技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型一般地涉及電子器件，并且更特別地涉及電子器件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及形成半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

過去，半導(dǎo)體制造商使用硅半導(dǎo)體材料和III-N(III族氮化物)半導(dǎo)體材料的組合來制造級聯(lián)器件，例如，與硅器件級聯(lián)的常開式III-N耗盡型HEMT。使用這種材料組合有助于使用常開的III-N耗盡型器件來實現(xiàn)常閉狀態(tài)。級聯(lián)半導(dǎo)體器件已經(jīng)在Rakesh K.Lal等人的且在2013年4月11日發(fā)表的美國專利申請公開號2013/0088280 A1中進(jìn)行了描述。

在以不同的半導(dǎo)體基板材料制造級聯(lián)器件之后，半導(dǎo)體構(gòu)件制造商通常會將硅器件和耗盡型器件保護(hù)于單獨的封裝中，并且經(jīng)由引線框引線將在單獨封裝內(nèi)的器件連接在一起以形成級聯(lián)器件。這種方法的缺點在于：增加封裝的數(shù)量會增加級聯(lián)半導(dǎo)體構(gòu)件的成本并且由于增加的寄生現(xiàn)象(例如，寄生電容和寄生電感)而降低級聯(lián)器件的性能。

因此，級聯(lián)半導(dǎo)體器件及級聯(lián)半導(dǎo)體器件的制造方法將會是有利的。該結(jié)構(gòu)及方法實現(xiàn)起來具有成本效益將會是更有利的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的一個方面的目的是提供一種級聯(lián)半導(dǎo)體器件。

一種具有至少第一端子及第二端子的半導(dǎo)體構(gòu)件，其特征在于，包含：具有管芯容納區(qū)以及至少第一引線框引線和第二引線框引線的引線框，所述第一引線框引線用作所述半導(dǎo)體構(gòu)件的所述第一端子并且所述第二引線框引線用作所述半導(dǎo)體構(gòu)件的所述第二端子；具有第一表面和第二表面的至少一個安裝結(jié)構(gòu)，所述至少一個安裝結(jié)構(gòu)的所述第一表面鍵合于所述管芯容納區(qū)的第一部分；安裝于第一安裝結(jié)構(gòu)的第一半導(dǎo)體器件，所述第一半導(dǎo)體器件具有第一載流端子及第二載流端子并且由III-N半導(dǎo)體材料配置；以及耦接于所述第一半導(dǎo)體器件的所述第一載流端子與所述管芯容納區(qū)的第二部分之間的第一電互連件。

優(yōu)選地，所述至少一個安裝結(jié)構(gòu)還包含具有第一表面和第二表面的第二安裝結(jié)構(gòu)，所述第二安裝結(jié)構(gòu)與所述管芯容納區(qū)的第三部分耦接。

優(yōu)選地，所述第一安裝結(jié)構(gòu)包含：具有第一表面和第二表面的第一電介質(zhì)層，在所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面上的第一導(dǎo)電材料層，以及在所述第一電介質(zhì)層的所述第二表面上的第二導(dǎo)電材料層；并且其中所述第二安裝結(jié)構(gòu)包含：具有第一表面和第二表面的第二電介質(zhì)層，在所述第二電介質(zhì)層的所述第一表面上的第三導(dǎo)電材料層，以及在所述第二電介質(zhì)層的所述第二表面上的第四導(dǎo)電材料層。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體構(gòu)件還包含安裝于所述第二安裝結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體器件，所述第二半導(dǎo)體器件具有控制端子和第一載流端子及第二載流端子，并且由硅基材料配置成。

優(yōu)選地，所述第二半導(dǎo)體器件具有第一表面和第二表面，所述第二半導(dǎo)體器件的所述控制端子形成于所述第二半導(dǎo)體器件的所述第一表面的第一部分處，并且所述第二半導(dǎo)體器件的所述第一載流端子形成于所述第二半導(dǎo)體器件的所述第一表面的第二部分處，并且所述第二半導(dǎo)體器件的所述第二載流端子形成于所述第二半導(dǎo)體器件的所述第二表面處。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體構(gòu)件還包含耦接于所述第二半導(dǎo)體器件的所述第一載流端子與所述第一引線框引線之間的第二電互連件，其中所述第一電互連件是第一鍵合線和第一夾子之一，并且所述第二電互連件是第二鍵合線和第二夾子之一。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體構(gòu)件還包含：耦接于所述第二半導(dǎo)體器件的所述控制端子與所述第二引線框引線之間的第三電互連件；耦接于所述第二半導(dǎo)體器件的所述第一載流端子與所述第一半導(dǎo)體器件的所述控制端子之間的第四電互連件；耦接于所述第一半導(dǎo)體器件的所述第二載流端子與所述第二安裝結(jié)構(gòu)之間的第五電互連件。

