技術(shù)編號(hào)：6935853
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法，尤指一種能改善發(fā)光二極管組件的晶粒切割剝離的優(yōu)良率及縮短制造工時(shí)的切割方式。常用的III族氮化物(Group III Nitride)半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方式，是于芯片的正面以鉆石刀(dicing saw)切割至數(shù)微米深度，再于該芯片的背面進(jìn)行劃線(scribe)，以使晶粒劈裂剝離。其主要缺陷在于1、以鉆石刀切割方式耗時(shí)，且其切割深度受限于鉆石刀鋒的損耗，無法做快速及較深的切割，造成切割的工時(shí)增加及無法降...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。