專利名稱：液晶顯示器設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器(LCD)設(shè)備，具體涉及一種改善圖像質(zhì)量的LCD設(shè)備。
背景技術(shù)：
近來，進行了大量有關(guān)平板顯示器的研究。LCD具有某些優(yōu)點，例如高反差比、低能耗、和適于反差圖像和運動圖像的顯示特性。因此，LCD被作為陰極射線管(CRT)的替代用于廣泛的領(lǐng)域中以克服CRT的缺點。
LCD設(shè)備包括一個開關(guān)器件，一個像素電極，一個陣列襯底，一個公共電極，一個濾色層，一個濾色襯底，和一個液晶層。開關(guān)器件把一個電壓施加到像素電極或者斷開其電壓。像素電極作為一個光透射區(qū)域，并把一個信號電壓施加到液晶層。陣列襯底包括一個用于減小電平移位電壓和保持像素信息的存儲電容器。公共電極利用與像素電極的電壓差在液晶層上形成一個電場。濾色層顯示顏色并選擇性地透射光。濾色襯底包括一個黑色基質(zhì)，用于防止光進入液晶排列不可控制的區(qū)域。在陣列襯底和濾色襯底之間形成液晶層。
具體地說，存儲電容器在一個薄膜晶體管的截止時段中保持一個液體電容器中存儲的電壓，該薄膜晶體管用于對付由寄生電容造成的圖像質(zhì)量退化。存儲電容器依據(jù)其電極的形成方式被分為存儲電容型和補充電容型(supplementcapacitance type)。
在存儲電容型中，單獨提供一個用于存儲電容器的電極。在補充電容型中，把第(n-1)條選通線的一部分用作第(n)個像素的存儲電容器的電極。
補充電容型具有高孔徑比(aperture ratio)，因為沒有為它提供用于電容器的單獨線路，并且具有高成品率，因為沒有數(shù)據(jù)線和電容器線的交叉部分。但是，因為不能完全獲得點反轉(zhuǎn)(dot inversion)和列反轉(zhuǎn)(Column inversion)，圖像質(zhì)量相對變差。
另一方面，在配備有用于電容器的單獨線路的存儲電容型中，孔徑比降低，但是圖像質(zhì)量改善。因此，在低孔徑比問題被克服的情況下，存儲電容型更適于視頻顯示設(shè)備。
下面將參考附圖對現(xiàn)有技術(shù)LCD設(shè)備進行說明。
圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)LCD設(shè)備的平面圖，圖2是顯示一個像素的等效電路圖。
補充電容型的LCD設(shè)備通常包括在第一襯底上形成的選通線11，在包括選通線11的第一襯底的整個表面上形成的絕緣膜(未示出)，與選通線11交叉以限定一個像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線14，在數(shù)據(jù)線形成的同時在選通線11上的柵絕緣膜的預(yù)定部分上形成的上電容器電極14c，設(shè)置在選通線11和數(shù)據(jù)線14的交叉部分上的開關(guān)器件，在包括具有預(yù)定厚度的開關(guān)器件的第一襯底的整個表面上形成的鈍化膜(未示出)，和具有由銦錫氧化物(ITO)構(gòu)成的像素電極19的陣列襯底，像素電極19通過第一和第二接觸孔17和18連接到開關(guān)器件和相鄰的上電容器電極14c。
此時，選通線11的預(yù)定部分用作下電容器電極。
因此，存儲電容器包括上電容器電極14c、面向上電容器電極14c的選通線11和介于上電容器電極14c與選通線11之間的柵絕緣膜，用于保持液晶中存儲的電荷。
參考圖2，寄生電容Cgs從柵電極G與源/漏電極S/D交叉的部分產(chǎn)生。該寄生電容造成施加到液晶上的交流電壓的直流(DC)電壓偏移ΔVp。該DC電壓偏移ΔVp具有不良效果，例如閃爍、圖像粘滯、和屏幕的不均勻亮度。為了解決這些問題，設(shè)計存儲電容器以提供存儲電容Cst，從而通過減小ΔVp的變化來改善圖像質(zhì)量。
雖然存儲電容Cst隨著存儲電容器電極尺寸變大而增加，如果它過大，則孔徑比降低。因此，應(yīng)該保持存儲電容器電極的最佳尺寸。
而且，由于光刻中的工藝誤差，開關(guān)器件的柵電極11a與源/漏電極14a和14b的交叉尺寸可能大于一個設(shè)計尺寸。在此情況下，寄生電容增加，因此不能獲得均勻的ΔVp值。
