專(zhuān)利名稱(chēng)：使用背面接近的集成電路芯片定制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文所述的各個(gè)實(shí)施例一般來(lái)說(shuō)涉及半導(dǎo)體制作工藝、產(chǎn)品和裝置的改善，且更特定來(lái)說(shuō)，涉及用于制造可編程半導(dǎo)體集成電路的方法、用于對(duì)所述可編程半導(dǎo)體集成電路進(jìn)行編程的方法，以及由此制成的集成電路產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品變得越來(lái)越復(fù)雜，因此制造商要繼續(xù)尋找一些方法來(lái)增加特定電路設(shè)計(jì)的可用性，而不必不斷地重新設(shè)計(jì)具有共同元件的電路。舉例來(lái)說(shuō)，電路常常在單個(gè)芯片上具有可通過(guò)激活可編程元件來(lái)啟用的不同電路元件，所述可編程元件例如熔絲、反熔絲、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)等。同時(shí)，制造商正在尋求一些方法來(lái)在較小或更緊湊的封裝中建構(gòu)經(jīng)封裝的集成電路產(chǎn)品。已實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)的一種方法是將集成電路芯片或裸片彼此堆疊，其中信號(hào)在芯片間是通過(guò)每一芯片中的通孔以接觸相鄰芯片的導(dǎo)體來(lái)傳導(dǎo)。(術(shù)語(yǔ)“通孔”在本文中用來(lái)表示在襯底穿孔中形成有導(dǎo)體的一種結(jié)構(gòu)，其中導(dǎo)體部分在襯底的每一側(cè)上露出，由此在襯底中形成貫通連接器)。通常，通孔采用預(yù)定樣式，使得一個(gè)芯片的通孔樣式與相鄰芯片的通孔樣式對(duì)準(zhǔn)，這樣當(dāng)芯片堆疊時(shí)，芯片之間的電連接就得以建立。這已導(dǎo)致三維方法的形成，包含多個(gè)芯片或裸片堆疊以及晶圓堆疊。包含穿硅通孔或TSV的多個(gè)襯底可以彼此堆疊以實(shí)現(xiàn)此種三維集成。明確地說(shuō)，不同襯底的TSV可將信號(hào)從一個(gè)襯底傳導(dǎo)到另一襯底，而不需使用(例如)導(dǎo)線或其它導(dǎo)體。不過(guò)，通常，有數(shù)百或數(shù)千的集成電路建構(gòu)在(例如)直徑為12英寸的大半導(dǎo)體晶圓上。集成電路被圖案化成芯片，這些芯片將從晶圓裂成多個(gè)單獨(dú)的芯片或裸片。晶圓上的芯片中的每一者具有許多結(jié)合襯墊，最后會(huì)進(jìn)行所述結(jié)合襯墊與所述集成電路的電連接。結(jié)合襯墊通常形成在芯片的正面(即，芯片中的上面形成有集成電路的晶體管的那一側(cè))。在許多情況下，芯片被制成比本來(lái)要大，以便容納大量的結(jié)合襯墊。結(jié)合襯墊還在制作期間用于對(duì)芯片上的集成電路進(jìn)行測(cè)試，以及用于實(shí)現(xiàn)對(duì)可包含在芯片上的可編程元件的編程。在此期間，例如，如果發(fā)現(xiàn)特定電路不起作用，那么可從正面的結(jié)合襯墊來(lái)激活可編程元件，例如通過(guò)熔斷熔絲或激活反熔絲，以移除非功能性電路或在其周?chē)鸀樾盘?hào)重新選路。通常，編程是在制作和測(cè)試期間、在芯片組裝到經(jīng)堆疊、經(jīng)安裝或經(jīng)封裝的產(chǎn)品中之前完成的。一旦芯片堆疊制作好，所述芯片堆疊會(huì)變成不可對(duì)芯片上的可編程元件進(jìn)行尋址。例如，在相同芯片的堆疊中，熔斷一個(gè)芯片上的特定層級(jí)處的熔絲將會(huì)導(dǎo)致所述堆疊中的其它芯片上的相同位置處的熔絲也被熔斷。這個(gè)問(wèn)題可以使用更復(fù)雜的金屬化圖案來(lái)解決，但是可以看出，整個(gè)結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性也明顯增加，并且這個(gè)方法是不會(huì)進(jìn)行的，因?yàn)橹谱髦兴褂玫难谀＝M很昂貴。此外，使用標(biāo)準(zhǔn)編程技術(shù)，可施加給編程信號(hào)的電壓或電流的量受到限制，這是因?yàn)榫幊淌菑恼嫔系囊r墊來(lái)進(jìn)行，所述襯墊不一定會(huì)緊靠待編程的元件，并且編程信號(hào)可能是通過(guò)很長(zhǎng)的信號(hào)路徑導(dǎo)體來(lái)傳導(dǎo)到可編程元件。