專利名稱：光盤記錄方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種標記長度記錄系統(tǒng)的光盤記錄方法和裝置，其中激光照射在光盤的記錄表面形成用于信息記錄的凹坑。特別是，涉及用于以高于四倍速的速度記錄的記錄光盤的方法和裝置，比如以八倍速或十二倍速記錄。
背景技術(shù)：
到目前為止，在記錄介質(zhì)比如光盤上記錄信息時，按照光調(diào)制系統(tǒng)，為了最理想地在盤上形成凹坑(標記)，能量(thermal)控制由激光的脈沖發(fā)射實現(xiàn)。特別是，脈沖波形設(shè)置為用于驅(qū)動激光器的驅(qū)動脈沖，同時在每個脈沖周期的電平(波峰值)也被控制，來控制激光功率和激光功率和激光照射周期。
例如，在以CD-R(可記錄CD)或CD-RW(可重寫CD)為代表的光學(xué)記錄和/或再現(xiàn)裝置中，使用了脈沖長度控制系統(tǒng)或脈沖序列記錄系統(tǒng)，其中照射的激光的脈沖長度或脈沖數(shù)量依賴于將被記錄的記錄標記的長度或間隔長度來改變，以控制激光功率的輸出范圍。
作為CD-R的最新標準，黃皮書(Orange-Book)第二部分(版本3.1)，作為一倍速、雙倍速和四倍速的記錄標準被批準。激光發(fā)射控制涉及寫速度，也就是如圖1和圖2所示規(guī)定的記錄策略(記錄補償)。換句話說，在CD-R標準中，信息通過3T到11T的凹坑(標記)和平臺(間隔)的組合被記錄在光盤中。對于單倍速和雙倍速記錄的記錄策略(strategy)，規(guī)定了(n+θ)T+αT的激光功率輸出范圍，其中θ＝1T和α＝0.13T，形成nT凹坑(標記)的激光功率為Pw，如圖1所示。對于四倍速記錄的記錄策略，(n+θ)T和ODT分別被規(guī)定為是激光功率Pw和激光功率ΔP的輸出范圍，形成nT凹坑(標記)的激光功率為Pw+ΔP，其中ΔP是Pw的20％到30％和ODT被設(shè)為1.25T到1.5T。注意單倍速在這里意味著盤以恒定的線速度(CLV)旋轉(zhuǎn)時是1.2到1.4m/s的速度。
同時，如果由上述黃皮書(Orange Book)標準規(guī)定的以單倍速記錄、雙倍速記錄和四倍速記錄為前提的記錄策略，應(yīng)用于以高于四倍速的速度記錄，比如八倍速或十二倍速記錄時，在將被記錄的凹坑和平臺編碼之間發(fā)生能量干涉，結(jié)果由于變形的凹坑形狀或增加的抖動，記錄信號在信號質(zhì)量上惡化。
也就是說，如圖3所示，記錄數(shù)據(jù)和凹坑之間的理想關(guān)系是，對于長度等于nT的記錄數(shù)據(jù)，長度等于nT的凹坑被制成橢圓形?，F(xiàn)在例如八倍速記錄如果使用對于單倍速記錄和雙倍速記錄的記錄策略，如圖4所示，則形成淚滴形凹坑，其中凹坑的形跡末端一側(cè)在垂直于軌跡中心的方向上延伸。如果使用對于四倍速記錄的記錄策略，如圖5所示，再次形成淚滴形凹坑，它在八倍速記錄的情況下，關(guān)于在垂直于軌跡中心的方向上凹坑的延伸僅有些微的改善。
在圖4和圖5中，時間段A和B表示從激光發(fā)射的開啟到凹坑形成處理的開始的時間延遲。另一方面，時間段a、b和c表示從激光發(fā)射的關(guān)閉到凹坑形成處理的終止的時間延遲。
如果由于凹坑形狀的變形或增加的抖動，記錄信號在質(zhì)量上惡化，則存在不能實現(xiàn)規(guī)則再現(xiàn)的風(fēng)險。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種光盤記錄方法和裝置，用于能夠以比四倍速更快的速度，比如八倍速或十二倍速使凹坑形成最佳形狀。
一方面，本發(fā)明提供一種光盤記錄裝置，包括記錄脈沖產(chǎn)生裝置，用于以多階段(stage)的梯級(step)大致在記錄脈沖的前端部分設(shè)定記錄功率，并產(chǎn)生對應(yīng)于將要形成的凹坑的長度的脈沖寬度的記錄脈沖；以及激光器裝置，用于通過所提供的記錄脈沖發(fā)射激光，以形成包括在記錄介質(zhì)的平臺中間定義的凹坑和平臺的記錄數(shù)據(jù)串，其中通過記錄脈沖產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的記錄脈沖激光發(fā)出脈沖光照射在作為記錄介質(zhì)的一次寫入光盤上，實現(xiàn)記錄。
另一方面，本發(fā)明提供一種光盤記錄方法，包括產(chǎn)生具有與形成的凹坑的長度對應(yīng)的脈沖寬度的記錄脈沖，記錄脈沖是在其接近前端使記錄功率跨過多個階段形成的，以及將由記錄脈沖以脈沖光激發(fā)的激光束照射到一次寫入光盤上，從而實現(xiàn)記錄。
還在另一方面，本發(fā)明提供一種用于光記錄介質(zhì)的記錄裝置，包括用于引起記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的裝置；用于控制旋轉(zhuǎn)裝置的旋轉(zhuǎn)速度的控制器；用于通過為在記錄介質(zhì)上形成包括凹坑和凹坑的前面和后面的平臺的記錄數(shù)據(jù)串而提供的驅(qū)動脈沖發(fā)射激光的激光器裝置；用于產(chǎn)生對應(yīng)于記錄數(shù)據(jù)的第一脈沖、用來合成到第一脈沖的前端的第二脈沖和用來合成到第一脈沖的前端的第三脈沖，并用于合成第一到第三脈沖產(chǎn)生驅(qū)動脈沖的驅(qū)動脈沖產(chǎn)生裝置；以及脈沖產(chǎn)生控制裝置，用于執(zhí)行控制以使由驅(qū)動脈沖產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的的第一到第三脈沖中的一個或更多的電平或脈沖寬度依賴于形成的凹坑和平臺的長度中的至少一個而改變。
