專(zhuān)利名稱(chēng)：可改善抹除操作特性的非易失性存儲(chǔ)元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種非易失性存儲(chǔ)元件，且特別是有關(guān)于種可改抹除操作特性的非易失性存儲(chǔ)元件北 冃學(xué)技術(shù)巨、z -刖的電子組件通常是以非易失性儲(chǔ)存元件來(lái)儲(chǔ)存大量的數(shù)據(jù)舉例來(lái)說(shuō)，移動(dòng)電話可以接收和儲(chǔ)存影像，再轉(zhuǎn)移到它的元件所取得的信息可以儲(chǔ)存在一個(gè)或是多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件中為能處理和儲(chǔ)存這一勝信息，儲(chǔ)存元件的形式通常必須有能夠?qū)⒋鎯?chǔ)單元陣列中的儲(chǔ)存比特程序化或抹除的功用常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)現(xiàn) 益是一種可以在個(gè)存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存兩個(gè)比特的儲(chǔ)存電荷捕捉存儲(chǔ)器圖1是公知種電荷捕捉存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)單元100的剖面示思圖。電荷捕捉存儲(chǔ)單元100包括一層位于源極120、漏極130以及溝道層140上方的薄氧化物/氮化物/氧化物(0N0)層110 。柵極層1 5 0則是形成在0N0層1 1 0上方。此存儲(chǔ)單元 可以形成 一 個(gè)金氧半場(chǎng)效晶體管(M0SFET)。因此，對(duì) 存儲(chǔ)單元l 0 0來(lái)說(shuō)，數(shù)據(jù)可以以電荷的形式儲(chǔ)存在 MOSFET的溝道層1 4 0邊緣上方的ONO層1 1 0之中。將電荷捕捉存儲(chǔ)單元1 o o程序化的方法可以通過(guò)將溝道執(zhí)電子(CHE)注入于ONO層1 1 0的方式來(lái)施行的抹除的操作可以經(jīng)由帶至帶遂穿所產(chǎn)生的執(zhí) 八"電洞注入HHI)于 ONO層1 1 0的方式來(lái)施行的而當(dāng)所讀取的對(duì)象與程序化操作相反時(shí)，讀取存在電荷捕捉存儲(chǔ)單元1 0 0的數(shù)據(jù)，則可以通過(guò)感應(yīng)來(lái)白漏極以及源極的電流來(lái)讀取儲(chǔ)存在ONO層1 1 0中的電荷由于電荷可儲(chǔ)存在溝道層1 4 0的兩個(gè)接合邊緣上的ONO層1 1 Q中，因此，存儲(chǔ)單元1 0 0可儲(chǔ)存兩個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)與存儲(chǔ)單元10 0相關(guān)的晶體管具有臨界電壓，可允許電荷載子如電洞或電子由信道層140移動(dòng)到ONO層1 1 0。在進(jìn)行程序化操作時(shí)，當(dāng)電子注入于存儲(chǔ)單元1 o0時(shí)，存儲(chǔ)單元1 0 0的臨界電壓增加另 一 方面，在進(jìn)行抹除操作時(shí)，當(dāng)電洞注入于存儲(chǔ)單元1 0 0時(shí)，電子或負(fù)電荷載子減少，存儲(chǔ)單元100的臨界電壓下降。圖2顯示公知一種電荷捕捉存儲(chǔ)單元1 o 0的比特在包含程序化與抹除操作的 循環(huán)的臨界電壓分布示意圖。圖中的橫軸為臨界電壓Vt分布。請(qǐng)參照?qǐng)D2 ，在程序化階段的存儲(chǔ)元件，3存儲(chǔ)單元在開(kāi)始時(shí)具有較低的Vt分布，然后再發(fā)展為較高的Vt分布。相反地，在抹除階段的存儲(chǔ)單元組件，存儲(chǔ)單元由較高的Vt分布回復(fù)到較低的Vt分布，這是因?yàn)殡娮踊蜇?fù)電荷載子減少之故。EV表示電荷捕捉存儲(chǔ)單元的比特的抹除驗(yàn)證電壓值。PV表示電荷捕捉存儲(chǔ)單元比特的程序化驗(yàn)證電壓值；RD表示電荷捕捉存儲(chǔ)單元比特的 然而，公知讀取電壓值。 以熱電洞注入(HH I )技術(shù)來(lái)進(jìn)行抹除操作的電荷捕捉存儲(chǔ)元件卻有 一 些缺點(diǎn)。此技術(shù)會(huì)使得執(zhí)電洞電荷陷于0N0層中，導(dǎo)致室溫(RT)漂移以及電荷漏失，而造成臨界電壓的變動(dòng)。