一種半導(dǎo)體構(gòu)件，其特征在于，包含：具有器件容納區(qū)的引線框；第一基板和第二基板，所述第一基板安裝于所述器件容納區(qū)的第一部分，并且所述第二基板安裝于所述器件容納區(qū)的第二部分；安裝于所述第一基板的第一部分的III-N半導(dǎo)體器件，所述III-N半導(dǎo)體器件具有控制電極和第一載流電極及第二載流電極；安裝于所述第二基板的第一部分的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有第一載流電極及第二載流電極；與所述第一基板和所述第二基板分隔開的第一導(dǎo)電引線；以及用于將所述III-N半導(dǎo)體器件的所述控制電極耦接至所述半導(dǎo)體器件的所述第二載流電極的至少一個電互連件。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體構(gòu)件還包含：與所述器件容納區(qū)電耦接的第二導(dǎo)電引線；用于將所述半導(dǎo)體器件的所述第一載流電極耦接至所述第一導(dǎo)電引線的至少一個電互連件；用于將所述半導(dǎo)體器件的所述第二載流電極耦接至所述III-N半導(dǎo)體器件的所述第二載流電極的至少一個電互連件；以及用于將所述III-N半導(dǎo)體器件的所述第一載流電極耦接至所述第二導(dǎo)電引線的至少一個電互連件。

優(yōu)選地，所述第一基板是第一直接鍵合的銅基板，并且所述第二基板是第二直接鍵合的銅基板，其中所述第一直接鍵合的銅基板包含在第一銅層與第二銅層之間的第一電介質(zhì)材料層，并且所述第二直接鍵合的銅基板包含在第三銅層與第四銅層之間的第二電介質(zhì)材料層。

本實用新型的一個方面的技術(shù)效果在于所提供的級聯(lián)半導(dǎo)體器件實現(xiàn)起來具有成本效益。

附圖說明

通過結(jié)合附圖來閱讀下面的詳細(xì)描述將會更好理解本實用新型，在附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的要素，并且在附圖中：

圖1是根據(jù)本實用新型的一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖2是沿圖1的剖面線2-2截取的圖1的半導(dǎo)體構(gòu)件的剖視圖；

圖3是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖4是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖5是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖6是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖7是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖8是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖9是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖10是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖11是沿圖10的剖面線11-11截取的圖10的半導(dǎo)體構(gòu)件的剖視圖；

圖12是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖13是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖14是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖15是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖16是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖17是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖18是沿圖17的剖面線18-18截取的圖17的半導(dǎo)體構(gòu)件的剖視圖；

圖19是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖20是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖21是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖22是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖23是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖24是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖25是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖26是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖；

圖27是沿圖26的剖面線27-27截取的圖26的半導(dǎo)體構(gòu)件的剖視圖；以及

圖28是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的成級聯(lián)配置的半導(dǎo)體構(gòu)件的透視圖。

為了圖示的簡潔和清晰起見，附圖中的要素并不一定是按比例的，并且在不同附圖中的相同附圖標(biāo)記指示相同的要素。因此，為了描述的簡單起見而省略關(guān)于眾所周知的步驟和元件的描述和細(xì)節(jié)。如同本文所使用的，載流電極指的是用于傳送電流通過器件中的器件的元件，例如，MOS晶體管的源極或漏極、雙極型晶體管的發(fā)射極或集電極或者二極管的陰極或陽極，并且控制電極指的是用于控制通過器件的電流的器件的元件，例如，MOS晶體管的柵極或雙極型晶體管的基極。盡管器件在本文中被解釋為特定的n溝道或p溝道器件，或者特定的n型或p型摻雜區(qū)，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識到，根據(jù)本實用新型的實施例，互補(bǔ)型器件同樣是可能的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識到，本文所使用的詞語“在…期間”、“在…的同時”以及“當(dāng)…的時候”并不是動作在起始動作發(fā)生時立即發(fā)生的精確性術(shù)語，而是在起始動作與其所引起的反應(yīng)之間可以存在稍微小的而又合理的延遲，例如，傳播延遲。詞語“近似”、“大約”或“基本上”的使用意指要素的值具有預(yù)料將會很接近于規(guī)定的值或位置的參數(shù)。但是，如同本技術(shù)領(lǐng)域所熟知的，總是會存在妨礙值或位置正好為所規(guī)定的值或位置的較小變化。在本技術(shù)領(lǐng)域中已很好確定了：高達(dá)大約10％(以及對于半導(dǎo)體摻雜濃度為高達(dá)20％)的變化被認(rèn)為是相對于正好為所描述的理想目標(biāo)的合理變化。

具體實施方式

一般地，本實用新型提供半導(dǎo)體構(gòu)件和用于制造半導(dǎo)體構(gòu)件的方法，其中該半導(dǎo)體構(gòu)件包含含有與包括硅基半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片耦接的III-N基半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體芯片。更特別地，該半導(dǎo)體構(gòu)件包含具有器件容納區(qū)以及至少第一引線框引線和第二引線框引線的引線框，第一引線框引線用作半導(dǎo)體構(gòu)件的第一端子，并且第二引線框引線用作半導(dǎo)體構(gòu)件的第二端子。具有第一表面和第二表面的至少一個絕緣金屬基板被鍵合于管芯容納區(qū)的第一部分。第一半導(dǎo)體器件被安裝于第一絕緣金屬基板，并且具有第一載流端子及第二載流端子且由III-N半導(dǎo)體材料配置。第一電互連件耦接于第一半導(dǎo)體器件的第一載流端子與管芯容納區(qū)的第二部分之間。