作為參考，對圖2的其余元件進行說明。D.L表示施加有一個雙極信號電壓的數(shù)據(jù)線14，G.L表示施加有一個掃描信號的選通線11。C1c表示在像素電極和公共電極Vcom的間隔中存儲的電荷電容，Cst表示在選通線11的預(yù)定部分和上電容器電極14c的間隔中存儲的電荷電容。
開關(guān)器件包括從選通線11分叉出的柵電極11a，在包括選通線11的第一襯底的整個表面上形成的柵絕緣膜(未示出)，在柵電極11a上的柵絕緣膜上形成的孤島形的(remote island shape)半導(dǎo)體層13，在半導(dǎo)體層13的兩端形成的源/漏電極14a和14b。半導(dǎo)體層13主要由基于非晶硅的薄膜晶體管(a-SiTFT)構(gòu)成。
為了完成一個LCD設(shè)備，把具有上述圖形的陣列襯底附接到一個濾色襯底上，在濾色襯底上形成有黑色基質(zhì)、紅、綠和藍(R，G，B)濾色層和基于ITO的公共電極，然后把液晶注入兩個附接的襯底之間的幾個微米的空間中。
但是，現(xiàn)有技術(shù)LCD設(shè)備具有以下問題。
盡管一直在努力通過抑制寄生電容來減小ΔVp變化，顯示板的ΔVp由于寄生電容的偏差而變得不均勻。該偏差是由柵電極和源/漏電極的未對準(zhǔn)造成的，這種未對準(zhǔn)是因為完全臨界尺寸(CD)和光刻中的工藝誤差而發(fā)生的。
在大屏幕、大尺寸設(shè)備中，這些問題更加明顯。尤其是，諸如閃爍、不均勻圖像亮度等問題使得顯示設(shè)備中最重要的圖像質(zhì)量變差，因此降低了顯示設(shè)備的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種液晶顯示器設(shè)備，其實質(zhì)上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點造成的一個或多個問題。
本發(fā)明的目的是通過補償寄生電容的偏差來均勻地保持ΔVp，從而提供一種具有改善圖像質(zhì)量的LCD設(shè)備。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，并根據(jù)本發(fā)明的目的，如所實施和廣義描述的，本發(fā)明的LCD包括在第一襯底上形成的選通線，與選通線交叉并因此限定一個像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線，在選通線的預(yù)定部分形成的電容器電極，在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分上形成的薄膜晶體管，在像素區(qū)域中形成的像素電極，和在彼此面對的第一和第二襯底之間設(shè)置的液晶層。選通線具有一個或多個第一補償圖形，和數(shù)據(jù)線，電容器電極具有一個或多個第二補償圖形。
在本發(fā)明中，執(zhí)行光刻過程以形成薄膜晶體管的源/漏電極，并且寄生電容由于光刻過程中的誤差而變化。為了補償寄生電容的變化值，電容器電極也被移動與源/漏電極相同的程度。
因此，當(dāng)柵電極和源/漏電極的重疊尺寸變化時，選通線的第一補償圖形和電容器電極的第二補償圖形的重疊尺寸也變化。因此，存儲電容自動地補償寄生電容。
第一和第二補償圖形根據(jù)薄膜晶體管的溝道形狀而變化。如果溝道具有“I”或“L”形，第一和第二補償圖形具有凸出和凹陷形。如果溝道具有“U”形，第一和第二補償圖形也具有“U”形。
應(yīng)該理解，本發(fā)明的上述一般說明和以下的詳細說明都是示例性和解釋性的，是為了對本發(fā)明權(quán)利要求提供進一步的解釋。


所包括的用于提供本發(fā)明進一步理解的附圖構(gòu)成了本申請的一部分，顯示了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)LCD的平面圖；圖2是一個像素的等效電路圖；
