背面10b上。
請(qǐng)接著參閱圖1F，下一個(gè)步驟為進(jìn)行一切割制作程序(singulationprocess)，藉以將封裝膠體60沿圖1E中所示的虛線(即基板10上的封裝區(qū)域分界線)切割開(kāi)來(lái)，形成個(gè)別的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體81、82、83。而包含支撐腳20a的封裝膠體部分則拋棄不用。這就完成了一批TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體81、82、83的制造，其中TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體81包含晶片31及散熱片21；TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體82包含晶片32及散熱片22；而TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體83則包含晶片33及散熱片23。
由以上的說(shuō)明可知，本發(fā)明的集成電路封裝制作方法可讓每一個(gè)微小的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體均包含一內(nèi)嵌的散熱片于其封裝膠體之中。由于本發(fā)明的集成電路封裝制作程序所采用的散熱片架20的整體的尺寸遠(yuǎn)大于其中的個(gè)別散熱片21、22、23的尺寸，因此其較為易于處理，使得制作程序易于進(jìn)行。第二實(shí)施例(圖2A至圖2E)以下將配合所附附圖中的圖2A至圖2E詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的集成電路封裝制作方法的第二實(shí)施例。于圖2A至圖2E中，與第一實(shí)施例相同的構(gòu)件是標(biāo)示以相同的標(biāo)號(hào)。
如圖2A所示，圖二實(shí)施例與前一實(shí)施例不同之處在于此處所采用的散熱片架20為一無(wú)凸腳式(亦即無(wú)圖1B的第一實(shí)施例中所示的支撐腳20a)。除此的外，此散熱片架20的其它結(jié)構(gòu)部分均相同于第一實(shí)施例，亦即其亦包括復(fù)數(shù)個(gè)一體成型的散熱片21、22、23、24、25、26。除此散熱片架20之外，第二實(shí)施例中所采用的其它構(gòu)件，包括基板10及封裝模具50，均與第一實(shí)施例相同，因此以下將不對(duì)其作重復(fù)的說(shuō)明。
請(qǐng)接著參閱圖2B，為了防止后續(xù)的封裝膠體制作程序中所用的膠質(zhì)封裝材料滲溢于散熱片架20上，因此首先須在散熱片架20上形成一可耐高溫的溢膠屏障層20b，其例如可為一聚硫亞氨膠片(polyimidetape)或一環(huán)氧樹(shù)脂涂布層(epoxy coating)。接著將散熱片架20連同其上所形成的溢膠屏障層20b置放于封裝模具50的下凹模穴50a中，并使溢膠屏障層20b接觸于下凹模穴50a的底面。
請(qǐng)接著參閱圖2C，當(dāng)散熱片架20和基板10置放于封裝模具50的下凹模穴50a的定位后，便可將一膠質(zhì)封裝材料，例如樹(shù)脂，注入至封裝模具50的下凹模穴50a中，藉此而形成一連續(xù)的封裝膠體60，其將整個(gè)散熱片架20和所有的半導(dǎo)體晶片31、32、33均包覆于其中。于此注膠過(guò)程中，有一小部分的樹(shù)脂可能會(huì)滲溢至溢膠屏障層20b與下凹模穴50a底面的間的間隙中，并殘留于溢膠屏障層20b的表面上。
請(qǐng)接著參閱圖2D，上述的封裝膠體制作程序完成之后，便可將整個(gè)的封裝膠體60自封裝模具50的下凹模穴50中取出來(lái)。殘留于溢膠屏障層20b上的溢膠即如標(biāo)號(hào)20c所指的部分。接著便須進(jìn)行一清除程序，其中利用一特別的溶劑或其它適當(dāng)?shù)那宄椒?，將溢膠屏障層20b連同其上的殘留溢膠20c一起清除掉。
請(qǐng)接著參閱圖2E，將溢膠屏障層20b清除掉之后，便可讓散熱片架20的露出表面部分不殘留有任何溢膠，因此不會(huì)影響其散熱效能。
接著的植球制作程序和切割制作程序均相同于第一實(shí)施例，因此以下將不對(duì)其作重復(fù)的說(shuō)明。
本發(fā)明的集成電路封裝制作方法的第二實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于每一個(gè)所制成的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體中，其內(nèi)嵌的散熱片的露出表面部分不會(huì)殘留有任何溢膠，因此不會(huì)影響其散熱效能。第三實(shí)施例(圖3A至圖3C)以下將配合所附附圖中的圖3A至圖3C詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的集成電路封裝制作方法的第三實(shí)施例。于圖3A至圖3C中，與前述實(shí)施例相同的構(gòu)件是標(biāo)示以相同的標(biāo)號(hào)。
