降低寫失敗的存儲器件、包括該存儲器件的系統(tǒng)及其方法
【專利摘要】存儲器系統(tǒng)包括存儲器件和存儲器控制器。存儲器件包括多個存儲單元。存儲器控制器被配置為在激活命令和預(yù)充電命令之間在存儲器件上連續(xù)地執(zhí)行多個寫命令。在存儲器系統(tǒng)中，當在執(zhí)行具有所述多個寫命令當中的最后的寫命令的第一寫操作之后并且然后發(fā)出所述預(yù)充電命令時，在所述預(yù)充電命令之后發(fā)出用于第二寫操作的所述最后的寫命令。第一寫操作和第二寫操作將相同的數(shù)據(jù)集寫到所述多個存儲單元當中具有相同地址的存儲單元。
【專利說明】降低寫失敗的存儲器件、包括該存儲器件的系統(tǒng)及其方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年8月29日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2012-0095223號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其公開通過引用整體并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明構(gòu)思涉及存儲器件，而且更具體地，涉及將數(shù)據(jù)寫到存儲器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體器件的增加的集成度已經(jīng)減小了元件的尺寸和元件之間的間隙。例如，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設(shè)備減小了 DRAM寫路徑的尺寸、接觸電阻和位線電阻，從而增加了通過DRAM寫路徑的寫時間。另外，由于單元晶體管的尺寸被減小以增加半導(dǎo)體器件的集成度，因此單元晶體管的驅(qū)動性能下降。因此，半導(dǎo)體器件可能需要更多的時間用于寫操作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例，存儲器系統(tǒng)包括存儲器件和存儲器控制器。存儲器件包括多個存儲單元。存儲器控制器被配置為在存儲器件上連續(xù)地執(zhí)行多個寫命令。在存儲器系統(tǒng)中，所述存儲器件執(zhí)行與多個寫命令當中的最后的寫命令對應(yīng)的第一寫操作，執(zhí)行預(yù)充電操作并且然后在預(yù)充電操作之后執(zhí)行與所述最后的寫命令對應(yīng)的第二寫操作。第一寫操作和第二寫操作將相同的數(shù)據(jù)集寫到所述多個存儲單元當中具有相同地址的存儲單元。
[0006]可以響應(yīng)于從所述存儲器控制器發(fā)出的預(yù)充電命令或在所述存儲器件中的內(nèi)部產(chǎn)生的預(yù)充電命令而執(zhí)行所述預(yù)充電操作。
[0007]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例，提供了一種將數(shù)據(jù)寫到存儲器件的方法。響應(yīng)于激活命令，激活存儲體中的字線。響應(yīng)于多個寫命令中相應(yīng)的寫命令，連續(xù)地將多個數(shù)據(jù)集寫到與所述字線相關(guān)聯(lián)的存儲單元。在執(zhí)行了所述多個寫命令中的最后的寫命令之后，預(yù)充電所述字線。在預(yù)充電之后，響應(yīng)于所述最后的寫命令而將最后的數(shù)據(jù)集寫到存儲單
J Li ο
[0008]可以響應(yīng)于從所述存儲器控制器發(fā)出的預(yù)充電命令或在所述存儲器件中的內(nèi)部產(chǎn)生的預(yù)充電命令而執(zhí)行所述預(yù)充電操作。
[0009]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例，提供了一種將數(shù)據(jù)寫到存儲器件的方法。從主機接收多個寫請求和多個數(shù)據(jù)集。根據(jù)預(yù)定義的調(diào)度方法，從多個寫請求生成多個寫命令的序列，并且在激活命令和預(yù)充電命令之間將所述序列施加到存儲器件。在預(yù)充電命令之后，將多個寫命令中的最后的寫命令施加到存儲器件。
[0010]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例，存儲器控制器包括判優(yōu)器。該判優(yōu)器被配置為生成激活命令、預(yù)充電命令和具有公共行地址的多個寫命令，該判優(yōu)器還被配置為在激活命令和預(yù)充電命令之間連續(xù)發(fā)出多個寫命令，其中，在響應(yīng)于所述多個寫命令當中的最后的寫命令執(zhí)行第一寫操作之后發(fā)出預(yù)充電命令，在預(yù)充電命令之后發(fā)出用于第二寫操作的所述最后的寫命令，而且其中，第一寫操作和第二寫操作將相同的數(shù)據(jù)集寫到所述多個存儲單元中具有相同地址的存儲單元。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]通過結(jié)合附圖詳細描述本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例，本發(fā)明構(gòu)思的這些和其他特征將變得更加明顯，在附圖中:
[0012]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖；
[0013]圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器控制器的框圖；
[0014]圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器件的框圖；
[0015]圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的圖3中所示的存儲單元的框圖；
[0016]圖5是在概念上示出圖4中所示的到存儲單元MC的數(shù)據(jù)寫路徑的電路圖；
[0017]圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的將數(shù)據(jù)寫到存儲器件的方法的流程圖；
[0018]圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的命令隊列和執(zhí)行順序；
[0019]圖8A和圖SB是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的數(shù)據(jù)寫操作的信號時序圖；
[0020]圖9A至圖9C是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的數(shù)據(jù)寫操作的信號時序圖；
[0021]圖10是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖；
