存儲器件、存儲系統(tǒng)及其操作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種存儲器件，其包括：單元陣列，其具有多個字線；地址計數(shù)單元，其適合于產(chǎn)生每當刷新該多個字線中的一個或多個時改變的計數(shù)地址；以及控制單元，其適合于：在該多個字線當中選擇對應(yīng)于該計數(shù)地址的字線，且在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比該第一周期長的第二周期內(nèi)和在該第二操作模式開始之后的高頻區(qū)段中在比該第二周期短的第三周期內(nèi)刷新選中的字線。
【專利說明】存儲器件、存儲系統(tǒng)及其操作方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請主張于2013年8月9日提出申請的韓國專利申請第10-2013-0094781號的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請以其全文引用的方式并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的例不性實施例涉和一種存儲器件、一種存儲系統(tǒng)和一種用于操作存儲器件的方法。

【背景技術(shù)】
[0004]存儲器件的存儲器單元由用于儲存電荷(是數(shù)據(jù))的電容器和用于開關(guān)電容器的晶體管形成。數(shù)據(jù)的邏輯電平(是高(邏輯電平I)或低(邏輯電平O))取決于電容器中電荷的累積，此意指數(shù)據(jù)的邏輯電平取決于電容器的電壓。
[0005]由于數(shù)據(jù)以電容器中所累積電荷的形式儲存，因此在理論上不存在功耗。然而，由于電容器中的所累積電荷被放電且所累積電荷量因由晶體管的PN結(jié)引起的電流泄露而降低，因此數(shù)據(jù)會在無電力供應(yīng)的情況下丟失。為了防止數(shù)據(jù)丟失，存儲器單元的電容器應(yīng)在儲存于電容器中的數(shù)據(jù)丟失之前反復(fù)地再充電以便保持電荷量。給存儲器單元反復(fù)地再充電的此過程稱為刷新操作。
[0006]響應(yīng)于自存儲器控制器施加的刷新命令而在存儲器件中執(zhí)行刷新操作。存儲器控制器以和考慮存儲器件的數(shù)據(jù)保持時間的預(yù)定周期將刷新命令重復(fù)地施加至存儲器件。例如，當假設(shè)存儲器件的數(shù)據(jù)保持時間是大致64ms時，那么存儲器件中的整個存儲器單元會以刷新命令的約8000次輸入被刷新。亦即，存儲器控制器在大致64ms內(nèi)將刷新命令施加至存儲器件大致8000次以執(zhí)行刷新操作。
[0007]隨著存儲器件的集成度增大，包含于存儲器件中的多個字線之間的間隙減小且鄰近字線之間的耦合效應(yīng)增大。出于此原因，與在刷新操作期間的鄰近字線相比，當頻繁地激活存儲器件的特定字線時，會損壞與相鄰于特定字線的多個字線耦接的存儲器單元的數(shù)據(jù)。此現(xiàn)象稱為字線干擾。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的實施例是針對一種存儲器件和一種可以防止字線干擾的存儲系統(tǒng)。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的實施例，一種存儲器件可以包括:單元陣列，其具有多個字線；地址計數(shù)單元，其適合于產(chǎn)生每當刷新所述多個字線中的一個或多個時改變的計數(shù)地址；以及控制單元，其適合于:在所述多個字線當中選擇對應(yīng)于所述計數(shù)地址的字線，且在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長的第二周期內(nèi)以及在所述第二操作模式開始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述選中的字線。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，一種存儲器件可以包括:單元陣列，其被配置具有多個字線；地址計數(shù)單元，其適合于產(chǎn)生每當刷新所述多個字線中的一個或多個時改變的計數(shù)地址；刷新控制單元，其適合于:在所述多個字線當中選擇對應(yīng)于所述計數(shù)地址的字線，且響應(yīng)于周期性刷新命令而刷新所述選中的字線A次，其中A是等于或大于2的有理數(shù)；響應(yīng)于周期性第二刷新信號而刷新所述選中的字線B次，其中B是小于A的有理數(shù)；及在高頻區(qū)段中響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號而刷新所述選中的字線C次，其中C是大于B的有理數(shù)；以及第二刷新控制單元，其適合于從使能第二刷新進入命令時至使能第二刷新退出命令時使能所述周期性第二刷新信號。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，一種存儲系統(tǒng)可以包括:存儲器件，所述存儲器件包括具有多個字線的單元陣列、且適合于:在第一操作模式期間在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長的第二周期內(nèi)且在所述第二操作模式開始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列；以及存儲器控制器，其適合于:在所述第一操作模式期間以所述設(shè)定周期將刷新命令輸入至所述存儲器件中、且將存儲器件設(shè)定在所述第二操作模式中。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，一種用于操作包含具有多個字線的單元陣列的存儲器件的方法可以包括以下操作:響應(yīng)于周期性刷新命令而在第一周期內(nèi)刷新所述單元陣列；響應(yīng)于第二刷新而進入命令進入第二操作模式；以及在第二操作模式中在比所述第一周期長的第二周期內(nèi)和在所述第二操作模式開始之后的高頻區(qū)段期間在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是圖解說明存儲器件的單元陣列的一部分的電路圖；