這通常會(huì)導(dǎo)致不完全或無(wú)效的編程，因?yàn)槭┘又付ǖ木幊屉妷夯螂娏骺赡懿蛔阋允箤?duì)應(yīng)的可編程元件改變狀態(tài)。系統(tǒng)芯片(SOC)產(chǎn)品使用熔絲和PROM來(lái)對(duì)功能性編程，實(shí)現(xiàn)冗余，或用于產(chǎn)品標(biāo)識(shí)和序列化。預(yù)期三維(3D)產(chǎn)品對(duì)產(chǎn)品定制和/或冗余/修復(fù)方案的需求將會(huì)增加，這在I/O需求方面將會(huì)伴隨著高價(jià)格。因此，需要一種可用來(lái)實(shí)現(xiàn)裝置編程的結(jié)構(gòu)以及方法，其可容易地對(duì)芯片上的可編程元件進(jìn)行編程并且允許使用較少的結(jié)合襯墊空間。

發(fā)明內(nèi)容
揭示具有襯底的一種集成電路實(shí)施例的實(shí)例，所述襯底有正面和背面。至少一個(gè)可編程元件例如熔絲、反熔絲、PR0M、RRAM、MRAM等位于正面上，且貫穿所述襯底的通孔使得可以從背面接近正面上的可編程元件，其中所述可編程元件可通過(guò)從背面選擇性地施加到導(dǎo)體上的電壓、電流或編程刺激來(lái)編程。襯底可為(例如)硅，且通孔可為(例如)TSV。一種用于定制集成電路的方法的實(shí)施例的實(shí)例包含提供具有正面和背面的襯底。貫穿襯底來(lái)形成通孔以使得可以從背面接近正面上的可編程元件，例如熔絲、反熔絲、PR0M、RRAM、MRAM等，且從背面對(duì)導(dǎo)體施加編程刺激以對(duì)可編程元件進(jìn)行編程以建立集成電路的功能性，例如配置或修復(fù)。襯底可為硅，且通孔可為T(mén)SV。一種用于定制集成電路的方法的實(shí)施例的另一實(shí)例包含提供具有正面和背面的襯底。貫穿襯底來(lái)形成通孔以使得可以從背面接近正面上的可編程元件，例如熔絲、反熔絲、PR0M、RRAM、MRAM等。從背面對(duì)導(dǎo)體施加編程刺激以對(duì)可編程元件進(jìn)行編程以使集成電路唯一化。襯底可為硅，且通孔和導(dǎo)體可為T(mén)SV。集成電路可(例如)通過(guò)創(chuàng)建所述集成電路的序列化或標(biāo)識(shí)來(lái)唯一化。一種用于制造集成電路產(chǎn)品的方法的實(shí)施例的實(shí)例包含在襯底的正面上形成集成電路元件，包含可編程元件，例如熔絲、PR0M、RRAM、MRAM等。通孔是從襯底的正面穿過(guò)襯底延伸到襯底的背面來(lái)形成。在正面和背面上形成金屬化跡線以建立從背面穿過(guò)通孔到達(dá)正面上的可編程元件中的至少一些可編程元件的傳導(dǎo)路徑。對(duì)背面的金屬化跡線中的至少一些施加編程刺激以對(duì)正面的可編程元件中的至少一些進(jìn)行編程。揭示一種通過(guò)某工藝制造的集成電路產(chǎn)品的實(shí)例，所述工藝包含提供具有正面和背面的襯底，以及在襯底中形成通孔以提供從背面到正面上的可編程元件的電連接。對(duì)通孔進(jìn)行布置，使得可通過(guò)從所述背面對(duì)通孔施加編程刺激來(lái)對(duì)可編程元件進(jìn)行編程以建立所述集成電路的功能性。一種集成電路的另一實(shí)例包含用于在襯底的正面上提供可編程元件的裝置以及用于建立從襯底的正面延伸到背面的通孔的裝置。所述通孔經(jīng)過(guò)布置，以使得能夠通過(guò)從背面對(duì)通孔施加編程刺激來(lái)對(duì)可編程元件進(jìn)行編程以建立所述集成電路的功能性。


圖1是半導(dǎo)體芯片的一部分的剖切側(cè)視圖，說(shuō)明了使用TSV從芯片的背面對(duì)正面的可編程兀件進(jìn)行編程。
圖2是展示用于定制集成電路的方法中的步驟的流程圖，所述集成電路具有在半導(dǎo)體芯片的正面上的元件，所述元件可使用背面的TSV觸點(diǎn)來(lái)進(jìn)行編程。圖3是展示用于制造一類(lèi)集成電路產(chǎn)品的方法的流程圖，該類(lèi)集成電路產(chǎn)品具有在半導(dǎo)體芯片的正面上的元件，所述元件可使用背面的TSV觸點(diǎn)來(lái)進(jìn)行編程。并且，圖4是本文所述的類(lèi)型的集成電路可并入其中的各種環(huán)境(包含無(wú)線通信系統(tǒng))的說(shuō)明。在圖式的各圖中，相同的參考數(shù)字用以表示相同或相似的部分。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參看圖1，在圖1中展示了一種集成電路結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例10的實(shí)例，在這種集成電路結(jié)構(gòu)中可實(shí)現(xiàn)背面TSV編程。