[0022]圖11是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖；
[0023]圖12A至圖12C是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的調(diào)度寫操作的方法的示圖；
[0024]圖13是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的調(diào)度寫操作的方法的示圖；
[0025]圖14是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括多個存儲器件的模塊的框圖；
[0026]圖15是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括多個存儲器件的模塊的框圖；
[0027]圖16是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括圖1所示的存儲器件的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的框圖；
[0028]圖17是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括圖1所示的存儲器件的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的框圖；
[0029]圖18是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括圖1所示的存儲器件的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的框圖；
[0030]圖19是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括圖1所示的半導(dǎo)體存儲器件的多芯片封裝的示圖；以及
[0031]圖20是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的圖19所示的多芯片封裝的例子的示范性三維概念圖。
【具體實施方式】
[0032]下面將參照附圖更加詳細地描述本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同的形式來具體實現(xiàn)，而且不應(yīng)被解釋為受限于這里所闡明的實施例。在附圖中，為了清晰，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸可以被夸大。貫穿說明書和附圖，相同的參考數(shù)字可以指代相同的元件。
[0033]應(yīng)該理解，當元件被稱為“連接到”或“耦接到”另一元件時，其可以直接“連接到”或“耦接到”其他元件，或者可以存在居間的元件。
[0034]如這里使用的，單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”意欲也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明顯指不。
[0035]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器系統(tǒng)10的框圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器控制器100的框圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器件200的框圖。參照圖1至圖3，存儲器系統(tǒng)10包括存儲器控制器100和存儲器件200。
[0036]存儲器控制器100包括判優(yōu)器110、命令隊列、事務(wù)處理單元140和存儲器接口150。命令隊列包括寫隊列130和讀隊列120，如圖2所示。在示范性實施例中，寫隊列130和讀隊列120可以被集成到單一隊列中。
[0037]判優(yōu)器110接收寫請求和讀請求，并且根據(jù)寫請求生成寫命令而且根據(jù)讀請求生成讀命令，繼而將讀命令保存到讀隊列120而且將寫命令存儲到寫隊列130。讀隊列120可以存儲讀命令和地址。寫隊列130可以存儲寫命令、地址和寫數(shù)據(jù)。在示范性實施例中，寫數(shù)據(jù)可以被存儲在存儲器中(例如，數(shù)據(jù)隊列或緩沖區(qū)(未示出))，同時寫命令和地址被存儲在寫隊列130中。
[0038]判優(yōu)器100按照預(yù)定的調(diào)度算法調(diào)度或重新排序存儲在隊列120和130中的讀和/或?qū)懨畹捻樞虿⑶掖鎯γ睢?br> [0039]存儲器控制器100生成并執(zhí)行控制存儲器件200的操作的其他命令。例如，當存儲器件200包括DRAM設(shè)備時，判優(yōu)器110還生成激活命令和預(yù)充電命令，以打開和關(guān)閉每一行以便執(zhí)行來自主機的讀或?qū)懻埱?。判?yōu)器110按照預(yù)定的調(diào)度方法調(diào)度從主機20接收到的請求的命令以及激活命令和預(yù)充電命令。判優(yōu)器110根據(jù)調(diào)度方法經(jīng)由存儲器接口150向存儲器件200發(fā)送包括激活命令、讀/寫命令和預(yù)充電命令的命令，以控制存儲器件200的操作。
[0040]事務(wù)處理單元140使存儲器件200準備執(zhí)行從判優(yōu)器110輸出的命令CMD。事務(wù)處理單元140可以用于在不訪問存儲器件200的情況下向主機20提供數(shù)據(jù)。例如，當從主機20接收到對于已經(jīng)被存儲在寫隊列130中的寫數(shù)據(jù)的讀請求時，換句話說，寫數(shù)據(jù)還沒有被寫到存儲器件200，存儲器控制器100可以在不訪問存儲器件200的情況下從寫隊列130讀取數(shù)據(jù)和并且將其發(fā)送到主機20。
[0041]存儲器控制器100可以在執(zhí)行從主機20接收到的多個讀或?qū)懻埱螽斨械膶懨钪?、先于任何其他命令來?zhí)行讀命令。存儲器控制器100將寫命令存儲在寫隊列130中，然后根據(jù)預(yù)定的調(diào)度方法調(diào)度存儲在寫隊列130中的命令的執(zhí)行順序。例如，可以根據(jù)由存儲器控制器100的調(diào)度方法所確定的優(yōu)先級來執(zhí)行存儲在寫隊列130中的寫命令，然后可以從寫隊列130擦除寫命令。
