專利名稱：淀積所選厚度的層間電介質(zhì)以在半導(dǎo)體片上形成總體最佳平面性的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的涉及硅加工領(lǐng)域，更具體地說涉及一種在半導(dǎo)體片上形成一層間電介質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
在制作半導(dǎo)體器件時(shí)，在一塊半導(dǎo)體基底(基板)上要形成許多導(dǎo)電的器件區(qū)域或?qū)щ姷钠骷?。為了使這些層或區(qū)域絕緣，在這些區(qū)域上要形成一層間電介質(zhì)層。通常，使用化學(xué)氣相淀積(CVD)技術(shù)來在導(dǎo)電區(qū)域?qū)由系矸e該層間電介質(zhì)層。在化學(xué)氣相淀積的過程中，含有在最終的薄膜中所需要的原子或分子的化學(xué)物質(zhì)在淀積室內(nèi)混合并進(jìn)行反應(yīng)以形成氣相。原子或分子淀積在半導(dǎo)體片表面上并積聚起來形成一薄膜。普通的CVD方法包括大氣壓CVD(APCVD)，低壓CVD(LPCVD)及等離子增強(qiáng)CVD(PECVD)。PECVD方法比APCVD及LPCVD方法來得優(yōu)越，因?yàn)樗茉谳^低的基片溫度下進(jìn)行淀積。這是因?yàn)镻ECVD使用射頻感應(yīng)的輝光放電或等離子體以把能量傳送到反應(yīng)氣體中而不是僅僅依靠熱能來啟動并維持化學(xué)反應(yīng)的，因而PECVD方法可以用來在因?yàn)闆]有熱穩(wěn)定性不能用別的方法使之接受涂層的基底上淀積薄膜，例如在金屬上形成的四氮化三硅及的氧化硅。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體片或硅基底上的電路元件和互連線越來越密。當(dāng)電路密度繼續(xù)提高時(shí)，為物理地、電氣地絕緣電路元件及導(dǎo)電連接線提供的要填充介質(zhì)的間隙或溝的寬度就下降。這增加了間隙的高寬比或深寬比，深寬比通常定義為間隙的高度除以間隙的寬度。用上述CVD技術(shù)來填充較高深寬比的這些間隙是比較困難的，因?yàn)樵诮^緣或填充間隙的材料中會形成不希望有的空隙或不連續(xù)。
目前用高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(HDP-CVD)技術(shù)來填充具有較高深寬比的間隙。HDP-CVD技術(shù)可以允許在等離子淀積過程中添加濺射成分，對此濺射成分可以加以控制，它有助于在淀積過程中填充間隙因而優(yōu)于上述其他CVD方法。典型的HDP淀積方法使用具有氧、硅烷及惰性氣體，例如氬的氣體混合物的化學(xué)氣相淀積以同時(shí)實(shí)現(xiàn)介質(zhì)蝕刻和淀積。在HDP加工中，對反應(yīng)室中的半導(dǎo)體片基底加上射頻偏壓。氣體中的有些氣體分子，特別是氬就電離成等離子體并且當(dāng)有射頻加在基底上時(shí)就加速射向半導(dǎo)體片表面。當(dāng)離子沖擊在該表面上時(shí)材料就被濺射。這就造成電介質(zhì)淀積在半導(dǎo)體片表面的同時(shí)表面被濺射蝕刻。這有助于在淀積過程中保持間隙的敞開，從而允許具有較高深寬比的間隙可以被填充。
其上要淀積層間電介質(zhì)的導(dǎo)電元件和互連線一般包含多個(gè)金屬件，其中有些金屬件的尺寸大小是不同的。一種典型的導(dǎo)電圖形包括金屬件的密的陣列，通常被寬度小于1微米的間隙所隔開。然而在密的陣列的多個(gè)金屬件之一，旁邊的一個(gè)金屬件可能大大地大于密的陣列的金屬件。在一個(gè)鄰近的元件所具有的上表面面積大于該密的金屬件的上表面面積的情況下，當(dāng)?shù)矸e一充填間隙的電介質(zhì)層時(shí)，在該密的陣列的相對較小的金屬件和相對較大元件之間將形成一具有高度逐漸增高的臺階或梯級。請參閱