圖1是根據(jù)本實用新型的一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件10的透視圖，圖2是沿圖1的剖面線2-2截取的半導(dǎo)體構(gòu)件10的剖視圖。應(yīng)當(dāng)指出，圖1和圖2在一起進(jìn)行描述。在圖1和圖2中示出的是包含器件容納區(qū)14以及引線框引線16、18和20的引線框12，其中器件容納區(qū)14和引線框引線16彼此一體地形成，即，器件容納區(qū)14和引線框引線16從導(dǎo)電材料中得出，其中導(dǎo)電材料的一部分用作器件容納區(qū)14并且導(dǎo)電材料的另一部分用作引線框引線16。器件容納區(qū)14具有相對的表面15和17。根據(jù)一種實施例，導(dǎo)電材料是銅，并且導(dǎo)電材料的包含器件容納區(qū)的部分形成于一個平面內(nèi)，而導(dǎo)電材料的包含引線框引線16的部分形成于與包含器件容納區(qū)的平面不同的另一個平面內(nèi)。應(yīng)當(dāng)指出，導(dǎo)電材料并不限定于銅，而是能夠為任何導(dǎo)電材料。因而，器件容納區(qū)14和引線框引線16不是共面的。引線框引線16包含用于將引線框引線16連接至器件容納區(qū)14的連接器部分16A。引線框引線18和20與引線框引線16共面。應(yīng)當(dāng)指出，引線框12作為單個元件來示出及描述；但是，它可以是從引線框條帶中單體化出的部分，并且該引線框12與諸如TO-220輪廓、TO-247輪廓、TO-264輪廓、TO-257輪廓等通孔封裝輪廓共形。

鍵合基板24使用導(dǎo)電材料25A鍵合于器件容納區(qū)14的一部分，并且鍵合基板26使用導(dǎo)電材料25B鍵合于器件容納區(qū)14的另一部分。鍵合基板24和26可以被稱作安裝結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電材料25A和25B可以是焊料、導(dǎo)電環(huán)氧樹脂等。盡管材料25A和25B已經(jīng)被描述為導(dǎo)電材料，但是本實用新型并不限定于此。材料25A和25B可以是電絕緣材料。優(yōu)選地，材料25A和25B是導(dǎo)熱材料。根據(jù)一種實施例，安裝結(jié)構(gòu)24和26是絕緣金屬基板，該絕緣金屬基板可以是例如直接鍵合的銅基板。絕緣金屬基板24可以由具有主表面30A和32A的絕緣材料28A構(gòu)成，其中導(dǎo)電層34A形成于主表面30A上，并且導(dǎo)電層36A形成于主表面32A上，并且絕緣金屬基板26可以由具有主表面30B和32B的絕緣材料28B構(gòu)成，其中導(dǎo)電層34B形成于主表面30B上，并且導(dǎo)電層36B形成于主表面32B上。導(dǎo)電層36A具有表面38A，表面38A用作絕緣金屬基板24的表面，并且導(dǎo)電層36B表面38B，表面38B具有用作絕緣金屬基板26的表面。根據(jù)一種實施例，絕緣金屬基板24和26是直接鍵合的銅基板，絕緣材料28A和28B是氮化鋁，并且絕緣的導(dǎo)電層34A、36A、34B和36B是銅。用于絕緣材料28A和28B的其他合適的材料包括氧化鋁、氧化鈹?shù)?，并且用于?dǎo)電層34A、36A、34B和36B的其他合適的材料包括鋁、銅等。絕緣金屬基板24和26使用導(dǎo)電材料(例如，焊料)電鍵合于器件容納區(qū)14的分離部分。應(yīng)當(dāng)指出，用以將絕緣金屬基板24和26鍵合至管芯容納區(qū)14的材料并不限定為焊料或者為相同的材料。例如，導(dǎo)電材料25A可以與導(dǎo)電材料25B相同，或者導(dǎo)電材料25A可以與導(dǎo)電材料25B不同。

半導(dǎo)體芯片40使用管芯貼附材料42鍵合于絕緣金屬基板24的表面38A。根據(jù)一種實施例，半導(dǎo)體芯片40是具有相對的主表面44和46的硅芯片，其中半導(dǎo)體芯片40包含垂直場效應(yīng)半導(dǎo)體器件，垂直場效應(yīng)半導(dǎo)體器件具有形成于表面44上的漏極接觸件50、形成于表面46的一部分上的源極接觸件52以及形成于表面46的另一部分上的柵極接觸件54。根據(jù)其中分立的半導(dǎo)體器件(例如，場效應(yīng)晶體管)由半導(dǎo)體芯片40形成的實施例，半導(dǎo)體芯片40可以被稱作半導(dǎo)體器件。漏極接觸件50通過管芯貼附材料42鍵合于絕緣金屬基板24的表面38A，其中管芯貼附材料42是導(dǎo)電且導(dǎo)熱的管芯貼附材料。應(yīng)當(dāng)指出，半導(dǎo)體器件40并不限定為垂直場效應(yīng)晶體管或場效應(yīng)晶體管。例如，半導(dǎo)體器件40可以是絕緣柵雙極型晶體管、雙極型晶體管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、二極管等。應(yīng)當(dāng)指出，硅芯片包含為硅的半導(dǎo)體材料并從而可以稱為硅基半導(dǎo)體材料。另外，硅基半導(dǎo)體材料可以是以碳摻雜的硅(即，碳摻雜的半導(dǎo)體材料)或者別的合適的半導(dǎo)體材料。