[0042]指定寫隊列130中的寫命令條目的指針可以依次增力口。例如，當寫隊列130中由指針所指定的寫命令被執(zhí)行時，該指針可以被移到下一寫命令條目。然而，在寫恢復(fù)時間(圖8A和圖9B中的tWR)不足的最后的寫周期中執(zhí)行了寫命令(例如，寫命令恰好在預(yù)充電命令之前)之后，存儲器控制器100不將指針移到下一條目，而是控制寫命令被再次執(zhí)行。例如，當寫命令條目對應(yīng)于恰好在存儲器件200的預(yù)充電之前寫的數(shù)據(jù)，而且存儲器控制器沒有足夠的時間來寫該數(shù)據(jù)，存儲器控制器100通過將寫命令條目保留在寫隊列130中而不是在執(zhí)行了與該條目相對應(yīng)的寫命令之后將其擦除，來重新執(zhí)行寫命令。在示范性實施例中，存儲器控制器100可以在執(zhí)行預(yù)充電后的任何其他命令之后執(zhí)行寫命令條目?？梢皂憫?yīng)于從所述存儲器控制器100發(fā)出的預(yù)充電命令或在所述存儲器件200中的內(nèi)部產(chǎn)生的預(yù)充電命令而執(zhí)行所述預(yù)充電。例如，可以在沒有從存儲器控制器100發(fā)出的預(yù)充電命令的情況下，通過內(nèi)部產(chǎn)生的預(yù)充電命令來執(zhí)行自動預(yù)充電操作。
[0043]存儲器件200包括存儲單元陣列210、行譯碼器220、讀放大器230、列譯碼器240、控制邏輯250和數(shù)據(jù)輸入/輸出電路260。下面將描述存儲器件200的操作。
[0044]存儲單元陣列210是存儲單元沿行方向和列方向布置的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域。讀放大器230感測和放大存儲單元中的數(shù)據(jù)并且將數(shù)據(jù)存儲在存儲單元。圖3中所示的存儲單元陣列210可以包括多個(例如，4個或8個)存儲體，但是本發(fā)明構(gòu)思并不限于4個或8個存儲體。
[0045]通過數(shù)據(jù)輸入/輸出電路260輸入的數(shù)據(jù)DQ基于地址信號ADD被寫到存儲單元陣列210。基于地址信號ADD從存儲器單元陣列210讀取的數(shù)據(jù)DQ通過數(shù)據(jù)輸入/輸出電路260被輸出。
[0046]地址信號ADD被輸入到地址緩沖區(qū)(未示出)以指定數(shù)據(jù)將被寫到的存儲單元或者將從其讀數(shù)據(jù)的存儲單元。地址緩沖區(qū)臨時存儲地址信號ADD。
[0047]行解碼器220對從地址緩沖器輸出的地址信號ADD中的行地址解碼，以指定連接到數(shù)據(jù)將被輸入到或從其輸出的存儲單元的字線。例如，行解碼器220對從地址緩沖區(qū)輸出的行地址解碼并且在數(shù)據(jù)寫或讀模式中使能字線。
[0048]列解碼器240對從地址緩沖器輸出的地址信號ADD中的列地址解碼，以指定連接到數(shù)據(jù)將被輸入到或從其輸出的存儲單元的位線。
[0049]存儲單元陣列210輸出來自由行地址和列地址所指定的存儲單元的數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫到該存儲單元。
[0050]控制邏輯250接收并解碼外部命令信號CMD，并生成解碼的命令信號?？刂七壿?50可以包括用于設(shè)置操作模式的模式寄存器設(shè)置/擴展模式寄存器設(shè)置(MRS/EMRS)電路(未示出)。MRS/EMRS電路響應(yīng)于用于設(shè)置存儲器件200的操作模式和/或地址信號ADD的MRS/EMRS命令而設(shè)置內(nèi)部模式寄存器。
[0051]雖然圖3中未示出，但是存儲器件200還可以包括生成時鐘信號的時鐘電路和接收外部電源電壓并生成或分配內(nèi)部電壓的電力電路。
[0052]圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲單元210的框圖。參照圖4，存儲單元210包括存取晶體管TA和存儲單元MC，存取晶體管TA連接到字線WL和位線BL，而且存儲單元MC由存取晶體管TA選擇性地連接到位線BL。存儲單元MC可以包括單元電容器。
[0053]圖5是示出圖4中所示的到存儲單元MC的數(shù)據(jù)寫路徑的電路圖。參照圖5，數(shù)據(jù)通過位線BL和存取晶體管TA被寫到存儲單元MC。
[0054]數(shù)據(jù)寫路徑包括位線BL的位線電阻Rbl以及存取晶體管TA和存儲單元(或單元電容器)MC之間的接觸電阻Re。當位線BL變得更細且更長時，位線電阻Rbl增大。當存儲單元MC的接觸尺寸減小時，接觸電阻Re增大。因此，當存儲單元210的集成度的增加時，通過位線BL流到存儲單元MC的電流Ids減小。結(jié)果，需要更多的時間來通過電阻增大的數(shù)據(jù)寫路徑將數(shù)據(jù)寫到存儲單元MC。例如，寫恢復(fù)時間(tWR)需要更多的時鐘周期才能將數(shù)據(jù)正確地寫在存儲單元210中，這將降低寫性能。
[0055]圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的將數(shù)據(jù)寫到存儲器件200的方法的流程圖。參照圖2、圖3和圖6，在操作SllO中，從主機接收寫命令和寫數(shù)據(jù)。在操作S120中，寫命令被存儲在寫隊列130中，而且寫數(shù)據(jù)被存儲在數(shù)據(jù)隊列中。例如，寫命令和地址被存儲在寫隊列130中。地址可以包括存儲體地址、行地址和列地址。
[0056]在操作S130中，存儲器控制器100生成用于將數(shù)據(jù)寫到存儲器件20的命令(例如，激活命令、寫命令和預(yù)充電命令)的序列，并將命令的序列施加到存儲器件200。在操作S140中，存儲器控制器100在發(fā)出預(yù)充電命令之后再次施加寫命令，以將數(shù)據(jù)正確地寫到存儲器件200。此后，重復(fù)的寫命令被互換地用作重寫命令。為了重寫恰好在預(yù)充電前寫入的數(shù)據(jù)，存儲器控制器100存儲數(shù)據(jù)直到重寫命令的執(zhí)行。例如，在完成重寫命令的執(zhí)行之后，存儲器控制器100可以擦除寫命令和數(shù)據(jù)。
[0057]圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的命令隊列和執(zhí)行順序。圖8A和圖8B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的數(shù)據(jù)寫操作的信號時序圖。具體地，圖8圖示了在寫延遲時鐘(CWL)為5且突發(fā)長度(burst length, BL)為8的情況下，雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)DRAM的突發(fā)寫操作。
[0058]參照圖7、圖8A和圖8B,寫命令“write (a, m, η) ”和“write (a, m, p) ”被順序地存儲在寫隊列中，如表T3所示。響應(yīng)于寫命令“write(a，m，n)”，數(shù)據(jù)被寫到存儲單元，該存儲單元的地址信息包括存儲體地址“a”、行地址“m”和列地址“η”。響應(yīng)于寫命令"write (a, m, p) ”，數(shù)據(jù)被寫到存儲單元，該存儲單元的地址信息包括存儲體地址“a”、行地址“m”和列地址“p”。