請(qǐng)注意，盡管就穿硅通孔或TSV來(lái)描述說(shuō)明性實(shí)施例10，但是不希望所述實(shí)例限于硅襯底或TSV，而是可同等地有利地以其它半導(dǎo)體工藝、材料等等來(lái)實(shí)踐。舉例來(lái)說(shuō)，襯底14可以是任何適當(dāng)?shù)囊r底材料，例如砷化鎵、磷化銦、硅鍺、銦鎵砷、玻璃上硅、藍(lán)寶石上硅、陶瓷上硅、玻璃、藍(lán)寶石、陶瓷、層壓物、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂(BT)、FR4、環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂共混物等等。另外，雖然在所說(shuō)明實(shí)施例中描述了 TSV，但是可使用與襯底材料相容的任何合適通孔。詞語(yǔ)“實(shí)例”或“示范性”用來(lái)表示“充當(dāng)其余者的例子、示例、性質(zhì)、或特征”。本文中描述為“實(shí)例”或“示范性”的任何實(shí)施例不一定被理解為比其它實(shí)施例優(yōu)選或有利。圖1中說(shuō)明的實(shí)施例10展示了半導(dǎo)體襯底14的剖切部分，所述半導(dǎo)體襯底可為硅，例如具有貫穿其的穿硅通孔或TSV16和18。每一 TSV都包含導(dǎo)體，例如鎢、鋁、銅等，所述導(dǎo)體具有低電阻(通常小于I歐姆)以及高的電壓和電流承載容量，形成于在襯底14的正面22與背面24之間延伸的相應(yīng)襯底穿孔中。TSV還可用多晶硅導(dǎo)體來(lái)建構(gòu)。TSV可形成于可建立電傳導(dǎo)路徑的任何位置中。舉例來(lái)說(shuō)，TSV16和18經(jīng)形成以使得能夠建立從襯底14的背面24到襯底14的正面22上的可編程元件20的電傳導(dǎo)路徑，如下文更詳細(xì)描述。應(yīng)注意，術(shù)語(yǔ)“正面”和“背面”無(wú)意一定指示在實(shí)踐中實(shí)際表面或襯底側(cè)的方向或定向，而是僅意在識(shí)別圖中所說(shuō)明的表面或側(cè)。術(shù)語(yǔ)“正面”在本文中指代晶圓接受標(biāo)準(zhǔn)裝置工藝步驟(例如晶體管、有源和無(wú)源裝置、金屬層級(jí)Cu或Al側(cè)面互連等的制作)的那一側(cè)。術(shù)語(yǔ)“背面”在本文中指代與正面相對(duì)的那一側(cè)。存在用于形成TSV的許多種方法。在一種方法中，在其它工藝(例如有源裝置制作和金屬化工藝)之前，先貫穿襯底形成TSV。根據(jù)這種方法，通孔是從正面僅部分穿入襯底中來(lái)形成。稍后，從背面對(duì)襯底進(jìn)行薄化或研磨以露出通孔。根據(jù)另一種方法，在有源裝置已制作好并且其它后端或結(jié)合工藝已完成之后，再來(lái)形成通孔。舉例來(lái)說(shuō)，在這種方法中，通孔是在晶圓已薄化之后再?gòu)木A的背面來(lái)形成。根據(jù)又一種方法，在制作晶體管之后并且在制作布線或互連之前，形成TSV。因此，在襯底上形成晶體管和其它裝置之后，可形成部分穿入襯底的TSV。接著，可執(zhí)行薄化工藝以使TSV從晶圓的背面露出，從而完成TSV建構(gòu)。應(yīng)了解，在晶圓加工期間有很多時(shí)候都可以形成TSV，但是最終結(jié)果要使得能從晶圓的背面接近TSV，且根據(jù)本文描述的實(shí)施例，關(guān)于采用哪種TSV制作方法并無(wú)其它限制。至少一個(gè)可編程元件或裝置20形成于襯底14的正面?？删幊淘?0可為(例如)熔絲、反熔絲、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)等。請(qǐng)注意，本實(shí)施例中所涵蓋的可編程元件20是以下類(lèi)型的，S卩，會(huì)影響形成于襯底14中的集成電路的結(jié)構(gòu)、功能性或配置，或者會(huì)使襯底自身唯一化，例如通過(guò)序列化設(shè)計(jì)、襯底堆疊中的3D層級(jí)標(biāo)識(shí)等等來(lái)實(shí)現(xiàn)。可編程元件并不既定是可作為集成電路的正常操作的一部分來(lái)編程的類(lèi)型的，所述可編程元件是所述集成電路的一部分。舉例來(lái)說(shuō)，功能性實(shí)例可包含啟用用于高價(jià)部分的電路塊、停用用于低價(jià)部分的電路塊、制造性能較佳或較弱的部分、針對(duì)世界上的不同地區(qū)提供不同的功能性(例如)以遵守規(guī)章制度的要求，等等。