此第三實(shí)施例與前述的第一實(shí)施例大部分為相同，不同之處在于第三實(shí)施例于封裝膠體制作程序中，可不必將基板10翻轉(zhuǎn)成正面朝下的倒置方式。詳細(xì)技術(shù)內(nèi)容如下所述。
請(qǐng)首先參閱圖3A，于基板10安置好半導(dǎo)體晶片31、32、33之后，接著將凸腳式散熱片架20的支撐腳20a的尖端藉由黏膠(未顯示)而黏貼至基板10的正面10a上。
請(qǐng)接著參閱圖3B，下一個(gè)步驟為進(jìn)行一封裝膠體制作程序，其中將基板10連同其上的半導(dǎo)體晶片31、32、33和凸腳式散熱片架20，以正面朝上的方式放置于一封裝模具51的底部的上凹模穴51a中。接著便可將一膠質(zhì)封裝材料，例如樹(shù)脂，注入至封裝模具51的上凹模穴51a中，藉此而形成一連續(xù)的封裝膠體60，其將整個(gè)散熱片架20和所有的半導(dǎo)體晶片31、32、33均包覆于其中。
請(qǐng)接著參閱圖3C，上述的封裝膠體制作程序完成之后，便可將整個(gè)的封裝膠體60自封裝模具51的模穴51a中取出來(lái)。接著進(jìn)行一植球制作程序，藉以將復(fù)數(shù)個(gè)焊球70植置于基板10的背面10b上。接著所進(jìn)行的切割制作程序與前述實(shí)施例相同，因此以下將不對(duì)其作重復(fù)的說(shuō)明。第四實(shí)施例(圖4A至圖4B)以下將配合所附附圖中的圖4A至圖4B詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的集成電路封裝制作程序的第四實(shí)施例。于圖4A至圖4B中，與前述實(shí)施例相同的構(gòu)件是標(biāo)示以相同的標(biāo)號(hào)。
請(qǐng)參閱圖4A，此第四實(shí)施例與前述實(shí)施例不同之處僅在于此處的半導(dǎo)體晶片31、32、33是采用覆晶技術(shù)(flip-chip technology)，藉由焊塊(solder bumps)41而電性連接至基板10(前述實(shí)施例則為采用焊線技術(shù))。圖4B即顯示一個(gè)采用覆晶技術(shù)且完成切割的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體的剖面示意圖。除此之外，其它各個(gè)制作程序步驟均與前述實(shí)施例相同，因此以下將不對(duì)其作重復(fù)的說(shuō)明。凸腳式散熱片架的其它實(shí)施方式除了圖1B所示的形狀外，凸腳式散熱片架20另可有許多不同的設(shè)計(jì)方式，分別顯示于圖5、圖6A至圖6C、圖7A至圖7C、圖8A至圖8C、圖9A至圖9C、和圖10A至圖10C。
圖5為一立體結(jié)構(gòu)示意圖，其顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架20的另一設(shè)計(jì)方式。如圖所示，于此實(shí)施例中，這些散熱片21、22、23、24、25、26是為一體成型的平坦薄片，其邊緣上形成復(fù)數(shù)個(gè)向下延伸的支撐腳20a。
圖6A至圖6C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架20的另一實(shí)施方式及其用途；其中圖6A顯示此凸腳式散熱片架20的上視圖；圖6B顯示其側(cè)視圖；而圖6C則顯示一完成切割的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體，其中包含一個(gè)自土6A及圖6B所示的凸腳式散熱片架20上切割開(kāi)來(lái)的散熱片21。此實(shí)施例的凸腳式散熱片架20的特點(diǎn)在于其正面及背面均為平坦?fàn)睢?br> 圖7A至圖7C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架20的另一實(shí)施方式及其用途；其中圖7A顯示此凸腳式散熱片架20的下視圖；圖7B圖顯示其側(cè)視圖；而圖7C則顯示一完成切割的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體，其中包含一自圖7A及圖7B所示的凸腳式散熱片架20上切割開(kāi)來(lái)的散熱片21。此實(shí)施例的凸腳式散熱片架20的特點(diǎn)在于其正面為平坦?fàn)睿趁鎰t對(duì)應(yīng)于散熱片21、22、23、24、25、26而分別形成有復(fù)數(shù)個(gè)突塊20d。
如圖7C所示，TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體中的散熱片21中的突塊20d可減小半導(dǎo)體晶片31與散熱片21的間的距離，使得散熱效率增加。