[0059]為了執(zhí)行寫命令(例如,存儲在寫隊列中的“write (a, m, η) ”和“write (a, m, p) ”)，判優(yōu)器Iio生成將被施加到存儲器件200的命令的序列(或命令序列)。例如，判優(yōu)器110可以生成諸如激活命令“Active(a，m) ”、第一寫命令“write (a，m, η)”、第二寫命“write (a, m, p) ”和預(yù)充電命令“Precharge (a) ”的命令的序列，并且將該命令的序列施加到存儲器件200，如圖7的表T4所示。
[0060]參照圖8A和圖8B，以與時鐘信號CLK同步的激活命令A(yù)ctive、TO處的第一寫命令Writel、T4處的第二寫命令Write2和Tm處的預(yù)充電命令PRE的順序，將由存儲器控制器100生成的命令序列(或執(zhí)行序列)施加到存儲器件200。不操作命令NOP可以被置于命令之間(例如，第一寫命令Writel和第二次寫命令Write2之間或第二寫命令Write2和預(yù)充電命令PRE之間)。
[0061]響應(yīng)于激活命令A(yù)ctive，相應(yīng)存儲體中的相應(yīng)字線WL被使能。然后，第一寫命令Writel使能包括相應(yīng)位線的數(shù)據(jù)寫路徑以便寫數(shù)據(jù)DQ。由于時鐘寫延遲是5，因此數(shù)據(jù)DQ在TO處第一寫命令Writel之后的五個時鐘周期的T5處被寫到存儲器件200。數(shù)據(jù)DQ可以在Tm處發(fā)出預(yù)充電命令PRE之前被寫到與字線WL和位線BL相關(guān)聯(lián)的存儲單元。
[0062]響應(yīng)于第二寫命令Write2，數(shù)據(jù)寫路徑被使能，而且在T9處第二突發(fā)數(shù)據(jù)Dset2被寫到存儲器件200。當在第二突發(fā)數(shù)據(jù)Dset2被正確寫入之前發(fā)出預(yù)充電命令PRE時，第二突發(fā)數(shù)據(jù)Dset2沒有足夠的寫恢復(fù)時間(tWR)。響應(yīng)于預(yù)充電命令PRE，已經(jīng)被使能的字線WL被禁用。第二突發(fā)數(shù)據(jù)Dset2的第二寫時段tD2是T9處的第一數(shù)據(jù)DO和Tm處的預(yù)充電命令PRE之間測量的時間段。第一突發(fā)數(shù)據(jù)Dsetl的第一寫時段Tdl是T5處的第一數(shù)據(jù)DO和Tm處的預(yù)充電命令PRE之間測量的時間段。因此，第二寫時段tD2短于第一寫時段tDl。例如，用于寫第二突發(fā)數(shù)據(jù)Dset2的時間短于用于寫第一突發(fā)數(shù)據(jù)Dsetl的時間。結(jié)果，恰好在預(yù)充電命令PRE前寫入的第二突發(fā)數(shù)據(jù)Dset2可能由于沒有足夠的寫恢復(fù)時間(tWR)而無法被正確寫入。
[0063]例如，當存儲器件200中的存儲體和字線被激活或使能然后多個寫命令在預(yù)充電命令之前被連續(xù)施加時，與多個寫命令中最后的寫命令相對應(yīng)的最后的寫周期的數(shù)據(jù)寫時段短于先前的寫周期的數(shù)據(jù)寫時段。因此，相應(yīng)數(shù)據(jù)被不充分地寫到與預(yù)充電命令之前的最后的寫周期相對應(yīng)的存儲單元。根據(jù)示范性實施例，判優(yōu)器110控制最后的寫周期的數(shù)據(jù)Dset2隨后(例如，在預(yù)充電命令之后)被重寫。在這里，“最后的周期中的數(shù)據(jù)”指示恰好在預(yù)充電前寫入的數(shù)據(jù)。
[0064]對于寫請求，從主機20接收到的數(shù)據(jù)被臨時存儲在存儲器控制器100的數(shù)據(jù)隊列中。因此，當沒有足夠的數(shù)據(jù)寫恢復(fù)時間時，與最后的寫周期相對應(yīng)的數(shù)據(jù)可能被不充分地寫到存儲器件200。因此，存儲器控制器100不從寫隊列130或數(shù)據(jù)隊列中擦除最后的寫周期的數(shù)據(jù)，而是保留該數(shù)據(jù)并且在預(yù)充電命令之后將該數(shù)據(jù)重寫到存儲器件200中的相同地址。
[0065]在此操作中，判優(yōu)器110重新生成圖7所示的寫命令“Write(a，m，p)”，并將該寫命令施加到存儲器件200。激活命令“active (a，m) ”首先被施加到存儲器件200以使能與寫命令“《1^6(&，!11，？)”相對應(yīng)的存儲體和字線。例如，判優(yōu)器110重新生成激活命令“active (a, m) ”和“write (a, m, p) ”的命令的序列并且將其施加到存儲器件200以執(zhí)行恰好在預(yù)充電之前執(zhí)行的寫命令“write (a, m, p) ”,從而在寫命令“write (a, m, p) ”沒有足夠的寫恢復(fù)時間(tWR)時如圖8B所示執(zhí)行重寫操作。操作在時域按照圖8A和圖8B的順序被執(zhí)行。雖然圖8A和圖SB中未示出，但是在重寫命令之前可以執(zhí)行其他命令(例如，讀命令)。
[0066]圖9A至圖9C是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的數(shù)據(jù)寫操作的信號時序圖。圖9A至圖9C還圖示了在CWL為5且BL為8的情況下，DDRDRAM的突發(fā)寫操作。例如，圖9A至圖9C示出了將數(shù)據(jù)寫到字線WLn、然后從另一字線WLn+Ι讀數(shù)據(jù)、然后將最后的數(shù)據(jù)重寫到字線WLn的情況。
[0067]參照圖9A和圖9B，在數(shù)據(jù)Dsetl和Dset2被寫到字線WLn之后，在字線WLn+Ι被使能之前，通過Tm處的預(yù)充電命令，字線WLn被預(yù)充電。在行預(yù)充電時間(tRP)之后，字線WLn+Ι被請求使能。行預(yù)充電時間(tRP)是終止訪問使能的字線WLn并且開始訪問下一字線WLn+Ι所需的時鐘周期的數(shù)量。在字線WLn的預(yù)充電命令之后，字線WLn+Ι被激活，然后在時間tRCD (即，從激活命令到讀/寫命令的周期的數(shù)量)之后讀命令Read被施加到字線WLn+Ι。然后，在施加了讀命令之后的時間tAA (即，從讀命令到第一數(shù)據(jù)的時鐘周期的數(shù)量)從字線WLn+Ι讀數(shù)據(jù)。因此，預(yù)充電之后執(zhí)行的讀命令的延遲是“tRP+tRCD+tAA”。
`[0068]在字線WLn+Ι上執(zhí)行讀命令之后，在字線WLn的預(yù)充電之前已寫到字線WLn的數(shù)據(jù)Dset2被重寫，如圖9C所示。操作在時域按照圖9A、圖9B和圖9C的順序被執(zhí)行。[0069]圖10是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。參照圖10，存儲器系統(tǒng)包括存儲器控制器IOOa和存儲器件200a。存儲器件200a包括寫隊列270。存儲器控制器IOOa的結(jié)構(gòu)可以類似于圖2所示在存儲器控制器100。例如，存儲器件200a除了包括圖3中所示的存儲器件200的結(jié)構(gòu)以外，還包括寫隊列270。圖10示出了存儲器件200a，其包括用于存儲寫命令和地址的寫隊列270以及用于存儲相關(guān)數(shù)據(jù)的單獨的存儲空間。