RT漂移，是因?yàn)樵谀ǔ龝r(shí)，存儲(chǔ)單元感應(yīng)室溫造成二比特電荷捕捉存儲(chǔ)單元的臨界電壓漂移所致。這種漂移將會(huì)影響儲(chǔ)存在存儲(chǔ)單元中數(shù)據(jù)的可靠度。電荷漏失或是保持漏失retentionloss)將使得存儲(chǔ)單元的比特的臨界電壓隨著時(shí)間而改變。存儲(chǔ)單元的臨界電壓vt會(huì)因?yàn)?N0層的中所捕捉的電荷的重新分布redistribution)改變，而導(dǎo)致讀取錯(cuò)誤。因此，目前需要 一 種改良的非易失性存儲(chǔ)元件其可以在進(jìn)行抹除操作時(shí)克服上述缺陷。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的， 一 方面，本發(fā)明提供 一 種對(duì)具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)元件進(jìn)行抹除操作的方法。此方法是將至少 一 個(gè)在程序化之前在 一 抹除階段胃有在第 一 區(qū)的臨界電壓值的存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后具有在一第二區(qū)的臨界電壓值，中該第二區(qū)的臨界電壓高于該第一區(qū)的臨界電壓在另一方面，本發(fā)明提供 一 種非易失性存儲(chǔ)單元。此非易失性存儲(chǔ)單元包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，各存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)可至少儲(chǔ)存 一 儲(chǔ)存比特。此存儲(chǔ)器還包括多個(gè)用以程序化至少一存儲(chǔ)單元的裝置，該存儲(chǔ)單元在程序化之.、/ ■> 刖在一抹除階段具有在一第一區(qū)的臨界電壓值，且在程序化之后具有在一第二區(qū)的臨界電壓值，中該第二區(qū)的臨界電壓高于該第 一 區(qū)的臨界電壓c在又一方面，本發(fā)明提供 一 種對(duì)具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)元件進(jìn)行抹除操作的方法。此方法包括進(jìn)行N次循環(huán)，各循環(huán)包括 一 程序化階段與一抹除階段，且其中N是大于1的整數(shù)。進(jìn)行各所述的第N次循環(huán)包括選擇 一 第 一 組存儲(chǔ)單元用于程序化階段，以及選擇第二組存儲(chǔ)單元用于抹除階段；該第 一 組與該第組的存儲(chǔ)單元開(kāi)始具有在第 一 臨界電壓值的臨界電壓程序化該第一組存儲(chǔ)單元，使其臨界電壓值增加為第二臨界電壓值；以及程序化該第二組存儲(chǔ)單元，使臨界電壓值增加為一 第二臨界電壓值。員體地說(shuō)，本發(fā)明提供的進(jìn)行抹除操作的方法，適用于員有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)元件，包括在抹除階段，將至少一個(gè)在一第 一 區(qū)的臨界電壓值的存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后具有在第—區(qū)的臨界電壓值，其中該第二區(qū)的臨界電壓?jiǎn)J于該第區(qū)的臨界電壓。所述的進(jìn)行抹除操作的方法，其中還包括將至少個(gè)員有在該第二區(qū)的臨界電壓值的 一 存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后具有在 一 第三區(qū)的臨界電壓值，中該第三區(qū)的臨界電壓高于該第二區(qū)的臨界電壓所述的進(jìn)行抹除操作的方法，其中還包括將在程序化之前具有在該第一區(qū)的 一 存儲(chǔ)單元的第讀取電壓值調(diào)整為在程序化之后具有在該第二區(qū)的—第讀取電壓值。所述的進(jìn)行抹除操作的方法，其中還包括將在程序化之前具有在該第一區(qū)的 一 存儲(chǔ)單元的一第 一 程序化驗(yàn)證電壓值調(diào)整為在程序化之后具有在該第二區(qū)的 一 第二程序化驗(yàn)證電壓值。所述的進(jìn)行抹除操作的方法，其中將該至少 一 存 儲(chǔ)單元程序化的方法包括將電子注入于該存儲(chǔ)單元 中，以使該存儲(chǔ)單元的臨界電壓值增加。