仍在另一方面，本發(fā)明提供一種用于形成記錄數(shù)據(jù)串的方法，包括產(chǎn)生對應(yīng)于記錄數(shù)據(jù)的第一脈沖、用來合成到第一脈沖的前端的第二脈沖和用來合成到第一脈沖的前端的第三脈沖；脈沖的脈沖電平或脈沖持續(xù)時間依賴于形成的凹坑的長度和形成的平臺的長度中的至少一個而改變；合成第一到第三脈沖以產(chǎn)生記錄脈沖，以及用驅(qū)動脈沖發(fā)射激光，以在以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)的記錄介質(zhì)上形成包括凹坑和凹坑的前面和后面之間的平臺的記錄數(shù)據(jù)串。
按照本發(fā)明，如上所述，產(chǎn)生具有相應(yīng)于形成的凹坑的長度的脈沖寬度的記錄脈沖，在接近其前端具有跨過多個階段的記錄功率，并且由記錄脈沖激發(fā)為脈沖光的激光被照射以實現(xiàn)記錄，有可能減小由于編碼之間也就是記錄的凹坑和平臺之間的符號間干涉產(chǎn)生的能量干涉，結(jié)果凹坑/平臺可以被制成為最適宜的形狀以能夠產(chǎn)生有效的重放邊緣，甚至以高速比如八倍速記錄。另外，記錄質(zhì)量可以通過減少記錄抖動來改善。
也就是說，使用本發(fā)明可以用高于四倍速，比如八倍速或十二倍速實現(xiàn)以最佳的凹坑形狀記錄。


圖1A和1B示出了如黃皮書(Orange-Book)標準規(guī)定的以一倍速記錄和雙倍速記錄的記錄策略的波形圖。
圖2A和2B是表示如黃皮書(Orange-Book)標準規(guī)定的以四倍速記錄的波形圖。
圖3A和3B說明了理想的記錄狀態(tài)。
圖4A和4B說明了使用單倍速記錄和雙倍速記錄的記錄策略在八倍速記錄時的凹坑變形。
圖5A和5B說明了使用四倍速記錄的記錄策略在八倍速記錄時的凹坑變形。
圖6是表示具體使用本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖7是表示使用在圖6所示的光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置中的記錄策略的波形圖。
圖8是表示在如圖6所示的光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置中的記錄脈沖產(chǎn)生電路的特定的例證性的結(jié)構(gòu)方框圖。
圖9是表示圖6所示的光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置的記錄操作的波形圖。
圖10是表示在涂有藍色素基的有機染料的CD-R上以八倍速記錄獲得的重放3T凹坑抖動特性的測量結(jié)果的曲線圖。
圖11是表示在涂有藍色素基的有機染料的CD-R上以八倍速記錄獲得的重放3T平臺抖動特性的測量結(jié)果的曲線圖。
圖12是表示在涂有酞青基的有機染料的CD-R上以八倍速記錄獲得的重放3T凹坑抖動特性的測量結(jié)果的曲線圖。
圖13是表示在涂有酞青基的有機染料的CD-R上以八倍速記錄獲得的重放3T平臺抖動特性的測量結(jié)果的曲線圖。
圖14是表示在圖6所示的光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置中使用的記錄策略的修正的波形圖。
圖15是具體實現(xiàn)本發(fā)明的記錄激光功率控制系統(tǒng)的方框圖。
圖16A到16E說明了具體實現(xiàn)本發(fā)明的記錄激光模式和驅(qū)動脈沖。
圖17到22說明了具體實現(xiàn)本發(fā)明的典型的記錄激光模式。
具體實施例方式
參照附圖，本發(fā)明最佳的實施例將更詳細地被說明。
本發(fā)明被應(yīng)用于結(jié)構(gòu)如附圖6所示的光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置100。
如圖6所示，光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置100是標記長度記錄系統(tǒng)的盤驅(qū)動，其中CD-R(可記錄CD)，也就是一次寫入光盤1由主軸馬達2以CLV旋轉(zhuǎn)驅(qū)動，并且其中激光由光頭3照射在光盤1的記錄表面形成凹坑，實現(xiàn)數(shù)據(jù)記錄和/或再現(xiàn)。光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置100包括與主軸馬達2和光頭3連接的伺服電路4、與光頭3連接的記錄脈沖產(chǎn)生電路5、同樣與光頭3連接的重放信號處理電路6、與記錄脈沖產(chǎn)生電路5和重放信號處理電路6連接的編碼器/解碼器電路7、與編碼器/解碼器電路7連接的SCSI接口電路8、以及與伺服電路4、編碼器/解碼器電路7和SCSI接口電路8連接的系統(tǒng)控制器9，并通過SCSI接口電路8與外部主機10連接。
