專(zhuān)利名稱(chēng)：滑塊及磁盤(pán)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及滑塊及磁盤(pán)裝置，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及由主軸電機(jī)等的盤(pán)片旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置支承的滑塊具有適合于在數(shù)據(jù)記錄盤(pán)片上上浮的結(jié)構(gòu)的空氣潤(rùn)滑面的滑塊和使用該滑塊的磁盤(pán)裝置。
背景技術(shù)：
如圖20所示，一般，記錄數(shù)據(jù)的磁盤(pán)裝置71的結(jié)構(gòu)為，在鋁合金等的金屬制的框體75中設(shè)有由滑塊72和吊架78構(gòu)成的頭組件76、作為記錄媒體的盤(pán)片媒體(以下稱(chēng)作盤(pán)片)73、主軸電機(jī)等的盤(pán)片旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置74、將頭組件76沿盤(pán)片73的信息記錄面進(jìn)行移送的促動(dòng)器機(jī)構(gòu)77?；瑝K72，具有向盤(pán)片73進(jìn)行記錄·再生的記錄再生元件，利用由盤(pán)片73的旋轉(zhuǎn)發(fā)生的空氣流而與盤(pán)片73相對(duì)地上浮極微小量。這時(shí)，設(shè)計(jì)成，滑塊72在與盤(pán)片73的相對(duì)面上具有正壓發(fā)生部和負(fù)壓發(fā)生部，利用來(lái)自吊架78的靜負(fù)荷與滑塊72發(fā)生的正壓和負(fù)壓的平衡，在溫度·壓力一定的情況下沿盤(pán)片73的整個(gè)面上的上浮曲線為一定的狀態(tài)。
為了實(shí)現(xiàn)磁盤(pán)裝置的高記錄密度化，重要的是，要使由具有記錄再生元件的滑塊與盤(pán)片的間隔所定義的上浮量狹小化。現(xiàn)在，所述上浮量的狹小化已進(jìn)展至10～15nm程度，從磁盤(pán)裝置的可靠性出發(fā)，要求使隨著環(huán)境變化的上浮量的變動(dòng)最小化，降低滑塊與盤(pán)片接觸的可能性。又，尤其在以筆記本個(gè)人電腦為主、在便攜式設(shè)備上增加使用磁盤(pán)裝置的用途，在這樣的作為便攜用途的磁盤(pán)裝置中，對(duì)于環(huán)境變化、尤其要求減小因高地的氣壓變化引起的上浮量的降低。當(dāng)上浮量的降低增大時(shí)，滑塊與盤(pán)片接觸的可能性增加。尤其，當(dāng)上浮量小于由盤(pán)片的表面粗糙度所規(guī)定的下滑(日文グライド)高度時(shí)，滑塊與盤(pán)片接觸的可能性急劇地增大，最壞的情況是存在因滑塊的壓壞引起盤(pán)片上的記錄信息被破壞的可能性。
因此，作為盡量減少因高地等的壓力變動(dòng)引起上浮量降低的以往技術(shù)，將磁盤(pán)裝置在玻璃容器內(nèi)在充滿了比大氣壓力低壓的氦氣的狀態(tài)下進(jìn)行密閉，利用玻璃容器內(nèi)的壓力傳感器對(duì)壓力變動(dòng)進(jìn)行測(cè)定，通過(guò)加熱·冷卻將內(nèi)部的壓力控制成為一定的狀態(tài)，以降低因外部的壓力變動(dòng)引起的上浮量的變化(例如，參照日本專(zhuān)利特開(kāi)平6-176557號(hào)公報(bào))。
又，關(guān)于滑塊的結(jié)構(gòu)，通過(guò)改變?cè)诨瑝K的空氣軸承面上的中央槽部的深度和側(cè)槽部的深度、取得負(fù)壓的平衡，使因外部環(huán)境的氣壓變化引起的上浮量變動(dòng)減小的技術(shù)，例如，在日本專(zhuān)利特開(kāi)平11-149733號(hào)公報(bào)中被揭示。
另外，例如，在日本專(zhuān)利特開(kāi)2000-57724號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2001-283548號(hào)公報(bào)和特開(kāi)2001-283549號(hào)公報(bào)中揭示了下述的技術(shù)通過(guò)適當(dāng)選擇具有亞微米的深度的前級(jí)(日文フロントステツプ)軸承的深度與負(fù)壓槽的深度之比，減小因外部環(huán)境的氣壓變化引起的上浮量變動(dòng)。
又，例如，在日本專(zhuān)利特開(kāi)2001-297421號(hào)公報(bào)的圖1、圖7中揭示了下述的技術(shù)通過(guò)由具有4個(gè)不同深度的面構(gòu)成磁頭滑塊、將負(fù)壓槽的深度作成400nm～1.3μm，將平地與高地(3000m)的上浮量變動(dòng)減小至2nm(上浮量的20％)程度。
但是，在所述專(zhuān)利文獻(xiàn)1等所示的以往的結(jié)構(gòu)中，由于將磁盤(pán)裝置在玻璃容器內(nèi)與比大氣壓力低壓的氦氣一起進(jìn)行密閉，利用玻璃容器內(nèi)的壓力傳感器對(duì)壓力變動(dòng)進(jìn)行測(cè)定，通過(guò)加熱·冷卻將內(nèi)部的壓力控制成為一定的狀態(tài)，以減小因外部的壓力變動(dòng)引起的上浮量的變化，故存在需要壓力傳感器、氦氣的密閉、玻璃容器等許多附加的機(jī)構(gòu)的問(wèn)題。
