專(zhuān)利名稱(chēng)：無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種雙晶片結(jié)構(gòu)，且特別是指一種無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)。
在對(duì)集成電路(Integrated Circuit，IC)晶粒(die)進(jìn)行封裝(packaging)的制程，必須使用到一導(dǎo)線(xiàn)架(leadframe)來(lái)提供一用以固定晶粒的晶片座(diepad)。此導(dǎo)線(xiàn)架上包括有多個(gè)引腳(lead)，用以提供晶料一與外部電路的電性連接。在傳統(tǒng)作法中，為了提高晶片的實(shí)用價(jià)值，一種雙晶結(jié)構(gòu)的封裝方法已揭示于美國(guó)專(zhuān)利案號(hào)5,527,740中。
請(qǐng)參照

圖1所示，其所繪示的是傳統(tǒng)雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖。在封裝件100中，晶粒102與104分別通過(guò)粘著劑(adhesive)106與108固定于晶片座109上。金屬線(xiàn)110與112是用以使晶粒102與內(nèi)引腳(inner lead)114和116電性連接，而金屬線(xiàn)118與120則是用以使晶粒104與內(nèi)引腳114與116電性連接。膠體(plastic mold)122內(nèi)包括有晶片座109、晶粒102與104、金屬線(xiàn)110、112、118與120、以及內(nèi)引腳114與116。
然而，當(dāng)將傳統(tǒng)的雙晶片結(jié)構(gòu)應(yīng)用于小型外引腳封裝(Thin SmallOutline Package TSOP)中時(shí)，因?yàn)槟z面124與晶粒表面126的距離L太小，在灌膠成模(molding)時(shí)，在膠面124與晶粒表面126間的模流變得緩慢，很可能產(chǎn)生回流效應(yīng)而有孔洞(void)產(chǎn)生。
所以，在傳統(tǒng)作法中，為了減少孔洞的產(chǎn)生，必須將晶粒102與104磨薄至6mil(＝0.15mm)。但是，將晶粒102與104磨薄的薄晶處理將會(huì)增加制造成本，并且，磨薄后的晶粒102與104將更不易處理(handling)，使得不合格率因此而提高。
另外，因?yàn)榫Я?02及104、與晶片座109的熱膨脹系數(shù)(Coefficient of Thermal Expansion CTE)不相同。
在圖1中，因?yàn)榫Я?02與104是通過(guò)粘著劑106與108固定于晶片座109上。所以，在封裝過(guò)程中所造成的溫度變化，容易使得晶粒102及104與晶片座109之間因?yàn)槠錈崦浝淇s的速度不同而會(huì)有熱應(yīng)力(thermal stress)產(chǎn)生。由于熱應(yīng)力的影響，將使得晶粒102與104產(chǎn)生脫層或破裂的情形。晶粒102與104的厚度越薄，其產(chǎn)生脫層與破裂的情形將更為嚴(yán)重。
除此之外，在封裝過(guò)程中，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的雙晶片結(jié)構(gòu)的晶片座109僅由二支或四支的支撐架(support bar)所支撐，所以，在灌膠成模之時(shí)，容易因?yàn)榫?09的上下方與左右方的模流不同。而造成晶片座109與晶粒102及104的晃動(dòng)或飄移(floating)現(xiàn)象，所以極可能產(chǎn)生金屬線(xiàn)110、112、118或120外露的情形。或此，金屬線(xiàn)弧度(wireloop)需要做特殊控制，方可避免金屬線(xiàn)外露的情況產(chǎn)生。
如此，將使得不合格率更加提高。
本發(fā)明的目的在于提出一種由導(dǎo)線(xiàn)架、晶粒、金屬線(xiàn)和膠體所組成的無(wú)晶片座雙晶片結(jié)構(gòu)，它可使晶粒表面與膠面的距離增加，提高了產(chǎn)品的合格率，從而解決了現(xiàn)有拔術(shù)所存在的問(wèn)題。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案在于它包括有一導(dǎo)線(xiàn)架，它包括一第一內(nèi)引腳及一第二內(nèi)引腳；一第一晶粒，該第一晶粒的一第一面是固定于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳上；一第一金屬線(xiàn)與一第二金屬線(xiàn)，用以使該第一晶粒分別與該第一內(nèi)引腳和該第二內(nèi)引腳電性連接；一第二晶粒，固定于該第一晶粒的該第一面上，且該第二晶粒位于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳之間；一第三金屬線(xiàn)與一第四金屬線(xiàn)，用以使該第二晶粒分別與該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳電性連接；以及一膠體，該膠體內(nèi)包括有該第一晶粒、該第二晶粒、該第一金屬線(xiàn)、該第二金屬線(xiàn)、該第三金屬線(xiàn)、該第四金屬線(xiàn)、該第一內(nèi)引腳及該第二內(nèi)引腳。