襯底14的正面22上的傳導(dǎo)觸點(diǎn)或襯墊26和28的一側(cè)連接到可編程元件20且其另一側(cè)連接到相應(yīng)TSV16和18。襯墊26和28可以是形成于襯底14上的金屬化跡線(例如鋁、銅、鎢等第一層級(jí)金屬(Ml))的一部分。當(dāng)然，襯墊26和28可在其它金屬化層的加工期間形成。以類(lèi)似方式，襯底14的背面24上的平坦傳導(dǎo)觸點(diǎn)或襯墊30和32連接到相應(yīng)TSV16和18以輔助建立到通孔和正面可編程元件的編程接觸。襯墊30和32還可以是形成于襯底14上的金屬化跡線或其它導(dǎo)體(例如摻雜多晶硅等)的一部分。在一些實(shí)施例中，可未必采用平坦傳導(dǎo)觸點(diǎn)或襯墊30和32，而是，可(例如)通過(guò)探針或釘子直接進(jìn)行從襯底14的背面到TSV的編程接觸。在需要時(shí)，例如通過(guò)傳導(dǎo)探針或觸點(diǎn)36和38將來(lái)自電壓、電流或其它編程刺激源34的編程刺激施加到背面襯墊30和32來(lái)對(duì)可編程元件20進(jìn)行編程。關(guān)于可何時(shí)對(duì)可編程元件20進(jìn)行編程基本上不存在限制，只要加工已進(jìn)行到露出TSV的程度便可。舉例來(lái)說(shuō)，可編程元件可在個(gè)別芯片或裸片裂出之前、在芯片或裸片級(jí)期間、在組裝之前，或在組裝級(jí)之后被編程，如果傳導(dǎo)探針或觸點(diǎn)36和38仍可接近背面TSV襯墊的話。當(dāng)然，可間接地接近TSV，例如通過(guò)插入件、來(lái)自另一芯片層級(jí)的中間布線、封裝引腳，封裝襯底或其它裝置。應(yīng)理解，雖然在圖1中只展示了單個(gè)可編程元件20，但是典型的可配置集成電路產(chǎn)品可具有數(shù)十到數(shù)百個(gè)可編程元件。實(shí)際上，本文描述的實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是借助可放置在襯底14的背面上的基本上任何地方的TSV，可采用幾乎任何數(shù)目的可編程元件，僅受限于可用于容納可編程元件的襯底14的正面空間。此外，因?yàn)榭蓮谋趁娼咏黅SV，所以有可能減少正面上的結(jié)合襯墊的數(shù)目，這可導(dǎo)致芯片或裸片的尺寸減小。另外，一些可編程裝置可允許處在禁用區(qū)(TSV周?chē)囊话悴辉试S存在電路的區(qū)域)中，從而進(jìn)一步減小區(qū)域影響且減小最終集成電路的尺寸。因此，根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施例，可使用穿硅通孔(TSV)從晶圓的背面接近可編程裝置，例如熔絲、反熔絲、PROM、RRAM、MRAM等。與TSV的接觸可以是與傳導(dǎo)“釘子”的直接接觸，或?qū)τ谳^大的接觸區(qū)域使用晶圓的背面上的銅、鋁、鎢或其它傳導(dǎo)材料的襯墊，如所示。與在傳統(tǒng)上用于可編程電路配置的正面輸A/輸出(I/O)襯墊相比,TSV具有大的電壓和電流承載容量。這使得能夠使用與在過(guò)去使用是受限的那些可編程裝置不同類(lèi)型的可編程裝置。由于正面I/O襯墊的減少或不需要，可存在大幾個(gè)數(shù)量級(jí)的數(shù)目的可編程元件。TSV放置比I/O放置更靈活，從而允許更容易地接近電路元件。TSV可放置在裸片上的幾乎任何位置處，從而允許方便地接近所有電路和塊。
通過(guò)使用利用TSV的背面編程來(lái)進(jìn)行功能性配置，可以對(duì)預(yù)制的集成電路進(jìn)行許多類(lèi)型的修改。TSV可編程性將允許改變個(gè)別TSV的用途以支持產(chǎn)品定制或不同組件在“母裸片”上的堆疊(例如通過(guò)對(duì)母裸片進(jìn)行編程以允許與不同的堆疊組件一起使用)。背面TSV觸點(diǎn)可用以接近襯底中的熔絲或其它可編程元件以實(shí)現(xiàn)修復(fù)或冗余、啟用或停用功能性、提供產(chǎn)品序列化、實(shí)現(xiàn)堆疊選項(xiàng)等等。作為許多實(shí)例之一，這使得能夠支持多個(gè)DRAM供應(yīng)商。請(qǐng)注意，背面TSV觸點(diǎn)可為犧牲的，即，僅用于編程?；蛘?，背面TSV觸點(diǎn)可用以確定堆疊產(chǎn)品中的TSV的功能性。此外，TSV以及其關(guān)聯(lián)“禁用區(qū)”小于I/O襯墊?