[0014]圖2是圖解說明刷新操作的波形圖；
[0015]圖3是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器件的框圖；
[0016]圖4是圖解說明圖3中所示的存儲器件的周期控制單元的兩項實例的框圖；
[0017]圖5是圖解說明圖3中所示的存儲器件的操作的波形圖；
[0018]圖6是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲系統(tǒng)的框圖；且
[0019]圖7是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于操作存儲器件的方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0020]下文將參考隨附附圖更詳細地闡述本發(fā)明的例示性實施例。然而，本發(fā)明可以以不同形式體現(xiàn)且不應(yīng)被視為局限于本文中所陳述的實施例。而是，提供這些實施例以使得本公開將是充分和完整的且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_本發(fā)明的范圍。貫穿本發(fā)明，在本發(fā)明的所有各圖和實施例中相同附圖標記是指相同部件。
[0021]附圖未必按比例繪制，且在某些例項中，可以夸大比例以便清晰地圖解說明所述實施例的特征。當將第一層稱為在第二層“上”或在襯底“上”時，其不僅指其中第一層直接形成于第二層上或襯底上的情形，而亦指其中第一層與第二層或襯底之間存在第三層的情形。亦注意，在此說明書中，“連接/耦接”指一個組件不僅直接耦接另一組件而亦指通過中間組件間接耦接另一組件。另外，單數(shù)形式可以包含復(fù)數(shù)形式，只要句中未特意提及。
[0022]圖1是圖解說明存儲器件的單元陣列的一部分的電路圖。
[0023]圖1示出單元陣列中彼此平列安置的多個字線WLK-UWLK和WLK+1。與第K_1字線WLK-1和第K+1字線WLK+1相比，以HIGH_ACT標記的第K字線WLK是頻繁地被激活的字線。第K-1字線WLK-1和第K+1字線WLK+1是相鄰于第K字線WLK安置的鄰近字線。字線WLK-1、WLK和WLK+1分別與存儲器單元CELL_K_1、CELL_K和CELL_K+1耦接。亦耦接至位線BL的存儲器單元CELL_K-1、CELL_K以及CELL_K+1分別包含單元晶體管TR_K_1、TR_K和TR_K+1 以及單元電容器 CAP_K-1、CAP_K 和 CAP_K+1。
[0024]當?shù)贙字線WLK被激活或去激活(亦即，預(yù)充電)時，字線干擾會發(fā)生且鄰近字線WLK-1和WLK+1的電壓由于發(fā)生于第K字線WLK與鄰近字線WLK-1和WLK+1之間的耦合效應(yīng)而升高或降低。此可以影響儲存于鄰近字線WLK-1和WLK+1的單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中的電荷量。因此，隨著第K字線WLK頻繁地被激活且預(yù)充電且因此第K字線WLK在激活狀態(tài)與預(yù)充電狀態(tài)之間進列頻繁地切換，會損壞儲存于單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中的電荷量或儲存于鄰近字線WLK-1和WLK+1的存儲器單元CELL_K-1和CELL_K+1中的數(shù)據(jù)。
[0025]另外，會損壞與鄰近字線耦接的存儲器單元的數(shù)據(jù)，此乃因隨著第K字線WLK在激活狀態(tài)與預(yù)充電狀態(tài)之間進列切換而產(chǎn)生的電磁波致使電子進出鄰近字線的單元電容器。
[0026]圖2是圖解說明刷新操作的波形圖。在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令而執(zhí)行第一刷新操作。在第二操作模式期間無刷新命令而執(zhí)行第二刷新操作。
[0027]在第一操作模式期間，存儲器件可以響應(yīng)于可以被周期性地輸入的刷新命令REF而執(zhí)行刷新操作一次或多次。在第二操作模式期間，存儲器件可以每當?shù)诙⑿滦盘朣REF可以被周期性地和內(nèi)部地使能時執(zhí)行刷新操作一次或多次。第二刷新信號SREF的周期可以與刷新命令REF的周期相同。
[0028]圖2中所示的第一波形201圖解說明了如下情形:在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令REF而執(zhí)行刷新操作兩次和在第二操作模式的區(qū)段中響應(yīng)于第二刷新信號SREF而執(zhí)行刷新操作一次。
[0029]圖2中所示的第二波形202圖解說明了如下情況:在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令REF而執(zhí)行刷新操作兩次和在第二操作模式的區(qū)段中響應(yīng)于第二刷新信號SREF而執(zhí)行刷新操作兩次。刷新信號REF_ACT的每單次使能可以執(zhí)行刷新操作一次。