又，在所述專(zhuān)利文獻(xiàn)2～6等所示的以往的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)負(fù)壓發(fā)生槽與為了發(fā)生正壓用的級(jí)軸承面的深度的最佳化，使在低氣壓下的負(fù)壓發(fā)生量的降低增大而將正壓發(fā)生量的降低抵消，要使在低氣壓下的上浮量降低最小化，但即使在使用直徑95mm或65mm的盤(pán)片媒體的以往的磁盤(pán)裝置中，也存在伴有氣壓變化的、平地與高地(3000m)的上浮量變動(dòng)發(fā)生有2nm(20％)程度的問(wèn)題。例如，以10nm的上浮量進(jìn)行頭·盤(pán)片間的間隙的計(jì)算可得到以下結(jié)果。在現(xiàn)今時(shí)代的盤(pán)片中具有大致4.5nm的下滑高度，又，根據(jù)制造誤差等，頭也有約2.5nm程度的上浮量誤差。另外，10nm的上浮，是記錄再生元件部處的上浮量，滑塊的最低上浮位置處的上浮量至少再下降0.5nm程度。又，因磁盤(pán)裝置進(jìn)行搜索引起的上浮變動(dòng)也需要考慮1nm程度，在這里，當(dāng)進(jìn)一步加上因氣壓下降引起的上浮量變動(dòng)20％、即2nm的上浮變動(dòng)時(shí)，成為10-4.5-2.5-0.5-1.0-2.0＝-0.5nm。這樣，由于間隙為負(fù)0.5nm，作為盤(pán)片驅(qū)動(dòng)器不能保證非接觸，作為因氣壓變化引起的上浮降低為20％，是在今后要求更低上浮的盤(pán)片驅(qū)動(dòng)器中不能容許的范圍?？烧J(rèn)為因氣壓降低引起的上浮降低最好在10％以下，至少需要作成15％以下。
又，現(xiàn)在正在開(kāi)發(fā)的、例如使用直徑48mm、27mm等的小直徑盤(pán)片媒體的小型磁盤(pán)裝置，搭載于便攜設(shè)備上的情況也多，進(jìn)一步要求滑塊相對(duì)于氣壓變化的上浮量變動(dòng)減小。但是，這些小型磁盤(pán)裝置，與使用例如直徑95mm或65mm的盤(pán)片媒體的以往的磁盤(pán)裝置相比，從消耗電力、噪音等的觀點(diǎn)看，為了使主軸電機(jī)的轉(zhuǎn)速減小的裝置得到了實(shí)際應(yīng)用，通過(guò)盤(pán)片的小型化和主軸電機(jī)轉(zhuǎn)速的降低，滑塊與盤(pán)片的相對(duì)速度與以往相比減小，構(gòu)成空氣潤(rùn)滑面的空氣的流入減小，要確保足夠的氣壓變化特性變得困難。另外，在小型磁盤(pán)裝置中，為了將磁盤(pán)的有效記錄面積作成較大，為了提高耐沖擊性，為了降低消耗電力等目的，也正在引入被稱(chēng)作費(fèi)米型滑塊的、比以往的滑塊空氣潤(rùn)滑面更小的滑塊，而在該場(chǎng)合，構(gòu)成空氣潤(rùn)滑面的空氣的絕對(duì)流入量與以往相比變小，難以確保足夠的氣壓變化特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，是為了解決上述以往的問(wèn)題而作成的，其目的在于，提供一種不僅在使用以往的直徑95mm或65mm的盤(pán)片媒體的磁盤(pán)裝置的場(chǎng)合、而且在使用更小型的磁盤(pán)裝置及小型的滑塊的場(chǎng)合、也能大大降低因氣壓變化引起的上浮量變動(dòng)的滑塊和磁盤(pán)裝置。
為了解決所述以往的問(wèn)題，本發(fā)明的滑塊，具有與盤(pán)片媒體之間進(jìn)行記錄或再生、或進(jìn)行該兩方用的記錄再生元件及與所述盤(pán)片媒體相對(duì)的空氣潤(rùn)滑面，所述空氣潤(rùn)滑面，從其空氣流入端向空氣流出端依次地具有前級(jí)軸承面、相對(duì)于所述盤(pán)片媒體發(fā)生正壓使滑塊上浮的至少1個(gè)前導(dǎo)軌面、發(fā)生負(fù)壓而抑制所述滑塊上浮的負(fù)壓槽、后級(jí)軸承面、發(fā)生正壓的至少1個(gè)后導(dǎo)軌面、配置了記錄再生元件的記錄再生元件配置面，設(shè)有使所述記錄再生元件配置面與所述后導(dǎo)軌面分離的分離面，從所述后導(dǎo)軌面的空氣流出端至所述記錄再生元件的距離，是從所述空氣流入端至所述空氣流出端的滑塊長(zhǎng)度的5％～10％，采用該結(jié)構(gòu)，能在氣壓下降的場(chǎng)合使位于空氣流出端側(cè)的記錄再生元件部分的上浮量的降低減小。
通過(guò)將本發(fā)明的滑塊用于磁盤(pán)裝置，不僅在使用以往的直徑95mm或65mm的盤(pán)片媒體的磁盤(pán)裝置的場(chǎng)合，而且在使用更小型的磁盤(pán)裝置及小型的滑塊的場(chǎng)合，也能大大地降低氣壓變化引起的上浮量的變動(dòng)。


圖1(a)和(b)是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的滑塊的俯視圖和A-A’線剖視圖。
圖2是同上實(shí)施形態(tài)1的滑塊的A-A’線上的壓力分布圖。
圖3(a)和(b)是以往的滑塊的俯視圖和A-A’線剖視圖。
圖4是同上以往的滑塊的A-A’線上的壓力分布圖。
圖5是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的滑塊在海拔0m和海拔10000英尺的上浮量曲線圖。
圖6是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的滑塊與以往的滑塊的氣壓變化特性的比較圖。
圖7是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的滑塊的用滑塊長(zhǎng)度規(guī)格化后的后導(dǎo)軌面空氣流出端離記錄再生元件的距離與氣壓變化特性的關(guān)系圖。
圖8是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的滑塊的用滑塊長(zhǎng)度規(guī)格化后的后導(dǎo)軌面空氣流出端離記錄再生元件的距離與靜負(fù)荷靈敏度特性的關(guān)系圖。
圖9是使用本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的滑塊與以往的滑塊時(shí)的、氣壓變化特性相對(duì)于頭與盤(pán)片的相對(duì)速度的比較圖。
圖10是使用本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的滑塊與以往的滑塊時(shí)的、氣壓變化特性相對(duì)于滑塊尺寸的比較圖。
圖11(a)和(b)是表示具有記錄再生元件的面及其周邊部的結(jié)構(gòu)的俯視圖和A-A’線剖視圖。
圖12是具有記錄再生元件的面與其周邊部的臺(tái)階差與發(fā)生壓力的關(guān)系圖。