按照從主機10通過SCSI接口電路8提供的控制命令的控制操作，由主機10控制伺服電路4。伺服電路4驅(qū)動控制主軸馬達2，以引起光盤以CLV旋轉(zhuǎn)，從而在數(shù)據(jù)記錄和/或再現(xiàn)時，光盤1的記錄表面上的目標區(qū)域?qū)⒂晒忸^3存取。伺服電路4也控制光頭3的供給、聚焦和跟蹤。
在光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置100中，將被寫入的數(shù)據(jù)從主機10通過SCSI接口電路8發(fā)送到編碼器/解碼器電路7，在電路7中將被寫入的數(shù)據(jù)被編碼為需要的數(shù)據(jù)格式的信號，例如，EFM信號，以便被送到記錄脈沖產(chǎn)生電路5。
根據(jù)記錄和/或再現(xiàn)裝置的光學(xué)系統(tǒng)的記錄速度特性或記錄介質(zhì)的染料材料、反射膜的材料類型、線速度，光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置100中的記錄脈沖產(chǎn)生電路5對編碼器/解碼器電路7提供的EFM(8到14調(diào)制的)信號執(zhí)行記錄策略(記錄補償)處理，以產(chǎn)生記錄脈沖。
圖7表示由記錄脈沖產(chǎn)生電路5產(chǎn)生的典型的記錄脈沖。
在圖7中，在3T到11T的記錄脈沖輸出期間，記錄脈沖ODT1和OTD2按以下的范圍可變地設(shè)定OT≤ODT1≤3.0T，Pw*0.0≤ΔP1≤Pw*0.5OT≤ODT2≤3.0T，Pw*0.0≤ΔP2≤Pw*0.5注意ODT1、ODT2、ΔP1和ΔP2之間的關(guān)系為ODT1≥ODT2ΔP1≥ΔP2其間，如果以下的關(guān)系被保持，則可以對每一個記錄脈沖3T到11T獨立地改變記錄脈沖的輸出期間ODT1和ODT2ODT1(3T)≥ODT1(4T)≥......ODT1(11T)ODT2(3T)≥ODT2(4T)≥......ODT2(11T)注意，在比如光盤的記錄介質(zhì)上記錄時，按照光調(diào)制記錄系統(tǒng)，將被記錄的凹坑的正前方的平臺(間隔)的長度越短，越有可能產(chǎn)生能量干涉，因為直接記錄先前的凹坑(標記)時堆積的熱量沒有充分地耗散。用本記錄脈沖產(chǎn)生電路5，各個脈沖的脈沖長度能夠被隨意地并分別用適當?shù)膶⒈挥涗浀陌伎?標記)和平臺(間隔)的組合來改變，從而改變記錄脈沖長度以便最優(yōu)化跟隨記錄后的重放信號。
由記錄脈沖產(chǎn)生電路5產(chǎn)生的記錄脈沖被提供給裝在光頭3中用于激光驅(qū)動的激光器驅(qū)動器電路30。激光二極管由激光器驅(qū)動電路30按照記錄脈沖的邏輯驅(qū)動，來引起激光二極管發(fā)光，以在光盤1上記錄數(shù)據(jù)。
例如如圖8所示，通過記錄策略處理產(chǎn)生記錄脈沖V1，用于大致在EQEFM記錄脈沖V1的前端重疊兩步堆棧部分ΔP1、ΔP2的記錄脈沖產(chǎn)生電路5包括凹坑/平臺長度檢測電路51、EQEFM產(chǎn)生電路52、ODP1產(chǎn)生電路53和ODP2產(chǎn)生電路54。
在該記錄脈沖產(chǎn)生電路5中，凹坑/平臺長度檢測電路51檢測從編碼器/解碼器電路7發(fā)送的EFM信號的脈沖寬度和正前方的凹坑和平臺長度。EQEFM產(chǎn)生電路52產(chǎn)生具有從EFM信號得出的預(yù)設(shè)電平和脈沖寬度的EQEFM記錄脈沖V1，同時，ODP1產(chǎn)生電路53產(chǎn)生加入到大致在激光驅(qū)動脈沖的前端的ODP1記錄脈沖V2，而ODP2產(chǎn)生電路54產(chǎn)生加入到大致在激光驅(qū)動脈沖的前端的ODP2記錄脈沖V3。分別由EQEFM產(chǎn)生電路52、ODP1產(chǎn)生電路53和ODP2產(chǎn)生電路54產(chǎn)生的記錄脈沖V1、V2、V3根據(jù)脈沖寬度或脈沖電平(電壓值)被可變控制，該脈沖寬度或脈沖電平取決于由凹坑/平臺長度檢測電路51檢測的EFM信號的脈沖寬度或正前方的凹坑長度或平臺長度。
注意，開關(guān)SW1、SW2和SW3是轉(zhuǎn)換開關(guān)電路，用于分別啟用/停用記錄脈沖、ODP記錄脈沖V2和ODP記錄脈沖V3，并由系統(tǒng)控制器9控制。
也就是說，系統(tǒng)控制器9響應(yīng)于從主機10發(fā)送的寫命令和模式設(shè)定命令，識別使用幾倍速將從主機10傳送來的記錄數(shù)據(jù)記錄在盤上。開關(guān)SW1、SW2和SW3響應(yīng)于要求的寫速度被轉(zhuǎn)換。例如，如果寫速度是一倍速或雙倍速，開關(guān)SW2和SW3被關(guān)閉，停用ODP1產(chǎn)生電路53和ODP2產(chǎn)生電路54，以便ODP記錄脈沖V2或ODP記錄脈沖V3不被加入，如圖1所示的記錄脈沖。如果要求的寫速度是四倍速，只有開關(guān)SW3關(guān)閉，從而不允許ODP記錄脈沖V3被加入，如圖2所示的記錄脈沖。如在本發(fā)明中以八倍速或十二倍速記錄數(shù)據(jù)時，開關(guān)SW1、SW2和SW3全部開啟，允許圖7所示的記錄脈沖被輸出。