本發(fā)明也可以采用的技術(shù)方案在于它包括有一導(dǎo)線(xiàn)架，它包括一第一支撐架、一第二支撐架、一第一內(nèi)引腳及一第二內(nèi)引腳，該第一支撐架與該第二支撐架是位于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳之間；一第一晶粒，該第一晶粒的一第一面是固定于該第一支撐架與該第二支撐架上，該第一晶粒是位于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳之間；一第一金屬線(xiàn)與一第二金屬線(xiàn)，用以使該第一晶粒分別與該第一內(nèi)引腳和該第二內(nèi)引腳電性連接；一第二晶粒，它是固定于該第一晶粒的第一面上，該第二晶粒是位于該第一支撐架與該第二支撐架之間；一第三金屬線(xiàn)與一第四金屬線(xiàn)，用以使該第二晶粒分別與該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳電性連接；以及一膠體，該膠體內(nèi)包括有該第一晶粒、該第二晶粒、第一金屬線(xiàn)、該第二金屬線(xiàn)、該第三金屬線(xiàn)、與該第四金屬線(xiàn)、該第一支撐架、該第二支撐架、及該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳。
本發(fā)明還可以采用的技術(shù)方案在于它包括有一導(dǎo)線(xiàn)架，它包括一第一匯流排，一第二匯流排、一第一內(nèi)引腳及一第二內(nèi)引腳，該第一匯流排與該第二匯流排是位于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳之間；一第一晶粒，該第一晶粒的一第一面是固定于該第一匯流排與該第二匯流排上，該第一晶粒是位于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳之間；一第一金屬線(xiàn)與一第二金屬線(xiàn)，用以使該第一晶粒分別與該第一內(nèi)引腳和該第二內(nèi)引腳電性連接；一第二晶粒，它是固定于該第一晶粒的該第一面上，該第二晶粒是位于該第一匯流排與該第二匯流排之間；一第三金屬線(xiàn)與一第四金屬線(xiàn)，用以使該第二晶粒分別與該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳電性連接；以及一膠體，該膠體內(nèi)包括有該第一晶粒、該第二晶粒、該第一金屬線(xiàn)、該第二金屬線(xiàn)、該第三金屬線(xiàn)、與該第四金屬線(xiàn)、該第一匯流排、該第二匯流排、及該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳。
本發(fā)明的特點(diǎn)在于因?yàn)椴皇褂镁?，所以可以使得晶粒表面與膠面的距離增加。因此，本發(fā)明不需要將晶粒磨薄，即可達(dá)到大幅降低孔洞產(chǎn)生的機(jī)率，且避免金屬線(xiàn)外露的情形。甚至，在制造過(guò)程中，將有效改善傳統(tǒng)作法中在制造過(guò)程中的晶片座晃動(dòng)或飄移的現(xiàn)象，與晶粒脫層或破裂的情形。
圖1為傳統(tǒng)雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2為本發(fā)明一第一實(shí)施例的一種無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3A～3B為本發(fā)明的第二實(shí)施例的使用支撐架(support bar)的無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖與上視圖。
圖4為對(duì)應(yīng)于圖3A～3B的另一無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖5A～5B為本發(fā)明的第三實(shí)施例的使用匯流排(bus bar)的無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖與上視圖。