圖13(a)和(b)是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的滑塊的俯視圖和A-A’線剖視圖。
圖14是同上實(shí)施形態(tài)2的滑塊的記錄再生元件前方槽的深度與氣壓變化特性的關(guān)系圖。
圖15是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)3的滑塊的俯視圖。
圖16是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的滑塊的俯視圖。
圖17是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的另一例的滑塊的俯視圖。
圖18是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)5的滑塊的俯視圖。
圖19是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6的滑塊的俯視圖。
圖20是具有滑塊的數(shù)據(jù)記錄裝置的立體圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的滑塊，具有與盤(pán)片媒體之間進(jìn)行記錄或再生、或進(jìn)行該兩方用的記錄再生元件及與所述盤(pán)片媒體相對(duì)的空氣潤(rùn)滑面，所述空氣潤(rùn)滑面，從其空氣流入端向空氣流出端依次地具有前級(jí)軸承面、相對(duì)于所述盤(pán)片媒體發(fā)生正壓使滑塊上浮的至少1個(gè)前導(dǎo)軌面、發(fā)生負(fù)壓而抑制所述滑塊上浮的負(fù)壓槽、后級(jí)軸承面、發(fā)生正壓的至少1個(gè)后導(dǎo)軌面、配置了記錄再生元件的記錄再生元件配置面，設(shè)有使所述記錄再生元件配置面與所述后導(dǎo)軌面分離的分離面，從所述后導(dǎo)軌面的空氣流出端至所述記錄再生元件的距離，是從所述空氣流入端至所述空氣流出端的滑塊長(zhǎng)度的5％～10％。
又，本發(fā)明的滑塊，前導(dǎo)軌相對(duì)于滑塊滑動(dòng)(日文ロ一ル)方向分成多個(gè)部位配置，另外，滑塊，前導(dǎo)軌相對(duì)于滑塊滑動(dòng)方向分成2個(gè)部位，一個(gè)部位沿滑塊盤(pán)片內(nèi)周側(cè)端配置、另一個(gè)部位沿滑塊盤(pán)片外周側(cè)端配置。
又，本發(fā)明的滑塊，圍住前導(dǎo)軌面并將滑塊盤(pán)片內(nèi)周側(cè)端及滑塊盤(pán)片外周側(cè)端向空氣流出端方向延伸地形成前級(jí)軸承面，在該延設(shè)部上設(shè)有發(fā)生正壓的中間導(dǎo)軌。
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的滑塊和使用滑塊的磁盤(pán)裝置的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖1表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的滑塊的俯視圖和A-A’線剖視圖。實(shí)施形態(tài)1的滑塊，作成滑塊間距(日文ピッチ)方向(101)長(zhǎng)度為1.25mm、滑塊滑動(dòng)方向(102)長(zhǎng)度為1.00mm的大致長(zhǎng)方體形狀，一般以稱(chēng)作微微米(日文ピコ)滑塊的大小形成。圖1中，空氣潤(rùn)滑面1具有滑塊空氣流入端2、滑塊空氣流出端3、滑塊盤(pán)片內(nèi)周側(cè)端4、滑塊盤(pán)片外周側(cè)端5，在與未圖示的盤(pán)片相對(duì)時(shí)，具有構(gòu)成與磁盤(pán)(以下稱(chēng)作盤(pán)片)最接近的第1面31的構(gòu)成要素、即前導(dǎo)軌面6、后導(dǎo)軌面7、有記錄再生元件13的記錄再生元件配置面8；構(gòu)成比第1面31離開(kāi)盤(pán)片的第2面32的構(gòu)成要素、即前級(jí)軸承面9、后級(jí)軸承面10；構(gòu)成比第2面32進(jìn)一步離開(kāi)盤(pán)片的第3面33的構(gòu)成要素、即負(fù)壓槽11。
從第1面31至第3面33由相互大致平行的平坦面構(gòu)成，構(gòu)成第2面32相對(duì)于第1面33的深度為150nm、第3面33相對(duì)于第1面31的深度為1500nm。
后導(dǎo)軌面7的后導(dǎo)軌面空氣流出端12，位于記錄再生元件13的滑塊空氣流入端2側(cè)，從記錄再生元件13至后導(dǎo)軌面空氣流出端12的距離構(gòu)成為70μm。該場(chǎng)合的分離面103構(gòu)成為與第3面33的深度相同的1500nm。
圖2表示實(shí)施形態(tài)1的滑塊，在一般稱(chēng)作2.5英寸硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的、盤(pán)片直徑65mm的驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域大致中央21mm的位置、偏斜(日文スキュ一)角0度、盤(pán)片轉(zhuǎn)速5400rpm的條件下，上浮時(shí)的、圖1的A-A’線上的壓力分布。將滑塊間距方向長(zhǎng)度作成L，橫軸上表示滑塊位置，縱軸上表示將各位置上的發(fā)生壓力(P)用大氣壓力(Pa)進(jìn)行規(guī)格化后的規(guī)格化發(fā)生壓力(P-Pa)/Pa。從圖2可知，第1正壓的波峰位于前導(dǎo)軌面6的空氣流出端14附近，在負(fù)壓槽11處發(fā)生負(fù)壓，第2正壓發(fā)生的波峰位置位于后導(dǎo)軌面7的空氣流出端12附近，實(shí)際上，在記錄再生元件配置面8上未發(fā)生大的正壓。