圖1，一密的陣列12的金屬件15及17的上表面面積小于該密陣列12旁邊的大得多的金屬件19的上表面的面積。當(dāng)一電介質(zhì)層21淀積在金屬件15、17、19上時(shí)，在需要覆蓋較小元件15、17的電介質(zhì)的厚度23和需要覆蓋具有較大上表面面積電介質(zhì)的厚度25之間就形成了一個(gè)臺階27。此臺階27使淀積在金屬件上的的電介質(zhì)層非常難于形成一個(gè)良好的平面?，F(xiàn)在需要一種方法，此方法要能夠在淀積電介質(zhì)層上臺階的高度盡可能小并且要能夠改進(jìn)半導(dǎo)體片上的總體的平面度。
本發(fā)明的目的是提供一種在半導(dǎo)體片上淀積一層間電介質(zhì)材料的方法，在淀積時(shí)，可以盡量時(shí)金屬件之間的臺階的高度淀積得最小。
本發(fā)明的另一目的是提供一種在半導(dǎo)體片上淀積一層間電介質(zhì)材料的方法，該方法基于對高密度等離子體化學(xué)氣相淀積電介質(zhì)材料厚度進(jìn)行理論計(jì)算(預(yù)計(jì))，此理論計(jì)算的厚度值可以對半導(dǎo)體片及每一半導(dǎo)體芯片或小片上提供最佳的總體平面性。
發(fā)明的概要上述目的通過一種在半導(dǎo)體片上淀積一厚度經(jīng)選定的層間電介質(zhì)材料的方法而得以實(shí)現(xiàn)，此方法可以使淀積的電介質(zhì)層具有最佳的總體平面性。本發(fā)明發(fā)展了一種二氧化硅電介質(zhì)層的淀積的模式，它基于淀積及濺射的物理作用以及半導(dǎo)體器件中的金屬件的最小幾何尺寸(最大寬度、最小間距、最小高度)。在本發(fā)明中發(fā)展的HDP淀積模式則用于預(yù)計(jì)淀積薄膜的最佳厚度。在一形狀完全與實(shí)際相似的頂蓋的淀積和化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平面化之后，在半導(dǎo)體片上提供最佳的總體平面性。具體地說，首先測定金屬件的幾何參數(shù)，例如最小厚度、最小間距、最小高度等，然后根據(jù)金屬線之間最難以應(yīng)付的高寬比，計(jì)算出化學(xué)氣相淀積率與濺射率之比(D/S)。所淀積的氧化物的最佳薄膜厚度基于以下的條件確定淀積金屬件的最小寬度和空間，金屬件的高度，淀積率與濺射率之比，最大濺射率的角度以及工藝過程所要求的平面化的程度。然后用HDP-CVD技術(shù)將電介質(zhì)材料淀積在金屬件上并且用計(jì)算出的比率在預(yù)定的厚度處停止淀積從而達(dá)到總體平面性的最佳厚度。
附圖的簡單說明圖1是已有技術(shù)中在多個(gè)金屬跡線上用HDP-CVD技術(shù)淀積電介質(zhì)材料后的截面圖；圖2是已有技術(shù)在多個(gè)金屬跡線上用HDP-CVD技術(shù)淀積幾層電介質(zhì)材料后的截面圖；圖3是一曲線圖，圖中示出了濺射氣體(氬)的入射角和靶材料(石英)的濺射率的典型關(guān)系；圖4是諸金屬跡線的截面圖，每一金屬跡線具有以不同的淀積率與濺射之比的電介質(zhì)材料淀積在其上；圖5是具有電介質(zhì)層淀積其上的金屬跡線的截面圖并示了用于本發(fā)明的參數(shù)的種種尺寸大?。粓D6A或6B是兩張圖解圖，圖中示出了不同淀積率與濺射率之比時(shí)臺階高度和HDP淀積厚度的關(guān)系；圖7是用本發(fā)明的方法在多個(gè)金屬跡線上用HDP-CVD技術(shù)淀積一電介質(zhì)材料的截面圖。
實(shí)施本發(fā)明的最佳方法請參閱圖2，圖中示出了已有技術(shù)的典型HDP-CVD淀積過程。在該已有技術(shù)的典型的過程中，各種電介質(zhì)材料層例如二氧化硅或石英(SiO2)淀積在金屬跡線上。圖2中電介質(zhì)材料22一共分為十層A～J。層A是淀積在金屬跡線14、16、18上的第一層，層J是淀積在金屬跡線14、16、18上的最后一層。如圖2所示，電介質(zhì)材料22的層A-J以三角形結(jié)構(gòu)的形式累積在金屬跡線的頂上。這是因?yàn)殡m然氬氣分子是均勻地濺射在表面上的，但是由于在轉(zhuǎn)角處濺射氣體的入射角的關(guān)系，濺射率在金屬跡線的轉(zhuǎn)角處的濺射是比較快的。