本發(fā)明提供的 一 種非易失性存儲(chǔ)器，包括 多數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元，各存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)可至少儲(chǔ)存 一儲(chǔ)存比特；以及多數(shù)個(gè)用以程序化至少一存儲(chǔ)單元的裝置，在一抹除階段，該存儲(chǔ)單元在程序化之前具有在一第一區(qū)的臨界電壓值，在程序化之后具有在一第二區(qū)的臨界電壓值，中該第區(qū)的臨界電壓高于該第 一 區(qū)的臨界電壓。所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中還包括多數(shù)個(gè)裝置，在抹除階段，用以將至少一個(gè)在程序化之前具有在該第區(qū)的臨界電壓值的一存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后員有在一第三區(qū)的臨界電壓值，其中該第二區(qū)的臨界電壓?jiǎn)J于該第二區(qū)的臨界電壓。所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中還包括多數(shù)個(gè)裝置，用以將在程序化之..、/ -目IJ員有在該第 一 區(qū)的臨界電壓的一存儲(chǔ)單元的第讀取電壓值調(diào)整為在程序化之后具有在該第一區(qū)的臨界電壓的該存儲(chǔ)單元的 一 第二讀取電壓值所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中還包括多數(shù)個(gè)裝置，用以將在程序化之jy一 刖員有在該第 一 區(qū)的臨界電壓的一存儲(chǔ)單元的第程序化驗(yàn)證電壓值調(diào)整為在程序化之后員有在該第一區(qū)的臨界電壓的該存儲(chǔ)單元的 一 第二程序化驗(yàn)證電壓值。所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中該用以程序化該至 少 一 存儲(chǔ)單元的裝置包括將電子注入于存儲(chǔ)單元使該 存儲(chǔ)單元臨界電壓增加的裝置。本發(fā)明提供的進(jìn)行抹除操作的方法，適用于具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)元件，包括進(jìn)行N次循環(huán)，各循環(huán)包括 一 程序化階段與 一 抹除階段，且其中N是大于1的整數(shù)，各該第N次循環(huán) 包括；選擇—第組存儲(chǔ)單元用于程序化階段，以及選擇一第—組存儲(chǔ)單元用于抹除階段; 該第一組與該第組的存儲(chǔ)單元開(kāi)始具有第一臨界電壓值;程序化該第組組存儲(chǔ)單元，使其臨界電壓值增加為一第一臨界電壓值；以及程序化該第—組組存儲(chǔ)單元，使其臨界電壓值增加為一 第二第 讀取臨 電界 壓電壓值，并將一第一讀取電壓調(diào)整為


為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉 一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下，其中圖1為公知 一 種電荷捕捉存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)單元的 剖面示意圖。圖2為公知 一 種電荷捕捉存儲(chǔ)單元的比特在包含 程序化與抹除操作的循環(huán)的臨界電壓分布示意圖。圖3為 一 種非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行抹除操作的方法 的流程圖實(shí)例。圖4為圖3的儲(chǔ)存比特在第n次循環(huán)的臨界電壓 的關(guān)系示意圖實(shí)例。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的實(shí)例將配合附圖詳述如下。圖中相同標(biāo) 記盡可能用來(lái)表示相同的對(duì)象。在 一 實(shí)例中說(shuō)明 一 種對(duì)具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易 失性存儲(chǔ)元件進(jìn)行抹除操作的方法。