圖3是表示以往的滑塊的空氣潤(rùn)滑面21的形狀的圖，作成使后導(dǎo)軌面7與記錄再生元件配置面8連續(xù)的結(jié)構(gòu)之點(diǎn)，與本發(fā)明的滑塊的空氣潤(rùn)滑面1不同。圖4中與圖2同樣地表示以往的滑塊的空氣潤(rùn)滑面21的滑塊，在一般稱(chēng)作2.5英寸硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的、盤(pán)片直徑65mm的驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域大致中央21mm的位置、偏斜角0度、盤(pán)片轉(zhuǎn)速5400rpm的條件下，上浮時(shí)的、圖3的A-A’線上的壓力分布?？芍?正壓的波峰位于前導(dǎo)軌面6的空氣流出端14附近，在負(fù)壓槽11處發(fā)生負(fù)壓，第2正壓發(fā)生的波峰位置位于使后導(dǎo)軌面7與記錄再生元件配置面8連接的面的空氣流出端22附近。
圖5是具有空氣潤(rùn)滑面1的實(shí)施形態(tài)1的滑塊，在盤(pán)片直徑65mm盤(pán)片上、以5400rpm的轉(zhuǎn)速上浮時(shí)的、海拔0m(1大氣壓力)和海拔10000英尺(約0.7大氣壓力)的條件下的記錄再生元件部的上浮量曲線圖。高地上的上浮降低量在盤(pán)片內(nèi)周側(cè)也為1nm以下、在外周側(cè)上浮增加，而該場(chǎng)合的上浮變動(dòng)量也為1nm以下，在從內(nèi)周至外周的整個(gè)區(qū)域中，將從海拔0m的上浮曲線至海拔10000英尺的上浮曲線的上浮變動(dòng)差作成了1nm以下，并作成了上浮量的10％以下。
作為表示這樣的氣壓變化的影響的指標(biāo)，將氣壓變化特性規(guī)定成作成海拔10000英尺(約0.7大氣壓力)的滑塊上浮量相對(duì)于海拔0m(1大氣壓力)時(shí)的滑塊的上浮量的比例。當(dāng)上浮量減小的幅度大時(shí)，由于滑塊與盤(pán)片接觸而導(dǎo)致頭壓壞的可能性增大，故要使上浮量減小幅度較小，即，可以認(rèn)為所述比例越大、氣壓變化特性就越好。但是，當(dāng)上浮量與以驅(qū)動(dòng)器設(shè)想的規(guī)定值相比成為過(guò)大時(shí)，由于作為驅(qū)動(dòng)器的失誤率惡化，故從驅(qū)動(dòng)器的可靠性·性能的觀點(diǎn)看，理想上可認(rèn)為作為氣壓變化特性最好為100％。在現(xiàn)在的驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)中，可獲得至少80％以上的特性。但是，今后，隨著上浮量的降低，可預(yù)想要維持足夠的上浮間隙變得困難，作為氣壓變化特性要求盡量與100％接近的特性。以記錄再生元件13的上浮量為10nm的條件對(duì)上浮間隙進(jìn)行試算的場(chǎng)合，在現(xiàn)今時(shí)代的磁盤(pán)的下滑高度約為4.5nm，制造誤差中的頭的上浮量誤差大約為2.5nm，搜索(日文シ一ク)動(dòng)作中的上浮量降低約為1nm，記錄再生元件13與滑塊上的最低上浮位置的上浮量差為約0.5nm，在高處的氣壓降低引起的上浮量的減少至少約為1.5nm，未減少至上浮量的15％程度時(shí)，要對(duì)磁頭(滑塊)與盤(pán)片的接觸進(jìn)行保證呈困難的狀況。今后，若考慮上浮量進(jìn)一步降低，則最好將由氣壓變化引起的上浮量的降低減少至10％程度。
圖6表示使用實(shí)施形態(tài)1的滑塊的空氣潤(rùn)滑面1的場(chǎng)合與使用以往的滑塊的空氣潤(rùn)滑面21的場(chǎng)合的氣壓變化特性的比較。另外，該氣壓變化特性，是在5400rpm條件下的特性。在使用實(shí)施形態(tài)1的滑塊的場(chǎng)合，氣壓變化特性在所有的盤(pán)片半徑位置中處于90％～110％的范圍，而在使用以往例的滑塊的場(chǎng)合，在外周側(cè)也為90％程度，在盤(pán)片內(nèi)周側(cè)下降至80％以下。在滑塊的間距方向2維地考慮氣壓下降引起的滑塊的上浮量2及上浮姿勢(shì)的變化，由于因氣壓下降引起向空氣潤(rùn)滑面1、21的流入空氣減少，故在空氣潤(rùn)滑面1、21上的發(fā)生正壓力降低。由此，可認(rèn)為是因?yàn)榛瑝K整體的上浮并行地降低的模式和以最大的正壓發(fā)生部為中心上浮時(shí)的間距姿勢(shì)降低的旋轉(zhuǎn)模式、產(chǎn)生上浮量姿勢(shì)的變化。因此，在實(shí)施形態(tài)1的空氣潤(rùn)滑面1中，如圖1所示，后導(dǎo)軌面7由于配置在記錄再生元件13的滑塊空氣流入端2側(cè)，故如圖2所示，最大的正壓發(fā)生位置位于磁性記錄再生元件13的滑塊空氣流入端2側(cè)，在低氣壓下，利用以該部分為中心的旋轉(zhuǎn)模式產(chǎn)生使與滑塊的最低上浮位置接近的記錄再生元件13的部分的上浮量增加的效果。與此相對(duì)，在以往例中，由于磁性記錄再生元件13與后導(dǎo)軌面7連接，故從圖4可知，最大的正壓力發(fā)生位置位于記錄再生元件13附近、或位于記錄再生元件13的后端部。隨著氣壓的降低，由于以該最大正壓力發(fā)生部為中心產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，故利用該旋轉(zhuǎn)模式，不產(chǎn)生使與滑塊的最低上浮位置接近的記錄再生元件13的部分的上浮量增加的效果。
這樣，由于作成將后導(dǎo)軌面7與有記錄再生元件13的記錄再生元件配置面8獨(dú)立地配置在記錄再生元件13的滑塊空氣流入端2側(cè)、在后導(dǎo)軌面7上發(fā)生最大正壓力、使在記錄再生元件配置面8上正壓力的發(fā)生盡量降低的結(jié)構(gòu)，故能減少相對(duì)于氣壓變化的上浮量的下降。通過(guò)采用本實(shí)施形態(tài)的結(jié)構(gòu)，能將低氣壓下的上浮量的降低抑制在1nm、即上浮量的約10％，能大大地提高磁盤(pán)裝置的可靠性。
如上所述，實(shí)施形態(tài)1的滑塊上的空氣潤(rùn)滑面1的氣壓特性的改善，是通過(guò)將發(fā)生正壓的后導(dǎo)軌面7配置在記錄再生元件13的滑塊空氣流入端2側(cè)、將最大正壓發(fā)生位置作成記錄再生元件13的前方來(lái)實(shí)現(xiàn)的，對(duì)有關(guān)該最大正壓發(fā)生位置的由發(fā)生位置產(chǎn)生的效果進(jìn)行了研究。
