光學(xué)記錄介質(zhì)基板及其制造方法、光學(xué)記錄介質(zhì)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了光學(xué)記錄介質(zhì)基板及其制造方法、光學(xué)記錄介質(zhì)。其中，該光學(xué)記錄介質(zhì)基板，包括平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25℃下的單位體積質(zhì)量在1.1930g/cm3至1.2000g/cm3的范圍內(nèi)的聚碳酸酯。
【專利說(shuō)明】光學(xué)記錄介質(zhì)基板及其制造方法、光學(xué)記錄介質(zhì)
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2012年11月15日提交的日本在先專利申請(qǐng)JP 2012至251413的權(quán)益，該專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種減少翹曲的光學(xué)記錄介質(zhì)基板、利用該光學(xué)記錄介質(zhì)基板的光學(xué)記錄介質(zhì)以及光學(xué)記錄介質(zhì)基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]光學(xué)記錄介質(zhì)作為用于提供軟件(包括音樂(lè)、視頻等)的介質(zhì)是非常優(yōu)異的，且由于操作方便、批量生產(chǎn)簡(jiǎn)單、制造成本降低等而在廣泛的領(lǐng)域中變得普遍。另外，正在改善光學(xué)記錄介質(zhì)的高密度，與現(xiàn)有技術(shù)的壓縮光盤(pán)(CD)和數(shù)字通用光盤(pán)(DVD)等相比，實(shí)現(xiàn)相當(dāng)高的容量的藍(lán)光光盤(pán)(注冊(cè)商標(biāo))等已經(jīng)變得普遍。
[0005]當(dāng)這些光學(xué)記錄介質(zhì)翹曲時(shí)，難以展示出良好的再現(xiàn)特性。這是因?yàn)楣獍咧谐霈F(xiàn)
了像差。
[0006]在日本未經(jīng)審查的專利申請(qǐng)公開(kāi)第2009至271970中，公開(kāi)了層壓由具有預(yù)定特性的活化能量線固化樹(shù)脂(active energy line curable resin)形成的光學(xué)傳輸層(透明覆蓋層)以抑制光學(xué)記錄介質(zhì)(尤其是藍(lán)光光盤(pán))翹曲的技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]順便提及，在現(xiàn)有技術(shù)的光學(xué)記錄介質(zhì)沒(méi)有足夠的剛性且例如光學(xué)記錄介質(zhì)以其兩端(中心介入在其間)插入存儲(chǔ)盒的保持溝槽中的水平狀態(tài)下被存儲(chǔ)很長(zhǎng)一段時(shí)間時(shí)，可能會(huì)發(fā)生翹曲并且難以展示出良好的再現(xiàn)特性。在存儲(chǔ)于高溫環(huán)境時(shí)，這種情況可以被明顯示出。這是縮短光學(xué)記錄介質(zhì)壽命的一個(gè)因素。如果可以減少以這種水平狀態(tài)存儲(chǔ)的光學(xué)記錄介質(zhì)的翹曲，則這將大大有助于長(zhǎng)期保存光學(xué)記錄介質(zhì)。
[0008]期望提供一種長(zhǎng)壽命的光學(xué)記錄介質(zhì)基板，其即使當(dāng)光學(xué)記錄介質(zhì)在正常溫度或高溫環(huán)境下以水平狀態(tài)被長(zhǎng)時(shí)間存放時(shí)，也可減少翹曲且具有良好的再現(xiàn)特性，以及使用該光學(xué)記錄介質(zhì)基板的光學(xué)記錄介質(zhì)。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種光學(xué)記錄介質(zhì)基板，包括:平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25°C下的單位體積質(zhì)量在1.1930g/cm3至1.2000g/cm3的范圍內(nèi)的聚碳酸酯。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種光學(xué)記錄介質(zhì)，包括:光學(xué)記錄介質(zhì)基板，所述光學(xué)記錄介質(zhì)基板是平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25°C下的單位體積質(zhì)量在1.1930g/cm3至1.2000g/cm3的范圍內(nèi)的聚碳酸酯。
[0011]進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式，提供了一種光學(xué)記錄介質(zhì)基板的制造方法，包括:在模具中填充并注塑成型平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)的聚碳酸酯；以及在所述模具中進(jìn)行冷卻達(dá)6秒以上。