此方法是將至少由本發(fā)明的實(shí)施，在抹除操作時(shí)不需使用熱電洞 注入(HH I )，可以克服公知非易失性存儲(chǔ)元件室溫漂占〖缺電移個(gè)在程序化之前在 一 抹除階段具有在一第—— 區(qū)的臨界電壓值的存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后員有在一第二區(qū)的臨界電壓值，其中第一區(qū)的臨界電壓高于第 一 區(qū)的臨界電壓。抹除操作，是進(jìn)行存儲(chǔ)單元比特的程序化，使負(fù)電荷載子或電子注入于存儲(chǔ)單元，替代傳統(tǒng)將熱電洞注入存儲(chǔ)單元的方式。此方法可以避免熱電洞注入造成的室溫漂移以及電荷損失。以下的技術(shù)可以用于各種非易失性存儲(chǔ)組件，例如是硅/氧/氮化物/氧/硅(S0N0S)型存儲(chǔ)組件， 其包括電荷捕捉層，如圖1所示。要注意的是硅/氧/氮化物/氧/硅(S0N0S)型存儲(chǔ)組件也可以用帶隙加工硅-氧-氮化物-氧-硅(BE-S0N0S)型存儲(chǔ)組件取代每BE-S0N0S型存儲(chǔ)組件包括 一 多層介電結(jié)構(gòu)、氮化物層、氧化物層、以及 一 多晶硅層?？梢岳斫獾氖牵鄬咏殡妼涌砂ㄑ趸飳?、氮化物層、以及氧化物層根據(jù)本發(fā)明的 一 實(shí)施例，多層介電層中的氧化物層的厚度是小于2 0埃 (Angstrom)，較佳是介于5 -20埃之間，更佳是介于1 0-2 0埃之間，最佳是介于10 - 1 5埃之間且小于1 5埃。多層介電層中的氮物層的厚度是小于2 0埃，較佳是介于10 -.2 0埃之間。多層介電層中的氧化物層的厚度是小于2 0埃，較佳是介于10_ 2 i0埃之間，更佳是介于1 5-20埃之間。可以理解的是，此處多層介電結(jié)構(gòu)的各層厚度，可以由控制沉積制程而達(dá)成，并可依據(jù)不同應(yīng)用而做對(duì)應(yīng)的調(diào)整圖3為種非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行抹除操作的方法的流程圖300實(shí)例。為了避免模糊本發(fā)明，雖然未顯示出來(lái)，此技術(shù)可以存儲(chǔ)器中電路的框架或程序化來(lái)實(shí)施，以提供用以實(shí)施此處所述的抹除操作的裝置。在最初，存儲(chǔ)器是在一個(gè)或是多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行一抹除操作。在一些實(shí)例中，抹除操作是在第 一 組存儲(chǔ)單元上進(jìn)行程序化操作之后的 一 個(gè)循環(huán)中進(jìn)行的。在步驟312中，將抹除時(shí)的啟始電壓值低于vt(n )的存儲(chǔ)單元組的儲(chǔ)存比特程序化，以使其啟始電 壓值等于Vt(n)。變量n可以是從l開(kāi)始的整數(shù)；Vt(n)可以表示一組改變不同循環(huán) n的臨界電壓。在此 步驟中，將所指定的存儲(chǔ)單元中尚未程序化的那些儲(chǔ) 存比特程序化，以使其在n循環(huán)具有Vt ( n )的臨界電 壓。對(duì)電荷捕捉或SONOS存儲(chǔ)元件來(lái)說(shuō)，可以由將電 子注入ONO層的方式，例如，注入通道熱電子(CHE ) 的方式來(lái)施行的。在此種方法中，在所指定的存儲(chǔ)單 元組中的所有儲(chǔ)存比特將具有相同的臨界電壓值Vt(n)。因此，不需要采用會(huì)造成程序化的存儲(chǔ)單元的臨界電壓值減少的執(zhí)電洞注入(HHI)制程。在止 少驟3 14中，以 一 程序化驗(yàn)證電壓PV ( n )程序化驗(yàn)證步驟 312中被程序化的儲(chǔ)存比特。變量n可以是從i開(kāi)始的整數(shù)；PV(n)可以表示不同n循環(huán)的 一 組改變程序化驗(yàn)證電壓。例如，對(duì)第 一 循環(huán)而言，n等于l 。在步驟3 1 5中，若是儲(chǔ)存比特通過(guò)步驟314的驗(yàn)證則進(jìn)行判定。在 一 實(shí)例中，將各程序化的儲(chǔ)存比特的臨界電壓與適當(dāng)循環(huán)的PV (n)電壓比較。若是電壓相等或是實(shí)質(zhì)上相等，則判定儲(chǔ)存比特通過(guò)程序化驗(yàn)證，再進(jìn)行方法中的步驟3 16。若不是，則回到方法的步驟3 12。