，F(xiàn)在另外參看圖2，在圖2中展示了用于使用此TSV方法定制集成電路的方法100的實(shí)施例。所述方法包含提供102具有正面和背面的襯底。貫穿襯底來(lái)形成104通孔以使得可以從襯底的背面接近以接觸襯底的所述正面上的可編程元件，例如熔絲、反熔絲、PR0M、RRAM、MRAM等。從襯底的背面對(duì)導(dǎo)體施加106編程刺激，例如電壓或電流，來(lái)對(duì)可編程元件進(jìn)行編程以建立集成電路的功能性、序列化或唯一化。功能性還可包含(例如)集成電路的修復(fù)。現(xiàn)在另外參看圖3，在圖3中說(shuō)明了用于制造集成電路產(chǎn)品的實(shí)施例150。方法150包含在襯底的正面上形成集成電路元件，所述集成電路元件包含可編程元件。形成154從襯底的正面穿過(guò)襯底延伸到襯底的背面的通孔(其可為T(mén)SV)。在襯底的背面上形成158金屬化跡線以建立從襯底的背面穿過(guò)通孔到達(dá)至少可編程元件的傳導(dǎo)路徑。對(duì)背面的金屬化跡線中的至少一些施加160編程刺激以對(duì)可編程元件中的至少一些進(jìn)行編程。取決于工藝，如由箭頭155所指示，可在形成通孔之前或之后對(duì)襯底進(jìn)行薄化156。舉例來(lái)說(shuō)，在一些工藝中，可先僅部分延伸到襯底中來(lái)形成通孔，之后再?gòu)谋趁鎸?duì)襯底進(jìn)行后續(xù)的薄化以露出通孔。在其它工藝中，可先對(duì)襯底進(jìn)行薄化，之后再建構(gòu)通孔，所述通孔完全延伸穿過(guò)襯底以便可從襯底的背面接近?，F(xiàn)在另外參看圖4，在圖4中展示了示范性無(wú)線通信系統(tǒng)200，在所述系統(tǒng)中，可有利地采用本文描述的類(lèi)型的集成電路的實(shí)施例。為進(jìn)行說(shuō)明，圖4展示了遠(yuǎn)程單元220、222和224，以及兩個(gè)基站228。當(dāng)然，典型的無(wú)線通信系統(tǒng)可具有更多的遠(yuǎn)程單元和基站。遠(yuǎn)程單元220、222和224中的任一者以及基站228可包含本文描述的類(lèi)型的集成電路。圖4展示了從基站228到遠(yuǎn)程單元220、222和224的前向鏈路信號(hào)230，以及從遠(yuǎn)程單元220、222和224到基站228的反向鏈路信號(hào)232。在圖4中，遠(yuǎn)程單元220被展示為移動(dòng)電話，遠(yuǎn)程單元222被展示為便攜式計(jì)算機(jī)，遠(yuǎn)程單元224則被展示為在無(wú)線本地環(huán)路系統(tǒng)中(例如在房屋229或其它結(jié)構(gòu)中)的固定位置遠(yuǎn)程單元。舉例來(lái)說(shuō)，遠(yuǎn)程單元可為手機(jī)、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元、例如個(gè)人數(shù)據(jù)助理等便攜式數(shù)據(jù)單元，或例如儀表讀取設(shè)備等固定位置數(shù)據(jù)單元。雖然圖4說(shuō)明了可包含本文描述的類(lèi)型的集成電路的某些示范性遠(yuǎn)程單元，但是所述集成電路不限于這些所說(shuō)明的示范性遠(yuǎn)程單元。本文描述的類(lèi)型的一個(gè)或一個(gè)以上集成電路可適合用于任何電子裝置中。舉例來(lái)說(shuō)，所述電子裝置還可為機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、計(jì)算機(jī)、便攜式數(shù)據(jù)單元、固定位置數(shù)據(jù)單元等，如圖4的框240中所示。其它合適的電子裝置是歧管。已相對(duì)于各種裝置或元件描述了電連接、耦合和連接。連接和耦合可以是直接或間接的。第一與第二電裝置之間的連接可以是直接電連接或可以是間接電連接。間接電連接可包含介入元件，所述介入元件可處理從第一電裝置到第二電裝置的信號(hào)。雖然已在某種程度上具體地描述并說(shuō)明了本發(fā)明，但是應(yīng)理解，本揭示僅是舉例為之，且在不脫離如下文所主張的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)零件的組合和布置進(jìn)行多種修改。
權(quán)利要求