圖8A至圖8C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架20的另一實(shí)施方式及其用途；其中圖8A顯示此凸腳式散熱片架20的下視圖；圖8B顯示其側(cè)視圖；而圖8C則顯示一完成切割的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體，其中包含一自圖8A及圖8B所示的凸腳式散熱片架20上切割開(kāi)來(lái)的散熱片21。此實(shí)施例的凸腳式散熱片架20的特點(diǎn)在于其正面為平坦?fàn)?，而背面則形成有復(fù)數(shù)個(gè)凹穴20e。如圖8C所示，TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體中的散熱片21中的凹穴20e可增加散熱片21與封裝膠體60的間的接觸面積，亦即可增加其間的結(jié)合強(qiáng)度，使得散熱片21不易脫離封裝膠體60。
圖9A至圖9C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架20的另一實(shí)施方式及其用途；其中圖9A顯示此凸腳式散熱片架20的下視圖；圖9B顯示其側(cè)視圖；而圖9C則顯示一完成切割的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體，其中包含一自圖9A及圖9B所示的凸腳式散熱片架20上切割開(kāi)來(lái)的散熱片21。此實(shí)施例的凸腳式散熱片架20的特點(diǎn)在于其正面為平坦?fàn)?，而背面則形成有復(fù)數(shù)個(gè)縱向及橫向交叉的溝槽20f。如圖9C所示，TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體中的散熱片21中的溝槽20f可更進(jìn)一步增加散熱片21與封裝膠體60的間的接觸面積，亦即可增加其間的結(jié)合強(qiáng)度，使得散熱片21不易脫離封裝膠體60。
圖10A至圖10C為結(jié)構(gòu)示意圖，其用以顯示本發(fā)明所采用的凸腳式散熱片架20的另一實(shí)施方式及其用途；其中圖10A顯示此凸腳式散熱片架20的下視圖；圖10B顯示其側(cè)視圖；而圖10C則顯示一完成切割的TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體，其中包含一自圖10A及圖10B所示的凸腳式散熱片架20上切割開(kāi)來(lái)的散熱片21。此實(shí)施例的凸腳式散熱片架20的特點(diǎn)在于其正面對(duì)應(yīng)于散熱片21、22、23、24、25、26而分別形成有復(fù)數(shù)個(gè)突塊20g，且于每一個(gè)突塊20g的周圍形成有復(fù)數(shù)個(gè)通孔20h。如圖10C所示，TFBGA封裝結(jié)構(gòu)體中的散熱片21中的突塊20g可減小半導(dǎo)體晶片31與散熱片21的間的距離，使得散熱效率增加；而通孔20h則可作為一栓孔，藉以使得散熱片21不易脫離封裝膠體60。
以上所述僅為本發(fā)明的較隹實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的實(shí)質(zhì)技術(shù)內(nèi)容的范圍。本發(fā)明的實(shí)質(zhì)技術(shù)內(nèi)容是廣義地定義于下述的權(quán)利要求中。任何他人所完成的技術(shù)實(shí)體或方法，若是與下述權(quán)利要求所限定的專利保護(hù)范圍完全相同、或是為一種等效的變更，均將被視為涵蓋于此專利保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種薄型球柵陣列式集成電路封裝制作方法，包含以下步驟(1)預(yù)制一基板(10)，其具有一正面及一背面，且其上預(yù)先定義出復(fù)數(shù)個(gè)封裝區(qū)域(11、12、13、14、15、16)；(2)預(yù)制一散熱片架(20)，其包括復(fù)數(shù)個(gè)一體成型的散熱片，具有一正面及一背面；且其中每一個(gè)散熱片對(duì)應(yīng)至該基板(10)上的一個(gè)封裝區(qū)域(11、12、13、14、15、16)；(3)將復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體晶片(31、32、33)分別電性連接至該基板正面上的各個(gè)封裝區(qū)域上；(4)將該散熱片架(20)組合至該基板(10)上，使得其中每一個(gè)散熱片置于基板上的一個(gè)半導(dǎo)體晶片的上方；(5)進(jìn)行一封裝膠體制作程序，藉以形成一連續(xù)的封裝膠體(60)，用以封裝這些半導(dǎo)體晶片及該散熱片架；(6)進(jìn)行一植球制作程序，藉以將復(fù)數(shù)個(gè)焊球(70)植置于該基板的背面；以及(7)進(jìn)行一切割制作程序，藉此將該封裝膠體(60)沿該基板上的封裝區(qū)域分界線切割開(kāi)來(lái)，形成個(gè)別的封裝結(jié)構(gòu)體。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路封裝制作方法，其中于步驟(1)中，該基板(10)為一BT基板。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路封裝制作程序，其中于步驟(1)中，該基板(10)為一FR4基板。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路封裝制作程序，其中于步驟(1)中，該基板(10)為一聚硫亞氨膠片。