[0012]由此，確保了光學(xué)記錄介質(zhì)的高剛性。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，即使光學(xué)記錄介質(zhì)存放很長(zhǎng)一段時(shí)間的情況下，也可抑制由于自身重量導(dǎo)致的翹曲，進(jìn)而記錄在光學(xué)記錄介質(zhì)上的音樂(lè)、視頻等可以在良好的狀態(tài)下再現(xiàn)。
[0014]另外，即使在光學(xué)記錄介質(zhì)存放在高溫環(huán)境時(shí)，也可以抑制由于其自身重量導(dǎo)致的翹曲且類似獲得良好的再現(xiàn)特性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是實(shí)施方式的光學(xué)記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖；
[0016]圖2是示出了測(cè)量光學(xué)記錄介質(zhì)基板的密度的方法的示圖；
[0017]圖3是示出了當(dāng)記錄介質(zhì)保持在水平狀態(tài)下時(shí)的形狀變化的示圖；
[0018]圖4是示出了當(dāng)以水平狀態(tài)存放時(shí)光學(xué)記錄介質(zhì)的翹曲的測(cè)量結(jié)果的示圖；
[0019]圖5是示出了光學(xué)記錄介質(zhì)基板的密度與翹曲之間的關(guān)系的示圖；以及
[0020]圖6是示出了光學(xué)記錄介質(zhì)基板的注塑成型的冷卻時(shí)間與密度之間的關(guān)系的示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。要注意的是，在該說(shuō)明書(shū)和附圖中，具有大致相同功能和結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)元件用相同參考標(biāo)號(hào)表示，并省略對(duì)這些結(jié)構(gòu)元件的重復(fù)闡述。
[0022]下文中，將按以下順序描述本發(fā)明的內(nèi)容。
[0023]【1.光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)】
[0024]【2.制造方法】
[0025]【3.密度測(cè)量方法】
[0026]【4.實(shí)驗(yàn)結(jié)果】
[0027]【5.結(jié)論】
[0028]下文中，將參照?qǐng)D1描述根據(jù)實(shí)施方式的光學(xué)記錄介質(zhì)、光學(xué)記錄介質(zhì)基板以及光學(xué)記錄介質(zhì)基板的制造方法。
[0029]本發(fā)明的技術(shù)適用于這里描述的光學(xué)記錄介質(zhì)基板且適用于使用該光學(xué)記錄介質(zhì)基板的光學(xué)記錄介質(zhì)。
[0030]本發(fā)明包括藍(lán)光光盤(pán)作為光學(xué)記錄介質(zhì)的實(shí)例、藍(lán)光光盤(pán)基板作為光學(xué)記錄介質(zhì)基板的實(shí)例以及藍(lán)光光盤(pán)基板的制造方法作為光學(xué)記錄介質(zhì)基板的制造方法的實(shí)例，如下文所述。
[0031]本發(fā)明的應(yīng)用范圍不限于充當(dāng)藍(lán)光光盤(pán)的光學(xué)記錄介質(zhì)、藍(lán)光光盤(pán)基板以及藍(lán)光光盤(pán)基板的制造方法，并且例如可以廣泛適用于各種光學(xué)記錄介質(zhì)比如CD和DVD、各種光學(xué)記錄介質(zhì)的基板以及各種光學(xué)記錄介質(zhì)的基板的制造方法。
[0032]【1.光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)】
[0033]在圖1中，包括藍(lán)光光盤(pán)(光學(xué)記錄介質(zhì)I)的層結(jié)構(gòu)的實(shí)例。[0034]圖1中的A示出了光學(xué)記錄介質(zhì)I的層結(jié)構(gòu)，其中所謂的記錄層5是單層。
[0035]光學(xué)記錄介質(zhì)I具有光學(xué)記錄介質(zhì)基板4，在該光學(xué)記錄介質(zhì)基板的一側(cè)上形成有記錄層5。使用聚碳酸酯作為光學(xué)記錄介質(zhì)基板4。在聚碳酸酯中，平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25°C下的單位體積質(zhì)量在1.1930g/cm3至1.2000g/cm3的范圍內(nèi)。
[0036]記錄層5被形成為凹/凸形狀，作為包括凹坑和間隔的凹坑陣列圖案。光學(xué)記錄介質(zhì)基板4例如形成有大約1.1mm的厚度。