圖7表示用滑塊的長(zhǎng)度規(guī)格化后的后導(dǎo)軌面空氣流出端12距記錄再生元件13的距離與氣壓變化特性的關(guān)系圖。另外，該氣壓變化特性是表示在3.5英寸、2.5英寸、1.8英寸、1.0英寸的各個(gè)驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)中的、數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的大致中央位置中的氣壓變化特性，并分別從17.0m/s、11.9m/s、8.5m/s、5.1m/s的相對(duì)速度；偏斜角0的海拔0m和海拔10000英尺的上浮量算出該氣壓變化特性。圖7中，如實(shí)地表示在所有的相對(duì)速度條件下、隨著后導(dǎo)軌面空氣流出端12離記錄再生元件13的距離變短、氣壓變化特性惡化的情況。但是，可以知道只要通過(guò)將后導(dǎo)軌面7的位置最適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行配置，無(wú)論哪個(gè)相對(duì)速度、換言之即使小型驅(qū)動(dòng)器也能確保足夠的氣壓變化特性。通過(guò)將后導(dǎo)軌面7的空氣流出端12的位置配置在滑塊空氣流入端2側(cè)的滑塊長(zhǎng)度的5％以上之處，估計(jì)可提高5％以上的氣壓變化特性，在所有的速度條件下能確保85％以上的氣壓變化特性。
這樣，通過(guò)將后導(dǎo)軌面7的空氣流出端12的位置配置在前方能提高氣壓變化特性，但由于將后導(dǎo)軌面7的空氣流出端12的位置配置在前方，相對(duì)于滑塊全體的面積、空氣潤(rùn)滑面1的有效利用面積變狹，故存在空氣潤(rùn)滑面1的剛性降低、因滑塊的加工誤差引起上浮量變動(dòng)增大的可能性。
圖8是表示用滑塊的長(zhǎng)度規(guī)格化后的后導(dǎo)軌面空氣流出端12離記錄再生元件13的距離與滑塊上浮量的靜負(fù)荷靈敏度特性的關(guān)系圖。所謂靜負(fù)荷靈敏度特性，用滑塊上浮量的變動(dòng)量相對(duì)于施加在滑塊上的靜負(fù)荷1g(gram)的誤差的比例來(lái)表示，表示靜負(fù)荷靈敏度特性越接近于0、上浮量的變動(dòng)相對(duì)于滑塊加工時(shí)的靜負(fù)荷誤差越小。另外，該結(jié)果，是在半徑21mm、偏斜角度0度、5400rpm的條件下的結(jié)果。從該圖可知，在用滑塊的長(zhǎng)度規(guī)格化后的后導(dǎo)軌面空氣流出端12離記錄再生元件13的距離從超過(guò)10％處開(kāi)始靜負(fù)荷靈敏度特性急劇地惡化，而若在0％～10％的范圍，與0％的場(chǎng)合相比能改善靜負(fù)荷靈敏度特性。因此，由于將用滑塊的長(zhǎng)度規(guī)格化后的后導(dǎo)軌面空氣流出端12離記錄再生元件13的距離作成0％～10％的范圍，故能改善滑塊的靜負(fù)荷靈敏度特性，能降低相對(duì)于滑塊的加工誤差的上浮量的誤差。又，由于將用滑塊的長(zhǎng)度規(guī)格化后的后導(dǎo)軌面空氣流出端12離記錄再生元件13的距離作成5％～10％的范圍，故能改善靜負(fù)荷靈敏度特性、并改善氣壓變化特性，能確保85％以上的氣壓變化特性。
接著，對(duì)本發(fā)明相對(duì)于磁盤(pán)裝置的尺寸的效果進(jìn)行了研究。圖9表示將實(shí)施形態(tài)1的空氣潤(rùn)滑面1與以往例的空氣潤(rùn)滑面21、在1.0英寸、1.8英寸、2.5英寸、3.5英寸的各尺寸的磁盤(pán)裝置中的數(shù)據(jù)區(qū)域大致中央的氣壓變化特性的比較。這里，在3.5英寸磁盤(pán)裝置中的滑塊與盤(pán)片的相對(duì)速度為17.0m/s，在2.5英寸磁盤(pán)裝置中的滑塊與盤(pán)片的相對(duì)速度為11.9m/s，在1.8英寸磁盤(pán)裝置中的滑塊與盤(pán)片的相對(duì)速度為8.5m/s，在1.0英寸磁盤(pán)裝置中的滑塊與盤(pán)片的相對(duì)速度為5.1m/s，各半徑位置上的偏斜角作成0度。
從圖9可知，可以認(rèn)為無(wú)論在實(shí)施形態(tài)1中或在以往例中，在相對(duì)速度較慢的條件下使氣壓變化特性惡化，可以認(rèn)為是受到相對(duì)速度的降低引起作成空氣潤(rùn)滑膜用的空氣流入的降低的影響。在以往例的結(jié)構(gòu)中，滑塊與盤(pán)片的相對(duì)速度在12.0m/s以下時(shí)氣壓變化特性進(jìn)入85％，又，在8.5m/s以下時(shí)進(jìn)入80％。相比之下，在本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1中，在所有的相對(duì)速度條件下確保90％以上的氣壓變化特性。即，在利用相對(duì)速度12.0m/s以下的區(qū)域的磁盤(pán)裝置，甚至利用更小型的相對(duì)速度是8.5m/s以下的區(qū)域的磁盤(pán)裝置中，本發(fā)明的效果特別大，通過(guò)利用實(shí)施形態(tài)1的滑塊來(lái)實(shí)現(xiàn)提高磁盤(pán)裝置的可靠性。
接著，為了確認(rèn)本發(fā)明相對(duì)于滑塊尺寸的效果，將實(shí)施形態(tài)1的空氣潤(rùn)滑面1和以往例的空氣潤(rùn)滑面21的2個(gè)潤(rùn)滑面，分別形成在納米(10-9m)滑塊(2.0mm×1.6mm)，微微米(10-12m)滑塊(1.25mm×1.0mm)，費(fèi)米(10-15m)滑塊(0.87mm×0.7mm)的大小不同的3種滑塊上，并進(jìn)行特性比較。在向納米滑塊和費(fèi)米滑塊的空氣潤(rùn)滑面1和空氣潤(rùn)滑面21的應(yīng)用中，單純地與空氣潤(rùn)滑面1、21的大小對(duì)應(yīng)地進(jìn)行擴(kuò)大·縮小。在圖10中，表示各滑塊在2.5英寸的磁盤(pán)裝置的數(shù)據(jù)區(qū)域大致中央(半徑位置21mm)、偏斜角0度、以5400rpm的轉(zhuǎn)速進(jìn)行上浮時(shí)的氣壓變化特性。