[0030]與第二波形202的刷新操作相比，第一波形201的刷新操作中刷新操作的數(shù)目相對少于第二操作模式區(qū)段中，此可以致使對存儲器件的字線干擾。
[0031]在第二波形202的刷新操作中，刷新操作的數(shù)目相對大，因此發(fā)生字線干擾的可能性相對低，然而在第二操作模式期間消耗很多電力。
[0032]圖3是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器件的框圖。
[0033]如圖3中所示，存儲器件可以包含命令輸入單元310、地址輸入單元320、命令解碼單元330、控制單元340、地址計數(shù)單元350和單元陣列360。
[0034]命令輸入單元310可以接收自存儲器控制器施加的命令CMDs。地址輸入單元320可以接收自存儲器控制器施加的地址ADDs。命令CMDs和地址ADDs中的每一個可以包含多位信號。
[0035]命令解碼單元330可以解碼通過命令輸入單元310輸入的命令CMDs且產(chǎn)生刷新命令iREF、第二刷新進入命令iSREF_ENTRY和第二刷新退出命令iSREF_EXIT。當所輸入的命令CMDs的組合表示刷新命令REF時，可以使能刷新命令iREF。當所輸入的命令CMDs的組合表示第二刷新進入命令SREF_ENTRY時，可以使能第二刷新進入命令iSREF_ENTRY。當所輸入的命令CMDs的組合表示第二刷新退出命令SREF_EXIT時，可以使能第二刷新退出命令iSREF_EXIT。除此之外，命令解碼單元330亦可以解碼所輸入的命令CMDs且產(chǎn)生諸如激活命令、預(yù)充電命令、讀取命令和寫入命令的命令，但由于這些命令不直接與根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器件的操作相關(guān)，因此在此說明書中未示出和闡述所述命令。存儲器件可以響應(yīng)于第二刷新進入命令SREF_ENTRY進入第二操作模式。存儲器件可以響應(yīng)于第二刷新退出命令iSREF_EXIT退出第二操作模式。
[0036]在第一操作模式期間，命令解碼單元330可以響應(yīng)于刷新命令REF而以預(yù)定周期使能刷新命令iREF。
[0037]單元陣列360可以包含各自與多個存儲器單元MC耦接的多個字線WLO至WLN。每一存儲器單元MC可以與多個字線WLO至WLN和位線(圖3中未示出)當中的對應(yīng)字線和對應(yīng)位線耦接。
[0038]地址計數(shù)單元350可以執(zhí)行計數(shù)操作以產(chǎn)生計數(shù)地址CNT_ADD，計數(shù)地址CNT_ADD指示多個字線中的一個且每當刷新單元陣列360或使能刷新信號REF_ACT時改變。每當使能刷新信號REF_ACT時，地址計數(shù)單元350可以將計數(shù)地址CNT_ADD的值增大‘I’。例如，計數(shù)地址CNT_ADD的值可以以如下這種方式改變:使得當計數(shù)地址CNT_ADD的當前值指示第K字線時計數(shù)地址CNT_ADD的下一值指示第K+1字線。
[0039]控制單元340可以基于計數(shù)地址CNT_ADD依序刷新多個字線WLO至WLN。在第一操作模式期間，控制單元340可以響應(yīng)于周期性刷新命令iREF在第一周期內(nèi)通過重復(fù)刷新操作逐個地刷新單元陣列360中的多個字線WLO至WLN。此外，在第二操作模式期間，控制單元340可以在比第一周期長的第二周期內(nèi)通過重復(fù)刷新操作逐個地刷新單元陣列360中的多個字線WLO至WLN。另外，在包含于第二操作模式的時間區(qū)段中的高頻區(qū)段期間，控制單元340可以在比第二周期短的第三周期內(nèi)通過重復(fù)刷新操作逐個地刷新單元陣列360中的多個字線WLO至WLN。高頻區(qū)段可以在第二操作模式的開始處開始。控制單元340可以刷新對應(yīng)于計數(shù)地址CNT_ADD的多個字線WLO至WLN中的一個，該計數(shù)地址CNT_ADD自地址計數(shù)單元350發(fā)送且每當刷新單元陣列360中的多個字線WLO至WLN中的一個或在第一和第二刷新操作期間使能刷新信號REF_ACT時改變，且當執(zhí)行并非刷新操作的另一操作(諸如激活操作、讀取操作和寫入操作)時，其可以在多個字線WLO至WLN當中選擇對應(yīng)于輸入地址iADD的字線。本文中，刷新單元陣列360意指刷新單元陣列360中選中的字線。
[0040]高頻區(qū)段可以針對存儲器件被設(shè)定成以在第二操作模式開始時或之后刷新多個字線WLO至WLN—次或多次。高頻區(qū)段可以是第二操作模式的時間區(qū)段的一部分，例如早期區(qū)段。在高頻區(qū)段期間的刷新操作的操作頻率可以比在第二刷新操作的時間區(qū)段的剩余區(qū)段期間大。第三周期可以等于或小于第一周期。亦即，在高頻區(qū)段期間刷新單元陣列360的頻率可以等于或大于在第一操作模式期間刷新單元陣列360的頻率，此是為了防止字線干擾。
[0041]針對第一實例，高頻區(qū)段可以設(shè)定為對應(yīng)于設(shè)定時間TSET的持續(xù)時間。設(shè)定時間TSET可以長于第三周期乘以多個字線WLO至WLN的數(shù)目。例如，當?shù)谌芷谑荰3且包含于單元陣列360中的多個字線的數(shù)目是N+1時，設(shè)定時間TSET可以比T3X (N+1)的持續(xù)時間長。在比第三周期乘以多個字線WLO至WLN的數(shù)目長的設(shè)定時間TSET期間，可以刷新包含于單元陣列360中的所有多個字線一次或多次?？刂茊卧?40可以在設(shè)定時間TSET期間在第三周期內(nèi)刷新單元陣列360中的所有多個字線WLO至WLN且在第二操作模式的時間區(qū)段的剩余區(qū)段期間在第二周期內(nèi)刷新單元陣列360。