圖6為對(duì)應(yīng)于圖5A～5B的另一無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖。
現(xiàn)在結(jié)合上述各附圖來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例。在本發(fā)明的較佳實(shí)例中提出一種無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)，可以使二個(gè)晶粒(die)的一第一晶粒直接固定于引腳(lead)上，或是固定于支撐架上，或是匯流排上。而第二晶粒則固定于第一晶粒上。如此一來(lái)，因不需使用到晶片座，所以可使得晶粒表面與膠面的距離增加。將本發(fā)明應(yīng)用于小型外引腳封裝(Thin Small Outline Package，TOSP)中時(shí)，不需將晶粒磨薄，即可達(dá)到高成品率的需求。其實(shí)施方式如下所述。
實(shí)例一如圖2所示，其所繪示依照本發(fā)明一第一實(shí)施例的一種無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖。其中，圖2所繪示的二晶粒為背對(duì)背配置。在封裝件200中，晶粒202分別通過(guò)粘著劑(adhesive)206與208固定于內(nèi)引腳(inner lead)214與216上。金屬線(xiàn)210與212是用以使晶粒202與內(nèi)引腳214和216電性連接。而晶粒204則是通過(guò)粘著劑217固定在晶粒202的背面，使晶粒204的背面與晶粒202的背面相連接。金屬線(xiàn)208與220則是用以使晶粒204與內(nèi)引腳214與216電性連接。膠體(plastic mold)222內(nèi)包括有晶粒202與204、金屬線(xiàn)210、212、218與220、以及內(nèi)引腳214與216。
本發(fā)明的無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的制造方法如下首先，晶粒202以粘著劑206及208固定在內(nèi)引腳214和216上。接著，對(duì)晶粒202和內(nèi)引腳214與216進(jìn)行焊線(xiàn)(wire bonding)。然后，將晶粒204以粘著劑217固定在晶粒202背面上。接著，對(duì)晶粒204和內(nèi)引腳214與216進(jìn)行焊線(xiàn)。最后，再對(duì)晶粒202與204進(jìn)行封膠(encapsulated)以形成封裝件200。其中，上述的粘著劑可為不導(dǎo)電膠、樹(shù)脂或高分子材料膠帶(polyimide tape)。
因?yàn)楸景l(fā)明不需使用到晶片座，所以不需將晶粒經(jīng)過(guò)特殊的薄晶處理，即可提高晶粒表面224與膠面226的距離L’，以有效地降低在灌膠成模(molding)過(guò)程中孔洞(void)產(chǎn)生的機(jī)率；且金屬線(xiàn)弧度(wire loop)的容忍幅度也因晶粒表面224與膠面226的距離L’的增加而提高，因此不需對(duì)金屬線(xiàn)弧度做特別的控制，金屬線(xiàn)外露的情形也可大為改善。另外，因?yàn)榫Я?02是直接固定于內(nèi)引線(xiàn)214與216上，所以，在灌膠成模的過(guò)程中，將不會(huì)有如同傳統(tǒng)作法中，晶粒202及204或飄移的情形產(chǎn)生。結(jié)合以上的優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品合格率將因此而大為提高。
舉例來(lái)說(shuō)，以小型外引腳封裝(Thin Small Outline Package，TSOP)的晶片為例，其厚度約為39mils。在圖1的傳統(tǒng)雙晶片結(jié)構(gòu)中，為了加大晶粒表面126與膠面124的距離，必須將晶粒102與104磨薄至6mils左右。而晶片座109的厚度為5mils，粘著劑106與108的厚度為1mils，且金屬線(xiàn)110的最高點(diǎn)與晶粒表面126的距離為6mils。因此，晶粒表面126至膠面124的距離則為10mils。而在圖2的本發(fā)明無(wú)晶片座雙晶片結(jié)構(gòu)中，因?yàn)椴恍枰獙⒕Я?02與204磨薄，所以可使用厚度為8mils的晶粒。此時(shí)，晶粒表面224至膠面226的距離則為(39-8-8-1)/2＝11mils，且金屬線(xiàn)218的最高點(diǎn)與晶粒表面224的距離可增至7mils。因?yàn)椴恍鑼⒕Я?02與204磨薄，所以使得晶粒202與204破裂且難以處理的情形減少。而且，因?yàn)榫Я１砻?24至膠面226的距離L’增加，更使得產(chǎn)生孔洞(void)與金屬線(xiàn)外露的機(jī)會(huì)降低。
