技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了非易失性存儲(chǔ)器裝置、存儲(chǔ)器系統(tǒng)及操作它們的方法。提供了如下一種操作包括三維(3D)存儲(chǔ)器單元陣列的非易失性存儲(chǔ)器裝置的方法。利用第一讀電壓電平對(duì)連接至第一字線的第一存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一讀操作。如果第一讀操作失敗，則對(duì)第一存儲(chǔ)器單元執(zhí)行讀重試操作，以將讀重試電壓電平設(shè)為第二讀電壓電平。基于第一讀電壓電平與第二讀電壓電平之間的差來(lái)確定讀偏移表。讀偏移表存儲(chǔ)多個(gè)讀電壓偏移。利用通過(guò)利用讀偏移表確定的第三讀電壓電平對(duì)連接至第二字線的第二存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二讀操作。

技術(shù)研發(fā)人員：樸鐘哲;劉玹映;樸商秀
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201611079351
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.06.13