[0042]針對第二實例，高頻區(qū)段可以設(shè)定為對應(yīng)于對多個字線WLO至WLN的一個或多個循環(huán)的刷新操作的持續(xù)時間或自第二操作模式開始時至計數(shù)地址CNT_ADD的值在計數(shù)地址CNT_ADD的值改變一個循環(huán)之后變?yōu)槌跏贾礗NIT_VAL時的持續(xù)時間。初始值INIT_VAL可以是當?shù)诙僮髂Ｊ介_始時計數(shù)地址CNT_ADD的初始值。如上文所闡述，計數(shù)地址CNT_ADD可以指示多個字線WLO至WLN中的一個且每當刷新多個字線WLO至WLN中的一個時改變。計數(shù)地址CNT_ADD的值因此可以在對多個字線WLO至WLN的刷新操作的循環(huán)的完成之后再次變?yōu)槌跏贾礗NIT_VAL?？刂茊卧?40可以在第二操作模式開始時儲存計數(shù)地址CNT_ADD的值作為初始值INIT_VAL、在第三周期內(nèi)刷新單元陣列360直至計數(shù)地址CNT_ADD的值變?yōu)槌跏贾礗NIT_VAL為止或在高頻區(qū)段期間刷新單元陣列360以及在第二操作模式的剩余區(qū)段期間在第二周期內(nèi)接著刷新單元陣列360。
[0043]除上文所闡述的兩項實例之外，高頻區(qū)段亦可以以多種不同方法設(shè)定。
[0044]控制單元340可以包含第二刷新控制單元341、周期控制單元342、刷新控制單元343和行控制單元344。
[0045]第二刷新控制單元341可以從第二刷新進入命令iSREF_ENTRY被使能時至第二刷新退出命令iSREF_EXIT被使能時周期性地使能第二刷新信號SREF。此外，第二刷新控制單元341可以從第二刷新進入命令iSREF_ENTRY被使能時至第二刷新退出命令iSREF_EXIT被使能時使能區(qū)段信號SREF_M0DE。區(qū)段信號SREF_M0DE可以表示存儲器件處于第二操作模式。
[0046]周期控制單元342可以產(chǎn)生高頻信號HIGH_FREQ，高頻信號HIGH_FREQ在高頻區(qū)段期間被使能以控制第二刷新操作的刷新周期。
[0047]針對第一實例，周期控制單元342可以在區(qū)段信號SREF_M0DE被使能時在設(shè)定時間TSET或高頻區(qū)段期間使能高頻信號HIGH_FREQ。根據(jù)第一實例，周期控制單元342可以包含計時器以在使能區(qū)段信號SREF_M0DE時檢查設(shè)定時間TSET的推移。盡管圖3圖解說明了周期控制單元342接收區(qū)段信號SREF_M0DE和計數(shù)地址CNT_ADD兩者的情形，但具有計時器的周期控制單元342可以不需要計數(shù)地址CNT_ADD。
[0048]針對第二實例，周期控制單元342可以儲存計數(shù)地址CNT_ADD的值(其是初始值INIT_VAL)且當區(qū)段信號SREF_M0DE被使能時使能高頻信號HIGH_FREQ。當高頻信號HIGH_FREQ被使能時，周期控制單元342可以比較計數(shù)地址CNT_ADD的當前值(每當多個字線WLO至WLN中之一被刷新時可以依序改變)與所儲存的值或初始值INIT_VAL。周期控制單元342可以在計數(shù)地址CNT_ADD的當前值在對多個字線WLO至WLN的刷新操作的循環(huán)的完成之后再次變?yōu)樗鶅Υ娴闹祷虺跏贾礗NIT_VAL時禁止高頻信號HIGH_FREQ。
[0049]刷新控制單元343可以產(chǎn)生用于在第一刷新操作和第二刷新操作期間刷新單元陣列360的刷新信號REF_ACT。刷新控制單元343可以在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令iREF而使能刷新信號REF_ACT “A”次，其中“A”是等于或大于2的有理數(shù)。刷新控制單元343可以在高頻信號HIGH_FREQ的禁止期間使能刷新信號REF_ACT “B”次，其中B是小于A的有理數(shù)；且在第二操作模式中響應(yīng)于第二刷新信號SREF而在高頻信號HIGH_FREQ的使能期間使能刷新信號REF_ACT “C”次，其中C是大于B的有理數(shù)。因此，“A”、“B”和“C”可以是每次刷新命令REF或第二刷新信號SREF的刷新操作的數(shù)目。當周期性第二刷新信號SREF的周期與周期性刷新命令REF的周期相同時，C可以等于或大于A。
[0050]后文闡述當“A”和“C”的每一值是2 (A = C = 2)且“B”的值是I (B = I)時。在第一操作模式期間周期性刷新信號REF_ACT的周期可以對應(yīng)于第一周期。高頻區(qū)段中的周期性刷新信號REF_ACT的周期可以對應(yīng)于第三周期。由于刷新命令iREF的周期與第二刷新信號SREF的周期相同且刷新命令iREF和第二刷新信號SREF每次使能時刷新信號REF_ACT的數(shù)目或刷新操作的數(shù)目是相同的(其是2)，因此第一周期和第三周期可以是相同的。由于刷新控制單元343在高頻信號HIGH_FREQ的禁止期間第二刷新信號SREF每次使能時使能刷新信號REF_ACT —次，因此第二周期可以是第一周期和第三周期兩倍。
[0051]例如，可能設(shè)計“A”等于2、“B”等于I且“C”等于2.5。如上文所闡述，“A”、“B”和“C”可以是每次刷新命令REF或第二刷新信號SREF的刷新操作的數(shù)目。作為實例，“C”等于2.5(5/2)可以意指在第二刷新信號SREF的兩次使能期間刷新單元陣列五次。另外，“A”等于2可以意指在刷新命令iREF的一次使能期間使能刷新信號REF_ACT或刷新單元陣列兩次。