就另一方面來(lái)說(shuō)，因?yàn)榫Я?02與204僅通過(guò)粘著劑217相連，而且晶粒202與204的熱膨脹系數(shù)相等，故而其熱脹冷縮的速度一樣快。因此，本發(fā)明的雙晶片結(jié)構(gòu)受熱應(yīng)力所產(chǎn)生的影響將會(huì)比傳統(tǒng)作法小。所以本發(fā)明將有效的解決傳統(tǒng)作法中晶粒102與104晶片座109之間的熱膨脹系數(shù)不同所產(chǎn)生的熱應(yīng)力的問(wèn)題。也就是說(shuō)，在制造時(shí)，晶粒202與204不會(huì)在溫度升高或降低的過(guò)程當(dāng)中，因?yàn)闊釕?yīng)力的影響而產(chǎn)生破裂損壞或脫層的情形。
而且，在灌模成形的過(guò)程當(dāng)中，因?yàn)榫?02是穩(wěn)固地固定于內(nèi)引腳214與206上，所以晶片202不會(huì)因?yàn)槟Ａ鞯挠绊懀谢蝿?dòng)或飄移的現(xiàn)象(floating)。如此，將不易有金屬線(xiàn)外露的情況，將使得本發(fā)明的合格率大為提高。
實(shí)例二如圖3A～圖3B所示，其所繪示的是本發(fā)明的第二實(shí)施例的使用支撐架(support bar)的無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖與上視圖。其中，圖3A～圖3B所繪示的二晶粒是背對(duì)背配置。依照本發(fā)明上述實(shí)例一所揭示的精神，晶粒除了直接固定于內(nèi)引腳上之外，，晶粒還可以固定于導(dǎo)線(xiàn)架(leadframe)的支撐架上。如圖3A～圖3B所示，晶粒302是分別通過(guò)粘著劑306與308固定于支撐架305與307上。金屬線(xiàn)310與312是用以使晶粒302與內(nèi)引腳314和316電性連接。而晶粒304則是通過(guò)粘著劑309固定于晶粒302的背面，使晶粒304的背面是與晶粒302的背面相連接。金屬線(xiàn)318與320則是用以使晶粒304與內(nèi)引腳314與316電性連接。膠體322內(nèi)包括有晶粒302與304、金屬線(xiàn)310、312、318與320、支撐架305與307、以及內(nèi)引腳314與316。
其中，與導(dǎo)線(xiàn)架324相連的支撐架305與307是可為長(zhǎng)條形，用以支撐晶粒302與304。
另外，雖然圖3A～圖3B是以二晶粒304與306是背對(duì)背配置為例做說(shuō)明，然而依照?qǐng)D3A～圖3B所示的本發(fā)明的精神也可使用于二晶粒為面對(duì)面式的架構(gòu)中。如圖4所示，其所繪示的是對(duì)應(yīng)于圖3A～圖3B的另一無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖。與圖3A～圖3B最大的不同點(diǎn)是，晶粒304的背面是通過(guò)粘著劑309固定于晶粒302正面上。
實(shí)例三如圖5A～圖5B所示，其所繪示的是本發(fā)明的第三實(shí)施例的使用匯流排(bus bar)的無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖與上視圖。其中，圖5A～圖5B所繪示的二晶粒是背對(duì)背配置，而匯流排則包括有接地匯流排(ground bus bar)與電源匯流排(power bus bar)。依照本發(fā)明上述實(shí)例一所揭示的精神，晶粒除了直接固定于內(nèi)引腳上之外，晶粒還可以固定于導(dǎo)線(xiàn)架的匯流排上。如圖5A～圖5B所示，晶粒502是分別通過(guò)粘著劑506與508固定于匯流排505與507上。金屬線(xiàn)510與512是用以使晶粒502與內(nèi)引腳514和516電性連接。而晶粒504則是通過(guò)粘著劑509固定于晶粒502的背面，使晶粒504的背面是與晶粒502的背面相連接。金屬線(xiàn)518與520則是用以使晶粒504與內(nèi)引腳514與516電性連接。膠體522內(nèi)包括有晶粒502與504、金屬線(xiàn)510、512、518與520、匯流排505與507以及內(nèi)引腳514與516。
其中，與導(dǎo)線(xiàn)架524相連的匯流排505與507是可為長(zhǎng)條形，匯流排505可為接地匯流排，而匯流排507可為電源匯流排。匯流排505與507是用以支撐晶粒502與504。而且，與晶粒504相連的接地金屬線(xiàn)526與電源金屬線(xiàn)528是分別與匯流排505與507相連。