在記錄脈沖產(chǎn)生電路5中產(chǎn)生的記錄脈沖V1到V3被傳送到裝在光頭3上的激光器驅(qū)動電路30中。激光二極管LD由激光器驅(qū)動電路30按照每個記錄脈沖的邏輯驅(qū)動，引起記錄激光器發(fā)射光，來在光盤1上記錄數(shù)據(jù)。在激光器驅(qū)動電路30中，由EQEFM產(chǎn)生電路52、ODP1產(chǎn)生電路53和ODP2產(chǎn)生電路54產(chǎn)生的記錄脈沖V1到V3分別通過電流/電壓轉(zhuǎn)換電路31到33轉(zhuǎn)換為記錄電流信號I1到I3，它們由加法電路34累加并綜合到一起產(chǎn)生驅(qū)動電流i(＝I1+I2+I3)，隨后該電流被引發(fā)流過激光二極管LD，來驅(qū)動激光二極管LD，引發(fā)記錄激光器發(fā)光，在光盤1上記錄數(shù)據(jù)。
也就是說，在該記錄脈沖產(chǎn)生電路5中，由總計在記錄脈沖產(chǎn)生電路5中產(chǎn)生的記錄脈沖V1到V3獲得的驅(qū)動電流i作為電流值，被引發(fā)流過激光二極管LD，并且在近似EQEFM信號的前邊界部分具有兩步堆棧部分ΔP1和ΔP2的光發(fā)射波形的記錄激光從激光二極管LD發(fā)射到光盤1的記錄表面，如圖9所示，在記錄表面上形成包括凹坑和平臺的軌跡。
在圖9中，時間段C表示從激光發(fā)射打開到凹坑開始形成的時間延遲，同時時間段c表示從激光發(fā)射關(guān)閉到凹坑已經(jīng)形成的時間延遲。時間段C和c可以由如下表示C＜B＜A以及c＜b＜a，其中，時間段A和a是如圖4所示使用對單倍速和雙倍速記錄的記錄策略作出記錄的情況下的時間段，和時間段B和b是如圖5所示使用對于四倍速記錄的記錄策略的情況下的時間段。因此，上述時間段C和c比時間段A和a或B和b短。
因此，用依照本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置100，在高速記錄時能夠形成更精確適應(yīng)于EFM信號的凹坑/平臺。
在該光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置100中，其中驅(qū)動電流I通過累加ODP記錄脈沖V2和ODP記錄脈沖V3到EQEFM記錄脈沖V1產(chǎn)生，脈沖V1到V3的電平或脈沖寬度依賴于記錄條件或者由凹坑/平臺長度檢測電路51檢測的EFM信號的脈沖寬度或緊接在前面的凹坑或平臺長度被改變，脈沖長度隨意地并獨立地對應(yīng)于3T到11T的每個區(qū)間設(shè)定。
實際上，脈沖寬度或脈沖電平依賴于盤材料類型(染料膜材料的類型)、盤制造者、記錄線速度或光頭的光學(xué)特性這些條件來調(diào)整。
特別的，考慮到由染料材料的類型的不同引起的能量反射的不同，檢查在記錄時裝載的盤的類型或盤的生產(chǎn)者來調(diào)整脈沖寬度或電平是有效的。開始記錄后調(diào)整脈沖寬度或電平對記錄操作也同樣有效。
對于藍色基或酞菁基的盤，重放3T凹坑/平臺抖動的特性被測量，并獲得圖10到圖13的結(jié)果。
圖10和11表示在涂有藍色基有機染料的CD-R介質(zhì)上以八倍速記錄獲得的重放3T凹坑抖動特性和重放3T平臺抖動特性的測量結(jié)果。圖12和13表示在涂有酞菁基有機染料的CD-R介質(zhì)上以八倍速記錄獲得的重放3T凹坑抖動特性和重放3T平臺抖動特性的測量結(jié)果。圖10到13中，橫坐標和縱坐標表示記錄功率和包含在重放RF信號中的RF抖動。
在圖10到13中，使用對于顯示在圖1中的傳統(tǒng)的單倍速和雙倍速記錄的記錄策略、在θ＝0.25、α＝0.13T實現(xiàn)記錄的情況下的測量結(jié)果，使用對于顯示在圖2中的傳統(tǒng)的四倍速記錄的記錄策略、在θ＝0.25、α＝1.50T和P＝30％實現(xiàn)記錄的情況下的測量結(jié)果，和在本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置100中用各自記錄脈沖的最佳的脈沖長度實現(xiàn)記錄的情況下的測量結(jié)果，分別用■、▲和●表示。
如圖10到13所示，從重放3T凹坑/平臺抖動特性的測量結(jié)果可以看出，不考慮使用的有機染料材料的類型或記錄介質(zhì)，記錄后的凹坑/平臺的抖動明顯地改善，同時明顯地抑制關(guān)于記錄功率的抖動的功率極限或記錄功率的降低。
在上述光盤記錄和/或再現(xiàn)裝置100中，包括EQEFM記錄脈沖V1的記錄激光適合于發(fā)射光，大致在該記錄脈沖V1的前邊緣P1和P2被堆棧。另外，也可以使用這樣的記錄策略，其中記錄脈沖產(chǎn)生電路5產(chǎn)生EQEFM記錄脈沖V1和m種ODP1記錄脈沖，也就是具有L1到Lm的脈沖寬度的ODP1記錄脈沖V1到ODPm記錄脈沖Vm，來產(chǎn)生在接近EQEFM記錄脈沖V1的前端具有m級堆棧部分P1到Pm的波形的記錄激光，以發(fā)射光來實現(xiàn)記錄，如圖14所示。
擔(dān)負每次記錄時產(chǎn)生激光器驅(qū)動脈沖的盤驅(qū)動裝置的一個修改的實施例的部件被提取并顯示在圖15中。同時，盤驅(qū)動裝置的全部結(jié)構(gòu)近似于圖1所示的第一實施例。