從圖10可知，無(wú)論在使用實(shí)施形態(tài)1的空氣潤(rùn)滑面1的場(chǎng)合、還是在使用以往例的潤(rùn)滑面21的場(chǎng)合，都隨著滑塊尺寸的縮小而存在氣壓變化特性降低的傾向。這可以認(rèn)為是由于隨著滑塊尺寸的縮小、形成空氣潤(rùn)滑面1、21用的空氣的流入量絕對(duì)地降低的緣故。納米滑塊中即使不使用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、在以往例的結(jié)構(gòu)中也能獲得超過(guò)90％的氣壓變化特性，但在微微米滑塊中，在以往的結(jié)構(gòu)中氣壓變化特性降低至85％以下，在費(fèi)米滑塊中，氣壓變化特性降低至80％以下。相比之下，通過(guò)使用實(shí)施形態(tài)1的空氣潤(rùn)滑面1，無(wú)論哪個(gè)滑塊尺寸，都能獲得90％以上的氣壓變化特性。即，在微微米滑塊、費(fèi)米滑塊等更小型的滑塊中，本發(fā)明的效果特別大，通過(guò)利用實(shí)施形態(tài)1的滑塊可提高磁盤(pán)裝置的可靠性。
如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1中，通過(guò)將用滑塊長(zhǎng)度規(guī)格化后的后導(dǎo)軌面空氣流出端12離記錄再生元件13的距離作成滑塊全長(zhǎng)的5％～10％，能改善靜負(fù)荷靈敏度特性、并能改善氣壓變化特性，能確保85％以上的氣壓變化特性。另外，在滑塊與盤(pán)片的相對(duì)速度慢的小型的HDD及滑塊尺寸小的費(fèi)米滑塊中顯著地顯示出本發(fā)明的效果，能減少低氣壓環(huán)境下的上浮量的降低。
在本發(fā)明中，通過(guò)抑制記錄再生元件配置面8上的正壓發(fā)生，而獲得更大的效果是理所當(dāng)然的，但由于考慮到因?yàn)樨?fù)壓槽11的深度，記錄再生元件周邊的負(fù)壓槽13的部分作為級(jí)軸承面起作用，故在圖11、圖12中表示對(duì)記錄再生元件配置面8與其周邊部的臺(tái)階差與正壓力發(fā)生的效果進(jìn)行調(diào)查的結(jié)果。如圖11所示，設(shè)定僅由記錄再生元件配置面8和記錄再生元件周邊的槽部42構(gòu)成的空氣潤(rùn)滑面41，通過(guò)使用修正雷諾方程式的解析求解正壓力的發(fā)生。圖11所示的空氣潤(rùn)滑面41，將滑塊間距方向(101方向)長(zhǎng)度作成250μm，將滑塊滑動(dòng)方向(102方向)長(zhǎng)度作成300μm，將記錄再生元件配置面8的大小在滑塊間距方向作成50μm、在滑塊滑動(dòng)方向作成100μm。另外，在實(shí)際的發(fā)生壓力的計(jì)算中，在將空氣流出端部的上浮量作成10nm、將作為上浮姿勢(shì)的轉(zhuǎn)動(dòng)角作成0μrad、將上浮姿勢(shì)作成傾角(ピツチ角)50μrad、100μrad的2個(gè)條件下求出發(fā)生應(yīng)力。另外，在進(jìn)行計(jì)算方面，記錄再生元件配置面8與其周邊部的臺(tái)階差，在從10nm至1500nm之間進(jìn)行變化。在計(jì)算結(jié)果的基礎(chǔ)上，圖12表示用1大氣壓力下進(jìn)行規(guī)格化后的規(guī)格化發(fā)生壓力與臺(tái)階差的關(guān)系?？芍谂_(tái)階差為300～400nm以下的區(qū)域中，規(guī)格化發(fā)生壓力急劇地上升，上浮斜度(ピツチ)姿勢(shì)在50μrad的場(chǎng)合和100μrad的場(chǎng)合、都在約100nm的臺(tái)階差處取得極大值。
由此，可認(rèn)為在記錄再生元件配置面8的周邊部與記錄再生元件配置面8的臺(tái)階差為300nm～400nm以下時(shí)，由于負(fù)壓槽11作為記錄再生元件配置面8的級(jí)軸承面起作用，故本發(fā)明的效果降低。
圖13是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的滑塊的俯視圖和A-A’線剖視圖。本實(shí)施形態(tài)2的滑塊的空氣潤(rùn)滑面51，與實(shí)施形態(tài)1的空氣潤(rùn)滑面1不同之點(diǎn)在于，在該滑塊的后導(dǎo)軌面空氣流出端12與記錄再生元件配置面8之間，利用記錄再生元件前方槽52形成具有與由負(fù)壓槽11構(gòu)成的第3面33深度不同的第4深度的面(第4面)34。
使用該空氣潤(rùn)滑面51的結(jié)構(gòu)，更嚴(yán)密地對(duì)記錄再生元件配置面8與其空氣流入側(cè)的臺(tái)階差的影響進(jìn)行驗(yàn)證。圖14表示具有該第4深度的面34的記錄再生元件前方槽52的深度與氣壓變化特性的關(guān)系。在這里，也與圖7所示的情況同樣，設(shè)定1.0英寸、1.8英寸、2.5英寸、3.5英寸的驅(qū)動(dòng)器，分別在5.1m/s、8.5m/s、11.9m/s、17.0m/s的相對(duì)速度、偏斜角度0度條件下進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
與圖11、圖12中的驗(yàn)證結(jié)果同樣，可知具有后導(dǎo)軌面空氣流出端12與記錄再生元件配置面8之間的第4深度的分離面103(記錄再生元件前方槽52)的深度變淺時(shí)氣壓變化特性就惡化。這可以認(rèn)為由于如圖11、圖12中的驗(yàn)證那樣，由于在記錄再生元件13的部分也發(fā)生正壓力，故氣壓變化特性降低。通過(guò)該實(shí)驗(yàn)可知作為記錄再生元件前方槽52，只要有300nm以上的深度，無(wú)論哪個(gè)速度條件下都能維持85％以上的良好的氣壓變化特性。
因此，可認(rèn)為通過(guò)將記錄再生元件前方槽部52由300nm以上的深度來(lái)構(gòu)成就能有效地獲得本實(shí)施形態(tài)的氣壓變化特性的提高，能大大地提高磁盤(pán)裝置的可靠性。另外，本記錄再生元件前方槽52的深度與負(fù)壓槽11的深度無(wú)關(guān)，根據(jù)空氣潤(rùn)滑面51的結(jié)構(gòu)，有比負(fù)壓槽11更淺的情況和更深的情況。