另外，雖然圖5A～圖5B是以二晶粒504與506是背對(duì)背配置為例做說(shuō)明，然而依照?qǐng)D5A～圖5B的本發(fā)明的精神也可使用于二晶粒為面對(duì)面式的架中。如圖6所示，其所繪示的是對(duì)應(yīng)于圖5A～圖5B的另一無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)的剖面圖。與圖5A～圖5B最大的不同點(diǎn)是，晶粒504的背面是通過(guò)粘著劑509固定于晶粒502的正面上。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)放例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書(shū)保護(hù)范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括一導(dǎo)線(xiàn)架，它包括一第一內(nèi)引腳及一第二內(nèi)引腳；一第一晶粒，該第一晶粒的一第一面是固定于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳上；一第一金屬線(xiàn)與一第二金屬線(xiàn)，用以使該第一晶粒分別與該第一內(nèi)引腳和該第二內(nèi)引腳電性連接；一第二晶粒，它固定于該第一晶粒的該第一面上，且該第二晶粒位于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳之間；一第三金屬線(xiàn)與一第四金屬線(xiàn)，它用以使該第二晶粒分別與該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳電性連接；以及一膠體，該膠體內(nèi)包括有該第一晶粒、該第二晶粒、該第一金屬線(xiàn)、該第二金屬線(xiàn)、該第三金屬線(xiàn)、該第四金屬線(xiàn)、該第一內(nèi)引腳及該第二內(nèi)引腳。
2.如權(quán)利要求1所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特在于所述的第一晶粒的第一面，它為該第一晶粒的背面，該第一晶粒與該第二晶粒為背對(duì)背配置，該第二晶料一的背面是與該第一晶粒的背面相連接。
3.如權(quán)利要求1所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一晶粒，它是通過(guò)一粘著劑固定于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳上。
4.如權(quán)利要求1所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第二晶粒，它是通過(guò)一粘著劑固定于該第一晶粒上。
5.一種無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括一導(dǎo)線(xiàn)架，它包括一第一支撐架、一第二支撐架、一第一內(nèi)引腳及一第二內(nèi)引腳，該第一支撐架與該第二支撐架是位于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳之間；一第一晶粒，該第一晶粒的一第一面是固定于該第一支撐架與該第二支撐架上，該第一晶粒是位于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳之間；一第一金屬線(xiàn)與一第二金屬線(xiàn)，用以使該第一晶粒分別與該第一內(nèi)引腳和該第二內(nèi)引腳電性連接；一第二晶粒，它是固定于該第一晶粒的第一面上，該第二晶粒是位于該第一支撐架與該第二支撐架之間；一第三金屬線(xiàn)與一第四金屬線(xiàn)，用以使該第二晶粒分別與該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳電性連接；以及一膠體，該膠體內(nèi)包括有該第一晶粒、該第二晶粒、第一金屬線(xiàn)、該第二金屬線(xiàn)、該第三金屬線(xiàn)、與該第四金屬線(xiàn)、該第一支撐架、該第二支撐架、及該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳。
6.如權(quán)利要求5所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一晶粒的該第一面，它為該第一晶粒的背面，該第一晶粒與該第二晶粒為背對(duì)背配置，該第二晶粒的背面是與該第一晶粒的背面相連接。