[0037]形成用于反射激光9的反射膜6，以便在光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的記錄層5具有凹坑陣列圖案的一側(cè)再現(xiàn)。反射膜6中與記錄層5相對(duì)的一側(cè)充當(dāng)激光9的入射面，光被物鏡14收集在該入射面上。
[0038]雖然銀、銀合金、鋁或鋁合金通常被用作反射膜6，但本發(fā)明不限于此，因?yàn)橹灰梢杂行У胤瓷?05nm (其是再現(xiàn)激光的波長(zhǎng))的光就可滿足該功能。
[0039]具有均勻優(yōu)良的表面平滑度的透明覆蓋層7形成在反射膜6中的激光9的入射面?zhèn)申蛟撊肷涿鎮(zhèn)燃词切畔⒆x出表面?zhèn)?。進(jìn)一步地，充當(dāng)保護(hù)層的硬涂層8形成在透明覆蓋層7的表面?zhèn)壬?，該表面?zhèn)燃词羌す?入射到其上的那一側(cè)。
[0040]在這種情況下，雖然保護(hù)層由透明覆蓋層7和硬涂層8形成，但透明覆蓋層7和硬涂層8的總厚度例如變?yōu)?5 μ m至105 μ m。雖然不特別規(guī)定透明覆蓋層7與硬涂層8之t:匕，但硬涂層8的厚度通常為1.5 μ m至5 μ m。
[0041]另外，當(dāng)從光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的激光9的入射側(cè)觀察時(shí)，相對(duì)側(cè)的表面(所謂的標(biāo)簽表面)被形成為印刷側(cè)3，用于展示光學(xué)記錄介質(zhì)I的內(nèi)容的標(biāo)簽印刷操作在該印刷側(cè)3上執(zhí)行。
[0042]可能不需要形成硬涂層8。例如，當(dāng)獲得通過(guò)透明覆蓋層7的表面保護(hù)功能時(shí)，可以考慮沒(méi)有形成硬涂層8的實(shí)例。可以通過(guò)省略硬涂層8的形成來(lái)簡(jiǎn)化光盤(pán)制造工藝。
[0043]在藍(lán)光光盤(pán)中，具有兩個(gè)記錄層10和12的兩層光盤(pán)結(jié)構(gòu)同樣被標(biāo)準(zhǔn)化。在圖1的B中，示出了兩層光學(xué)記錄介質(zhì)2的層結(jié)構(gòu)。如圖1的B所示，光學(xué)記錄介質(zhì)基板4被設(shè)置在光學(xué)記錄介質(zhì)I中。如上所述，聚碳酸酯用作光學(xué)記錄介質(zhì)基板4。在聚碳酸酯中，平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25°C下的單位體積質(zhì)量在1.1930g/cm3至1.2000g/cm3的范圍內(nèi)。
[0044]在光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的激光9的入射表面?zhèn)?，形成中間層11介于其間的第一記錄層10和第二記錄層12。
[0045]第一記錄層10和第二記錄層12形成為凹/凸形狀，作為包括凹坑和間隔的凹坑陣列圖案。中間層11例如形成厚度為20μπι至30μπι。
[0046]反射膜6形成在第一記錄層10和中間層11之間。半透明反射膜13形成在第二記錄層12的表面上。在該表面上，形成有透明覆蓋層7。進(jìn)一步地，充當(dāng)保護(hù)層的硬涂層8形成在透明覆蓋層7的表面?zhèn)?，即，形成在激?入射到其上的一側(cè)。透明覆蓋層7和硬涂層8的總厚度例如為75 μ m。
[0047]在光學(xué)記錄介質(zhì)I的情況下，可能不需要形成硬涂層8。
[0048]通過(guò)將其上預(yù)形成有凹坑陣列圖案的壓模壓在中間層11上來(lái)形成第二記錄層12。
[0049]因?yàn)樗{(lán)光光盤(pán)(光學(xué)記錄介質(zhì)I和2)具有單面讀取方式，即，透明覆蓋層7僅位于光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的一側(cè)，如圖1所示，藍(lán)光光盤(pán)在厚度方向上是不對(duì)稱的，且由于每層的殘留應(yīng)力的影響而容易變形。
[0050]因此，藍(lán)光光盤(pán)由平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25°C下的單位體積質(zhì)量在1.1930g/cm3至1.2000g/cm3的范圍內(nèi)的聚碳酸酯組成，使得翹曲的發(fā)生得到特別有效地抑制并且可以獲得良好的再現(xiàn)特性。
[0051]【2.制造方法】
[0052]在下文中，將對(duì)光學(xué)記錄介質(zhì)I的制造方法進(jìn)行簡(jiǎn)要描述。
[0053](a)首先，執(zhí)行注塑成型以形成光學(xué)記錄介質(zhì)基板4。通過(guò)在高溫下熔融聚碳酸酯顆粒并將熔融的聚碳酸酯顆粒填充在模具中來(lái)執(zhí)行注塑成型。
[0054](b)接下來(lái)，在模具內(nèi)對(duì)光學(xué)記錄介質(zhì)基板4冷卻達(dá)固定時(shí)間進(jìn)而從模具中取出。由此形成厚度大約為1.1mm的光學(xué)記錄介質(zhì)基板4。