[0070]存儲器件200a在寫隊列270存儲從存儲器控制器IOOa接收的寫命令。存儲器件200a可以順序地執(zhí)行在寫隊列270中存儲的寫命令并且從寫隊列27擦除已經(jīng)執(zhí)行的寫命令條目。然而，即使在執(zhí)行了寫命令條目之后，存儲器件200a可以保留恰好在預(yù)充電命令之前已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)的寫命令條目。例如，在數(shù)據(jù)被正確寫入存儲器件200a之前發(fā)出了預(yù)充電命令時，存儲器件200a保留寫命令條目，以用于在預(yù)充電命令之后重寫數(shù)據(jù)。
[0071]存儲器件200a可以在預(yù)充電命令之后和在數(shù)據(jù)重寫之前執(zhí)行一個讀或?qū)懨?。例如，在預(yù)充電命令之后和在數(shù)據(jù)重寫之前，可以執(zhí)行不同的命令或操作。
[0072]存儲器件200a可以執(zhí)行重寫命令，以用于重寫與沒有存儲器控制器IOOa的干涉之前寫入的數(shù)據(jù)相同的數(shù)據(jù)。當響應(yīng)于存儲在寫隊列270中的寫命令而將數(shù)據(jù)寫到存儲單元時，存儲器件200a可以向存儲器控制器IOOa發(fā)送指示“處于寫操作”的狀態(tài)信號WT。使用單獨的信號線在存儲器控制器IOOa和存儲器件200a之間發(fā)送狀態(tài)信號WT。例如，在存儲器控制器IOOa和存儲器件200a之間提供用于狀態(tài)信號WT的專用信號線?？商鎿Q地，可以使用現(xiàn)有的信號線之一發(fā)送狀態(tài)信號WT。存儲器控制器IOOa基于從存儲器裝置200a輸出的狀態(tài)信號WT訪問存儲器件200a。
[0073]圖11是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。參照圖11，存儲器系統(tǒng)包括存儲器控制器IOOb和存儲器件200b。存儲器件200b包括事件檢測器280。存儲器控制器IOOb的結(jié)構(gòu)可以類似于圖2所示在存儲器控制器100。例如，存儲器件200b除了包括圖3中所示的存儲器件200的結(jié)構(gòu)以外，還包括事件檢測器280。
[0074]事件檢測器280檢測預(yù)充電命令是否是在對頁執(zhí)行寫命令之后對該頁執(zhí)行的。此后，頁面被互換地用作使能的字線。在這個時候，事件檢測器280向存儲器控制器IOOb發(fā)送報警信號AT。報警信號AT向存儲器控制器IOOb通知，寫命令沒有被正確執(zhí)行。當從存儲器件200b接收到報警信號AT時，存儲器控制器IOOb認為與報警信號AT相對應(yīng)的操作(例如，正好預(yù)充電之前的寫操作)沒有被執(zhí)行并且此后執(zhí)行該操作。
[0075]根據(jù)圖11所示的實施例，存儲器控制器IOOb可以響應(yīng)于從存儲器件200b中接收的報警信號AT來將重寫命令施加到存儲器件200b，以使得重寫有關(guān)數(shù)據(jù)。
[0076]使用單獨的信號線在存儲器控制器IOOb和存儲器件200b之間發(fā)送報警信號AT。例如，在存儲器控制器IOOb和存儲器件200b之間提供用于報警信號AT的專用信號線?？商鎿Q地，可以使用現(xiàn)有的信號線之一發(fā)送報警信號AT。
[0077]圖12A至圖12C是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的用于解釋調(diào)度寫操作的方法的示圖。根據(jù)示范性實施例，存儲器系統(tǒng)使用寫隊列來調(diào)度寫操作以便減少激活和預(yù)充電命令的數(shù)量并提高存儲器系統(tǒng)的性能。
[0078]如上所述，寫隊列可以被包括在存儲器控制器100或存儲器件200中。假設(shè)存在寫命令A(yù)至H，如圖12A所示。如圖12A所示，寫命令A(yù)至H中的每一個包括存儲體地址BA、行地址RA和列地址CA。寫命令A(yù)至H中的每一個用于將數(shù)據(jù)寫到某一地址。[0079]當寫命令A(yù)至H被存儲在寫隊列中時，存儲器控制器100可以調(diào)度它們，以使得它們?nèi)鐖D12B所示順序地執(zhí)行。
[0080]可替換地，存儲器控制器100可以參照如圖12C所示的地址信息調(diào)度它們。例如，寫命令A(yù)至H可以被調(diào)度，從而可以順序地執(zhí)行具有相同行地址RA的寫命令。參照圖12C，在寫命令A(yù)執(zhí)行之后，具有與寫命令A(yù)相同行地址RA的寫命令C、E和G可以被調(diào)度以順序地執(zhí)行。此后，寫命令B被執(zhí)行，然后具有與寫命令B相同行地址RA的寫命令D、F和H可以被調(diào)度以順序地執(zhí)行。
[0081]在圖12B和圖12C中，tRP表示預(yù)充電命令時段或預(yù)充電到激活延遲，tRRD表示激活到激活命令時段，tAA表示內(nèi)部讀命令到第一數(shù)據(jù)延遲，tCCD表示寫到寫延遲，tRCD表示激活到內(nèi)部讀延遲或激活到寫延遲。
[0082]如圖12B和圖12C所示，圖12B中所示的情況中的總執(zhí)行時間比圖12C中所示的情況中的總執(zhí)行時間更長。因此，通過多個寫命令的調(diào)度，可以減少總執(zhí)行時間。
[0083]圖13是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的用于解釋調(diào)度寫操作的方法的示圖。根據(jù)示范性實施例，具有相同存儲體地址BA和相同行地址RA的寫命令被順序地執(zhí)行。當沒有地址包括相同存儲體地址BA和相同行地址RA時，具有相同存儲體地址BA的寫命令被順序地執(zhí)行。
[0084]當根據(jù)上述優(yōu)先級調(diào)度存儲器件(例如，DRAM)的操作時，可以防止具有相同存儲體地址BA但不同行地址RA的寫命令被順序地執(zhí)行的情況。結(jié)果，防止系統(tǒng)性能的退化。
[0085]圖14是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括多個存儲器件550-1至550_4的模塊500的框圖。參照圖14，模塊500包括存儲器控制器510、輸入/輸出(IO)接口 511和存儲器件550-1到550-4。存儲器控制器510和IO接口 511被布置在主機和存儲器件550-1至550-4之間，與主機進行通信。
[0086]在示范性實施例中，存儲器控制器510和IO接口 511可以被集成在單個芯片中。存儲器件550-1至550-4中的每一個可以通過集成芯片與主機進行數(shù)據(jù)通信。
[0087]IO接口 511可以包括光纖接口。在這種情況下，IO接口 511可以包括IO控制器(未不出)和信號轉(zhuǎn)換器(未不出)，IO控制器控制存儲器件550-1至550-4的輸入和輸出操作，信號轉(zhuǎn)換器將輸入或輸出信號轉(zhuǎn)換成光信號。