[0052]刷新控制單元343可以在使能刷新信號REF_ACT之后且接著在足以用于激活字線的預(yù)定時間經(jīng)過之后使能預(yù)充電信號REF_PRE。
[0053]響應(yīng)于刷新信號REF_ACT，行控制單元344可以刷新對應(yīng)于計數(shù)地址CNT_ADD的多個字線WLO至WLN中的一個。行控制單元344可以在使能刷新信號REF_ACT時激活對應(yīng)于計數(shù)地址CNT_ADD的多個字線WLO至WLN中的一個且在使能預(yù)充電信號REF_PRE時給被激活字線預(yù)充電。
[0054]圖4是圖解說明圖3中所示的存儲器件的周期控制單元342的兩項實例的框圖。
[0055]針對第一實例，周期控制單元342可以基于設(shè)定時間TSET設(shè)定高頻區(qū)段。針對第二實例，周期控制單元342可以基于初始值INIT_VAL設(shè)定高頻區(qū)段。
[0056]后文，參考圖3和圖4闡述周期控制單元342。
[0057]根據(jù)第一實例，周期控制單元342可以包含計時器411和信號發(fā)生器412。計時器411可以在區(qū)段信號SREF_M0DE被使能時被激活、可以使能通過信號TSET且可以在時間經(jīng)過多達設(shè)定時間TSET時被初始化。信號發(fā)生器412可以從區(qū)段信號SREF_M0DE被使能時至通過信號TSET被使能時使能高頻信號HIGH_FREQ。
[0058]根據(jù)第二實例，周期控制單元342可以包含地址儲存器421、地址比較器422和信號發(fā)生器423。地址儲存器421可以在使能區(qū)段信號SREF_M0DE時儲存計數(shù)地址CNT_ADD的值。地址儲存器421可以在第二操作模式開始時儲存計數(shù)地址CNT_ADD的值作為初始值INIT_VAL且在高頻信號HIGH_FREQ被使能期間保留初始值INIT_VAL。地址比較器422可以比較初始值INIT_VAL與計數(shù)地址CNT_ADD，計數(shù)地址CNT_ADD可以在高頻區(qū)段期間每當多個字線WLO至WLN中的一個被刷新時依序改變。當計數(shù)地址CNT_ADD在對多個字線WLO至WLN的刷新操作的循環(huán)的完成之后變?yōu)槌跏贾礗NIT_VAL時，地址比較器422可以使能檢測信號DET。信號發(fā)生器423可以從使能區(qū)段信號SREF_M0DE時至使能檢測信號DET時使能高頻信號HIGH_FREQ。
[0059]圖5是圖解說明圖3中所示的存儲器件的操作的波形圖。
[0060]第一波形510圖解說明作為基于設(shè)定時間TSET設(shè)定高頻區(qū)段的第一實例所的存儲器件的操作。第二波形520圖解說明作為基于初始值INIT_VAL設(shè)定高頻區(qū)段的第二實例的存儲器件的操作。
[0061]后文，參考圖3至圖5闡述存儲器件的操作。
[0062]如第一波形510中所示，存儲器件可以響應(yīng)于刷新信號REF_ACT執(zhí)行第一刷新操作，每次刷新命令iREF該刷新信號REF_ACT被使能兩次(“A”等于2)。在高頻區(qū)段中，存儲器件可以響應(yīng)于刷新信號REF_ACT執(zhí)行第二刷新操作，每次第二刷新信號SREF該刷新信號REF_ACT被使能兩次(“C”等于2)。針對第一實例，高頻區(qū)段的持續(xù)時間可以是設(shè)定時間TSET。當高頻區(qū)段結(jié)束時，存儲器件可以響應(yīng)于刷新信號REF_ACT執(zhí)行第二刷新操作，每次第二刷新信號SREF該刷新信號REF_ACT被使能一次(“B”等于I)。
[0063]如第二波形520中所示，可以基于比較初始值INIT_VAL與計數(shù)地址CNT_ADD的結(jié)果設(shè)定高頻區(qū)段。當?shù)刂繁容^器422使能檢測信號DET時，高頻區(qū)段可以結(jié)束。
[0064]根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器件可以在防止字線干擾的同時減少針對刷新操作消耗的電流量，其中通過在第二刷新操作的時間區(qū)段的一部分(例如，高頻區(qū)段)期間以類似于或高于第一刷新操作的頻率的頻率執(zhí)行第二刷新操作、并且在第二刷新操作的時間區(qū)段的剩余部分期間以低于第一刷新操作的頻率的頻率執(zhí)行第二刷新操作來防止字線干擾。
[0065]圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲系統(tǒng)的框圖。
[0066]參考圖6，存儲系統(tǒng)可以包含存儲器件610和存儲器控制器620。
[0067]后文,參考圖3至圖6闡述存儲系統(tǒng)。
[0068]存儲器控制器620可以通過施加命令CMDs和地址ADDs控制存儲器件610的操作。存儲器件610和存儲器控制器620可以在讀取操作和寫入操作期間彼此傳遞數(shù)據(jù)。存儲器控制器620可以將指示刷新命令REF、第二刷新進入命令SREF_ENTRY和第二刷新退出命令SREF_EXIT的命令CMDs輸入至存儲器件610。存儲器控制器620可以通過輸入周期性刷新命令REF以第一周期刷新包含于存儲器件610中的單元陣列360。在第一刷新操作和第二刷新操作期間存儲器控制器620不必向存儲器件610輸入將地址ADDs，此乃因存儲器件610可以內(nèi)部地產(chǎn)生用于選擇多個字線WLO至WLN中的將被刷新的一個字線的計數(shù)地址CNT_ADD。