[0055](c)接下來(lái)，利用諸如濺射、氣相沉積和涂布技術(shù)將記錄層5和反射膜6層壓在從模具提取出來(lái)的光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的一側(cè)。
[0056](d)隨后，利用旋涂法或通過(guò)將大約100 μ m的膜層壓在反射膜6上來(lái)形成透明覆
蓋層7。 [0057](e)接下來(lái)，通過(guò)向采用旋涂或壓膜形成的透明覆蓋層7照射紫外光來(lái)硬化透明
覆蓋層7。
[0058](f)最后,形成硬涂層8。
[0059]與模具的注塑成型相關(guān)聯(lián)的制造方法也與⑶和DVD的制造相同。
[0060]接下來(lái)，將對(duì)兩層光學(xué)記錄介質(zhì)2的制造方法進(jìn)行簡(jiǎn)要描述。
[0061]兩層光學(xué)記錄介質(zhì)2的制造方法在形成第一記錄層10之前基本上與上述單層光學(xué)記錄介質(zhì)I的情況相同。
[0062]在形成第一記錄層10之后，形成中間層11。該中間層11通過(guò)向其照射紫外光來(lái)硬化。在中間層11上，第二記錄層12和半透明反射膜13采用濺射法等來(lái)形成。之后，透明覆蓋層7和硬涂層8被形成為單層光盤(pán)。
[0063]在本發(fā)明的技術(shù)中，通過(guò)將平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)的聚碳酸酯填充在模具中來(lái)執(zhí)行注塑成型。將模具內(nèi)的冷卻時(shí)間設(shè)為6秒以上。通過(guò)將冷卻時(shí)間設(shè)為6秒以上,可以具有聚碳酸酯的密度為1.1930[g/cm3]至1.2000[g/cm3]的特性。最后,利用平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25°C下的密度在1.1930[g/cm3]至1.2000[g/cm3]的范圍內(nèi)的聚碳酸酯來(lái)形成光學(xué)記錄介質(zhì)基板4。
[0064]由此可以抑制光學(xué)記錄介質(zhì)I和2變形，可以防止由于長(zhǎng)期存放而導(dǎo)致的翹曲，進(jìn)而可以獲得良好的再現(xiàn)特性。
[0065]【3.密度測(cè)量方法】
[0066]在下文中，將描述光學(xué)記錄介質(zhì)I在使用溫度環(huán)境的上限被存放固定的一段時(shí)間的情況下的翹曲狀態(tài)的實(shí)驗(yàn)。首先，將參照?qǐng)D2描述該實(shí)驗(yàn)中所使用的測(cè)量光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的密度的方法。
[0067]作為密度測(cè)量方法，水中置換法可用于即使在光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的復(fù)雜形狀的情況下也準(zhǔn)確獲得密度。
[0068]使用能夠測(cè)量高達(dá)0.1mg精度的電子天平30，作為用于測(cè)量密度的重力計(jì)。[0069]古典的天平或簡(jiǎn)單的天平是一種通過(guò)利用杠桿、將樣品放置在施力點(diǎn)或作用位置的一側(cè)、然后將作為參考的配重放置在另一側(cè)來(lái)達(dá)到平衡從而由配重的質(zhì)量獲得樣品的質(zhì)量的測(cè)量裝置。另一方面，在電子天平30中，僅放置待測(cè)物理對(duì)象而不需要其他操作就可立即獲得重量的數(shù)值。
[0070]另外，在待測(cè)光學(xué)記錄介質(zhì)基板4中，10[nm]的水無(wú)法穿過(guò)的無(wú)機(jī)膜形成在光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的兩側(cè)，以便抑制密度的精確性由于吸收而降低。
[0071]首先，測(cè)量光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的重量。通過(guò)將光學(xué)記錄介質(zhì)基板4放置在電子天平30上測(cè)得該重量，如圖2的A所示。此時(shí)，假設(shè)重量為m[g]。
[0072]接下來(lái)，測(cè)量含有水32 (純凈水)的容器31的重量，如圖2的B所示。此時(shí)，假設(shè)重量為Ml [g]。
[0073]進(jìn)一步地，當(dāng)光學(xué)記錄介質(zhì)基板4利用支撐桿33懸掛且漂浮在水32中時(shí)，測(cè)量該重量，如圖2的C所示。此時(shí),假設(shè)重量為M2[g]。
[0074]從上述測(cè)量結(jié)果可知，當(dāng)與重量測(cè)量時(shí)的水溫對(duì)應(yīng)的水的密度為P [g/cm3]時(shí)，(M2-Ml)/P為光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的體積。光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的密度A通過(guò)將m除以(M2 - Ml) / P來(lái)獲得，m是光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的重量。