1.一種集成電路，其包括: 襯底，其具有正面和背面； 在所述正面上的可編程元件；以及 在所述襯底中的接觸所述可編程元件的通孔，其中所述可編程元件可通過(guò)從所述襯底背面選擇性地施加到所述通孔的編程刺激來(lái)進(jìn)行編程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述可編程元件是反熔絲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述可編程元件是熔絲。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其中所述熔絲是多晶硅熔絲。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其中所述熔絲是金屬熔絲。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述可編程元件是PROM。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述可編程元件是RRAM。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述可編程元件是MRAM。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其進(jìn)一步包括在所述背面上的傳導(dǎo)層以方便連接到所述通孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中所述傳導(dǎo)層是銅。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中所述傳導(dǎo)層是鎢。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中所述傳導(dǎo)層是鋁。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中所述傳導(dǎo)層是金屬化層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述襯底是選自由以下各項(xiàng)組成的群組中的材料:砷化鎵、磷化銦、硅鍺、銦鎵砷、玻璃上硅、藍(lán)寶石上硅、陶瓷上硅、玻璃、藍(lán)寶石、陶瓷、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂BT、FR4、環(huán)氧樹(shù)脂，以及環(huán)氧樹(shù)脂。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述襯底是硅。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述通孔是TSV。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其中所述集成電路集成到選自由以下各項(xiàng)組成的群組的裝置中:移動(dòng)電話、機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、計(jì)算機(jī)、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)PCS單元、便攜式數(shù)據(jù)單元，以及固定位置數(shù)據(jù)單元。
18.一種通過(guò)以下工藝制造的集成電路產(chǎn)品，所述工藝包括: 提供具有正面和背面的襯底； 在所述襯底中形成通孔以提供從所述背面到所述正面上的可編程元件的電連接，其中所述可編程元件可通過(guò)從所述背面對(duì)所述通孔施加編程刺激來(lái)進(jìn)行編程以建立所述集成電路的功能性。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路產(chǎn)品，其中所述提供襯底包括提供硅襯底，且所述形成通孔包括形成TSV。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路產(chǎn)品，其中所述提供襯底包括提供選自由以下各項(xiàng)組成的群組中的材料的襯底:砷化鎵、磷化銦、硅鍺、銦鎵砷、玻璃上硅、藍(lán)寶石上硅、陶瓷上硅、玻璃、藍(lán)寶石、陶瓷、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂BT、FR4、環(huán)氧樹(shù)脂，以及環(huán)氧樹(shù)脂。