仍然參照圖1和圖2，半導(dǎo)體芯片60使用管芯貼附材料42鍵合于絕緣金屬基板26的表面38B。根據(jù)一種實施例，半導(dǎo)體芯片60是具有相對的主表面64和66的化合物半導(dǎo)體芯片，其中半導(dǎo)體芯片60包含場效應(yīng)半導(dǎo)體器件60，場效應(yīng)半導(dǎo)體器件60具有形成于表面66的一部分上的漏極接觸件70、形成于表面66的另一部分上的源極接觸件72以及形成于表面66的其他部分上的柵極接觸件74和76。根據(jù)其中分立的半導(dǎo)體器件(例如，場效應(yīng)晶體管)由半導(dǎo)體芯片60形成的實施例，半導(dǎo)體芯片60可以被稱作半導(dǎo)體器件。表面64通過管芯貼附材料42鍵合于絕緣金屬基板26的表面38B。應(yīng)當(dāng)指出，半導(dǎo)體器件60并不限定為場效應(yīng)晶體管。例如，半導(dǎo)體器件60可以是絕緣柵雙極型晶體管、雙極型晶體管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、二極管等，并且由合適的半導(dǎo)體材料(例如，硅、鍺)以及包括氮化鎵、砷化鎵等在內(nèi)的寬帶隙材料制成。

盡管絕緣金屬基板被描述為通過導(dǎo)電材料25A或?qū)щ姴牧?5B鍵合于器件容納區(qū)14，但是本實用新型并不限定于此。作為選擇，電絕緣材料層可以形成于引線框12的器件容納區(qū)14的某些部分上。然后，導(dǎo)電材料層可以形成于在器件容納區(qū)14上的電絕緣材料上的每個絕緣材料層上。舉例來說，導(dǎo)電材料層是銅。用于在導(dǎo)電基板(例如，引線框)上形成絕緣材料以及用于在絕緣材料上形成導(dǎo)電材料的技術(shù)是本領(lǐng)域技術(shù)人員所已知的。

半導(dǎo)體器件40的源極接觸件52通過鍵合線86與引線框引線18電連接，并且分別通過鍵合線92和88與半導(dǎo)體器件60的柵極接觸件74和76電連接。半導(dǎo)體器件40的柵極接觸件54通過鍵合線90與引線框引線20電連接。半導(dǎo)體器件60的柵極接觸件74和76分別通過鍵合線92和88與源極接觸件52電連接，并且通過鍵合線86與引線框引線18電連接。因而，柵極接觸件74和76通過鍵合線92和88、源極接觸件52及鍵合線86與引線框引線18電連接。源極接觸件72通過鍵合線94與絕緣金屬基板24的表面38A連接，并且漏極接觸件70通過鍵合線96與器件容納區(qū)14電連接。柵極接觸件74通過金屬化系統(tǒng)(未示出)與柵極接觸件76電連接。鍵合線可以被稱作線鍵合。應(yīng)當(dāng)指出，根據(jù)本實施例，半導(dǎo)體器件40的漏極接觸件50與絕緣金屬基板24的表面38A電連接，而半導(dǎo)體器件60與絕緣金屬基板26電連接。

如同本領(lǐng)域技術(shù)人員所清楚的，絕緣金屬基板24和26，半導(dǎo)體芯片40和60，鍵合線86、88、90、92、94和96，以及引線框12的某些部分被封裝于保護(hù)材料(例如，成型化合物)內(nèi)。應(yīng)當(dāng)指出，器件容納區(qū)14的表面15的某些部分可以不由成型化合物覆蓋或保護(hù)。

因而，半導(dǎo)體構(gòu)件10包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板是電浮置的并且鍵合焊盤沒有形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

根據(jù)實施例，半導(dǎo)體器件40由硅基材料制成，并且半導(dǎo)體器件60由III-N半導(dǎo)體材料制成。硅基材料可以包括硅、碳摻雜硅，碳化硅材料、硅鍺材料、與氮化鋁結(jié)合的硅等。III-N半導(dǎo)體材料包括氮化鎵、氮化鋁鎵等。硅可以是p型導(dǎo)電性的、n型導(dǎo)電性的或者本征半導(dǎo)體材料。同樣地，III-N半導(dǎo)體材料可以是p型導(dǎo)電性的、n型導(dǎo)電性的或本征半導(dǎo)體材料。