[0088]IO接口 511可以使用光纖或波導(dǎo)來傳輸數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)適合高速信號的傳輸，例如，符合串行高級技術(shù)附件(serial advantage technology attachment, SATA)標準，并且可以使用波分復(fù)用(WDM)傳輸。
[0089]圖15是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括多個存儲器件610-1至610_5的模塊600的框圖。存儲器件610-1至610-5之一(例如，610-3)被直接連接到存儲器控制器620并與其通信。存儲器件610-1至610-5可以彼此串聯(lián)連接成鏈。存儲器件610-1、610-2,610-4和610-5沒有直接連接到存儲控制器620，它們通過所述鏈間接地與主機通?目。
[0090]在一個示范性實施例中，控制存儲器件610-1到610-5的操作的存儲器控制器620可以在模塊600內(nèi)實現(xiàn)，或者可以堆疊在存儲器件610-1至610-5上。
[0091]圖16是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括圖1所示的存儲器件的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)800的框圖。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)800可以被實現(xiàn)為個人計算機(PC)、平板PC、網(wǎng)絡(luò)書、電子閱讀器、個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、MP3播放器或MP4播放器。
[0092]數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)800包括存儲器件840和控制存儲器件840的數(shù)據(jù)處理操作的存儲器控制器850。
[0093]存儲器控制器850可以對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器控制器100、IOOa或100b，而且存儲器件840可以對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器件 200、200a 或 200b。
[0094]處理器820可以根據(jù)通過輸入設(shè)備830輸入的數(shù)據(jù)來通過顯示器810顯示存儲在存儲器件840中的數(shù)據(jù)。輸入設(shè)備830可以由點擊設(shè)備(諸如觸摸板或計算機鼠標、小鍵盤，或鍵盤)來實現(xiàn)。
[0095]處理器820可以控制數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)800的整體操作和存儲器控制器850的操作。
[0096]圖17是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括圖1所示的存儲器件950的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)900的框圖。參照圖17，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)900可以被實現(xiàn)為蜂窩電話機、智能電話機、平板個人計算機(PC)、個人數(shù)字助理(PDA)或者無線通信系統(tǒng)。
[0097]數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)900包括存儲器件950和控制存儲器件950的操作的存儲器控制器960。存儲器控制器960可以根據(jù)處理器940的控制來控制存儲器件950的數(shù)據(jù)存取操作，例如，寫操作和讀操作。
[0098]根據(jù)處理器940和/或存儲器控制器960的控制，可以通過顯示器930顯示存儲在存儲器件950中的數(shù)據(jù)。
[0099]無線收發(fā)器910通過天線ANT發(fā)送或接收無線信號。無線收發(fā)器910可以將通過天線ANT接收到的無線信號轉(zhuǎn)換成由處理器940處理的信號。因此，處理器940可以處理從無線收發(fā)器910輸出的信號并且可以將處理后的信號發(fā)送到存儲器控制器960或顯示器930。存儲器控制器960可以將由處理器940處理的信號發(fā)送到存儲器件950。無線收發(fā)器910還可以將從處理器940輸出的信號轉(zhuǎn)換成無線信號，并且可以通過天線ANT將無線信號輸出到外部設(shè)備。
[0100]輸入設(shè)備920使用于控制處理器940的操作的控制信號或者將要由處理器940處理的數(shù)據(jù)能夠被輸入到數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)900。輸入設(shè)備920可以由點擊設(shè)備(諸如觸摸板或計算機鼠標、小鍵盤，或鍵盤)來實現(xiàn)。
[0101]處理器940可以控制顯示器930的操作以顯示從存儲器控制器960輸出的數(shù)據(jù)、從無線收發(fā)器910輸出的數(shù)據(jù)或者從輸入設(shè)備920輸出的數(shù)據(jù)。
[0102]存儲器控制器960可以對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器控制器100、IOOa或100b，而且存儲器件950可以對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器件 200、200a 或 200b。
[0103]圖18是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括圖1所示的存儲器件950的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)1000的框圖。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)1000可以被實現(xiàn)為圖像處理器，諸如數(shù)字照相機、配備有數(shù)字照相機的蜂窩電話機、配備有數(shù)字照相機的智能電話機或配備有數(shù)字照相機的平板計算機。
[0104]數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)1000包括存儲器件1040和控制存儲器件1040的數(shù)據(jù)處理操作(諸如寫操作和讀操作)的存儲器控制器1050。包含在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)1000中的圖像傳感器1010將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號并將數(shù)字信號輸出到數(shù)字信號處理器1020或存儲器控制器1050。數(shù)字信號可以由處理器1020控制以通過顯示器1030顯示，或者通過存儲器控制器1050被存儲在存儲器件1040中。