在步驟31 6中，調(diào)整讀取參考電流(用以讀取驗(yàn)證以及程序化參考電流(用以程序化驗(yàn)證)，以提供個(gè)新的讀取電壓RD ( n+ 1 )以及一個(gè)新的程序化驗(yàn)證電壓PV (n+ 1)。在此步驟中，提供該新的讀取以及驗(yàn)證電壓給在程序化步驟中臨界電壓增加的儲(chǔ)存比特在步驟31 6之后，對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀取操作步驟319程序化操作步驟3 2 9以及抹除操作步驟 32 1 。在步驟31 9中，開(kāi)始讀取操作，然后步驟320以新的讀取電壓RD "+ 1讀取儲(chǔ)存比特之后，持續(xù)進(jìn)行此方法，開(kāi)始進(jìn)行抹除步驟321或程序化步驟329 。在步驟3 2 9中，開(kāi)始進(jìn)行程序化操作，接著，將儲(chǔ)存比特(目標(biāo)比特)程序化。在步驟3 32中，以步驟3 3 0中新的程序化電壓PV ( n+ 1 )對(duì)程序化的儲(chǔ)存比特進(jìn)行程序化驗(yàn)證。其后，持續(xù)進(jìn)行此方法，開(kāi)始進(jìn)行抹除步驟3 2 1 。在步驟3 2 1中，開(kāi)始進(jìn)行抹除操作，再進(jìn)行步驟3 4 0 ，將變量n增加到n二 n+ 1 。然后，回到方法的步驟3 1 2 ，將與電洞相反的電子注入于所選擇的存儲(chǔ)單元中，以進(jìn)行抹除因此，當(dāng)n= 2時(shí)，在步驟3 1 2的儲(chǔ)存比特被程序化而具有新的臨界電壓Vt ( 2 )，其中臨界電壓Vt2咼于臨界電壓Vt ( 1 )。在上述方法中，并未使用傳統(tǒng)的注入電洞的技術(shù)，也就是HHI技術(shù)。再者，在一循環(huán)中未被程序化的被指定抹除的儲(chǔ)存比特可被程序化，以確保所有被指定的儲(chǔ)存比特的臨界電壓值備設(shè)定在較高的值。因此，在先、/ -目U的循環(huán)中，在低值的這些儲(chǔ)存比特在后續(xù)的循環(huán)中會(huì)有高的臨界電壓值。此情形更是顯示在圖4中，顯示圖3的方法中n個(gè)循環(huán)的臨界電壓的關(guān)系示思圖請(qǐng)參照?qǐng)D4 ，以抹除技術(shù)程序化在目前的循環(huán)中尚未被程序化的儲(chǔ)存比特，以使得所指定抹除的存儲(chǔ)單元相對(duì)于那些被程序化的儲(chǔ)存比特的臨界電壓在較咼的臨界電壓值。接著，其將變成下 一 個(gè)循環(huán)的臨界電壓例如，在第一個(gè)循環(huán)的第一程序化階段中，所選擇的員有比特在A區(qū)的低臨界電壓Vt的存儲(chǔ)單元字中的儲(chǔ)存比特可以被程序化，以使其臨界電壓值增加為比特在B區(qū)的高臨界電壓vt。因此，有 一 些儲(chǔ)存比特將會(huì)有保持在A區(qū)的臨界電壓值。在第一個(gè)循環(huán)的抹除階段中，進(jìn)行 一 個(gè)非傳統(tǒng)的抹除操作。也就是，將臨界電壓仍在A區(qū)的儲(chǔ)存比特程序化，以使臨界電壓增加為在B區(qū)的程序化儲(chǔ)存比特。在此方法中，在所期望的存儲(chǔ)單元中的所有比特最終將具有在B區(qū)的相同臨界電壓值。對(duì)第循環(huán)而言，在第二循環(huán)的第二程序化階段中，所選擇的具有比特在B區(qū)的低臨界電壓Vt的存儲(chǔ)單元字中的儲(chǔ)存比特可以被程序化，以使其臨界電壓值增加為比特在C區(qū)的高臨界電壓Vt 。在第二階段的抹除階段中，與第 一 個(gè)循環(huán)的抹除階段相同，將臨界電壓仍在B區(qū)的儲(chǔ)存比特程序化，以使其臨界電壓值增加為比特在C區(qū)。而對(duì)第三循環(huán)來(lái)說(shuō)，以相同形式進(jìn)行程序化以及抹除階段，以使其臨界電壓由C區(qū)增加為D區(qū)。下 一 個(gè)循環(huán)被程序化的儲(chǔ)存比特的臨界 電壓值的區(qū)域，如A區(qū)至D區(qū)，均較高于先前循環(huán)。同樣地，各個(gè)下 一 個(gè)循環(huán)的讀取電壓以及程序化驗(yàn)證電壓也會(huì)增加。例如，在第 一 循環(huán)中的讀取電壓RD1以及程序化驗(yàn)證電壓PV 1在第二循環(huán)中分別增加為RD 2以及PV 2這種現(xiàn)象將持續(xù)至下——個(gè)循環(huán)因此，在各個(gè)循環(huán)中，儲(chǔ)存在儲(chǔ)存比特中的數(shù)據(jù)可被正確讀取，且程序化可被精確驗(yàn)證。