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的LCD設(shè)備的平面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的LCD設(shè)備的平面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的LCD設(shè)備的平面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實施例的LCD設(shè)備的平面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第五優(yōu)選實施例的LCD設(shè)備的平面圖；和圖8是根據(jù)本發(fā)明第六優(yōu)選實施例的LCD設(shè)備的平面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在參考附圖中表示的例子，對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細說明。在可能的情況下，在所有附圖中使用相同的標(biāo)號表示相同或相似的部件。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的LCD設(shè)備的平面圖。圖3顯示一個補充電容型的LCD。
如圖3所示，LCD設(shè)備包括彼此面對的陣列襯底和濾色襯底和在二者之間形成的液晶層。
在濾色襯底上形成用于防止光泄漏的黑色基質(zhì)和用于選擇性地透射光以顯示顏色的紅、綠、和藍(R，G，B)濾色層。在濾色層上形成由ITO構(gòu)成的公共電極。
選通線在陣列襯底上形成，并且具有一個或多個補償圖形。通過淀積諸如SiNx和SiOx的無機絕緣膜，在包括選通線21的陣列襯底的整個表面上形成柵絕緣膜(未示出)。數(shù)據(jù)線24被形成為與選通線交叉，并因此限定一個像素區(qū)域。一個薄膜晶體管在選通線21和數(shù)據(jù)線24的交叉部分上形成，并具有柵電極21a和源/漏電極24a和24b。在形成數(shù)據(jù)線24和薄膜晶體管的源/漏電極24a和24b的相同時間，形成具有一個或多個補償圖形的上電容器電極24c，并設(shè)置在選通線21上的預(yù)定部分。通過以預(yù)定厚度淀積諸如BCB和丙烯酸樹脂之類的有機絕緣膜或淀積諸如SiNx和SiOx之類的無機絕緣膜，在包括薄膜晶體管的襯底的整個表面上形成鈍化膜(未示出)。由ITO構(gòu)成的像素電極29通過第一和第二接觸孔27，28連接到薄膜晶體管和相鄰的上電容器電極24c，第一和第二接觸孔27，28是通過選擇性地去除鈍化膜形成的。
薄膜晶體管包括從選通線21分叉出的柵電極21a，在包括選通線21的襯底的整個表面上形成的柵絕緣膜(未示出)，在上柵電極21a上的柵絕緣膜上形成的孤島形的半導(dǎo)體層23，和在半導(dǎo)體層23的兩端形成的源/漏電極24a和24b。由半導(dǎo)體層23形成的溝道具有“I”形。
通過利用一濺射過程淀積諸如Al，Cu，W，Mo，Ti，Ta，和Al之類的低阻抗金屬，然后在一個光刻過程中對其進行構(gòu)圖，來形成選通線21和數(shù)據(jù)線24。
在本發(fā)明的LCD中，附加地提供存儲電容器，以防止液晶中存儲的電壓由于從柵電極21a和源/漏電極24a和24b的交叉部分產(chǎn)生的寄生電容而發(fā)生下降。存儲電容器包括作為下電容器電極的選通線21的一部分，上電容器電極24c，和介于選通線21和上電容器電極24c之間的柵絕緣膜。
補償圖形分別形成在選通線21和上電容器電極24c上，通過補償根據(jù)光刻過程中柵電極21a和源/漏電極24a和24b的未對準(zhǔn)而增加或減小的寄生電容，來使ΔVp均勻。換句話說，當(dāng)柵電極21a和源/漏電極24a和24b的重疊尺寸變化時，第一補償圖形和第二補償圖形的重疊尺寸也變化。因此，存儲電容被自動地變化與寄生電容相同的程度。
第一和第二補償圖形都具有凸出和凹陷形，但是第二補償圖形比第一補償圖形寬。第二補償圖形部分地重疊第一補償圖形。
在設(shè)計第一和第二補償圖形的結(jié)構(gòu)時考慮到，在“I”形薄膜晶體管中，柵電極21a和源/漏電極24a和24b的重疊尺寸不會由于由垂直移位造成的未對準(zhǔn)而變化很大，但是會由于由橫向移位造成的未對準(zhǔn)而很大程度地變化。
而且，存儲電容器包括選通線21的一部分，上電容器電極24c，和介于二者之間的絕緣膜22。通過施加到選通線21上的電壓和從數(shù)據(jù)線24施加到上電容器電極24c上的電壓，把電荷存儲在存儲電容器中。