21.一種用于定制集成電路的方法，其包括: 提供具有正面和背面的襯底； 貫穿所述襯底形成通孔以提供從所述背面到所述正面上的可編程元件的電連接；以及從所述背面對(duì)所述通孔施加編程刺激以對(duì)所述可編程元件進(jìn)行編程以建立所述集成電路的功能性。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述可編程元件是熔絲。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述可編程元件是反熔絲。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述可編程元件是PROM。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述可編程元件是RRAM。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述可編程元件是MRAM。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述提供襯底包括提供硅襯底。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述形成通孔包括在所述硅襯底中形成TSV。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述集成電路的所述功能性包含所述集成電路的修復(fù)。
30.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述集成電路的所述功能性包含所述集成電路的配置。
31.一種用于定制集成電路的方法，其包括: 提供具有正面和背面的襯底； 貫穿所述襯底形成通孔以提供從所述背面到所述正面上的可編程元件的電連接； 以及從所述背面對(duì)所述導(dǎo)體施加編程刺激以對(duì)所述可編程元件進(jìn)行編程以使所述集成電路唯一化。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述可編程元件是熔絲。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述可編程元件是反熔絲。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述可編程元件是PROM。
35.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述可編程元件是RRAM。
36.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述可編程元件是MRAM。
37.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述提供襯底包括提供硅襯底。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述形成通孔和形成導(dǎo)體包括在所述硅襯底中形成TSV。
39.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述提供襯底包括提供選自由以下各項(xiàng)組成的群組中的材料的襯底:砷化鎵、磷化銦、硅鍺、銦鎵砷、玻璃上硅、藍(lán)寶石上硅、陶瓷上硅、玻璃、藍(lán)寶石、陶瓷、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂BT、FR4、環(huán)氧樹(shù)脂，以及環(huán)氧樹(shù)脂。
40.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述施加編程刺激以對(duì)所述可編程元件進(jìn)行編程以使所述集成電路唯一化包括創(chuàng)建所述集成電路的序列化。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中所述施加編程刺激以對(duì)所述可編程元件進(jìn)行編程以使所述集成電路唯一化包括創(chuàng)建所述集成電路的標(biāo)識(shí)。
42.一種用于制造集成電路產(chǎn)品的方法，其包括: 在襯底的正面上形成集成電路元件，所述集成電路元件包含可編程元件； 從正面到背面貫穿所述襯底形成通孔以建立從所述背面到所述可編程元件中的至少一些的傳導(dǎo)路徑；以及 從所述背面對(duì)所述通孔中的至少一些施加編程刺激以對(duì)所述可編程元件中的至少一些進(jìn)行編程。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中所述可編程元件是熔絲。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中所述可編程元件是反熔絲。
45.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中所述可編程元件是PROM。