請參閱圖3，其中示出了相對于濺射表面提供一最大濺射率或?yàn)R射速率的濺射氣體的入射角。此最大的濺射角度可以變化，它是確定淀積于所用的HDP-CVD系統(tǒng)或裝置的。在大多數(shù)系統(tǒng)中，產(chǎn)生最大濺射率的入射角在45°到60°的范圍內(nèi)。由于金屬跡線轉(zhuǎn)角的入射角是具有最大得率或接近最大得率的角度，在金屬跡線的轉(zhuǎn)角處的濺射速率快于金屬頂部的濺射速率。這一情況使基底材料形成三角狀結(jié)構(gòu)如圖2所示。在圖3中，示出了濺射氣體的入射角32相對于淀積在表面上的材料的濺射速率34的曲線圖30。在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，如圖3所示，最大濺射率的角度是60°，從圖中可見，最大濺射率的濺射范圍36是在45度與70度之間。所以，在計(jì)算用于本發(fā)明的較佳實(shí)施例中的最佳薄膜厚度時(shí)用的是最大濺射率角度-60度。
現(xiàn)請回過來參閱圖2，金屬跡線14是被三角形電介質(zhì)結(jié)構(gòu)24所覆蓋著，此三角形電介質(zhì)結(jié)構(gòu)由三層(A、B、C)所組成。類似地，金屬跡線16也是由層A、B、C所組成的三角形電介質(zhì)結(jié)構(gòu)26所覆蓋著。金屬跡線18具有較寬的上表面，所以在金屬跡線18上的最后的三角形電介質(zhì)結(jié)構(gòu)28要大得多，它由A-H的8層所組成。電介質(zhì)材料22的每一電介質(zhì)層A-J都填充在金屬跡線的間隙中，同時(shí)也淀積在金屬跡線14、16、18的頂部而形成三角形結(jié)構(gòu)24、26、28。從圖2可以看出，具有較寬表面面積的金屬跡線18需要更多的電介質(zhì)層以用三角形結(jié)構(gòu)28完全覆蓋該金屬跡線18。例如當(dāng)層D加上去時(shí)，三角形結(jié)構(gòu)24和26已經(jīng)形成在金屬跡線14、16上面，其中，電介質(zhì)材料層D剛好填滿在金屬跡線14、16之間及金屬跡線14、16周圍。然而，層D繼續(xù)堆在金屬跡線的頂部以形成三角形結(jié)構(gòu)28。從圖中可以看出，當(dāng)繼續(xù)加上電介質(zhì)層時(shí)，一個(gè)大的高度差或大的臺階高度就形成在三角形結(jié)構(gòu)24、26的頂部和三角形結(jié)構(gòu)28的頂部之間。
請參閱圖5，本發(fā)明的方法第一步是確定淀積半導(dǎo)體片表面上的一系列金屬件的幾何參數(shù)。金屬跡線61有一個(gè)寬度(w)68和一高度(h)69。直接處在金屬跡線61的頂部上的電介質(zhì)材料，即三角形結(jié)構(gòu)63有一厚度(t)65及濺射角度(Θ)70。
請參閱圖4，另一個(gè)與確定淀積淀積率與濺射率之比有關(guān)的幾何參數(shù)是在跡線頂部轉(zhuǎn)角上的基底的角生長(x)量56、57、58。在零轉(zhuǎn)角生長處淀積率與濺射率之比取決于所用的HDP-CVD系統(tǒng)或裝置的參數(shù)。一旦這些參數(shù)被確定，下一步就是在這些幾何參數(shù)的基礎(chǔ)上計(jì)算淀積率與濺射率之比。在圖4中，跡線41是被一厚度(t)42及角度(Θ)的三角形結(jié)構(gòu)48所覆蓋的。在跡線41形成結(jié)構(gòu)48的絕緣材料的淀積率與濺射率之比是具有零轉(zhuǎn)角生長的淀積率與濺射率之比。轉(zhuǎn)角生長率56等于零是因?yàn)槿切谓Y(jié)構(gòu)48的兩條邊直接與金屬跡線41的上轉(zhuǎn)角是齊平的。