圖15是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)3的滑塊的俯視圖。在該圖15中，對(duì)于與實(shí)施形態(tài)1相同或相當(dāng)部分，標(biāo)上相同符號(hào)。在該實(shí)施形態(tài)3中，前導(dǎo)軌面，利用負(fù)壓槽11取得分?jǐn)喑裳鼗瑝K盤(pán)片內(nèi)周側(cè)端4的前導(dǎo)軌面6b和沿滑塊盤(pán)片外周側(cè)端5的前導(dǎo)軌面6a的結(jié)構(gòu)。又，在本實(shí)施形態(tài)中，可知具有用300nm以上的深度的槽將記錄再生元件配置面8與后導(dǎo)軌面7進(jìn)行分離的分離面103，且通過(guò)將后導(dǎo)軌面7的空氣流出端12設(shè)置在記錄再生元件13的、相互距離為滑塊的間距方向長(zhǎng)度的5％～10％的、滑塊空氣流入端2側(cè)可獲得效果，在采取圖15那樣結(jié)構(gòu)的場(chǎng)合，當(dāng)然也能獲得與實(shí)施形態(tài)1同樣的效果。這樣，在本實(shí)施形態(tài)中，對(duì)于前導(dǎo)軌面的形狀無(wú)任何的制約。
圖16和圖17是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的滑塊的俯視圖。在圖16所示的滑塊的空氣潤(rùn)滑面62中，采用將中間導(dǎo)軌63a、63b與前級(jí)軸承面9連接的結(jié)構(gòu)。在圖17所示的滑塊的空氣潤(rùn)滑面64中，采用分別將中間導(dǎo)軌63a、63b與前襯墊(日文パッド)后級(jí)軸承面9a、9b連接的結(jié)構(gòu)。通過(guò)前導(dǎo)軌面6、6a、6b及后導(dǎo)軌面7獨(dú)立地設(shè)有這樣的中間導(dǎo)軌63a、63b，不僅提高氣壓變化特性，還能提高空氣潤(rùn)滑面63、64的滑動(dòng)方向剛性和上浮時(shí)的轉(zhuǎn)動(dòng)姿勢(shì)的控制性。
圖18是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)5的滑塊的俯視圖。在圖18所述的滑塊的空氣潤(rùn)滑面65中，前導(dǎo)軌面，利用負(fù)壓槽11被分?jǐn)喑裳鼗瑝K盤(pán)片內(nèi)周側(cè)端4的前導(dǎo)軌面6b和沿滑塊盤(pán)片外周側(cè)端5的前導(dǎo)軌面6a，另外，后導(dǎo)軌面，利用負(fù)壓槽11被分?jǐn)喑裳鼗瑝K盤(pán)片內(nèi)周側(cè)端4的后導(dǎo)軌面7b和沿滑塊盤(pán)片外周側(cè)端5的后導(dǎo)軌面7a。在后導(dǎo)軌面7a、7b的空氣流入側(cè)分別連續(xù)地配置后級(jí)軸承面10a、10b，另外，后級(jí)軸承面10a、10b，與前襯墊導(dǎo)軌面6a、6b分別連續(xù)地配置。
這樣，在后導(dǎo)軌面7a、7b被分成多個(gè)的場(chǎng)合，也將記錄再生元件配置面8與后導(dǎo)軌面7a、7b用300nm以上的深度的分離面103進(jìn)行分離，且通過(guò)將后導(dǎo)軌面7a、7b的空氣流出端12設(shè)置在記錄再生元件13的、相互距離為滑塊的間距方向長(zhǎng)度的5％～10％的、滑塊空氣流入端2側(cè)，能提高氣壓變化特性。
圖19是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6的滑塊的俯視圖。在圖19所示的滑塊的空氣潤(rùn)滑面66中，前導(dǎo)軌面，利用負(fù)壓槽11被分?jǐn)喑裳鼗瑝K盤(pán)片內(nèi)周側(cè)端4的前導(dǎo)軌面6b和沿滑塊盤(pán)片外周側(cè)端5的前導(dǎo)軌面6a，另外，后導(dǎo)軌面，利用負(fù)壓槽11被分?jǐn)喑裳鼗瑝K盤(pán)片內(nèi)周側(cè)端4的后導(dǎo)軌面7b和沿滑塊盤(pán)片外周側(cè)端5的后導(dǎo)軌面7a。在后導(dǎo)軌面7a、7b的空氣流入側(cè)分別連續(xù)地配置后級(jí)軸承面10a、10b，負(fù)壓槽11將后級(jí)軸承面10a、10b與前襯墊導(dǎo)軌面6a、6b分離。
在該結(jié)構(gòu)的場(chǎng)合，效果與上述實(shí)施形態(tài)5等相同，用300nm以上的深度的分離面103將記錄再生元件配置面8與后導(dǎo)軌面7a、7b進(jìn)行分離，且通過(guò)將后導(dǎo)軌面7a、7b的空氣流出端12設(shè)置在記錄再生元件13的、相互距離為滑塊的間距方向長(zhǎng)度的5％～10％的、滑塊空氣流入端2側(cè)，能提高氣壓變化特性。
這些各實(shí)施形態(tài)的滑塊(磁頭滑塊)，用于圖20所示的磁盤(pán)裝置71。本磁盤(pán)裝置，具有接觸·起動(dòng)·停止機(jī)構(gòu)，在非起動(dòng)時(shí)，磁頭72停止在磁盤(pán)73上。在磁盤(pán)裝置(硬盤(pán)裝置)起動(dòng)時(shí)，作為盤(pán)片旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置的主軸電機(jī)74開(kāi)始旋轉(zhuǎn)，利用在磁盤(pán)73與磁頭(滑塊)72之間流入的空氣，磁頭進(jìn)行上浮。又，本發(fā)明的滑塊72，與磁盤(pán)裝置的機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)，也可裝載在驅(qū)動(dòng)器的非起動(dòng)時(shí)，磁頭位于退避用坡道上，僅在裝置運(yùn)轉(zhuǎn)中磁頭對(duì)磁盤(pán)進(jìn)行加載·卸載的、坡道加載機(jī)構(gòu)的磁盤(pán)裝置上，通過(guò)改善氣壓變化特性，能與驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)地、提高在低氣壓下的驅(qū)動(dòng)器的可靠性。