圖3是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件100的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件100與半導(dǎo)體構(gòu)件10類似，只是半導(dǎo)體構(gòu)件100包含用于使源極電極52與絕緣金屬基板26的表面38B連接的鍵合線102。將半導(dǎo)體芯片40和60分別安裝于絕緣金屬基板24和26，以及將絕緣金屬基板24和26安裝于器件容納區(qū)14已經(jīng)參照圖1和2進(jìn)行了描述。鍵合線102將半導(dǎo)體器件40的源極電極52(即，源極)電連接至半導(dǎo)體器件60的半導(dǎo)體材料的主體。在級聯(lián)連接的系統(tǒng)中，半導(dǎo)體器件60的半導(dǎo)體材料，即，半導(dǎo)體器件60的主體，可以通過鍵合線102與源極電極52連接。根據(jù)一種實施例，源極電極52通過引線框引線18與地線連接；因而，半導(dǎo)體器件60的主體同樣可以通過到源極電極52和鍵合線102的連接件與地線連接或者接地。因此，半導(dǎo)體構(gòu)件100包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板與絕緣金屬基板26電連接并且鍵合焊盤沒有形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖4是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件120的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件120與半導(dǎo)體構(gòu)件10類似，只是鍵合線86已經(jīng)由導(dǎo)電夾122代替，鍵合線94已經(jīng)由導(dǎo)電夾124代替，并且鍵合線96已經(jīng)由導(dǎo)電夾126代替。將半導(dǎo)體芯片40和60分別安裝于絕緣金屬基板24和26，以及將絕緣金屬基板24和26安裝于器件容納區(qū)14已經(jīng)參照圖1和2進(jìn)行了描述。半導(dǎo)體構(gòu)件120包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板是電浮置的并且鍵合焊盤沒有形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖5是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件130的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件130與半導(dǎo)體構(gòu)件10類似，只是半導(dǎo)體芯片40和60的位置已經(jīng)交換，半導(dǎo)體芯片60已經(jīng)旋轉(zhuǎn)180度，并且與管芯容納區(qū)14集成于一起的引線框引線被配置用作源極引線框引線。為了統(tǒng)一起見，絕緣金屬基板24和26的位置同樣已經(jīng)交換，以將半導(dǎo)體芯片40和60的位置分別保留于絕緣金屬基板24和26上。另外，附圖標(biāo)記16、18和20的位置已經(jīng)被保持。但是，在圖5中，由附圖標(biāo)記16標(biāo)識的引線框引線指的是源極引線框引線，并且由附圖標(biāo)記18標(biāo)識的引線框引線指的是漏極引線框引線。

半導(dǎo)體器件40的源極接觸件52通過鍵合線132與管芯容納區(qū)14電連接。柵極接觸件76通過鍵合線88與管芯容納區(qū)14電連接，并且半導(dǎo)體器件40的柵極接觸件74通過鍵合線92與管芯容納區(qū)14電連接。半導(dǎo)體器件60的柵極接觸件74和76分別通過鍵合線88和92以及通過鍵合線132與源極接觸件52電連接。源極電極72通過鍵合線94與絕緣金屬基板24的表面38A連接，并且漏極接觸件70通過鍵合線134與引線框引線18電連接。根據(jù)圖5的實施例，引線框引線16是源極引線框引線，并且引線框引線18是漏極引線框引線。鍵合線可以被稱作線鍵合。應(yīng)當(dāng)指出，根據(jù)本實施例，半導(dǎo)體器件40的漏極接觸件50(在圖2中未示出)與絕緣金屬基板24的表面38A電連接，然而半導(dǎo)體器件60與絕緣金屬基板26電連接。

圖6是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件130A的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件130A與半導(dǎo)體構(gòu)件130類似，只是鍵合線134已經(jīng)由夾子136代替，鍵合線94已經(jīng)由夾子138代替，并且鍵合線132已經(jīng)由夾子142代替。因而，夾子136將漏極接觸件70電連接至漏極引線18，夾子138使源極接觸件72與表面138A電連接，并從而與半導(dǎo)體器件40的漏極接觸件50電連接，并且夾子142使半導(dǎo)體器件40的源極接觸件52與絕緣金屬基板26的表面38A電連接。

圖7是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件140的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件140與半導(dǎo)體構(gòu)件130類似，只是鍵合線93將半導(dǎo)體器件60的III-N半導(dǎo)體材料的基板電連接至絕緣金屬基板26的表面38A并從而通過鍵合線132電連接至半導(dǎo)體器件40的源極接觸件52。

圖8是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件140A的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件140A與半導(dǎo)體構(gòu)件140類似，只是鍵合線132已經(jīng)由導(dǎo)電夾142代替，鍵合線94已經(jīng)由導(dǎo)電夾138代替，并且鍵合線134已經(jīng)由導(dǎo)電夾136代替。應(yīng)當(dāng)指出，將半導(dǎo)體芯片40和60分別安裝于絕緣金屬基板24和26，以及將絕緣金屬基板24和26安裝于器件容納區(qū)14已經(jīng)參照圖1和2進(jìn)行了描述。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件140包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板與半導(dǎo)體器件40的源極接觸件52電連接并且鍵合焊盤沒有形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖9是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件150的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件150與半導(dǎo)體構(gòu)件130A類似，只是漏極電極70和源極電極72已經(jīng)由延伸于III-N半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上的電極70A和72A代替。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件150包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板是電浮置的并且鍵合焊盤形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖10是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件160的透視圖。圖11是沿圖10的剖面線11-11截取的半導(dǎo)體構(gòu)件160的剖視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件160在半導(dǎo)體芯片60被安裝于絕緣金屬基板26方面與半導(dǎo)體構(gòu)件10類似，該絕緣金屬基板26通過管芯貼附材料25B鍵合于引線框164的器件容納區(qū)162，這已經(jīng)參照圖1和2進(jìn)行了描述。引線框164包含器件容納區(qū)162及引線框引線166和168，其中器件容納區(qū)162和引線框引線166彼此一體地形成，即，器件容納區(qū)162和引線框引線166從導(dǎo)電材料中得出，其中導(dǎo)電材料的一部分用作器件容納區(qū)162并且導(dǎo)電材料的另一部分用作引線框引線166。器件容納區(qū)164具有相對的表面170和172。根據(jù)一種實施例，導(dǎo)電材料是銅。引線框引線166包含用于將引線框引線166連接至器件容納區(qū)164的連接器部分166A。引線框引線168與引線框引線166電分離。舉例來說，引線框引線166和引線框引線168處于同一平面內(nèi)，并且器件容納區(qū)172處于引線框引線166和168不同的平面內(nèi)。應(yīng)當(dāng)指出，引線框164作為單個元件來示出及描述；但是，它可以是從引線框條帶中單體化出的部分，并且該引線框164與諸如TO-220輪廓、TO-247輪廓、TO-264輪廓、TO-257輪廓等通孔封裝輪廓共形。