[0069]存儲器件610(參考圖3)可以接收命令CMDs、周期性地使能刷新命令iREF和在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令iREF在第一周期內(nèi)刷新單元陣列360。存儲器件610可以在第二操作模式期間接收命令CMDs、使能第二刷新進入命令iSREF_ENTRY且使能第二刷新退出命令iSREF_EXIT。存儲器件610可以周期性地使能第二刷新信號SREF和在第二操作模式期間響應(yīng)于第二刷新信號SREF刷新單元陣列360。存儲器件610可以在高頻區(qū)段期間在第三周期內(nèi)且在第二操作模式的時間區(qū)段的剩余區(qū)段期間在第二周期內(nèi)刷新單元陣列360。
[0070]圖7是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于操作存儲器件的方法的流程圖。
[0071]參考圖7，用于操作具有單元陣列(其具有多個字線)的存儲器件的方法可以包含以下操作:在步驟S710處執(zhí)行第一刷新操作、在步驟S720處進入第二操作模式、在步驟S730處執(zhí)行第二刷新操作且在步驟S740處退出第二操作模式。
[0072]后文，參考圖3至圖7闡述用于操作存儲器件的方法。
[0073]在步驟S710的第一刷新操作處，存儲器件可以響應(yīng)于可以被周期性地輸入的刷新命令REF而在第一周期內(nèi)刷新單元陣列360。例如，存儲器件可以響應(yīng)于刷新信號REF_ACT執(zhí)行第一刷新操作，每次刷新命令REF該刷新信號REF_ACT使能兩次(“A”等于2)。
[0074]在進入第二操作模式的步驟S720處，存儲器件可以響應(yīng)于第二刷新進入命令SREF_ENTRY進入第二操作模式。
[0075]執(zhí)行第二操作模式的步驟S730可以包含步驟S731的高頻刷新操作和步驟S732的正常頻率刷新操作。步驟S731的高頻刷新操作對應(yīng)于上文所闡述的在高頻區(qū)段期間的第二刷新操作，且在步驟S731處存儲器件可以在相同于或短于第一周期的第三周期內(nèi)刷新單元陣列360。步驟S732的正常頻率刷新操作對應(yīng)于上文所闡述的在第二操作模式的時間區(qū)段的剩余區(qū)段期間的第二刷新操作，且在步驟S732處存儲器件可以在比第一周期和第三周期短的第二周期內(nèi)刷新單元陣列360。
[0076]在退出第二操作模式的步驟S740處，存儲器件可以響應(yīng)于第二刷新操作退出命令SELF_EXIT退出第二操作模式。
[0077]根據(jù)用于操作根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器件的方法，在第二操作模式的時間區(qū)段的一部分(例如，高頻區(qū)段)期間以相同于或高于第一刷新操作的頻率的頻率以及在第二操作模式的時間區(qū)段的剩余部分期間以低于第一刷新操作的頻率的頻率執(zhí)行第二刷新操作。以此方式，在防止字線干擾的同時針對刷新操作消耗的電流量可以減小。
[0078]本文中，附圖標記‘REF’、‘SREF_ENTRY’和‘SREF_EXIT’可以是由自存儲器控制器輸入的命令信號CMDs的組合表示的外部命令，且附圖標記‘iREF’、‘iSREF_ENTRY’和‘iSREF_EXIT’可以是響應(yīng)于上述命令信號CMDs的組合由命令解碼單元使能的內(nèi)部命令。第一刷新操作可以是自動刷新操作且第二刷新操作可以是自刷新操作。
[0079]根據(jù)本發(fā)明的實施例，當?shù)诙僮髂Ｊ介_始時，存儲器件和存儲系統(tǒng)可以通常通過快速刷新所有字線操作且因此防止由于字線干擾引起的數(shù)據(jù)的惡化。
[0080]雖然已關(guān)于特定實施例闡述本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將明了，可以在不背離如以下申請權(quán)利要求范圍中所定義的本發(fā)明的主旨和范圍的情況下做出各種改變和修改。
[0081]通過以上實施例可以看出，本申請?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0082]技術(shù)方案1.一種存儲器件，包括:
[0083]單元陣列，具有多個字線；
[0084]地址計數(shù)單元，適合于產(chǎn)生每當刷新所述多個字線中的一個或多個時改變的計數(shù)地址；以及
[0085]控制單元，適合于:在所述多個字線當中選擇對應(yīng)于所述計數(shù)地址的字線，且在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長的第二周期內(nèi)以及在所述第二操作模式開始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新選中的字線。
[0086]技術(shù)方案2.如技術(shù)方案I所述的存儲器件，其中，在所述高頻區(qū)段期間所述多個字線被刷新一次或多次。
[0087]技術(shù)方案3.如技術(shù)方案I所述的存儲器件，其中，所述第三周期等于或短于所述第一周期。
[0088]技術(shù)方案4.如技術(shù)方案I所述的存儲器件，其中，將所述高頻區(qū)段設(shè)定為長于所述第三周期乘以所述多個字線的數(shù)目。
[0089]技術(shù)方案5.如技術(shù)方案I所述的存儲器件，其中，所述高頻區(qū)段設(shè)定為自所述第二操作模式開始時至所述計數(shù)地址的值等于初始計數(shù)地址值時的持續(xù)時間，所述初始計數(shù)地址值是當所述第二操作模式開始時所述計數(shù)地址的值。
[0090]技術(shù)方案6.如技術(shù)方案I所述的存儲器件，其中所述控制單元包括:
[0091]第二刷新控制單元，適合于從使能第二刷新進入命令時至使能第二刷新退出命令時使能周期性第二刷新信號；
[0092]周期控制單元，適合于產(chǎn)生被使能以定義所述高頻區(qū)段的高頻信號；