[0105]根據(jù)處理器1020或存儲器控制器1050的控制，存儲在存儲器件1040中的數(shù)據(jù)可以通過顯示器1030顯示。存儲器控制器1050可以控制存儲器件1040的操作。存儲器控制器1050可以對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器控制器IOOUOOa或100b，而且存儲器件1040可以對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的存儲器件200、200a或
200b ο
[0106]圖19是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的包括圖1所示的半導(dǎo)體存儲器件的多芯片封裝1300的示圖。參照圖19，多芯片封裝1300包括多個半導(dǎo)體器件，例如，依次堆疊在封裝襯底1310上的第一至第三芯片1330、1340和1350。半導(dǎo)體器件1330至1350中的每一個可以包括根據(jù)示范性實施例的存儲器控制器和/或半導(dǎo)體存儲器件。硅通孔(TSV)(未示出)、接合線(未示出)、凸塊(未示出)或焊接球1320可以被用于使半導(dǎo)體器件1330至1350彼此電連接。
[0107]第一半導(dǎo)體器件1330可以包括邏輯器件管芯，其包括輸入/輸出接口和存儲器控制器，第二半導(dǎo)體器件1340和第三半導(dǎo)體器件1350可以包括存儲器件管芯。例如，第二半導(dǎo)體器件1340和第三半導(dǎo)體器件1350可以包括多個相互堆疊的存儲器件，并且可以包括存儲單元陣列。在示范性實施例中，第二半導(dǎo)體器件1340的存儲器件和第三半導(dǎo)體器件1350的存儲器件可以是相同或不同類型的存儲器。
[0108]可替換地，第一半導(dǎo)體器件1330至第三半導(dǎo)體器件1350中的每一個可以包括存儲器控制器。在示范性實施例中，存儲器控制器可以是位于與存儲單元陣列相同的管芯上，或者可以是位于與存儲單元陣列不同的管芯上。
[0109]在示范性實施例中，第一半導(dǎo)體器件1330可以包括光纖接口。存儲器控制器可以被定位在第一半導(dǎo)體器件1330或第二半導(dǎo)體器件1340上，而且存儲器件可以被定位在第二半導(dǎo)體器件1340或第三半導(dǎo)體器件1350上。存儲器件可以通過TSV與存儲器控制器連。
[0110]多芯片封裝1300可以使用混合存儲立方體(hybrid memory cube, HMC)實現(xiàn),存儲器控制器和存儲單元陣列管芯被堆疊在所述HMC中。當HMC被使用時，存儲器件的性能由于帶寬的增加而增加，而且存儲器件的面積被最小化。結(jié)果，電力消耗和制造成本可以被降低。
[0111]圖20是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例的圖19所示的多芯片封裝1300的例子的示范性三維概念圖。參照圖20，多芯片封裝1300’包括通過TSV1360彼此連接的、處于堆疊結(jié)構(gòu)的多個管芯1330至1350。管芯1330至1350中的每一個可以包括多個電路塊(未示出)和外圍電路以實現(xiàn)半導(dǎo)體存儲器件200的功能。管芯1330至1350可以被稱為單元陣列。多個電路塊可以由存儲器塊實現(xiàn)。
[0112]TSV1360可以包括傳導(dǎo)材料，其包括諸如銅(Cu)的金屬。TSV1360被排列在硅襯底的中心。硅襯底包圍TSV1360。TSV1360和硅襯底之間可以布置絕緣區(qū)域(未示出)。
[0113]本發(fā)明總體發(fā)明構(gòu)思也可以實施為計算機可讀介質(zhì)上的計算機可讀代碼。計算機可讀記錄介質(zhì)是能夠存儲數(shù)據(jù)的任意數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，所述數(shù)據(jù)今后能夠被計算機系統(tǒng)讀取。計算機可讀記錄介質(zhì)的例子包括只讀存儲器(ROM)、隨機存取存儲器(RAM)、⑶-ROM、磁帶、軟盤和光數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。[0114]計算機可讀記錄介質(zhì)還可以分布在聯(lián)網(wǎng)的計算機系統(tǒng)上，從而以分布式存儲和執(zhí)行計算機可讀代碼。而且，能夠由程序員容易地解釋用于實現(xiàn)本發(fā)明總體發(fā)明構(gòu)思的功能性程序、代碼和代碼段。
[0115]如上所述，根據(jù)本發(fā)明概念的示范性實施例，當在存儲器件中沒有正確地執(zhí)行數(shù)據(jù)的寫操作時，執(zhí)行數(shù)據(jù)的重寫操作，從而防止寫失敗問題。因此，降低了存儲器件的精細工藝(fine process)中的寫失敗概率。此外，可以有效地釋放存儲器件(例如，DRAM)的參數(shù)，諸如寫入恢復(fù)時間，從而可以利用釋放的參數(shù)來增加存儲器件的產(chǎn)率。
[0116]盡管已經(jīng)參照本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例示出并描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是將對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明總體發(fā)明構(gòu)思的原則和精神的條件下，可以在形式和細節(jié)上對其做出各種改變而不脫離由所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲器系統(tǒng)，包括: 存儲器件，其包括多個存儲單元；以及 存儲器控制器，其被配置為在所述存儲器件上執(zhí)行多個寫命令， 其中，所述存儲器件執(zhí)行與所述多個寫命令當中的最后的寫命令對應(yīng)的第一寫操作，執(zhí)行預(yù)充電操作，并且然后執(zhí)行與所述最后的寫命令對應(yīng)的第二寫操作，而且其中，所述第一寫操作和所述第二寫操作將相同的數(shù)據(jù)集寫到所述多個存儲單元當中具有相同地址的存儲單元。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器在預(yù)充電命令之后和第二寫操作之前執(zhí)行至少一個讀命令或至少一個寫命令。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器包括: 判優(yōu)器，其被配置為: 從主機接收多個寫請求； 生成激活命令、多個寫命令和預(yù)充電命令； 將所述多個寫命令存儲在隊列中；以及 根據(jù)調(diào)度算法調(diào)度存儲在隊列中的命令。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述隊列包括: 寫隊列，其被配置為存儲所述多個寫命令；以及 讀隊列，其被配置為存儲至少一個讀命令。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器在第一寫操作之后，將所述最后的寫命令保留在寫隊列中并且發(fā)出用于第二寫操作的所述最后的寫命令。