[0075]最后，獲得光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的密度A [g/cm3]的表達(dá)式如下。
[0076]A=Pm/ (M2-Ml)
[0077]根據(jù)上述方法獲得光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的密度。
[0078]【4.實(shí)驗(yàn)結(jié)果】
[0079]接下來(lái)，將參照?qǐng)D3至6描述常規(guī)光學(xué)記錄介質(zhì)在使用溫度環(huán)境的上限下被存放固定的一段時(shí)間時(shí)的翹曲狀態(tài)以及具有本實(shí)施方式的光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的光學(xué)記錄介質(zhì)I的翹曲狀態(tài)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
[0080]圖3直觀示出了常規(guī)光學(xué)記錄介質(zhì)(光盤(pán))的存放狀態(tài)和變形狀態(tài)并示出了光學(xué)記錄介質(zhì)支撐在兩個(gè)點(diǎn)上并以水平狀態(tài)存放時(shí)的變形狀態(tài)。圖3的A與不發(fā)生變形和翹曲的情況對(duì)應(yīng)。
[0081]圖3的B示出了在55°C溫度下的恒溫層內(nèi)進(jìn)行長(zhǎng)達(dá)96小時(shí)的存放時(shí)的變形狀態(tài)。為了便于理解，圖3的B以放大的方式示出。雖然如圖3的B所示的被支撐的部分(箭頭)未變形，但其他部分由于其自身重量已經(jīng)彎曲下垂或者變形成整體土豆片的形狀。在這種情況下，利用激光的記錄或再現(xiàn)操作不正常。該變形是引起故障的原因。
[0082]圖4是通過(guò)具體測(cè)量圖3中所示的常規(guī)光學(xué)記錄介質(zhì)的變形量(翹曲)作為距光學(xué)記錄介質(zhì)中心的傾斜(角)而獲得的圖。橫軸表示光學(xué)記錄介質(zhì)的半徑，豎軸表示距光學(xué)記錄介質(zhì)中心的角。傾斜(角)與光學(xué)記錄介質(zhì)的翅曲對(duì)應(yīng)。在圖4中，表示最小值,▲表示平均值，?表示最大值。當(dāng)傾斜超過(guò)±0.3度時(shí)，利用激光的記錄或再現(xiàn)受阻。這是因?yàn)楣獍?焦點(diǎn))中出現(xiàn)了像差。
[0083]圖4的A與圖3的A的情況對(duì)應(yīng)，示出了光學(xué)記錄介質(zhì)在存放之前(緊接制造之后)的傾斜。在這種情況下，傾斜的最大值與最小值之差在±0.2度的范圍內(nèi)，基本上是平坦的。這顯然在±0.3度的范圍內(nèi)。相應(yīng)地，利用激光的記錄和再現(xiàn)都不會(huì)受阻。
[0084]圖4的B與圖3的B的情況對(duì)應(yīng)，是示出了光學(xué)記錄介質(zhì)在55°C溫度下以兩點(diǎn)支撐狀態(tài)下存放96小時(shí)之后的傾斜的圖。最大值與最小值之差達(dá)到±0.6度(大約58mm的半徑)，如圖4的B所示。在這種情況下，記錄或再現(xiàn)操作受阻，從而帶來(lái)麻煩。
[0085]圖5示出了光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的密度和翹曲(傾斜)之間的關(guān)系，該光學(xué)記錄介質(zhì)基板具有作為光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)的聚碳酸酯。這里，密度指的是單位體積質(zhì)量。
[0086]盡管光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的翹曲在25°C溫度下的密度為1.1926 [g/cm3]以下的區(qū)域中突然增加，如圖5所示，但是翹曲量在密度為1.1926[g/cm3]以上的區(qū)域中緩慢降低。當(dāng)密度為1.1920 [g/cm3]時(shí)，翹曲量大約為0.56度。
[0087]另一方面，當(dāng)25°C溫度下的密度超過(guò)1.1926 [g/cm3]時(shí)，翹曲量降至0.28度以下。因此，將密度為1.1930g/cm3以上的聚碳酸酯用于光學(xué)記錄介質(zhì)基板4可以充分抑制翹曲并且在實(shí)際中是優(yōu)選的。
[0088]從上述測(cè)量結(jié)果可知，如果平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25°C下的單位體積質(zhì)量在1.1930[g/cm3]以上的聚碳酸酯被用作光學(xué)記錄介質(zhì)基板4，可以減少翹曲并且可以獲得光學(xué)記錄介質(zhì)I和2的良好的記錄或再現(xiàn)特性。