因此，本發(fā)明所公開(kāi)的技術(shù)不使用HHI來(lái)進(jìn)行抹除操作，可以改非易失性存儲(chǔ)元件的操作在這種方法中，存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存比特的臨界電壓在下個(gè)循環(huán)開(kāi)始之、/ -目U， 具有相對(duì)較高的值。各個(gè)循環(huán)的程序和抹除階段的讀取電壓以及程序化驗(yàn)證電壓值也可以增加這將可以更為正確地驗(yàn)證被程序化的儲(chǔ)存比特以及判斷儲(chǔ)存在儲(chǔ)存比特的數(shù)據(jù)。在 一 些例子中，由調(diào)整讀取參考電流以及程序化參考電流，可以用來(lái)調(diào)整程序化驗(yàn)證以及讀取電壓值，以提供一個(gè)更新的讀取電壓以及個(gè)更新的程序化驗(yàn)證電壓給.下 一 個(gè)循環(huán)。本發(fā)明所公開(kāi)的技術(shù)在不脫離本發(fā)明的精神范圍內(nèi)當(dāng)可進(jìn)步加以潤(rùn)飾。例如，讀取參考存儲(chǔ)單元以及程序化參考存儲(chǔ)單元亦可被程序化，以增加臨界電壓值特別是，當(dāng)讀取以及程序化驗(yàn)證電壓值增加時(shí)，可減少讀取參考電流以及程序化參考電流在另例子中，可增加讀取參考存儲(chǔ)單元以及程序化參考存儲(chǔ)單元的字線電壓值，以分別增加讀取電壓以及程序化驗(yàn)證電壓值，減少讀取參考電流以及程序化參考電流調(diào)整讀取和程序化驗(yàn)證技術(shù)的其它實(shí)例包括增加或減少存儲(chǔ)單元陣列的字線電壓值，以使得流在各個(gè)存儲(chǔ)單元上的電流增加。讀取和程序化驗(yàn)證存儲(chǔ)單元的讀取參考電流以及程序化參考電流相對(duì)較小，因此，可以更正確地讀取以及驗(yàn)證儲(chǔ)存在儲(chǔ)存比特的數(shù)據(jù)。亦即，依據(jù)另實(shí)例并參考圖3，該方法可以加以改變，以調(diào)整流過(guò)各個(gè)存儲(chǔ)單元的電流。綜上所述，雖然本發(fā)明巳以 一 較佳實(shí)施例揭露如上，然并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中員有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定的內(nèi)容為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種進(jìn)行抹除操作的方法，適用于具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)元件，其特征在于，包括在一抹除階段，將至少一個(gè)在一第一區(qū)的臨界電壓值的存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后具有在一第二區(qū)的臨界電壓值，其中該第二區(qū)的臨界電壓高于該第一區(qū)的臨界電壓。
2、如權(quán)利要求1所述的進(jìn)行抹除操作的方法，苴 z 特征在于，中，包括將至少個(gè)有在該第區(qū)的臨界電壓值的存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后員有在第二區(qū)的臨界電壓值，苴 Z 、中該第二區(qū)的臨界電壓?jiǎn)J于該第二區(qū)的臨界電.壓
3.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)行抹除操作的方法特征在于，中，包括:將在程序化之刖具有在該第區(qū)的存儲(chǔ)單元的第一讀取電壓值調(diào)整為在程序化之后具有在該第一區(qū)的一第讀取電壓值。
4、如權(quán)利要求1所述的進(jìn)行抹除操作的方法，其特征在于，中，包括將在程序化之目ij具有在該第區(qū)的存儲(chǔ)單元的 第一程序化驗(yàn)證電壓值調(diào)整為在程序化之后有在該第二區(qū)的 一 第二程序化驗(yàn)證電壓值。
5 、如權(quán)利要求1所述的進(jìn)行抹除操作的方法，特征在于，其中，將該至少一存儲(chǔ)單元程序化的方法包括將電子注入于該存儲(chǔ)單元中，以使該存儲(chǔ)單元的臨界電壓值增加。