在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，達(dá)到零轉(zhuǎn)角生長的淀積率與濺射率之比是等于3.2。相比之下，在跡線43上淀積的電介質(zhì)材料所形成的三角形結(jié)構(gòu)49，其淀積率與濺射率之比比較高，例如為4.5。當(dāng)?shù)矸e率與濺射率之比為4.5時(shí)，三角形結(jié)構(gòu)49的邊從金屬跡線43向外散開，因此有一個(gè)角生長距離(x)57。由于有了這個(gè)轉(zhuǎn)角生長距離(x)57，形成三角形結(jié)構(gòu)49所需要的電介質(zhì)層的厚度44大于在金屬跡線41上形成三角形結(jié)構(gòu)48所需要的電介質(zhì)層的厚度42。此外，如圖4所示，由淀積在跡線45上的電介質(zhì)層所形成的三角形結(jié)構(gòu)50在淀積時(shí)的淀積速率與濺射速率之比甚至還要高，例如7.5。由于這個(gè)較高的淀積率與濺射率之比(7.5)，覆蓋金屬跡線45的三角形結(jié)構(gòu)50就比具有較低淀積率與濺射率之比的其他金屬跡線41、43具有更大的角生長距離(x)58和更大的厚度46。因此可以看出，為了使形成在金屬跡線上的電介質(zhì)材料層的三角形結(jié)構(gòu)上的尖峰盡可能地低，最好選擇使角生長(x)為最小的淀積率與濺射率之比。
然而，淀積率與濺射率之比不應(yīng)該太低。如果淀積率與濺射率之比低于零轉(zhuǎn)角生長，那么，該三角形結(jié)構(gòu)就不能覆蓋金屬跡線41的整個(gè)上表面，金屬跡線的上表面的轉(zhuǎn)角就會被濺射掉。這是不希望發(fā)生的事。
為了確定三角形結(jié)構(gòu)可以完整覆蓋的薄膜厚度(t)，使用具有最小厚度的金屬跡線61的高度和寬度之間的幾何關(guān)系。請參閱圖5，覆蓋該最小金屬跡線61的三角形結(jié)構(gòu)63具有高度或厚度(t)65以及一等于寬度(w)68加上兩倍轉(zhuǎn)角生長(x)76的底部。該三角形結(jié)構(gòu)具有兩條邊，每一條邊具有一長度(l)60。在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，入射角Θ的角度等于60度，三角形的所有邊的長度相等l＝2x+w。利用三角關(guān)系式sinΘ＝t/l，t可以寫成t＝sinΘ(w+2x)。所以在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，薄膜的厚度等于由金屬跡線的寬度加上兩倍轉(zhuǎn)角生長(金屬跡線每一邊上的距離x)乘以sinΘ(它產(chǎn)生最大的濺射率)所得的值。在一般情況下，sinΘ不等于60度，存在tanΘ＝t/(1/2w+x)的關(guān)系，因此t＝tanΘ(1/2w+x)。所以薄膜厚度等于金屬跡線的1/2的寬度加上兩倍轉(zhuǎn)角生長厚度乘以產(chǎn)生最大濺射率的tanΘ所得到的值。
淀積率與濺射率之比(D/S)在本技術(shù)領(lǐng)域中是熟知的，它是有效淀積厚度+濺射率(SR)，除以濺射率，或 上式可以重寫成 為了確定淀積轉(zhuǎn)角生長(x)的量，有兩種情況需要考慮。在第一種情況中，淀積速率與濺射速率之比等于零轉(zhuǎn)角生長之比，D/S0。在第二種情況中，淀積速率與濺射速率之比等于薄膜厚度要確定淀積之比，D/S。淀積厚度假定等于金屬件的高度h，采用以上導(dǎo)出D/S的式子，對第一種情況，可以得到DS0=hSR1+1]]>對第二種情況，可以得到DS=hSR2+1]]>這些式子可以重新安排以得出下列濺射率的方程式SR1=h(DS0-1)]]>及SR2=h(DS-1)]]>兩濺射率之差(SR1-SR2)等效于轉(zhuǎn)角生長的厚度x。因而，轉(zhuǎn)角生長(x)可定義成金屬跡線的高度h乘以(1除以淀積率與零轉(zhuǎn)角生長的濺射率之比減1)和(1除以淀積率與有待確定淀積的最佳厚度的濺射率之比減1)之差，或X=h[1(DS0-1)-1(DS-1)]]]>轉(zhuǎn)角生長的式子把淀積率與濺射率之比與電介質(zhì)層的最佳厚度聯(lián)系了起來。最佳薄膜厚度可以大于或小于金屬件的高度，這取決于金屬件的寬度w。