又，根據(jù)PCMCIA規(guī)格的磁盤(pán)裝置，在裝置結(jié)構(gòu)上搭載比1.8英寸大的盤(pán)片是困難的，另外，在根據(jù)小型閃光(日文フラッシュ)(注冊(cè)商標(biāo))規(guī)格的磁盤(pán)裝置中，因裝置結(jié)構(gòu)只能搭載1.0英寸以下的盤(pán)片。因此，尤其，在這樣的小型磁盤(pán)裝置中，通過(guò)搭載本發(fā)明的滑塊，能改善氣壓變化特性，能提高低氣壓下的驅(qū)動(dòng)器的可靠性。
本發(fā)明的滑塊和使用滑塊的磁盤(pán)裝置，具有能大大地抑制氣壓變化引起的上浮量的變動(dòng)的特征，作為硬盤(pán)用磁頭滑塊和硬磁盤(pán)裝置等是有用的。
權(quán)利要求
1.一種滑塊，具有與盤(pán)片媒體之間進(jìn)行記錄或再生、或進(jìn)行該兩方用的記錄再生元件及與所述盤(pán)片媒體相對(duì)的空氣潤(rùn)滑面，其特征在于，所述空氣潤(rùn)滑面從其空氣流入端向空氣流出端，依次具有前級(jí)軸承面、相對(duì)于所述盤(pán)片媒體發(fā)生正壓而使滑塊上浮的至少1個(gè)前導(dǎo)軌面、發(fā)生負(fù)壓而抑制所述滑塊上浮的負(fù)壓槽、后級(jí)軸承面、發(fā)生正壓的至少1個(gè)后導(dǎo)軌面、和配置有記錄再生元件的記錄再生元件配置面，設(shè)有使所述記錄再生元件配置面與所述后導(dǎo)軌面分離的分離面，從所述后導(dǎo)軌面的空氣流出端至所述記錄再生元件的距離，是從所述空氣流入端至所述空氣流出端的滑塊長(zhǎng)度的5％～10％。
2.如權(quán)利要求1所述的滑塊，其特征在于，前導(dǎo)軌相對(duì)于滑塊滑動(dòng)方向分成多個(gè)部位配置。
3.如權(quán)利要求2所述的滑塊，其特征在于，前導(dǎo)軌相對(duì)于滑塊滑動(dòng)方向分成2個(gè)部位，一個(gè)部位沿滑塊盤(pán)片內(nèi)周側(cè)端配置，另一個(gè)部位沿滑塊盤(pán)片外周側(cè)端配置。
4.如權(quán)利要求1所述的滑塊，其特征在于，圍住前導(dǎo)軌面、并將滑塊盤(pán)片內(nèi)周側(cè)及滑塊盤(pán)片外周側(cè)向空氣流出端方向延伸地形成前級(jí)軸承面，在該延設(shè)部上設(shè)有發(fā)生正壓的中間導(dǎo)軌。
5.如權(quán)利要求1所述的滑塊，其特征在于，分離面的深度為在負(fù)壓槽方向300nm以上的深度。
6.如權(quán)利要求1所述的滑塊，其特征在于，所謂前導(dǎo)軌面、后導(dǎo)軌面、記錄再生元件配置面，是相對(duì)滑塊高度方向?yàn)樽畲蟾叨鹊牡?面，前級(jí)軸承面和后級(jí)軸承面是相對(duì)滑塊高度方向?yàn)榈?高度的第2面，負(fù)壓槽相對(duì)滑塊高度方向?yàn)樽畹透叨鹊牡?面。
7.如權(quán)利要求6所述的滑塊，其特征在于，分離面是相對(duì)于滑塊高度方向?yàn)?00nm以上且與所述負(fù)壓槽不同高度的第4面。
8.如權(quán)利要求7所述的滑塊，其特征在于，分離面由第1面至第4面中的最低的高度的第4面構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求1所述的滑塊，其特征在于，前導(dǎo)軌面，從空氣流入端向與空氣流出端方向直行的方向延伸、且在所述前導(dǎo)軌面的空氣流出端側(cè)設(shè)有前導(dǎo)軌面后級(jí)軸承面。
10.如權(quán)利要求1所述的滑塊，其特征在于，由使用磁阻效應(yīng)的元件形成記錄再生元件的再生側(cè)元件。
11.如權(quán)利要求1所述的滑塊，其特征在于，空氣潤(rùn)滑面的長(zhǎng)度為1.25mm以下、寬度為1.0mm以下。
12.一種磁盤(pán)裝置，其特征在于，具有盤(pán)片媒體；使所述盤(pán)片媒體旋轉(zhuǎn)的盤(pán)片旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置；搭載在吊架的前端上的權(quán)利要求1所述的滑塊。
13.如權(quán)利要求12所述的磁盤(pán)裝置，其特征在于，在滑塊與盤(pán)片媒體的相對(duì)速度為12m/s以下的區(qū)域中進(jìn)行記錄或再生、或進(jìn)行該雙方。
14.如權(quán)利要求12所述的磁盤(pán)裝置，其特征在于，根據(jù)PCMCIA規(guī)格。
15.如權(quán)利要求12所述的磁盤(pán)裝置，其特征在于，根據(jù)小型閃光規(guī)格。
全文摘要
本發(fā)明提供即使在使用小型的磁盤(pán)裝置及小型的滑塊的場(chǎng)合、也能大大地降低氣壓變化引起的上浮量的變動(dòng)的滑塊和磁盤(pán)裝置。與盤(pán)片媒體相對(duì)的空氣潤(rùn)滑面(1)，從其空氣流入端(2)向空氣流出端(3)，具有前級(jí)軸承面(9)、相對(duì)于盤(pán)片媒體發(fā)生正壓使滑塊上浮的前導(dǎo)軌面(6)、發(fā)生負(fù)壓而抑制滑塊上浮的負(fù)壓槽(11)、后級(jí)軸承面(10)、發(fā)生正壓的后導(dǎo)軌面(7)、配置了記錄再生元件(13)的記錄再生元件配置面(8)，設(shè)有使所述記錄再生元件配置面(8)與所述后導(dǎo)軌面(7)分離的分離面(103)，從后導(dǎo)軌面(7)的空氣流出端至所述記錄再生元件(13)的距離，是從所述空氣流入端至所述空氣流出端的滑塊長(zhǎng)度的5％～10％。
文檔編號(hào)G11B21/21GK1655241SQ20051000815
公開(kāi)日2005年8月17日 申請(qǐng)日期2005年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月10日
發(fā)明者高木進(jìn) 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社