[0089]聚碳酸酯的密度可以在諸如成型條件和退火處理的適當(dāng)條件下進(jìn)行控制。這里，通過(guò)將模具內(nèi)的冷卻時(shí)間設(shè)為6秒，可以將密度設(shè)為預(yù)定值，如稍后所述。
[0090]另外，聚碳酸酯的密度的上限一般為1.2000 [g/cm3]。因此，優(yōu)選地是平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25°C下的單位體積質(zhì)量在1.1930[g/cm3]至1.2000[g/cm3]的范圍內(nèi)的本發(fā)明的聚碳酸酯。
[0091]圖6是示出了光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的模具內(nèi)的冷卻時(shí)間和密度之間的關(guān)系的示圖。橫軸表示冷卻時(shí)間，豎軸表示密度。當(dāng)冷卻時(shí)間增加時(shí)，如圖6所示，光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的密度增加。如果冷卻時(shí)間為6秒以上，則可以將光學(xué)記錄介質(zhì)基板4的密度設(shè)為1.1930g/cm3 以上。
[0092]因此，在成型光學(xué)記錄介質(zhì)基板4之后，通過(guò)將模具內(nèi)的冷卻時(shí)間設(shè)為6秒以上，可以抑制光學(xué)記錄介質(zhì)基板4和具有該光學(xué)記錄介質(zhì)基板的光學(xué)記錄介質(zhì)I發(fā)生翹曲。
[0093]【5.結(jié)論】
[0094]根據(jù)上文，當(dāng)光學(xué)記錄介質(zhì)基板(其是平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)，且25°C下的單位體積質(zhì)量在1.1930g/cm3至1.2000g/cm3的范圍內(nèi)的聚碳酸酯)用于光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)，翹曲的發(fā)生尤其被有效抑制且可以獲得良好的再現(xiàn)特性。
[0095]另外，可以防止⑶和DVD以及藍(lán)光光盤(pán)中的光盤(pán)變形，可以防止由于長(zhǎng)期存放而導(dǎo)致的光盤(pán)翹曲，且可以獲得良好的再現(xiàn)特性。
[0096]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)設(shè)計(jì)需求和其它因素可以進(jìn)行各種修改、組合、子組合以及改變，只要其在所附權(quán)利要求或其等同內(nèi)容的范圍之內(nèi)即可。
【權(quán)利要求】
1.一種光學(xué)記錄介質(zhì)基板: 所述光學(xué)記錄介質(zhì)基板是平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25°C下的單位體積質(zhì)量在1.1930g/cm3至1.2000g/cm3的范圍內(nèi)的聚碳酸酯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)基板，其中，所述聚碳酸酯的密度在退火條件下進(jìn)行控制。
3.一種光學(xué)記錄介質(zhì)，包括: 光學(xué)記錄介質(zhì)基板，所述光學(xué)記錄介質(zhì)基板是平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)且25°C下的單位體積質(zhì)量在1.1930g/cm3至1.2000g/cm3的范圍內(nèi)的聚碳酸酯。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，進(jìn)一步包括: 透明覆蓋層，在所述光學(xué)記錄介質(zhì)基板的信息讀出表面?zhèn)取?br> 5.一種光學(xué)記錄介質(zhì)基板的制造方法，包括: 在模具中填充并注塑成型平均分子量在15000至16000的范圍內(nèi)的聚碳酸酯；以及 在所述模具中進(jìn)行冷卻達(dá)6秒以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)記錄介質(zhì)基板的制造方法，包括: 在從所述模具中取出所述光學(xué)記錄介質(zhì)基板之后，在所述光學(xué)記錄介質(zhì)基板的信息讀出表面?zhèn)刃纬赏该鞲采w層。
【文檔編號(hào)】G11B7/26GK103824571SQ201310553657
【公開(kāi)日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月15日
【發(fā)明者】中山比呂史, 竹本宏之, 菊地稔, 松浦穗 申請(qǐng)人:索尼公司