具有相對的表面178和180的半導(dǎo)體芯片176被鍵合于引線框164的器件容納區(qū)162。舉例來說，半導(dǎo)體器件是具有形成于表面178上的陰極184以及形成于表面180上的陽極186的二極管。根據(jù)其中分立的半導(dǎo)體器件(例如，二極管)由半導(dǎo)體芯片176形成的實施例，半導(dǎo)體芯片176可以被稱作半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體芯片176使用諸如焊料、導(dǎo)電環(huán)氧樹脂、導(dǎo)電管芯貼附材料等導(dǎo)電材料鍵合于絕緣金屬基板24。二極管176的陰極184通過導(dǎo)電材料187與絕緣金屬基板24電連接。二極管176的陽極186分別通過鍵合線188和190與III-N半導(dǎo)體器件60的柵極電極74和76電連接，并且通過鍵合線192與引線框引線168電連接。III-N半導(dǎo)體器件60的漏極電極70通過鍵合線96與器件容納區(qū)162的表面172電連接。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件160包含III-N級聯(lián)整流器，在該III-N級聯(lián)整流器中，III-N半導(dǎo)體材料的基板是浮置的并且鍵合焊盤沒有形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖12是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件200的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件200與半導(dǎo)體構(gòu)件160類似，只是半導(dǎo)體構(gòu)件200包含用于使二極管176的陽極186與絕緣金屬基板26的表面38B電連接的鍵合線202。應(yīng)當(dāng)指出，將半導(dǎo)體芯片176和60分別安裝于絕緣金屬基板24和26，以及將絕緣金屬基板24和26安裝于器件容納區(qū)162已經(jīng)參照圖8和9進(jìn)行了描述。鍵合線202將二極管176的陽極186電連接至半導(dǎo)體器件60的半導(dǎo)體材料的主體。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件200包含III-N級聯(lián)整流器，在該III-N級聯(lián)整流器中，III-N半導(dǎo)體材料的基板與二極管176的陽極連接，并且在二極管176的陽極接地時可以接地。另外，鍵合焊盤沒有形成于半導(dǎo)體器件176的有源區(qū)之上。應(yīng)當(dāng)指出，引線框12作為單個元件來示出及描述；但是，它可以是從引線框條帶中單體化出的部分，并且該引線框12與諸如TO-220輪廓、TO-247輪廓、TO-264輪廓、TO-257輪廓等通孔封裝輪廓共形。

圖13是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件220的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件220與半導(dǎo)體構(gòu)件160類似，只是鍵合線94已經(jīng)由導(dǎo)電夾209代替，鍵合線96已經(jīng)由導(dǎo)電夾211代替，并且鍵合線192已經(jīng)由導(dǎo)電夾207代替。應(yīng)當(dāng)指出，將半導(dǎo)體芯片176和60分別安裝于絕緣金屬基板24和26，以及將絕緣金屬基板24和26安裝于器件容納區(qū)162已經(jīng)參照圖8和圖9進(jìn)行了描述。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件220包含III-N級聯(lián)整流器，在該III-N級聯(lián)整流器中，III-N半導(dǎo)體材料的基板是電浮置的。