在記錄期間，來自編碼器/解碼器電路7的EFM信號被發(fā)送到記錄脈沖產(chǎn)生器121，它由凹坑/平臺長度檢測電路131、結(jié)束脈沖產(chǎn)生電路132、起始(first)脈沖產(chǎn)生電路133和EQEFM產(chǎn)生電路134組成。
EQEFM產(chǎn)生電路134產(chǎn)生具有從EFM信號得出的預(yù)設(shè)電平和脈沖寬度的EQEFM信號V11。
起始脈沖產(chǎn)生電路133產(chǎn)生要大致被加到激光驅(qū)動脈沖的前端的起始過驅(qū)動脈沖V21。
結(jié)束脈沖產(chǎn)生電路132產(chǎn)生要大致被加到激光驅(qū)動脈沖的后端的結(jié)束過驅(qū)動脈沖V31。
結(jié)束脈沖產(chǎn)生電路132、第一脈沖電路133和EQEFM產(chǎn)生電路134產(chǎn)生具有相應(yīng)于EFM信號的脈沖寬度的脈沖寬度的各脈沖V11、V21和V31。根據(jù)電流脈沖寬度或由凹坑/平臺長度檢測電路檢測到的EFM信號的正前方凹坑或平臺長度，脈沖寬度或脈沖電平(電壓級)被可變地控制。
開關(guān)SW1、SW2和SW3是用于啟用/關(guān)閉EEFM信號V11、起始過驅(qū)動脈沖V21和結(jié)束過驅(qū)動脈沖V31的轉(zhuǎn)換電路，并且由系統(tǒng)控制器9控制。也就是說，系統(tǒng)控制器9響應(yīng)于從主機10發(fā)送的寫命令或模式設(shè)定命令，識別出以幾倍速將從主機10傳來的記錄數(shù)據(jù)記錄在盤上。系統(tǒng)控制器9根據(jù)要求的寫速度轉(zhuǎn)換開關(guān)SW1到SW3。例如，如果寫速度是單倍速或雙倍速，則系統(tǒng)控制器9通過斷開開關(guān)SW2和SW3，停止使用起始脈沖產(chǎn)生電路133和結(jié)束脈沖產(chǎn)生電路132，以便排除起始過驅(qū)動脈沖V21和結(jié)束過驅(qū)動脈沖V31的附加部分，如由圖1所示的驅(qū)動脈沖說明的。如果要求的寫速度是四倍速，則只有開關(guān)SW3斷開，以排除結(jié)束過驅(qū)動脈沖V31的輸出，如圖2所示的驅(qū)動脈沖說明的。在以八倍速記錄數(shù)據(jù)時，作為按照本發(fā)明的最新提議，所有的開關(guān)SW1、SW2和SW3都接通，輸出如圖17到22說明的驅(qū)動脈沖。
在激光器驅(qū)動電路30中的電流/電壓轉(zhuǎn)換電路137、136、135中，EQEFM信號V11、起始過驅(qū)動脈沖V21和結(jié)束過驅(qū)動脈沖V31分別轉(zhuǎn)換為電流信號i11、i21和i31。
在加法電路138中，電流信號i17、i27和i37被相加給出供給激光二極管LD的驅(qū)動電流i。
同時，在本實施例中，來自系統(tǒng)控制器9的控制信號被輸入到電壓/電流轉(zhuǎn)換電路137、136、135。也就是說，如果每個脈沖的電平(幅度)依賴于例如記錄期間盤的旋轉(zhuǎn)速度(與軌跡相關(guān)的線性速度)、記錄的凹坑的長度、在盤中使用的記錄層(染料層)的材料類型或環(huán)境溫度被改變，則控制信號或參數(shù)由系統(tǒng)控制器9輸入。從而，各個信號V11、V21、V31的電平(幅度)單獨地由提供給電壓/電流轉(zhuǎn)換電路137、136、135的參數(shù)控制。盡管在本實施例中電壓/電流轉(zhuǎn)換電路137、136、135提供電平調(diào)整功能，但也可以作為分離電路在電壓/電流轉(zhuǎn)換電路137、136、135的上游或下游提供電平調(diào)整電路。
在本實施例中激光功率被如下控制。
圖16C、16D和16E分別表示結(jié)束過驅(qū)動脈沖(ODP結(jié)束；V31)、起始過驅(qū)動脈沖(ODP起始；V21)和EQEFM信號V11的詳細說明的例子。
響應(yīng)于從信號V11、V21和V31傳來的電流值和加在一起的電流值，通過驅(qū)動電流輸出的激光功率顯示在圖16A中。也就是說，通過起始過驅(qū)動脈沖的功率被加到EQEFM信號的前端，同時通過過驅(qū)動脈沖的功率被加到后端。注意Pr、Pw和Pod分別是重放激光電平、記錄激光電平和通過過驅(qū)動脈沖的激光電平。
如圖16B所示，利用以這種方式被控制的激光二極管LD的輸出的激光功率，在盤1上形成凹坑P和平臺L的軌跡。
在圖16中，時間段C表示從激光發(fā)射的啟動到凹坑P開始形成的時間延遲，同時時間段c表示從激光發(fā)射的停止到凹坑P的形成結(jié)束的時間延遲。
這些時間段C和c比圖5所示的時間段A、B、a和b短，意味著，在本發(fā)明中，準確地處理EFM信號的凹坑/平臺甚至能夠在高速記錄時形成。
在本實施例中，結(jié)束過驅(qū)動脈沖和起始過驅(qū)動脈沖被加到EQEFM信號中，產(chǎn)生驅(qū)動信號i。由記錄信號產(chǎn)生單元121產(chǎn)生的EQEFM信號結(jié)束過驅(qū)動脈沖和起始過驅(qū)動脈沖，能夠根據(jù)由凹坑/平臺長度檢測電路檢測的前面和后面的凹坑和平臺的凹坑和平臺的長度，在電平或脈沖寬度方面改變。系統(tǒng)控制器9依賴于不同的脈沖3T到11T隨意地可改變地設(shè)定脈沖寬度。
也就是說，脈沖寬度主要是用于N(T)EFM脈沖的(N-X(N))T脈沖的脈沖。