6、一種非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，包括多數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元，各存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)可至少儲(chǔ)存儲(chǔ)存比特；以及多數(shù)個(gè)用以程序化至少一存儲(chǔ)單元的裝置，在抹除階段， 該存儲(chǔ)單元在程序化之前具有在一第—區(qū)的臨界電壓值，在程序化之后具有在 一 第區(qū)的臨界電壓值，其中該區(qū)的臨界電壓高于該第區(qū)的臨界電壓。
7、如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器特征在于，3中，包括多數(shù)個(gè)裝置，在 一 抹除階段，用以將至少一個(gè)在程序化之前具有在該第二區(qū)的臨界電壓值的一存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后員有在一第三區(qū)的臨界電壓值，其中該第二區(qū)的臨界電壓?jiǎn)J于該第二區(qū)的臨界電壓
8、如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器，特征在于，其中，包括多數(shù)個(gè)裝置，用以將在程序化之、/ -目IJ員有在該第-區(qū)的臨界電壓的一存儲(chǔ)單元的-.第-*讀取電壓值調(diào)整為在程序化之后具有在該第—區(qū)的臨界電壓的該存儲(chǔ)單元的一第二讀取電壓值,
9、如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器，特征在于，中，包括多數(shù)個(gè)裝置，用以將在程序化之目u且 z 有在該第區(qū)的臨界電壓的一存儲(chǔ)單元的第程序化驗(yàn)證電壓值調(diào)整為在程序化之后具有在該第一區(qū)的臨界電壓的該存儲(chǔ)單元的一第二程序化驗(yàn)證電壓值。
10、如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，其中，該用以程序化該至少 一 存儲(chǔ)單元的裝置包括將電子注入于存儲(chǔ)單元使該存儲(chǔ)單元臨界電壓增加的裝置。
11、一種進(jìn)行抹除操作的方法，適用于具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)元件，其特征在于，包括進(jìn)行N次循環(huán)，各循環(huán)包括一程序化階段與 一 抹除階段，且其中N是大于1的整數(shù)，各該第N次循環(huán) 包括；選擇一第一組存儲(chǔ)單元用于程序化階段，以及選 擇 一 第二組存儲(chǔ)單元用于抹除階段；該第 一 組與該第 二組的存儲(chǔ)單元開(kāi)始具有第 一 臨界電壓值；程序化該第 一 組組存儲(chǔ)單元，使其臨界電壓值增加為 一 第二臨界電壓值；以及程序化該第二組組存儲(chǔ)單元，使其臨界電壓值增加為 一 第二臨界電壓值，并將 一 第 一 讀取電壓調(diào)整為 一第二讀取電壓。
全文摘要
一種進(jìn)行抹除操作的方法，適用于具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)元件。此方法是將至少一個(gè)在程序化之前在一抹除階段具有在一第一區(qū)的臨界電壓值的存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后具有在一第二區(qū)的臨界電壓值，其中該第二區(qū)的臨界電壓高于該第一區(qū)的臨界電壓。抹除操作，是進(jìn)行存儲(chǔ)單元比特的程序化，使負(fù)電荷載子或電子注入于存儲(chǔ)單元，替代傳統(tǒng)將熱電洞注入存儲(chǔ)單元的方式。此方法可以避免熱電洞注入造成的室溫漂移以及電荷損失。
文檔編號(hào)G11C16/10GK101241759SQ200710101769
公開(kāi)日2008年8月13日 申請(qǐng)日期2007年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月7日
發(fā)明者何文喬, 張坤龍, 張欽鴻, 洪俊雄 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司