如下面的公式(1)所示，寄生電容Cgs對于液晶的ΔVp影響最大，并且與顯示板的性質(zhì)和圖像質(zhì)量密切相關(guān)。ΔVp=CgsCgs+Cst+ClcΔVg----(1)]]>因此，如果每個像素中的寄生電容Cgs不規(guī)則地變化，那么每個像素中的DC電壓偏差ΔVp也變化，并且會造成屏幕上的一些問題，例如閃爍和余像。因此，分別在選通線21的預(yù)定部分和上電容器電極24c上提供補償圖形，通過補償寄生電容Cgs的變化值來使ΔVp在所有顯示板上均勻。
在補償圖形中，如果寄生電容Cgs增加，存儲電容器電容增加，而如果寄生電容減小，存儲電容器電容減小。因此，可以有如下公式(2)。ΔVp=Cgs+Cgs(Cgs+Cgs)+(Cst+Cst)+ClcΔVg----(2)]]>使用選通線21的一部分作為存儲電容器的電極的方法稱為補充電容型。在此類型中，不必須為存儲電容器提供一個單獨電極，所以該過程可以更加簡化。
同時，本發(fā)明的技術(shù)特征不僅可以應(yīng)用于上電容器電極24c電連接到像素電極29的結(jié)構(gòu)，而且可以應(yīng)用于上電容器電極39a和像素電極39形成為一體的結(jié)構(gòu)。
如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的存儲電容器包括具有第一補償圖形并用作下電容器電極的選通線31，具有與第一補償圖形部分地重疊的第二補償圖形的上電容器電極39a，和介于選通線31和上電容器電極39a之間的絕緣膜(柵絕緣膜和鈍化膜)。存儲電容器的存儲電容變化與寄生電容相同的程度，使得ΔVp可以保持均勻。
第一和第二補償圖形都具有凸出和凹陷形，但是第二補償圖形比第一補償圖形寬。
盡管圖3和4中通常只顯示一個補償圖形，考慮到根據(jù)線路的較窄寬度而增加的阻抗，可以應(yīng)用如圖5的第三優(yōu)選實施例中所示的多個補償圖形55。
本發(fā)明可以應(yīng)用于“L”或“U”形的TFT，以及“I”形的TFT?！癓”和“U”形的TFT通過減小在光刻過程中產(chǎn)生的選通線和源/漏電極的重疊尺寸的變化，在控制閃爍或余像方面具有改善的結(jié)構(gòu)。尤其是，“U”形的TFT在控制由于光刻誤差而由上和下層的圖形未對準(zhǔn)造成的ΔVp變化方面具有顯著改善的結(jié)構(gòu)。
但是，在“L”或“U”形TFT中，也產(chǎn)生ΔVp變化。因此，應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)特征，通過使所存儲的電容變化與每個像素中的寄生電容相同的程度，來保持ΔVp變化的均勻。
此時，用于補償TFT的寄生電容的補償圖形根據(jù)不同的TFT溝道結(jié)構(gòu)而變化。
換句話說，如圖6所示，在“L”形TFT中，選通線41中提供的第一補償圖形具有凸出和凹陷形，上電容器電極44c中提供的第二補償圖形具有比第一補償圖形窄的凸出和凹陷形。第一和第二補償圖形部分地重疊。
因此，如果當(dāng)源/漏電極44a和44b在光刻過程中被向左移動時寄生電容Cgs增加，在第一補償圖形和第二補償圖形的重疊尺寸增加時存儲電容Cst增加。
在“U”形TFT中，選通線中提供的第一補償圖形具有“U”形，上電容器電極中提供的部分地重疊第一補償圖形的第二補償圖形也具有“U”形。
換句話說，如圖7所示，具有45°溝道的“U”形TFT的寄生電容Cgs不會由于源/漏電極74a和74b的橫向移動而變化很大，但是會由于一個45°移動而發(fā)生巨大變化。因此，提供一個補償圖形以補償由該45°移動造成的變化。
本發(fā)明不僅可應(yīng)用于具有45°溝道的“U”形TFT，而且可以應(yīng)用于具有0°或90°溝道的“U”形TFT。
上述存儲電容器結(jié)構(gòu)是使用選通線作為下電容器電極的補充電容型，并且本發(fā)明的技術(shù)特征也可應(yīng)用于單獨形成下電容器電極的存儲電容型。
參考圖8，LCD設(shè)備包括選通線81，下電容器電極81c，數(shù)據(jù)線84，上電容器電極84c，薄膜晶體管，鈍化膜(未示出)，和像素電極89。選通線81在襯底上形成。下電容器電極81c與選通線81平行地形成，并具有一個或多個補償圖形。數(shù)據(jù)線84被設(shè)置為與選通線81交叉，并因此限定一個像素區(qū)域。上電容器電極84c在下電容器電極81c的預(yù)定部分上形成，并具有一個或多個第二補償圖形。薄膜晶體管在選通線81和數(shù)據(jù)線84的交叉部分形成。鈍化膜(未示出)在包括薄膜晶體管的襯底的整個表面上形成。像素電極89通過第一和第二接觸孔連接到薄膜晶體管和上電容器電極84c，第一和第二接觸孔是通過選擇性地去除鈍化膜形成的。