圖14是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件230的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件230與半導(dǎo)體構(gòu)件10類似，只是半導(dǎo)體構(gòu)件230缺少半導(dǎo)體芯片40，并且絕緣金屬基板24已經(jīng)由絕緣金屬基板24A 代替。絕緣金屬基板24A與絕緣金屬基板24類似，只是層28A、34A和38A具有更窄的寬度。層28A、34A和38A分別由附圖標(biāo)記28C、34C和38C標(biāo)識。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件230包含與絕緣金屬基板26電鍵合的半導(dǎo)體芯片60。半導(dǎo)體器件60的柵極接觸件74通過鍵合線92與電連接電互連件24C的表面38C，源極接觸件72通過鍵合線232與引線框引線18電連接，漏極接觸件70通過鍵合線96與器件容納區(qū)14電連接，并且電互連件24C的表面38C通過鍵合線234與引線框引線20電連接。柵極接觸件76通過鍵合線236與引線框引線20電連接，并且柵極接觸件76通過鍵合線236與引線框引線20電連接。柵極接觸件74通過金屬化系統(tǒng)(未示出)與柵極接觸件76電導(dǎo)通。鍵合線可以被稱作線鍵合。應(yīng)當(dāng)指出，根據(jù)本實施例，半導(dǎo)體器件60與絕緣金屬基板26C電連接。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件230包含分立的III-N半導(dǎo)體器件，在該分立的III-N半導(dǎo)體器件中，III-N半導(dǎo)體材料的基板是電浮置的并且鍵合焊盤沒有形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖15是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件240的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件240與半導(dǎo)體構(gòu)件230類似，只是半導(dǎo)體構(gòu)件240包含用于將引線框引線18連接至絕緣金屬基板26的表面38B的鍵合線242。應(yīng)當(dāng)指出，將半導(dǎo)體芯片60安裝于絕緣金屬基板26以及將絕緣金屬基板26安裝于器件容納區(qū)162已經(jīng)參照圖8和9進(jìn)行了描述。鍵合線232將源極電極72電連接至引線框引線18。因此，半導(dǎo)體器件60的源極與半導(dǎo)體器件60的半導(dǎo)體材料的主體連接。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件240包含分立的III-N半導(dǎo)體器件，在該分立的III-N半導(dǎo)體器件中，III-N半導(dǎo)體材料的基板與源極電極72連接，并且在源極電極72接地的情況下可以接地。鍵合焊盤沒有形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖16是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件250的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件250與半導(dǎo)體構(gòu)件230類似，只是鍵合線96已經(jīng)由導(dǎo)電夾252代替，并且鍵合線232已經(jīng)由導(dǎo)電夾254代替。應(yīng)當(dāng)指出，將半導(dǎo)體芯片60安裝于絕緣金屬基板26以及將絕緣金屬基板26安裝于器件容納區(qū)162已經(jīng)參照圖8和9進(jìn)行了描述。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件250包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板是電浮置的并且鍵合焊盤沒有形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖17是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件260的透視圖。圖18是沿圖17的剖面線18-18截取的半導(dǎo)體構(gòu)件260的剖視圖。為了清晰起見，圖17和圖18在一起進(jìn)行描述。半導(dǎo)體構(gòu)件260與半導(dǎo)體構(gòu)件10類似，只是漏極電極70和源極電極72已經(jīng)分別由延伸于III-N半導(dǎo)體器件60A的有源區(qū)之上的電極70A和72A代替，并且柵極電極74和76已經(jīng)由延伸于III-N半導(dǎo)體器件60A的有源區(qū)之上的柵極電極74A代替。附圖標(biāo)記A被附于附圖標(biāo)記60之后，用于將圖15的III_N半導(dǎo)體器件與圖1的III-N半導(dǎo)體器件區(qū)分開。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件260包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板是電浮置的并且鍵合焊盤形成于半導(dǎo)體器件60A的有源區(qū)之上。

圖19是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件270的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件270與圖1的半導(dǎo)體構(gòu)件10類似，只是漏極電極70延伸于III-N級聯(lián)開關(guān)的有源區(qū)之上并因此由附圖標(biāo)記70B標(biāo)識；源極電極72延伸于III-N級聯(lián)開關(guān)的有源區(qū)之上并因此由附圖標(biāo)記72B標(biāo)識；鍵合線86已經(jīng)由導(dǎo)電夾122代替；鍵合線94已經(jīng)由導(dǎo)電夾124代替；并且鍵合線96已經(jīng)由導(dǎo)電夾126代替。應(yīng)當(dāng)指出，將半導(dǎo)體芯片40和60分別安裝于絕緣金屬基板24和26以及將絕緣金屬基板26安裝于器件容納區(qū)14已經(jīng)參照圖1和2進(jìn)行了描述。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件270包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板是電浮置的并且鍵合焊盤沒有形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖20是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件280的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件280與半導(dǎo)體構(gòu)件260類似，只是半導(dǎo)體構(gòu)件280 包含用于將源極電極52與絕緣金屬基板26的表面38B進(jìn)行連接的鍵合線282。應(yīng)當(dāng)指出，將半導(dǎo)體芯片40和60分別安裝于絕緣金屬基板24和26以及將絕緣金屬基板24和26安裝于器件容納區(qū)14已經(jīng)參照圖1和2進(jìn)行了描述。鍵合線282將源極電極52，因此將半導(dǎo)體器件40的源極電連接至半導(dǎo)體器件60的半導(dǎo)體材料的主體。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件100包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板與源極電極52連接并且鍵合焊盤形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。應(yīng)當(dāng)指出，如果源極電極52接地，III-N半導(dǎo)體材料的基板會接地。