請參閱圖5，另外兩個(gè)要定義的值是局部臺階高度66及總體臺階高度67。局部臺階高度66是覆蓋跡線的三角形結(jié)構(gòu)的頂部和位于三角形結(jié)構(gòu)之外的電介質(zhì)材料的高度之間的高度。在局部臺階高度最高的一點(diǎn)處，形成在跡線頂部的三角形結(jié)構(gòu)是最大而在位于跡線上的三角形結(jié)構(gòu)之外處的電介質(zhì)材料是最小。當(dāng)更多電介質(zhì)層加到金屬跡線上時(shí)，金屬跡線的位于三角形結(jié)構(gòu)之外的電介質(zhì)材料變得更大而局部臺階高度變得更小?？傮w臺階高度67是覆蓋最小跡線61的三角形結(jié)構(gòu)63頂部及覆蓋最大跡線62的三角形結(jié)構(gòu)64頂部之間的差值。當(dāng)較小的跡線61的三角形結(jié)構(gòu)63達(dá)到它的頂峰(最大值)時(shí)，總體臺階高度67是最小的。當(dāng)更多的電介質(zhì)層加上去，較大的跡線62的三角形結(jié)構(gòu)64變大時(shí)，總體臺階高度67就增加。
現(xiàn)請參閱圖6A及圖6B，圖中示出了臺階高度和三角形結(jié)構(gòu)的HDP淀積厚度的關(guān)系曲線。在圖6A中，淀積率與濺射率之比是4。圖中的71代表局部臺階高度而圖中的81代表總的臺階高度。從中可以看出，當(dāng)電介質(zhì)材料的厚度增加時(shí)，局部臺階高度71減小，而總體臺階高度81增加?？傮w臺階高度81開始增加，局部臺階高度開始減小的一點(diǎn)是最佳厚度點(diǎn)91。在圖6A中，HDP最佳厚度是0.5μm。圖6B是同樣的圖，但具有較低的淀積率與濺射率比(3.5)。在這種情況下，局部臺階高度72開始降低，總體臺階高度82開始增加的點(diǎn)所產(chǎn)生的一個(gè)最佳厚度點(diǎn)92是0.4μm。所以很清楚，具有較低淀積率與濺射率之比，而不低到濺射金屬跡線的程度能產(chǎn)生電介質(zhì)層的最小的最佳厚度。
現(xiàn)請參閱圖7，根據(jù)上述諸式子，一旦確定淀積了最佳薄膜厚度，實(shí)現(xiàn)最佳薄膜厚度所必需的幾何參數(shù)例如氣流速率，淀積率，淀積及濺射所需的時(shí)間，等離子體功率等等就被輸入進(jìn)行HDP-CVD工藝過程的機(jī)器。HDP-CVD機(jī)器然后用經(jīng)過計(jì)算可以實(shí)現(xiàn)電介質(zhì)層最佳厚度的參數(shù)把電介質(zhì)層加到跡線上。然后用光學(xué)測量工具對薄膜厚度進(jìn)行測量。最理想的是，淀積的電介質(zhì)厚度能等于事先確定淀積的厚度?；蛘呤孪却_定淀積的厚度可以作為掌握容差的指導(dǎo)，例如作為對±20％的容差的指導(dǎo)。
如圖7所示，當(dāng)實(shí)現(xiàn)了最佳薄膜厚度時(shí)，在金屬跡線115和117的電介質(zhì)層121的高度和在較大跡線119上的電介質(zhì)層123的高度之間很少有臺階或完全沒有臺階高度125。通過使臺階最小化，就很容易使半導(dǎo)體片形成平的平面。在淀積了絕緣層之后，先把一形狀完全相似的氧化物蓋淀積在電介質(zhì)層的頂上，然后進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光步驟以使半導(dǎo)體片形成平的表面。通過如本發(fā)明所述的方法施加電介質(zhì)層，臺階的高度可以降低，它使后面的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)步驟易于操作，此外還能在金屬跡線上提供平面性較好的氧化物。
權(quán)利要求