在與形成選通線81相同的時間形成下電容器電極81c，在與形成數(shù)據(jù)線84和源/漏電極84a和84b相同的時間形成上電容器電極84c。通過利用濺射過程淀積諸如Al，Cu，W，Mo，Ti，Ta，和Al之類的低阻抗金屬，然后利用光刻過程對它們構(gòu)圖，來分別形成下電容器電極和上電容器電極。
此時，上和下電容器電極81c和84c具有一個介于它們二者之間的柵絕緣膜，并且該柵絕緣膜用作一個保持液晶中存儲的電荷的存儲電容器。在上和下電容器電極81c和84c中提供的第一和第二補償圖形通過補償每個像素中寄生電容的內(nèi)部偏差，使每個像素的ΔVp保持均勻。因此，可以減小諸如閃爍和余像之類的屏幕問題。
薄膜晶體管包括柵電極81a，柵絕緣膜(未示出)，半導(dǎo)體層83，和源/漏電極84a和84b。當(dāng)柵電極81a和源/漏電極84a和84b的圖形變化時，薄膜晶體管根據(jù)不同的溝道結(jié)構(gòu)具有三種不同的形狀(即“I”形TFT，“L”形TFT，和“U”形TFT)。此時，補償圖形具有與TFT溝道圖形相同的形狀。
如前所述，LCD設(shè)備及其制造方法具有以下優(yōu)點。
首先，在本發(fā)明的LCD設(shè)備中，提供補償圖形以補償寄生電容的內(nèi)部偏差。因此，顯示板中的ΔVp保持均勻，并且可以解決諸如閃爍、余像和屏幕的不均勻亮度之類的問題，最終導(dǎo)致圖像質(zhì)量的改善。
其次，具有大面積和大屏幕的LCD設(shè)備的圖像質(zhì)量的可靠性隨著顯示板性質(zhì)和顯示板上的圖像性質(zhì)的改善而提高。
第三，通過補償寄生電容的變化值，從根本上消除了圖像質(zhì)量退化的問題，而在現(xiàn)有技術(shù)中在為了更好圖像質(zhì)量而采用改進的“L”形或“U”形TFT的情況下也沒有解決這個問題。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以對本發(fā)明進行各種修改和變化。因此，如果這些修改和變化落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，那么它們應(yīng)由本發(fā)明涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器設(shè)備，包括在第一襯底上形成的選通線，具有一個或多個第一補償圖形；被形成為與選通線交叉并因此限定一個像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；在選通線的預(yù)定部分形成的電容器電極，一絕緣膜介于電容器電極和選通線之間，該電容器電極具有一個或多個第二補償圖形；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分上形成的具有柵電極和源/漏電極的薄膜晶體管；在像素區(qū)域中形成的像素電極；和在彼此面對的第一和第二襯底之間形成的液晶層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器設(shè)備，其中電容器電極在與形成薄膜晶體管和源/漏電極相同的時間形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器設(shè)備，其中電容器電極被電連接到像素電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器設(shè)備，其中電容器電極和像素電極形成為一體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器設(shè)備，其中第一補償圖形部分地重疊第二補償圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器設(shè)備，其中薄膜晶體管被電連接到像素電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器設(shè)備，其中如果薄膜晶體管具有“I”形溝道，第一和第二補償圖形具有一凸出和凹陷形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器設(shè)備，其中第二補償圖形的凸出和凹陷形狀比第一補償圖形的凸出和凹陷形狀寬。