[0093]刷新控制單元，適合于:在所述第一操作模式期間響應(yīng)于周期性刷新命令而使能刷新信號A次，其中A是等于或大于2的有理數(shù)；在所述第二操作模式期間當所述高頻信號被禁止時響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號而使能刷新信號B次，其中B是小于A的有理數(shù)；且在所述第二操作模式期間當所述高頻信號被使能時響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號而使能刷新信號C次，其中C是大于B的有理數(shù)；以及
[0094]行控制單元，適合于響應(yīng)于所述刷新信號而刷新所述多個字線當中對應(yīng)于所述計數(shù)地址的字線。
[0095]技術(shù)方案7.如技術(shù)方案6所述的存儲器件，其中，所述周期控制單元在所述第三周期乘以所述多個字線的數(shù)目的期間使能所述高頻信號。
[0096]技術(shù)方案8.如技術(shù)方案6所述的存儲器件，其中，所述周期控制單元在所述第二操作模式開始時儲存所述計數(shù)地址的初始值、且從所述第二操作模式開始時至所述計數(shù)地址的值等于所述初始值時使能所述高頻信號。
[0097]技術(shù)方案9.如技術(shù)方案6所述的存儲器件，其中，所述地址計數(shù)單元每當所述刷新信號被使能時依序改變所述計數(shù)地址。
[0098]技術(shù)方案10.如技術(shù)方案6所述的存儲器件，其中，所述周期性第二刷新信號的周期等于所述周期性刷新命令的周期、且C等于或大于A。
[0099]技術(shù)方案11.一種存儲器件，包括:
[0100]單元陣列，被配置具有多個字線；
[0101]地址計數(shù)單元，適合于產(chǎn)生每當刷新所述多個字線中的一個或多個時改變的計數(shù)地址；
[0102]刷新控制單元，適合于:在所述多個字線當中選擇對應(yīng)于所述計數(shù)地址的字線，且響應(yīng)于周期性刷新命令而刷新選中的字線A次，其中A是等于或大于2的有理數(shù)；響應(yīng)于周期性第二刷新信號而刷新所述選中的字線B次，其中B是小于A的有理數(shù)；及在高頻區(qū)段中響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號而刷新所述選中的字線C次，其中C是大于B的有理數(shù)；以及
[0103]第二刷新控制單元，適合于從使能第二刷新進入命令時至使能第二刷新退出命令時使能所述周期性第二刷新信號。
[0104]技術(shù)方案12.如技術(shù)方案11所述的存儲器件，其中，在所述高頻區(qū)段期間所述多個字線被刷新一次或多次。
[0105]技術(shù)方案13.如技術(shù)方案11所述的存儲器件，其中，所述周期性第二刷新信號的周期等于所述周期性刷新命令的周期、且C等于或大于A。
[0106]技術(shù)方案14.一種存儲系統(tǒng),包括:
[0107]存儲器件，所述存儲器件包括具有多個字線的單元陣列，且適合于:在第一操作模式期間在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長的第二周期內(nèi)以及在所述第二操作模式開始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列；以及
[0108]存儲器控制器，適合于:在所述第一操作模式期間以設(shè)定周期將刷新命令輸入至所述存儲器件中、且將所述存儲器件設(shè)定在所述第二操作模式中。
[0109]技術(shù)方案15.如技術(shù)方案14所述的存儲系統(tǒng)，其中，在所述高頻區(qū)段期間所述多個字線被刷新一次或多次。
[0110]技術(shù)方案16.如技術(shù)方案14所述的存儲系統(tǒng)，其中所述第三周期等于或短于所述第一周期。
[0111]技術(shù)方案17.如技術(shù)方案14所述的存儲系統(tǒng)，其中，所述高頻區(qū)段被設(shè)定為長于所述第三周期乘以所述多個字線的數(shù)目。
[0112]技術(shù)方案18.如技術(shù)方案14所述的存儲系統(tǒng)，其中，所述高頻區(qū)段被設(shè)定為從所述第二操作模式開始時至所述計數(shù)地址的值等于初始計數(shù)地址值時的持續(xù)時間，所述初始計數(shù)地址值是當所述第二操作模式開始時所述計數(shù)地址的值。
[0113]技術(shù)方案19.一種用于操作具有單元陣列的存儲器件的方法，所述單元陣列包括多個字線，所述方法包括:
[0114]響應(yīng)于周期性刷新命令而在第一周期內(nèi)刷新所述單元陣列；
[0115]響應(yīng)于第二刷新進入命令而進入第二操作模式；以及
[0116]在第二操作模式中在比所述第一周期長的第二周期內(nèi)和在所述第二操作模式開始之后的高頻區(qū)段期間在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列。
[0117]技術(shù)方案20.如技術(shù)方案19所述的方法，其中，在所述高頻區(qū)段期間刷新所述多個字線一次或多次。
[0118]技術(shù)方案21.如技術(shù)方案19所述的方法，其中，所述第三周期等于或短于所述第一周期。
[0119]技術(shù)方案22.如技術(shù)方案19所述的方法，其中，所述高頻區(qū)段被設(shè)定為長于所述第三周期乘以所述多個字線的數(shù)目。
[0120]技術(shù)方案23.如技術(shù)方案19所述的方法，其中，所述高頻區(qū)段被設(shè)定為從所述第二操作模式開始時至所述計數(shù)地址的值等于初始計數(shù)地址值時的持續(xù)時間，所述初始計數(shù)地址值是當所述第二刷新模式開始時所述計數(shù)地址的值。