圖21是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件290的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件290與半導(dǎo)體構(gòu)件260類似，只是半導(dǎo)體器件40已經(jīng)由半導(dǎo)體器件176(參照圖8進(jìn)行了描述)代替。二極管176的陰極184與絕緣金屬基板24的表面36A(示于圖1和2中)電連接。二極管176的陽極186通過鍵合線188和190與III-N半導(dǎo)體器件60的柵極接觸件74A電連接，并且通過鍵合線192與引線框引線168電連接。III-N半導(dǎo)體器件60的漏極接觸件70A通過鍵合線96與器件容納區(qū)162電連接，源極接觸件72A通過鍵合線94與絕緣金屬基板24的表面38A連接。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件290包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板是電浮置的并且鍵合焊盤形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖22是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件300的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件300在具有安裝于絕緣金屬基板24的二極管176方面與半導(dǎo)體構(gòu)件290(在圖21中未示出)類似，并且在半導(dǎo)體器件60具有形成于III-N半導(dǎo)體器件68的有源區(qū)之上的鍵合焊盤70A和72A方面以及在具有柵極鍵合焊盤74和76方面與半導(dǎo)體構(gòu)件270(示于圖19中)類似。二極管176的陰極184與絕緣金屬基板24的表面38A電連接。二極管176的陽極186通過鍵合線88與III-N半導(dǎo)體器件60的柵極接觸件74和76電連接并且通過導(dǎo)電夾122與引線框引線168電連接。III-N半導(dǎo)體器件60的漏極接觸件70A通過夾子126與器件容納區(qū)162電連接，源極接觸件72A通過導(dǎo)電夾124與絕緣金屬基板24的表面38A電連接。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件300包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料是電浮置的并且鍵合焊盤70A和72A形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖23是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件310的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件310與半導(dǎo)體構(gòu)件290類似，只是陽極186通過鍵合線312與絕緣金屬基板26的表面38B電連接。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件310包含III-N級聯(lián)開關(guān)，在該III-N級聯(lián)開關(guān)中，III-N半導(dǎo)體材料的基板電接地，并且鍵合焊盤70A、72A和74A形成于半導(dǎo)體器件60的有源區(qū)之上。

圖24是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件320的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件320與半導(dǎo)體構(gòu)件230類似，只是漏極、柵極和源極電極形成于有源區(qū)之上。因而，漏極電極由附圖標(biāo)記70A標(biāo)識，源極電極由附圖標(biāo)記72A標(biāo)識，并且柵極電極由附圖標(biāo)記74A標(biāo)識。因而，漏極電極70A通過鍵合線96與器件容納區(qū)14電連接，源極電極72A通過鍵合線232與引線框引線18電連接，柵極電極74A通過鍵合線92與絕緣金屬基板24的表面38A電連接。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件320包含分立的III-N場效應(yīng)晶體管，在該分立的III-N場效應(yīng)晶體管中，該分立的III-N場效應(yīng)晶體管的基板是電浮置的并且鍵合焊盤70A、72A和74A形成于半導(dǎo)體器件68的有源區(qū)之上。

圖25是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件330的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件330與半導(dǎo)體構(gòu)件320類似，只是引線框引線18通過鍵合線332與絕緣金屬基板26的表面38A電耦接。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件330包含分立的III-N場效應(yīng)晶體管，在該分立的III-N場效應(yīng)晶體管中，該分立的III-N場效應(yīng)晶體管的基板電接地并且鍵合焊盤70A、72A和74A形成于半導(dǎo)體器件60A的有源區(qū)之上。

圖26是根據(jù)另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件340的透視圖。圖27是沿圖26的剖面線27-27截取的半導(dǎo)體構(gòu)件340的剖視圖。圖26和27在一起進(jìn)行描述。半導(dǎo)體構(gòu)件340包含安裝于引線框164的器件容納區(qū)162的半導(dǎo)體器件342。引線框164包含引線框引線166和168并且已經(jīng)參照圖8和9對引線框164進(jìn)行了描述。根據(jù)一種實施例，半導(dǎo)體器件342是由III-N半導(dǎo)體材料制成的、具有相對的表面344和346的二極管。表面344被鍵合于絕緣金屬基板24的表面38A。如同參照圖1和2所描述的，絕緣金屬基板24通過導(dǎo)電材料42(例如，焊料)鍵合于器件容納區(qū)162。III-N二極管342具有形成于表面346上的陽極348以及形成于表面346的另一部分上的陰極350。陽極348通過鍵合線354與引線框引線168電連接，并且陰極350通過鍵合線352與器件容納區(qū)162電連接。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件340包含分立的III-N二極管，在該分立的III-N二極管中，該分立III-N二極管的基板是電浮置的并且陽極348和陰極350的鍵合焊盤形成于半導(dǎo)體器件342的有源區(qū)之上。

圖28是根據(jù)本實用新型的另一種實施例的半導(dǎo)體構(gòu)件360的透視圖。半導(dǎo)體構(gòu)件360與半導(dǎo)體構(gòu)件340類似，只是引線框引線168通過鍵合線362與絕緣金屬基板26的表面38A電耦接。因而，半導(dǎo)體構(gòu)件360包含分立的III-N二極管342，在該分立的III-N二極管342中，該分立的III-N二極管的基板電接地，并且鍵合焊盤348和350形成于半導(dǎo)體器件342的有源區(qū)之上。

盡管本文已經(jīng)公開了某些優(yōu)選的實施例和方法，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)前述公開內(nèi)容應(yīng)當(dāng)清楚，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下可以對此類實施例和方法進(jìn)行改動和修改。本實用新型意旨應(yīng)當(dāng)僅受所附權(quán)利要求書以及適用法律的規(guī)則和原則所要求的范圍限定。