7.如權(quán)利要求5所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一晶粒的該第一面，它為該第一晶粒的正面，該第二晶粒的背面是與該第一晶粒的正面相連接。
8.如權(quán)利要求5所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一晶粒，它是通過(guò)一粘著劑固定于該第一支撐架與該第二支撐架上。
9.如權(quán)利要求5所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第二晶粒，它是一通過(guò)粘著劑固定于該第一晶粒上。
10.如權(quán)利要求5所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一支撐架，它與該第一支撐架為長(zhǎng)條形。
11.一種無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括一導(dǎo)線(xiàn)架，它包括一第一匯流排，一第二匯流排、一第一內(nèi)引腳及一第二內(nèi)引腳，該第一匯流排與該第二匯流排是位于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳之間；一第一晶粒，該第一晶粒的一第一面是固定于該第一匯流排與該第二匯流排上，該第一晶粒是位于該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳之間；一第一金屬線(xiàn)與一第二金屬線(xiàn)，用以使該第一晶粒分別與該第一內(nèi)引腳和該第二內(nèi)引腳電性連接；一第二晶粒，它是固定于該第一晶粒的該第一面上，該第二晶粒是位于該第一匯流排與該第二匯流排之間；一第三金屬線(xiàn)與一第四金屬線(xiàn)，用以使該第二晶粒分別與該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)腳電性連接；以及一膠體，該膠體內(nèi)包括有該第一晶粒、該第二晶粒、該第一金屬線(xiàn)、該第二金屬線(xiàn)、該第三金屬線(xiàn)、與該第四金屬線(xiàn)、該第一匯流排、該第二匯流排、及該第一內(nèi)引腳與該第二內(nèi)引腳。
12.如權(quán)利要求11所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一晶粒的該第一面，它為該第一晶粒的背面，該第一晶粒與該第二晶粒為背對(duì)背配置，該第二晶粒的背面是與該第一晶粒的背面相連接。
13.如權(quán)利要求11所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一晶粒的該第一面，它為該第一晶粒的正面，該第二晶粒的背面是與該第一晶粒的正面相連接。
14.如權(quán)利要求11所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一晶粒，它是通過(guò)一粘著劑固定于該第一匯流排與該第一匯流排上。
15.如權(quán)利要求11所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特片在于所述的第二晶粒，它是一通過(guò)粘著劑固定于該第一晶粒上。
16.如權(quán)利要求11所述的雙晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一匯流排，它為接地匯流排，而該第二匯流排為電源匯流排。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種無(wú)晶片座的雙晶片結(jié)構(gòu)。它使晶片中的二個(gè)晶粒的一第一晶粒直接固定于引腳上,或是固定于支撐架上,或者是匯流排上,并且使第二晶粒固定于第一晶粒上。如此,因不需使用到晶片座,所以晶粒表面與膠面的距離增加。它不需要將晶粒磨薄,即可達(dá)到大幅降低孔洞產(chǎn)生的機(jī)率。且制造過(guò)程中,將有效改善傳統(tǒng)作法中在制造過(guò)程中的晶片座晃動(dòng)或飄移的現(xiàn)象,而避免金屬線(xiàn)外露,與晶粒脫層或破裂的情形,從而有效地提高成品率。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1354501SQ00132409
公開(kāi)日2002年6月19日 申請(qǐng)日期2000年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月17日
發(fā)明者黃建屏, 洪進(jìn)源, 陳昌福, 游振士, 洪瑞祥 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司