換句話說，用于設(shè)定EQEFM信號的脈沖寬度的值X3到X11依賴于3T到11T的各個脈沖隨意地分別設(shè)定。
例如，圖16A是與圖3A的EFM信號關(guān)聯(lián)的，然而具有(3-X3)T脈沖寬度的脈沖寬度的EQEFM信號，在EFM信號的3T脈沖時間段產(chǎn)生。而且，在11T脈沖時間段，產(chǎn)生具有(11-X11)T的脈沖寬度的EQEFM信號。
也就是說，脈沖寬度依照脈沖寬度的不同而被控制，即由在激光發(fā)射時間段的不同引起的在記錄軌跡上的熱量存儲不同，從而形成適宜地符合EFM信號的凹坑/平臺。
通過舉例，X3到X11的值可以取0.25到0.2的值。
EQEFM信號被與起始過驅(qū)動脈沖和結(jié)束過驅(qū)動脈沖相加，作為合成的波形模式(激光輸出控制模式)，如圖17到22所示的多種模式可以被使用。在圖17到22中L1和L2分別表示起始過驅(qū)動脈沖和結(jié)束過驅(qū)動脈沖的脈沖寬度。
圖17表示L1＝L2，并且起始過驅(qū)動脈沖的上升和EQEFM信號的衰減與EQEFM信號合成的情況。
圖18表示L1＜L2，并且起始過驅(qū)動脈沖的上升和EQEFM信號的衰減與EQEFM信號合成的情況。
圖19表示L1＞L2，并且起始過驅(qū)動脈沖的上升和EQEFM信號的衰減與EQEFM信號合成的情況。
圖20表示L1＝L2，并且起始過驅(qū)動脈沖的上升早于EQEFM信號以及結(jié)束過驅(qū)動脈沖的衰減晚于EQEFM信號的情況。
圖21表示L1＜L2，并且起始過驅(qū)動脈沖的上升與EQEFM信號合成以及結(jié)束過驅(qū)動脈沖的衰減晚于EQEFM信號的情況。
圖22表示L1＞L2，并且起始過驅(qū)動脈沖的上升早于EQEFM信號以及結(jié)束過驅(qū)動脈沖的衰減與EQEFM信號合成的情況。
在所有這些圖形中有可能認識到激光發(fā)射模式表示LD光輸出。
當然其他與這些不同的模式也可以實現(xiàn)。
各個模式可以有選擇地被使用，特別是時間段L1和L2可以依賴于由凹坑/平臺長度檢測電路檢測的正前方和正后方的凹坑和平臺長度被設(shè)定。例如，如果正前方的平臺范圍越長，則時間段L1越長，同時，如果正前方平臺范圍越短，則時間段L1越短。
也就是說，激光器驅(qū)動模式依賴于由不同的凹坑/平臺長度引起的熱量存儲的變化來控制。
時間段L1和L2的長度可以在從0T到3T的范圍內(nèi)改變。
盡管沒有示出，結(jié)束過驅(qū)動脈沖和起始過驅(qū)動脈沖的電平(電壓值)可以象上述的L1和L2一樣，依賴于前側(cè)和后側(cè)的凹坑和平臺的長度被改變。
也就是說，存儲在盤1中的熱量在激光量和時間段的基礎(chǔ)上確定，比如激光器驅(qū)動模式可以依賴于通過凹坑長度/平臺長度熱存儲量的改變而設(shè)定。
例如，在圖16中的電平Pod在記錄激光功率Pw的20％向上值、25％向上值和30％向上值之間改變。
所以，當作為盤1的CD-R以八倍速旋轉(zhuǎn)運行進行數(shù)據(jù)記錄時，在產(chǎn)生各個脈沖時給定的參數(shù)以圖19中所示的波形模式為例作如下解釋。
如果在正前方和正后方形成的平臺的長度是8T，以具有(N-0.25)T的脈沖寬度的EQEFM信號，加入到EQEFM信號的起始過驅(qū)動脈沖和結(jié)束過驅(qū)動脈沖分別具有等于1.75T和1T的脈沖寬度L1和L2。這些脈沖是大致大于EQEFM信號的電平30％的電平(幅度)。同時，在系統(tǒng)控制器9為記錄信號產(chǎn)生器121設(shè)定參數(shù)時，依賴于將被記錄的(3T到11T)凹坑長度和在凹坑正前方和正后方形成的平臺(3T到11T)的長度，起始過驅(qū)動脈沖的脈沖寬度被改變。即，相當于9個正前方平臺長度、9個記錄凹坑長度和9個正后方平臺長度的不同組合有總計共729個參數(shù)。例如，如果記錄凹坑長度是4T并各自在5T到11T范圍內(nèi)，則L1＝1.75T被設(shè)到1.05T到0.35T。另外，依賴于正前方平臺長度，-0.2T到+0.2T被加入到這些值中。例如，如果L1＝1.75T是參考值，則Li被設(shè)為從1.55T到1.95T。
現(xiàn)在，脈沖寬度和脈沖電平也依賴于盤材料(染料膜材料)的類型、盤生產(chǎn)者、記錄線性速度或光學(xué)拾取器1的光學(xué)系統(tǒng)的特性來調(diào)整。
而且，因為由例如染料膜材料的類型不同引起的熱能反射不同，區(qū)分記錄時裝載的盤或制造商的類型來調(diào)整脈沖寬度或脈沖電平。在記錄過程中執(zhí)行環(huán)境比如記錄線性速度或記錄速度可以被系統(tǒng)控制器9傳送到記錄脈沖產(chǎn)生器121，來調(diào)整用于光學(xué)記錄的脈沖寬度或脈沖電平。
從而，通過由相當于EQEFM信號與圖16A所示的結(jié)束過驅(qū)動脈沖和起始過驅(qū)動脈沖的和的驅(qū)動電流i控制激光發(fā)射，通過依賴于記錄條件或正前方和正后方凹坑和平臺的長度，改變在記錄脈沖產(chǎn)生器121中的EQEFM信號、結(jié)束過驅(qū)動脈沖和起始過驅(qū)動脈沖的電平或脈沖寬度，并通過依賴于3T到11T持續(xù)時間的不同來隨意地分別設(shè)定。本發(fā)明的第一和第二實施例也可以被合并使用。
權(quán)利要求