1.一種淀積所選電介質(zhì)材料的厚度的方法，其特征在于，該方法包括確定在半導(dǎo)體片表面上的一系列金屬件的一組幾何參數(shù)，根據(jù)該組半導(dǎo)體片的幾何參數(shù)計(jì)算化學(xué)氣相淀積率與濺射率之比，根據(jù)計(jì)算所得的比確定淀積薄膜的厚度，在金屬件上淀積電介質(zhì)材料，在淀積過程中當(dāng)達(dá)到了計(jì)算所得的比，就停止淀積，從而達(dá)到半導(dǎo)體表面總體平面性的最佳厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該組幾何參數(shù)包括該一系列金屬件的一最小寬度，一最小間距以及一最小高度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該組幾何參數(shù)包括在金屬件之一的頂部轉(zhuǎn)角處的電介質(zhì)材料的轉(zhuǎn)角厚度。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，轉(zhuǎn)角厚度有這樣的關(guān)系它等于金屬件的最小高度乘以1除以淀積率與零轉(zhuǎn)角生長濺射率之比減1和1除以淀積率與淀積厚度濺射率之比減1之間差。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所確定淀積的薄膜厚度有這樣的關(guān)系它等于最大濺射率的角度的正弦乘以2倍轉(zhuǎn)角厚度加上最小寬度之值。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所確定淀積的薄膜厚度有這樣的關(guān)系它等于最大濺射率的角度的正切乘以最小寬度的 加上轉(zhuǎn)角厚度之值。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，電介質(zhì)材料淀積在金屬件上的厚度等于預(yù)先確定淀積的薄膜厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，電介質(zhì)材料淀積在金屬件上的厚度在預(yù)先確定淀積的薄膜厚度的±20％的容差范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，它還包括如下步驟淀積一形狀完全相似的頂蓋氧化物，使用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)使半導(dǎo)體片表面形成一平面。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在金屬件上淀積電介質(zhì)材料是用HDP-CVD工藝過程進(jìn)行的。
全文摘要
一種在半導(dǎo)體片上以所選定的厚度淀積層間電介質(zhì)材料以獲得最佳總體平面性的電介質(zhì)層。根據(jù)淀積及濺射的物理學(xué)及半導(dǎo)體器件中金屬件的最小幾何尺寸發(fā)展了一種淀積二氧化硅層的模式。該模式包括首先確定金屬件的幾何參數(shù)。然后根據(jù)最關(guān)鍵的金屬線之間深寬比計(jì)算淀積率和濺射率之比。根據(jù)計(jì)算所得之比可確定最佳總體平面性的薄膜厚度。然后用HDP－CVD技術(shù)在金屬件(115，117，119)上淀積電介質(zhì)材料(121，123)。在淀積過程中，用計(jì)算所得之比在預(yù)先確定淀積的厚度處中止淀積從而實(shí)現(xiàn)可以獲得總體平面性的最佳厚度。
文檔編號H01L21/3205GK1457509SQ01813454
公開日2003年11月19日 申請日期2001年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月1日
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