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器設(shè)備，其中如果薄膜晶體管具有“L”形溝道，第一和第二補償圖形具有一凸出和凹陷形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器設(shè)備，其中第二補償圖形的凸出和凹陷形狀比第一補償圖形的凸出和凹陷形狀窄。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器設(shè)備，其中如果薄膜晶體管具有“U”形溝道，第一和第二補償圖形也具有“U”形。
12.一種液晶顯示器設(shè)備，包括設(shè)置在第一襯底上的選通線和數(shù)據(jù)線，彼此交叉并限定一個像素區(qū)域；在像素區(qū)域的預(yù)定部分上形成的下電容器電極，具有一個或多個第一補償圖形；在下電容器電極上形成的上電容器電極，一絕緣膜介于上電容器電極和下電容器電極之間，上電容器電極具有一個或多個第二補償圖形；在選通線和數(shù)據(jù)線交叉的部分上形成的薄膜晶體管，包括柵電極和源/漏電極；在像素區(qū)域中形成的像素電極，連接到薄膜晶體管和上電容器電極；和在彼此面對的第一和第二襯底之間形成的液晶層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器設(shè)備，其中下電容器電極平行于選通線。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器設(shè)備，其中下電容器電極在與形成選通線相同的時間形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器設(shè)備，其中上電容器電極在與形成薄膜晶體管的源/漏電極相同的時間形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器設(shè)備，其中第一補償圖形部分地重疊第二補償圖形。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器設(shè)備，其中如果薄膜晶體管具有“I”形溝道，第一和第二補償圖形具有一凸出和凹陷形狀。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示器設(shè)備，其中第二補償圖形的凸出和凹陷形狀比第一補償圖形的凸出和凹陷形狀寬。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器設(shè)備，其中如果薄膜晶體管具有“L”形溝道，第一和第二補償圖形具有一凸出和凹陷形狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示器設(shè)備，其中第二補償圖形的凸出和凹陷形狀比第一補償圖形的凸出和凹陷形狀窄。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器設(shè)備，其中如果薄膜晶體管具有“U”形溝道，第一和第二補償圖形也具有“U”形。
全文摘要
公開了一種用于改善圖像質(zhì)量的LCD設(shè)備，其中對柵電極和源/漏電極之間的寄生電容的變化值進行了補償。該LCD設(shè)備包括具有第一補償圖形的選通線，設(shè)置為與選通線交叉并限定一個像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線，和在為了形成源/漏電極而執(zhí)行的光刻過程中在選通線的預(yù)定部分上形成的電容器電極，其具有第二補償圖形，并且一絕緣膜介于電容器電極和選通線之間。
文檔編號H01L29/786GK1396486SQ02140348
公開日2003年2月12日 申請日期2002年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月11日
發(fā)明者李晙豪 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司