1.一種光盤記錄裝置，包括記錄脈沖產(chǎn)生裝置，用于以多階段的梯級在大致位于記錄脈沖的前端部分設(shè)定記錄功率，并用于產(chǎn)生相應(yīng)于將被形成的凹坑的長度的脈沖寬度的記錄脈沖；以及激光器裝置，用于通過所提供的記錄脈沖來發(fā)射激光，以形成包括在記錄介質(zhì)上所述的平臺之間定義的凹坑和平臺的記錄數(shù)據(jù)串；其中通過由所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的記錄脈沖而發(fā)射脈沖光的激光、被照射在作為所述記錄介質(zhì)的一次寫入光盤上，以實現(xiàn)記錄。
2.按照權(quán)利要求1的光盤記錄裝置，其中所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置產(chǎn)生至少一個相當于記錄數(shù)據(jù)的第一脈沖、用于合成到所述第一脈沖的前端的第二脈沖和用于合成到所述第一脈沖的前端的第三脈沖，所述第三脈沖具有小于所述第二脈沖的脈沖寬度，所述第一到第三脈沖被合成以產(chǎn)生所述的記錄脈沖。
3.按照權(quán)利要求2的光盤記錄裝置，其中所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置依賴于記錄條件，改變一個或更多的所述第一到第三脈沖的脈沖寬度和/或脈沖電平，以產(chǎn)生所述的記錄脈沖。
4.按照權(quán)利要求2的光盤記錄裝置，其中所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置包括凹坑/平臺長度檢測裝置，用于檢測將被形成的凹坑/平臺的長度，并依賴于將被形成的凹坑/平臺的長度的組合改變一個或更多的所述的第一到第三脈沖的脈沖寬度和/或脈沖電平，基于所述凹坑/平臺長度檢測裝置的檢測輸出，產(chǎn)生記錄脈沖。
5.按照權(quán)利要求2的光盤記錄裝置，其中所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置依賴于用于記錄的光盤的條件，改變一個或更多的所述的第一到第三脈沖的脈沖寬度和/或脈沖電平，來產(chǎn)生一個脈沖寬度的記錄脈沖。
6.按照權(quán)利要求4的光盤記錄裝置，其中所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置相應(yīng)于正前方形成的凹坑的長度和正前方形成的平臺的長度中的至少一個，可變地設(shè)定一個或更多的所述的第一到第三脈沖的脈沖寬度。
7.按照權(quán)利要求4的光盤記錄裝置，其中所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置依賴于形成的凹坑的正前方形成的平臺的長度，改變所述第一脈沖的脈沖寬度。
8.按照權(quán)利要求7的光盤記錄裝置，其中所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置依賴于形成的凹坑的長度，改變所述第一脈沖的脈沖寬度。
9.按照權(quán)利要求7的光盤記錄裝置，其中所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置依賴于形成的凹坑的正后方形成的平臺的長度，改變所述第一脈沖的脈沖寬度。
10.按照權(quán)利要求1的光盤記錄裝置，進一步包括轉(zhuǎn)換開關(guān)裝置，用于轉(zhuǎn)換所述的驅(qū)動脈沖產(chǎn)生裝置的操作，以排除由所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的所述第一到第三脈沖中至少一個的輸出，所述記錄脈沖產(chǎn)生裝置與在所述的記錄介質(zhì)上形成記錄數(shù)據(jù)串的速度相關(guān)聯(lián)，執(zhí)行所述轉(zhuǎn)換裝置的開關(guān)控制。
11.按照權(quán)利要求10的光盤記錄裝置，其中所述的記錄脈沖產(chǎn)生裝置控制所述的轉(zhuǎn)換開關(guān)裝置，從而如果所述的光盤以不高于四倍于參考速度的速度的線性速度旋轉(zhuǎn)，所述的第三脈沖不輸出。
12.一種光盤記錄方法，包括產(chǎn)生具有相當于形成的凹坑長度的脈沖寬度的記錄脈沖，所述記錄脈沖以在接近其前端的記錄功率跨過多個階段來形成；以及將由所述記錄脈沖以脈沖光激勵的激光束照射在一次寫入光盤上，以實現(xiàn)記錄。
13.按照權(quán)利要求12的光盤記錄方法，其中至少對應(yīng)于記錄數(shù)據(jù)的第一脈沖、用于合成到所述第一脈沖的前端的第二脈沖和用于合成到所述第一脈沖的前端的第三脈沖被產(chǎn)生，所述的第三脈沖的脈沖寬度小于所述的第二脈沖，所述的第一到第三脈沖被合成以產(chǎn)生所述的記錄脈沖。
14.按照權(quán)利要求13的光盤記錄方法，其中記錄由依賴于記錄條件控制的一個和更多所述第一到第三脈沖的脈沖寬度和/或脈沖電平實現(xiàn)。
15.按照權(quán)利要求13的光盤記錄方法，其中記錄由依賴于形成的凹坑/平臺的長度的不同組合控制的一個和更多所述的第一到第三脈沖的脈沖寬度和/或脈沖電平實現(xiàn)。