5.如權(quán)利要求1所述的集成電路封裝制作方法，其中于步驟(2)中，該散熱片架(20)為一凸腳式散熱片架，其背面延伸出復(fù)數(shù)個(gè)支撐腳(20)。
6.如權(quán)利要求5所述的集成電路封裝制作方法，其中該凸腳式散熱片架的正面及背面均為平坦?fàn)睢?br> 7.如權(quán)利要求5所述的集成電路封裝制作方法，其中該凸腳式散熱片架的正面為平坦?fàn)?，而背面則形成有復(fù)數(shù)個(gè)突塊(20d)。
8.如權(quán)利要求5所述的集成電路封裝制作方法，其中該凸腳式散熱片架的正面為平坦?fàn)睿趁鎰t形成有復(fù)數(shù)個(gè)凹穴(20e)。
9.如權(quán)利要求5所述的集成電路封裝制作方法，其中該凸腳式散熱片架的正面為平坦?fàn)?，而背面則形成有復(fù)數(shù)個(gè)縱向及橫向交叉的溝槽(20f)。
10.如權(quán)利要求5所述的集成電路封裝制作方法，其中該凸腳式散熱片架的正面形成有對(duì)應(yīng)于各個(gè)散熱片的復(fù)數(shù)個(gè)突塊(20g)，且于每一個(gè)突塊的周圍形成有復(fù)數(shù)個(gè)通孔(20h)。
11.如權(quán)利要求1所述的集成電路封裝制作方法，其中于步驟(2)中，該散熱片架為一無(wú)凸腳式散熱片架。
12.如權(quán)利要求11所述的集成電路封裝制作方法，更進(jìn)一步包含以下步驟形成一溢膠屏障層(20b)于該無(wú)凸腳式散熱片架(20)的一表面上；且該溢膠屏障層(20b)于該封裝制作程序中，是接觸于該封裝模具的模穴的底面。
13.如權(quán)利要求12所述的集成電路封裝制作方法，其中該溢膠屏障層(20b)為一聚硫亞氨膠片。
14.如權(quán)利要求12所述的集成電路封裝制作方法，其中該溢膠屏障層(20b)為一環(huán)氧樹(shù)脂涂布層。
15.如權(quán)利要求1所述的集成電路封裝制作方法，其中于步驟(3)中，是采用焊線技術(shù)將這些半導(dǎo)體晶片(31、32、33)電性連接至該基板(10)。
16.如權(quán)利要求1所述的集成電路封裝制作方法，其中于步驟(3)中，是采用覆晶技術(shù)將這些半導(dǎo)體晶片(31、32、33)電性連接至該基板(10)。
17.如權(quán)利要求5所述的集成電路封裝制作方法，其中該步驟(4)包含以下的小步驟預(yù)制一封裝模具(50)，其具有一下凹模穴(50a)；將該散熱片架(20)置放于該封裝模具(50)的下凹模穴(50a)中；以及將該基板(10)連同其上的半導(dǎo)體晶片(31、32、33)以倒置方式置放于該封裝模具(50)的下凹模穴(50a)中所置放的該散熱片架(20)上。
18.如權(quán)利要求5所述的集成電路封裝制作方法，其中該步驟(4)包含以下小步驟將該凸腳式散熱片架(20)的支撐腳(20a)的尖端黏結(jié)至該基板(10)的正面上。
19.如權(quán)利要求18所述的集成電路封裝制作方法，其中該步驟(5)中的封裝膠體制作程序包含以下小步驟預(yù)制一封裝模具(51)，其底部具有一上凹模穴(51a)；以及將該基板(10)連同其上的這些半導(dǎo)體晶片(31、32、33)及該散熱片架(20)置放于該封裝模具(51)的上凹模穴(51a)中。
全文摘要
一種薄型球柵陣列式集成電路封裝的制作方法,其可用以制作一具有內(nèi)嵌散熱片的薄型球柵陣列式集成電路封裝結(jié)構(gòu)體。此集成電路封裝制作程序的特點(diǎn)在于采用一特制的散熱片架,其由偶數(shù)個(gè)一體成型的散熱片所構(gòu)成,分別對(duì)應(yīng)于基板上預(yù)定的封裝區(qū)域。于封裝膠體制作程序中,此散熱片架是與基板一同置放于封裝模具的模穴中,同時(shí)被包覆于封裝膠體之中。最后進(jìn)行一個(gè)切割制作程序,藉此將封裝膠體沿基板上的封裝區(qū)域的分界線切割成個(gè)別的封裝結(jié)構(gòu)體。此集成電路封裝制作程序可讓每一個(gè)微小的薄型球柵陣列式封裝結(jié)構(gòu)體中均包含一內(nèi)嵌的散熱片于其封裝膠體的中。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1354500SQ00132438
公開(kāi)日2002年6月19日 申請(qǐng)日期2000年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月17日
發(fā)明者羅小余, 吳集銓 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司