6.如權(quán)利要求2所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器件向存儲器控制器發(fā)送報警信號，而且存儲器控制器響應(yīng)于報警信號而在預(yù)充電命令之后將所述最后的寫命令施加到存儲器件。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器件還包括:事件檢測器，其被配置為檢測是否發(fā)出了所述預(yù)充電命令，而且所述存儲器件根據(jù)所述檢測的結(jié)果生成所述報警信號。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器件在沒有存儲器控制器的干涉的情況下，在預(yù)充電命令之后和第二寫操作之前執(zhí)行至少一個讀命令或至少一個寫命令。
9.如權(quán)利要求8所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器件還包括寫隊列，其被配置為存儲從存儲器控制器接收到的多個寫命令。
10.如權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器在響應(yīng)于所述最后的寫命令的第一寫操作之后，將所述最后的寫命令保留在寫隊列中，以便在預(yù)充電命令之后響應(yīng)于所述最后的寫命令而執(zhí)行第二寫操作。
11.如權(quán)利要求10所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器件向存儲器控制器發(fā)送指示第二寫操作正在執(zhí)行的狀態(tài)信號。
12.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器調(diào)度所述多個寫命令中具有相同行地址的寫命令被順序地執(zhí)行。
13.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器調(diào)度所述多個寫命令中具有相同存儲體地址和相同行地址的寫命令被順序地執(zhí)行。
14.一種將數(shù)據(jù)寫到存儲器件的方法，該方法包括: 響應(yīng)于激活命令，激活存儲體中的字線； 響應(yīng)于多個寫命令中相應(yīng)的寫命令，連續(xù)地將多個數(shù)據(jù)集寫到與所述字線相關(guān)聯(lián)的存儲單元； 在執(zhí)行了所述多個寫命令中的最后的寫命令之后，預(yù)充電所述字線；以及 在所述預(yù)充電命令之后，響應(yīng)于所述最后的寫命令而將最后的數(shù)據(jù)集寫到所述存儲單J Li ο
15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括:在預(yù)充電命令之后和在預(yù)充電命令之后發(fā)出的所述最后的寫命令之前執(zhí)行至少一個讀命令或至少一個寫命令。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，響應(yīng)于來自存儲器件的報警信號，執(zhí)行預(yù)充電命令之后的所述最后的寫命令。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括:將從存儲器控制器接收到的多個寫命令存儲在寫隊列中。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括: 從存儲在寫隊列中的所述多個寫命令移除已執(zhí)行的寫命令， 其中，所述最后的寫命令在預(yù)充電命令之后被保留而且在預(yù)充電命令之后被執(zhí)行。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，響應(yīng)于從存儲器控制器發(fā)出的預(yù)充電命令或在所述存儲器件中的內(nèi)部產(chǎn)生的預(yù) 充電命令而執(zhí)行所述預(yù)充電。
20.一種將數(shù)據(jù)寫到存儲器件的方法，該方法包括: 從主機接收多個寫請求和多個數(shù)據(jù)集； 生成多個寫命令并且將所述多個寫命令存儲在寫隊列中； 基于預(yù)定的調(diào)度方法，在激活命令和預(yù)充電命令之間將所述多個寫命令施加到存儲器件；以及 在執(zhí)行了所述預(yù)充電命令之后，將所述多個寫命令中的最后的寫命令施加到存儲器件。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，還包括:在施加所述預(yù)充電命令之后和在施加所述最后的寫命令之前執(zhí)行至少一個讀命令或至少一個寫命令。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，預(yù)定的調(diào)度方法基于存儲體地址和行地址來確定所述多個寫命令當中的優(yōu)先級。
23.如權(quán)利要求20所述的方法，還包括: 從存儲在寫隊列中的所述多個寫命令移除已執(zhí)行的寫命令， 其中，所述最后的寫命令在預(yù)充電命令之后被保留而且在預(yù)充電命令之后被執(zhí)行。
24.一種存儲器控制器，包括: 判優(yōu)器，其被配置為生成激活命令、預(yù)充電命令和多個寫命令，并且被配置為在激活命令和預(yù)充電命令之間發(fā)出所述多個寫命令，其中，在響應(yīng)于所述多個寫命令中的最后的寫命令執(zhí)行第一寫操作之后發(fā)出所述預(yù)充電命令，在所述預(yù)充電命令之后發(fā)出用于第二寫操作的所述最后的寫命令，而且其中，所述第一寫操作和所述第二寫操作將相同的數(shù)據(jù)集寫到所述多個存儲單元中的存儲單元。
25.如權(quán)利要求24所述的存儲器控制器，還包括:寫隊列，其被配置為存儲所述多個寫命令。
26.如權(quán)利要求24所述的存儲器控制器，其中，所述數(shù)據(jù)集包括與突發(fā)長度相對應(yīng)的多個數(shù)據(jù)。
27.如權(quán)利要求25所述的存儲器控制器，所述判優(yōu)器還被配置為: 從主機接收多個寫請求； 生成激活命令、所述多個寫命令和預(yù)充電命令； 將所述多個寫命令存儲在寫隊列中；以及 根據(jù)預(yù)定義的調(diào)度算法調(diào) 度存儲在寫隊列中的命令。
【文檔編號】G11C11/406GK103680594SQ201310384656
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月29日
【發(fā)明者】孫鐘弼, 樸哲佑, 柳鶴洙, 黃泓善 申請人:三星電子株式會社