16.按照權(quán)利要求13的光盤記錄方法，其中記錄由依賴于實現(xiàn)記錄的光盤的條件而改變的一個和更多所述的第一到第三脈沖的脈沖寬度和/或脈沖電平實現(xiàn)。
17.一種用于光記錄介質(zhì)的記錄裝置，包括用于引起記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的裝置；控制器，用于控制所述旋轉(zhuǎn)裝置的旋轉(zhuǎn)速度；激光器裝置，用于通過提供的驅(qū)動脈沖發(fā)射激光，以形成包括在所述記錄介質(zhì)上的凹坑和所述凹坑前面和后面的平臺的記錄數(shù)據(jù)串；驅(qū)動脈沖產(chǎn)生裝置，用于產(chǎn)生相當于記錄數(shù)據(jù)的第一記錄脈沖、用于與所述第一脈沖的前端合成的第二脈沖和用于與所述第一脈沖的前端合成的第三脈沖，并且用于合成所述第一到第三脈沖來產(chǎn)生所述的驅(qū)動脈沖；以及脈沖產(chǎn)生控制裝置，用于執(zhí)行控制，以便依賴于形成的凹坑和平臺的至少一個的長度，改變由所述驅(qū)動脈沖產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的一個或更多的所述第一到第三脈沖的電平或脈沖寬度。
18.按照權(quán)利要求17的用于光記錄介質(zhì)的記錄裝置，其中所述脈沖產(chǎn)生控制裝置依賴于預(yù)先設(shè)定的記錄條件可變地設(shè)定所述第二和第三脈沖的寬度。
19.按照權(quán)利要求17的用于光記錄介質(zhì)的記錄裝置，其中所述脈沖產(chǎn)生控制裝置依賴于預(yù)先設(shè)定的記錄條件可變地在0T到3T范圍內(nèi)設(shè)定第二和第三脈沖的脈沖寬度。
20.按照權(quán)利要求17的用于光記錄介質(zhì)的記錄裝置，其中所述脈沖產(chǎn)生控制裝置響應(yīng)于凹坑和正前方形成的平臺的長度中的至少一個，可變地設(shè)定一個或更多的所述第一到第三脈沖的脈沖寬度。
21.按照權(quán)利要求17的用于光記錄介質(zhì)的記錄裝置，進一步包括用于檢測形成的凹坑的正前方形成的平臺的長度的裝置，所述脈沖產(chǎn)生控制裝置依賴于檢測到的平臺的長度改變所述第一脈沖的脈沖寬度。
22.按照權(quán)利要求21的用于光記錄介質(zhì)的記錄裝置，進一步包括用于檢測形成的凹坑的長度的裝置，所述的脈沖產(chǎn)生控制裝置依賴于檢測到的凹坑的長度改變所述第一脈沖的脈沖寬度。
23.按照權(quán)利要求21的用于光記錄介質(zhì)的記錄裝置，進一步包括用于檢測形成的凹坑的正后方形成的平臺的長度的裝置，所述的脈沖產(chǎn)生控制裝置依賴于檢測到的平臺的長度改變所述第一脈沖的脈沖寬度。
24.按照權(quán)利要求17的用于光記錄介質(zhì)的記錄裝置，進一步包括用于轉(zhuǎn)換所述驅(qū)動脈沖產(chǎn)生裝置的操作的裝置，以便由所述驅(qū)動脈沖產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的所述的第一到第三脈沖中的至少一個不輸出，所述驅(qū)動脈沖產(chǎn)生裝置與在所述記錄介質(zhì)上形成記錄數(shù)據(jù)串時所用的速度相關(guān)聯(lián)，執(zhí)行所述轉(zhuǎn)換開關(guān)裝置的轉(zhuǎn)換控制。
25.按照權(quán)利要求24的用于光記錄介質(zhì)的記錄裝置，其中所述的記錄介質(zhì)是一次寫入型光盤而且所述脈沖產(chǎn)生裝置控制轉(zhuǎn)換開關(guān)裝置，從而如果光盤以不快于四倍參考速度的線性速度旋轉(zhuǎn)，則所述的第三脈沖將不輸出。
26.一種用于形成記錄數(shù)據(jù)串的記錄方法，包括產(chǎn)生對應(yīng)于記錄數(shù)據(jù)第一脈沖、用于與所述第一脈沖的前端合成的第二脈沖和用于與所述第一脈沖的前端合成的第三脈沖，它們的電平或脈沖持續(xù)時間依賴于形成的凹坑的長度和形成的平臺的長度中的至少一個被改變，合成所述的第一到第三脈沖以產(chǎn)生記錄脈沖，并且發(fā)射通過所述驅(qū)動脈沖的激光以在以預(yù)先設(shè)定的速度旋轉(zhuǎn)的記錄媒體上形成包括凹坑和在前側(cè)和后側(cè)凹坑之間的平臺的記錄數(shù)據(jù)串。
27.按照權(quán)利要求26的記錄方法，進一步包括在產(chǎn)生所述第一到第三脈沖的步驟執(zhí)行控制，以便所述第二脈沖和所述的第三脈沖都將不與在所述記錄介質(zhì)上形成記錄數(shù)據(jù)時所用的速度相關(guān)聯(lián)產(chǎn)生。
全文摘要
一種在一次寫入型光盤上記錄的方法。通過具有對應(yīng)于形成的凹坑的長度的脈沖寬度的記錄脈沖激勵光發(fā)射的激光束,以實質(zhì)上前端脈沖跨過多個階段的記錄功率,照射在一次寫入型光盤上用來記錄。這使得能夠以快于四倍速的速度用凹坑形狀來記錄,比如以八倍速或十二倍速。
文檔編號G11B7/0045GK1340810SQ0112432
公開日2002年3月20日 申請日期2001年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月19日
發(fā)明者佐佐木敬, 森敦司, 盛一宗利, 番場光幸 申請人:索尼公司