46.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中所述可編程元件是RRAM。
47.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中所述可編程元件是MRAM。
48.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中所述提供襯底包括提供選自由以下各項(xiàng)組成的群組中的材料的襯底:砷化鎵、磷化銦、硅鍺、銦鎵砷、玻璃上硅、藍(lán)寶石上硅、陶瓷上硅、玻璃、藍(lán)寶石、陶瓷、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂BT、FR4、環(huán)氧樹(shù)脂，以及環(huán)氧樹(shù)脂。
49.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中所述襯底是硅，且所述形成通孔包括形成TSV。
50.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中所述形成所述通孔包括形成所述通孔使之部分延伸到所述襯底的所述正面中且隨后對(duì)所述襯底進(jìn)行薄化以使所述通孔從所述背面露出。
51.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中所述形成所述通孔包括對(duì)所述襯底進(jìn)行薄化且隨后形成所述通孔使之延伸穿過(guò)所述襯底。
52.—種集成電路，其包括: 用于在襯底的正面上提供可編程元件的裝置；以及 用于建立從所述襯底的所述正面延伸到背面的通孔的裝置，所述通孔經(jīng)布置以使得能夠通過(guò)從所述背面對(duì)所述通孔施加編程刺激來(lái)對(duì)所述可編程元件進(jìn)行編程以建立所述集成電路的功能性。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的集成電路，其中所述用于提供可編程元件的裝置包括用于形成熔絲的裝置。
54.根據(jù)權(quán)利要求52所述的集成電路，其中所述用于提供可編程元件的裝置包括用于形成反熔絲的裝置。
55.根據(jù)權(quán)利要求52所述的集成電路，其中所述用于提供可編程元件的裝置包括用于形成PROM的裝置。
56.根據(jù)權(quán)利要求52所述的集成電路，其中所述用于提供可編程元件的裝置包括用于形成RRAM的裝置。
57.根據(jù)權(quán)利要求52所述的集成電路，其中所述用于提供可編程元件的裝置包括用于形成MRAM的裝置。
58.根據(jù)權(quán)利要求52所述的集成電路，其中所述襯底是硅襯底，且所述用于建立通孔的裝置包括用于建立TSV的裝置。
59.根據(jù)權(quán)利要求52所述的集成電路，其中所述襯底是選自由以下各項(xiàng)組成的群組中的材料:砷化鎵、磷化銦、硅鍺、銦鎵砷、玻璃上硅、藍(lán)寶石上硅、陶瓷上硅、玻璃、藍(lán)寶石、陶瓷、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂BT、FR4、環(huán)氧樹(shù)脂，以及環(huán)氧樹(shù)脂。
60.根據(jù)權(quán)利要求52所述的集成電路，其中所述集成電路集成到選自由以下各項(xiàng)組成的群組的裝置中:移動(dòng)電話、機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、計(jì)算機(jī)、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)PCS單元、便攜式數(shù)據(jù)單元，以及固定位置數(shù)據(jù)單元。
全文摘要
揭示了一種集成電路、一種用于制造集成電路產(chǎn)品的方法，以及用于定制集成電路的方法。在襯底的正面上形成集成電路元件，包含可編程元件，例如熔絲、PROM、RRAM、MRAM等。從襯底的正面到襯底的背面貫穿襯底形成通孔以建立從所述背面到所述可編程元件中的至少一些的傳導(dǎo)路徑。從所述背面對(duì)所述通孔中的至少一些施加編程刺激以對(duì)所述正面可編程元件中的至少一些進(jìn)行編程。
文檔編號(hào)G11C17/16GK103189973SQ201180053068
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月4日
發(fā)明者丹尼爾·W·佩里, 時(shí)群·薩姆·顧 申請(qǐng)人:高通股份有限公司