[0121]技術(shù)方案24.如技術(shù)方案19所述的方法，進一步包括:
[0122]響應(yīng)于第二刷新退出命令而退出所述第二操作模式。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲器件，包括: 單元陣列，具有多個字線； 地址計數(shù)單元，適合于產(chǎn)生每當刷新所述多個字線中的一個或多個時改變的計數(shù)地址；以及 控制單元，適合于:在所述多個字線當中選擇對應(yīng)于所述計數(shù)地址的字線，且在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長的第二周期內(nèi)以及在所述第二操作模式開始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新選中的字線。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中，在所述高頻區(qū)段期間所述多個字線被刷新一次或多次。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中，所述第三周期等于或短于所述第一周期。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中，將所述高頻區(qū)段設(shè)定為長于所述第三周期乘以所述多個字線的數(shù)目。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中，所述高頻區(qū)段設(shè)定為自所述第二操作模式開始時至所述計數(shù)地址的值等于初始計數(shù)地址值時的持續(xù)時間，所述初始計數(shù)地址值是當所述第二操作模式開始時所述計數(shù)地址的值。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述控制單元包括: 第二刷新控制單元，適合于從使能第二刷新進入命令時至使能第二刷新退出命令時使能周期性第二刷新信號； 周期控制單元，適合于產(chǎn)生被使能以定義所述高頻區(qū)段的高頻信號； 刷新控制單元，適合于:在所述第一操作模式期間響應(yīng)于周期性刷新命令而使能刷新信號A次，其中A是等于或大于2的有理數(shù)；在所述第二操作模式期間當所述高頻信號被禁止時響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號而使能刷新信號B次，其中B是小于A的有理數(shù)；且在所述第二操作模式期間當所述高頻信號被使能時響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號而使能刷新信號C次，其中C是大于B的有理數(shù)；以及 行控制單元，適合于響應(yīng)于所述刷新信號而刷新所述多個字線當中對應(yīng)于所述計數(shù)地址的字線。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲器件，其中，所述周期控制單元在所述第三周期乘以所述多個字線的數(shù)目的期間使能所述高頻信號。
8.一種存儲器件，包括: 單元陣列，被配置具有多個字線； 地址計數(shù)單元，適合于產(chǎn)生每當刷新所述多個字線中的一個或多個時改變的計數(shù)地址； 刷新控制單元，適合于:在所述多個字線當中選擇對應(yīng)于所述計數(shù)地址的字線，且響應(yīng)于周期性刷新命令而刷新選中的字線A次，其中A是等于或大于2的有理數(shù)；響應(yīng)于周期性第二刷新信號而刷新所述選中的字線B次，其中B是小于A的有理數(shù)；及在高頻區(qū)段中響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號而刷新所述選中的字線C次，其中C是大于B的有理數(shù)；以及 第二刷新控制單元，適合于從使能第二刷新進入命令時至使能第二刷新退出命令時使能所述周期性第二刷新信號。
9.一種存儲系統(tǒng)，包括: 存儲器件，所述存儲器件包括具有多個字線的單元陣列，且適合于:在第一操作模式期間在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長的第二周期內(nèi)以及在所述第二操作模式開始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列；以及 存儲器控制器，適合于:在所述第一操作模式期間以設(shè)定周期將刷新命令輸入至所述存儲器件中、且將所述存儲器件設(shè)定在所述第二操作模式中。
10.一種用于操作具有單元陣列的存儲器件的方法，所述單元陣列包括多個字線，所述方法包括: 響應(yīng)于周期性刷新命令而在第一周期內(nèi)刷新所述單元陣列； 響應(yīng)于第二刷新進入命令而進入第二操作模式；以及 在第二操作模式中在比所述第一周期長的第二周期內(nèi)和在所述第二操作模式開始之后的高頻區(qū)段期間在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列。
【文檔編號】G11C11/4063GK104347109SQ201410203005
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年5月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月9日
【發(fā)明者】梁鐘烈 申請人:愛思開海力士有限公司